JPH04225522A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPH04225522A JPH04225522A JP2408318A JP40831890A JPH04225522A JP H04225522 A JPH04225522 A JP H04225522A JP 2408318 A JP2408318 A JP 2408318A JP 40831890 A JP40831890 A JP 40831890A JP H04225522 A JPH04225522 A JP H04225522A
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Links
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Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波プラズマ処理
装置に関する。詳しくは、マイクロ波を用いてプラズマ
を発生させ、このプラズマによって被加工物表面にエッ
チングやアッシング等の処理を施すプラズマ処理装置に
関する。
装置に関する。詳しくは、マイクロ波を用いてプラズマ
を発生させ、このプラズマによって被加工物表面にエッ
チングやアッシング等の処理を施すプラズマ処理装置に
関する。
【0002】マイクロ波を用いたプラズマ処理装置とし
てエッチング装置やアッシング装置が用いられており、
安定した処理が求められている。そこで、高いパワーの
もとでも窓が割れることがないプラズマ処理装置が必要
である。
てエッチング装置やアッシング装置が用いられており、
安定した処理が求められている。そこで、高いパワーの
もとでも窓が割れることがないプラズマ処理装置が必要
である。
【0003】
【従来の技術】図7は従来の一例の構成図を示す。この
ものは、半導体集積回路素子の製造に際してドライアッ
シング技術の一つとして用いられるマイクロ波プラズマ
アッシング法に使用される。同図中、1は真空容器で、
マイクロ波導波管2、フッ素系反応ガス導入口3,排気
口4を設けられており、プラズマ室5内にはステージ6
上にウェハ等の被加工物7が載置されている。プラズマ
室5は真空封止されている。8はマイクロ波透過窓(以
下、窓という)支持部で、真空容器1と一体的に、導波
管2とプラズマ室5との境に設けられている。9は窓で
、導波管2側から窓ホルダ10によって支持部8に固定
支持されている。窓9の支持部8への取付けの様子を図
8に示す。
ものは、半導体集積回路素子の製造に際してドライアッ
シング技術の一つとして用いられるマイクロ波プラズマ
アッシング法に使用される。同図中、1は真空容器で、
マイクロ波導波管2、フッ素系反応ガス導入口3,排気
口4を設けられており、プラズマ室5内にはステージ6
上にウェハ等の被加工物7が載置されている。プラズマ
室5は真空封止されている。8はマイクロ波透過窓(以
下、窓という)支持部で、真空容器1と一体的に、導波
管2とプラズマ室5との境に設けられている。9は窓で
、導波管2側から窓ホルダ10によって支持部8に固定
支持されている。窓9の支持部8への取付けの様子を図
8に示す。
【0004】同図において、マイクロ波は窓9を透過し
てプラズマ室5に導入され、一方、ガス導入口3からの
例えばCF4 ガス等の反応ガスはプラズマ室5に導入
され、ここで反応ガスがマイクロ波によってプラズマ化
される。ステージ6上に載置された被加工物7は、この
プラズマによってアッシング処理される。ここで、窓9
の材料として、反応ガスにフッ素系のものを用いる場合
にはアルミナを、その他のものを用いる場合には石英を
夫々用いることが多い。
てプラズマ室5に導入され、一方、ガス導入口3からの
例えばCF4 ガス等の反応ガスはプラズマ室5に導入
され、ここで反応ガスがマイクロ波によってプラズマ化
される。ステージ6上に載置された被加工物7は、この
プラズマによってアッシング処理される。ここで、窓9
の材料として、反応ガスにフッ素系のものを用いる場合
にはアルミナを、その他のものを用いる場合には石英を
夫々用いることが多い。
【0005】図9は従来の他の例の構成図を示し、同図
中、図7と同一機能を有する部分には同一番号を付して
その説明を省略する。このものは、本出願人が先に提案
したもの(特開昭62−264623号、発明の名称「
マイクロ波プラズマ処理装置」)で、真空容器11の導
波管12の一部にファン13を設けられている。
中、図7と同一機能を有する部分には同一番号を付して
その説明を省略する。このものは、本出願人が先に提案
したもの(特開昭62−264623号、発明の名称「
マイクロ波プラズマ処理装置」)で、真空容器11の導
波管12の一部にファン13を設けられている。
【0006】窓9にアルミナを用いる場合、アルミナは
200℃では屈曲強度が急激に劣化するため、高パワー
のもとでは大気圧に耐えきれずに破損してしまうことが
多い。そこで、ファン13によって空気を窓9に吹付け
て冷却させる構成にすると、ファン13を設けられてい
ないものに比して窓9の寿命を少し伸ばし得る。窓9を
、例えば厚さ12mm、直径120mmとした場合、約
10分間プラズマにさらしても破損を生じない。
200℃では屈曲強度が急激に劣化するため、高パワー
のもとでは大気圧に耐えきれずに破損してしまうことが
多い。そこで、ファン13によって空気を窓9に吹付け
て冷却させる構成にすると、ファン13を設けられてい
ないものに比して窓9の寿命を少し伸ばし得る。窓9を
、例えば厚さ12mm、直径120mmとした場合、約
10分間プラズマにさらしても破損を生じない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図7に示す従来装置は
、■アルミナは200℃では屈曲強度が急激に劣化する
、■支持部8が熱膨張する、という考えられる2つの原
因のうちいずれが支配的かわからないが、比較的短い時
間(例えば10分間程度)で窓9が破損してしまう。 特に、上記■による破損は、窓9のプラズマ室5側、つ
まり、窓9と支持部8との間に僅かの間隙があるために
この付近でプラズマが強く発生してこのプラズマ熱によ
って支持部8の窓9との当接面8a(図7,図10(A
),(B))が熱膨張し、これにより、図11(A)に
示すような歪を生じて窓9に対するストレスが一部分に
集中することが原因と考えられる。なお、図11(A)
は窓割れを生じた後の図10(A)中、XI−XI線に
沿った断面図を示す。
、■アルミナは200℃では屈曲強度が急激に劣化する
、■支持部8が熱膨張する、という考えられる2つの原
因のうちいずれが支配的かわからないが、比較的短い時
間(例えば10分間程度)で窓9が破損してしまう。 特に、上記■による破損は、窓9のプラズマ室5側、つ
まり、窓9と支持部8との間に僅かの間隙があるために
この付近でプラズマが強く発生してこのプラズマ熱によ
って支持部8の窓9との当接面8a(図7,図10(A
),(B))が熱膨張し、これにより、図11(A)に
示すような歪を生じて窓9に対するストレスが一部分に
集中することが原因と考えられる。なお、図11(A)
は窓割れを生じた後の図10(A)中、XI−XI線に
沿った断面図を示す。
【0008】このように、プラズマ処理を行なうと支持
部8の当接面8aに歪を生じるため、この歪を修正せず
に窓を新しいものと交換して取付けても再度窓割れを生
じる。図9に示す本出願人が先に提案したものは、ファ
ン13を設けて冷却を行なう構成であるので、図7に示
すものよりは窓9の寿命を伸ばし得るが、プラズマ処理
の中には数10分を必要とするものもあり、このような
場合、連続運転で30分以上プラズマにさらすとやはり
窓割れを生じる。この場合も前記■,■の原因によるも
のと考えられ、やはり、支持部8の当接面8aに生じた
歪(図11(B))を修正せずに窓を新しいものと交換
して取付けても再度窓割れを生じる。
部8の当接面8aに歪を生じるため、この歪を修正せず
に窓を新しいものと交換して取付けても再度窓割れを生
じる。図9に示す本出願人が先に提案したものは、ファ
ン13を設けて冷却を行なう構成であるので、図7に示
すものよりは窓9の寿命を伸ばし得るが、プラズマ処理
の中には数10分を必要とするものもあり、このような
場合、連続運転で30分以上プラズマにさらすとやはり
窓割れを生じる。この場合も前記■,■の原因によるも
のと考えられ、やはり、支持部8の当接面8aに生じた
歪(図11(B))を修正せずに窓を新しいものと交換
して取付けても再度窓割れを生じる。
【0009】上記現象は窓9にアルミナを用いた場合で
あるが、石英を用いた場合も同様の傾向が現われる。
あるが、石英を用いた場合も同様の傾向が現われる。
【0010】このように、図7,図9に示す従来装置は
、支持部8の当接面8aに生じる歪を修正せずに窓9を
交換してプラズマ処理を行なうと頻繁に窓割れを生じ、
不経済である問題点があり、又、この窓割れを生じる回
数を少なくするには、窓割れ毎に真空容器1(具体的に
は支持部8)を加工しなければならず、多くの手間を必
要とし、その分だけ稼働率が低下し、コスト高となる問
題点があった。
、支持部8の当接面8aに生じる歪を修正せずに窓9を
交換してプラズマ処理を行なうと頻繁に窓割れを生じ、
不経済である問題点があり、又、この窓割れを生じる回
数を少なくするには、窓割れ毎に真空容器1(具体的に
は支持部8)を加工しなければならず、多くの手間を必
要とし、その分だけ稼働率が低下し、コスト高となる問
題点があった。
【0011】本発明は、窓割れを生じても簡単に修理で
き、窓割れの回数を少なくできるマイクロ波プラズマ処
理装置を提供することを目的とする。
き、窓割れの回数を少なくできるマイクロ波プラズマ処
理装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、窓ホルダを真
空容器に対して着脱自在に構成し、窓を窓ホルダにてプ
ラズマ窓側から保持する構成とする。
空容器に対して着脱自在に構成し、窓を窓ホルダにてプ
ラズマ窓側から保持する構成とする。
【0013】
【作用】プラズマ処理による熱膨張によって歪を生じる
のは窓に対してプラズマ窓側に存在する部材であり、本
発明の場合は窓ホルダである。窓ホルダは真空容器に対
して着脱自在に構成されているので、歪を生じる支持部
を真空容器に一体的に設けられていて窓割れ毎に真空容
器を加工しなければならない従来例に比して窓及び窓ホ
ルダの交換の手間がかからず、稼働率の低下は少ない。 このように、簡単に扱うことができるので、窓ホルダを
常に歪の少ない状態に設定でき、従来例に比して窓割れ
の回数を少なくできる。
のは窓に対してプラズマ窓側に存在する部材であり、本
発明の場合は窓ホルダである。窓ホルダは真空容器に対
して着脱自在に構成されているので、歪を生じる支持部
を真空容器に一体的に設けられていて窓割れ毎に真空容
器を加工しなければならない従来例に比して窓及び窓ホ
ルダの交換の手間がかからず、稼働率の低下は少ない。 このように、簡単に扱うことができるので、窓ホルダを
常に歪の少ない状態に設定でき、従来例に比して窓割れ
の回数を少なくできる。
【0014】
【実施例】図1は本発明の第1実施例の構成図を示し、
同図中、図7と同一機能を有する部分には同一番号を付
してその説明を省略する。図1中、20は真空容器で、
マイクロ波導波管21,ガス導入口3,排出口4を設け
られている。22は窓支持部で、真空容器20と一体的
に、導波管21とプラズマ室5との境に設けられている
。23は窓ホルダで、真空容器20とは別部材で、真空
容器20に対して着脱自在に構成されている。窓9はプ
ラズマ窓5側から窓ホルダ23によって支持部22に固
定支持されている。窓9の支持部22への取付けの様子
を図2に示す。同図において、ガス導入口3から導入さ
れたCF4 ガス等の反応ガスはプラズマ窓5において
マイクロ波によってプラズマ化され、被加工物7はこの
プラズマによってアッシング処理される。この場合、窓
9のプラズマ窓5側、つまり、窓9と窓ホルダ23との
間に僅かに存在する間隙付近で強いプラズマが発生し、
このプラズマ熱によって窓ホルダ23の窓9との当接面
23a(図1,図3(A),(B))が熱膨張し、これ
により、図4(A)に示すような歪を生じる。即ち、歪
を生じる部分は真空容器20の一部(支持部22の窓9
との当接面22a)(図4(B))ではなく、窓ホルダ
23である。なお、図4(A)は窓割れを生じた後の図
3(A)中、IV−IV線に沿った断面図、図4(B)
は窓割れを生じた後の支持部22の断面図を夫々示す。
同図中、図7と同一機能を有する部分には同一番号を付
してその説明を省略する。図1中、20は真空容器で、
マイクロ波導波管21,ガス導入口3,排出口4を設け
られている。22は窓支持部で、真空容器20と一体的
に、導波管21とプラズマ室5との境に設けられている
。23は窓ホルダで、真空容器20とは別部材で、真空
容器20に対して着脱自在に構成されている。窓9はプ
ラズマ窓5側から窓ホルダ23によって支持部22に固
定支持されている。窓9の支持部22への取付けの様子
を図2に示す。同図において、ガス導入口3から導入さ
れたCF4 ガス等の反応ガスはプラズマ窓5において
マイクロ波によってプラズマ化され、被加工物7はこの
プラズマによってアッシング処理される。この場合、窓
9のプラズマ窓5側、つまり、窓9と窓ホルダ23との
間に僅かに存在する間隙付近で強いプラズマが発生し、
このプラズマ熱によって窓ホルダ23の窓9との当接面
23a(図1,図3(A),(B))が熱膨張し、これ
により、図4(A)に示すような歪を生じる。即ち、歪
を生じる部分は真空容器20の一部(支持部22の窓9
との当接面22a)(図4(B))ではなく、窓ホルダ
23である。なお、図4(A)は窓割れを生じた後の図
3(A)中、IV−IV線に沿った断面図、図4(B)
は窓割れを生じた後の支持部22の断面図を夫々示す。
【0015】従って、窓割れを生じた後では、窓ホルダ
23及び窓9を支持部22から取外し、夫々新しいもの
と交換して支持部22に取付ければよく、その取扱いは
簡単である。この場合、窓割れ毎に真空容器を加工しな
ければならない従来例に比して手間がかからず、従って
、従来例ほどの稼働率の低下はない。このように、簡単
に取扱うことができるので、窓ホルダ23を常に歪の少
ない状態に設置でき、このため、従来例に比して窓割れ
の回数を少なくでき、経済的である。
23及び窓9を支持部22から取外し、夫々新しいもの
と交換して支持部22に取付ければよく、その取扱いは
簡単である。この場合、窓割れ毎に真空容器を加工しな
ければならない従来例に比して手間がかからず、従って
、従来例ほどの稼働率の低下はない。このように、簡単
に取扱うことができるので、窓ホルダ23を常に歪の少
ない状態に設置でき、このため、従来例に比して窓割れ
の回数を少なくでき、経済的である。
【0016】図5は本発明の第2実施例の構成図を示し
、同図中、図1と同一機能を有する部分には同一番号を
付してその説明を省略する。図5中、25は真空容器で
、マイクロ波導波管26,ファン27等が設けられてい
る。ここで、図5に示す装置を用いて行なった実験結果
について説明する。
、同図中、図1と同一機能を有する部分には同一番号を
付してその説明を省略する。図5中、25は真空容器で
、マイクロ波導波管26,ファン27等が設けられてい
る。ここで、図5に示す装置を用いて行なった実験結果
について説明する。
【0017】(実験1)圧力を0.3Torr、マイク
ロ波出力を1.5kW,使用ガスとしてO2 ガスを4
30cc/min、CF4ガスを70cc/min、窓
材をアルミナ、の各条件においてプラズマを発生させ窓
割れを生じた後に窓ホルダ23を交換せず、窓9のみを
交換して再びプラズマを発生させたところ、2分で再び
窓割れを生じた。そこで、窓割れ後に窓9及び窓ホルダ
23を夫々交換して再びプラズマを発生させたところ、
30分後でも窓割れを生じなかった。
ロ波出力を1.5kW,使用ガスとしてO2 ガスを4
30cc/min、CF4ガスを70cc/min、窓
材をアルミナ、の各条件においてプラズマを発生させ窓
割れを生じた後に窓ホルダ23を交換せず、窓9のみを
交換して再びプラズマを発生させたところ、2分で再び
窓割れを生じた。そこで、窓割れ後に窓9及び窓ホルダ
23を夫々交換して再びプラズマを発生させたところ、
30分後でも窓割れを生じなかった。
【0018】(実験2)圧力を0.3Torr、マイク
ロ波出力を1.5kW、使用ガスとしてO2 ガスを5
00cc/min、窓材を石英、の各条件においてプラ
ズマを発生させ、窓割れを生じた後に窓ホルダ23を交
換せず、窓9のみを交換して再びプラズマを発生させた
ところ、3分で再び窓割れを生じた。そこで、窓割れ後
に窓9及び窓ホルダ23を夫々交換して再びプラズマを
発生させこところ、30分後でも窓割れを生じなかった
。
ロ波出力を1.5kW、使用ガスとしてO2 ガスを5
00cc/min、窓材を石英、の各条件においてプラ
ズマを発生させ、窓割れを生じた後に窓ホルダ23を交
換せず、窓9のみを交換して再びプラズマを発生させた
ところ、3分で再び窓割れを生じた。そこで、窓割れ後
に窓9及び窓ホルダ23を夫々交換して再びプラズマを
発生させこところ、30分後でも窓割れを生じなかった
。
【0019】図6は本発明の第3実施例の構成図を示し
、同図中、図1と同一機能を有する部分には同一番号を
付してその説明を省略する。このものは、マイクロ波ダ
ウンフローアッシング装置に適用される。図6中、30
は真空容器で、マイクロ波導波管31、ファン32等が
設けられており、内部にはプラズマ室33及び反応室3
4が設けられており、これらの境には反応室34にマイ
クロ波が漏れることを防ぐ金属製のシャワーヘッド35
が設けられている。ここで、図6に示す装置を用いて行
なった実験結果について説明する。
、同図中、図1と同一機能を有する部分には同一番号を
付してその説明を省略する。このものは、マイクロ波ダ
ウンフローアッシング装置に適用される。図6中、30
は真空容器で、マイクロ波導波管31、ファン32等が
設けられており、内部にはプラズマ室33及び反応室3
4が設けられており、これらの境には反応室34にマイ
クロ波が漏れることを防ぐ金属製のシャワーヘッド35
が設けられている。ここで、図6に示す装置を用いて行
なった実験結果について説明する。
【0020】(実験3)圧力を0.8Torr、マイク
ロ波出力を1.5kW、使用ガスとしてO2 ガスを8
50cc/min、CF4ガスを150cc/min、
窓材をアルミナ、の各条件においてプラズマを発生させ
、窓割れを生じた後に窓ホルダ23を交換せず、窓9の
みを交換して再びプラズマを発生させたところ、1分で
再び窓割れを生じた。そこで、窓割れ後に窓9及び窓ホ
ルダ23を夫々交換して再びプラズマを発生させたとこ
ろ、30分後でも窓割れを生じなかった。
ロ波出力を1.5kW、使用ガスとしてO2 ガスを8
50cc/min、CF4ガスを150cc/min、
窓材をアルミナ、の各条件においてプラズマを発生させ
、窓割れを生じた後に窓ホルダ23を交換せず、窓9の
みを交換して再びプラズマを発生させたところ、1分で
再び窓割れを生じた。そこで、窓割れ後に窓9及び窓ホ
ルダ23を夫々交換して再びプラズマを発生させたとこ
ろ、30分後でも窓割れを生じなかった。
【0021】(実験4)圧力を0.8Torr、マイク
ロ波出力を1.5kW、使用ガスとしてO2 ガスを1
000cc/min、窓材を石英、の各条件においてプ
ラズマを発生させ、窓割れを生じた後に窓ホルダ23を
交換せず、窓9のみを交換して再びプラズマを発生させ
たところ、2分で窓割れを生じた。そこで、窓割れ後に
窓ホルダ23を夫々交換して再びプラズマを発生させた
ところ、30分後でも窓割れを生じなかった。
ロ波出力を1.5kW、使用ガスとしてO2 ガスを1
000cc/min、窓材を石英、の各条件においてプ
ラズマを発生させ、窓割れを生じた後に窓ホルダ23を
交換せず、窓9のみを交換して再びプラズマを発生させ
たところ、2分で窓割れを生じた。そこで、窓割れ後に
窓ホルダ23を夫々交換して再びプラズマを発生させた
ところ、30分後でも窓割れを生じなかった。
【0022】
【発明の効果】本発明によれば、窓を窓ホルダにてプラ
ズマ窓側から保持したため、窓割れ後は窓及び窓ホルダ
を一緒に交換でき、従来例に比して歪の修正が容易であ
り、従って、稼働率の低下が少なく、又、このように取
扱が簡単でなるので、窓ホルダを常に歪の少ない状態に
設置でき、このため、従来例に比して窓割れの回数を少
なくでき、経済的である。
ズマ窓側から保持したため、窓割れ後は窓及び窓ホルダ
を一緒に交換でき、従来例に比して歪の修正が容易であ
り、従って、稼働率の低下が少なく、又、このように取
扱が簡単でなるので、窓ホルダを常に歪の少ない状態に
設置でき、このため、従来例に比して窓割れの回数を少
なくでき、経済的である。
【図1】本発明の第1実施例の構成図である。
【図2】本発明における窓の支持部への取付けの様子を
示す図である。
示す図である。
【図3】本発明における窓ホルダの構成図である。
【図4】窓割れ後における窓ホルダ及び支持部表面を示
す断面図(本発明)である。
す断面図(本発明)である。
【図5】本発明の第2実施例の構成図である。
【図6】本発明の第3実施例の構成図である。
【図7】従来の一例の構成図である。
【図8】従来例における窓の支持部への取付けの様子を
示す図である。
示す図である。
【図9】従来の他の例の構成図である。
【図10】従来例における支持部の構成図である。
【図11】窓割れ後における支持部表面を示す断面図(
従来例)である。
従来例)である。
5,33 プラズマ窓
7 被加工物
9 マイクロ波透過窓
20,25,30 真空容器
21,26,31 マイクロ波導波管22 窓支持
部 23 窓ホルダ 23a 窓ホルダの窓との当接面 27,32 ファン(冷却手段) 34 反応室 35 シャワーヘッド
部 23 窓ホルダ 23a 窓ホルダの窓との当接面 27,32 ファン(冷却手段) 34 反応室 35 シャワーヘッド
Claims (3)
- 【請求項1】 マイクロ波透過窓(9)を窓ホルダ(
23)にて真空容器(20)に保持し、該マイクロ波透
過窓(9)にて該真空容器(20)のプラズマ室(5)
を真空封止する構成のマイクロ波プラズマ処理装置にお
いて、上記窓ホルダ(23)を上記真空容器(20)に
対して着脱自在に構成し、上記マイクロ波透過窓(9)
を上記窓ホルダ(23)にて上記プラズマ室(5)側か
ら保持する構成としてなることを特徴とするマイクロ波
プラズマ処理装置。 - 【請求項2】 マイクロ波導波管(26)の一部に上
記マイクロ波透過窓(9)を冷却するための冷却手段(
27)を設けてなることを特徴とする請求項1のマイク
ロ波プラズマ処理装置。 - 【請求項3】 上記真空容器(30)内にシャワーヘ
ッド(35)を設け、プラズマ室(33)及び反応室(
34)を構成してなることを特徴とする請求項1又は2
のマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2408318A JPH04225522A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2408318A JPH04225522A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04225522A true JPH04225522A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18517783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2408318A Pending JPH04225522A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04225522A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006294422A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびスロットアンテナおよびプラズマ処理方法 |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP2408318A patent/JPH04225522A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006294422A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびスロットアンテナおよびプラズマ処理方法 |
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