JPH04225521A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JPH04225521A JPH04225521A JP41495490A JP41495490A JPH04225521A JP H04225521 A JPH04225521 A JP H04225521A JP 41495490 A JP41495490 A JP 41495490A JP 41495490 A JP41495490 A JP 41495490A JP H04225521 A JPH04225521 A JP H04225521A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微細なコンタクトホー
ルやビアホールに対し、選択的に例えばタングステンを
成長させて上記コンタクトホール等を埋め込む所謂選択
Ｗ−ＣＶＤを行なうＣＶＤ装置に関する。
ルやビアホールに対し、選択的に例えばタングステンを
成長させて上記コンタクトホール等を埋め込む所謂選択
Ｗ−ＣＶＤを行なうＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、半導体集積回路の微細化、高集積
化に伴ない、開口（コンタクトホールやビアホール等）
の径も小さくなり、従来のバイアス・スパッタ法のみで
は対応できなくなってきている。
化に伴ない、開口（コンタクトホールやビアホール等）
の径も小さくなり、従来のバイアス・スパッタ法のみで
は対応できなくなってきている。
【０００３】そこで最近では、上記開口にタングステン
を選択的に埋め込む所謂選択Ｗ−ＣＶＤ法が注目され、
実用化されつつある。
を選択的に埋め込む所謂選択Ｗ−ＣＶＤ法が注目され、
実用化されつつある。
【０００４】これは、例えば反応ガスＷＦ６ が金属上
で還元され易いという性質を利用して上記開口内にタン
グステンを選択的に成長させるものであり、開口のアス
ペクト比に関係なくタングステンを埋め込むことができ
るという大きな特徴を有する。
で還元され易いという性質を利用して上記開口内にタン
グステンを選択的に成長させるものであり、開口のアス
ペクト比に関係なくタングステンを埋め込むことができ
るという大きな特徴を有する。
【０００５】特に、この選択Ｗ−ＣＶＤ法においては、
従来からのＨ２ （Ｓｉ）還元反応に比べ、ＷＦ６ を
還元し易いＳｉＨ４ 還元反応を使った選択成長法（Ｓ
ｉＨ４ 還元法）が開発され、上記選択Ｗ−ＣＶＤ法の
実用化が進められている。
従来からのＨ２ （Ｓｉ）還元反応に比べ、ＷＦ６ を
還元し易いＳｉＨ４ 還元反応を使った選択成長法（Ｓ
ｉＨ４ 還元法）が開発され、上記選択Ｗ−ＣＶＤ法の
実用化が進められている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記選
択Ｗ−ＣＶＤ法においては、処理回数（バッチ数）が増
えるに従って、チェンバ内壁やサセプタ周辺部にＷＦ６
やその反応生成物（Ｗ，ＷＦｘ ，ＷＨｘ Ｆｙ 等
）が附着し、この附着物が核となって選択成長が破れ、
選択Ｗ−ＣＶＤの選択性を損うという不都合がある。
択Ｗ−ＣＶＤ法においては、処理回数（バッチ数）が増
えるに従って、チェンバ内壁やサセプタ周辺部にＷＦ６
やその反応生成物（Ｗ，ＷＦｘ ，ＷＨｘ Ｆｙ 等
）が附着し、この附着物が核となって選択成長が破れ、
選択Ｗ−ＣＶＤの選択性を損うという不都合がある。
【０００７】チェンバ内の上記附着物を除去する方法と
して、例えば上記附着物を機械的にけずり取る方法など
が考えられるが、非常に手間がかかり、上記附着物を完
全に取り去ることは不可能である。
して、例えば上記附着物を機械的にけずり取る方法など
が考えられるが、非常に手間がかかり、上記附着物を完
全に取り去ることは不可能である。
【０００８】また、その他、窒素ガスを供給してチェン
バ内のＷＦ６ ガス等を追い出すという方法が提案され
ている（特開昭６３−１６９３８１号公報参照）。この
場合、チェンバ内壁へのＷＦ６ 等の附着を抑制するこ
とはできるが、一旦チェンバ内壁等に附着した附着物を
除去することはできず、この方法においても、最終的に
は上記機械的な方法で附着物を除去するしかない。
バ内のＷＦ６ ガス等を追い出すという方法が提案され
ている（特開昭６３−１６９３８１号公報参照）。この
場合、チェンバ内壁へのＷＦ６ 等の附着を抑制するこ
とはできるが、一旦チェンバ内壁等に附着した附着物を
除去することはできず、この方法においても、最終的に
は上記機械的な方法で附着物を除去するしかない。
【０００９】本発明は、このような課題に鑑みて成され
たもので、その目的とするところは、附着物に対する機
械的な除去を用いずに、活性酸素の反応性を利用して、
附着物を化学的に除去することができる、即ちチェンバ
内のセルフクリーニングが可能なＣＶＤ装置を提供する
ことにある。
たもので、その目的とするところは、附着物に対する機
械的な除去を用いずに、活性酸素の反応性を利用して、
附着物を化学的に除去することができる、即ちチェンバ
内のセルフクリーニングが可能なＣＶＤ装置を提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板１
上の開口内に、選択的に金属層を成長させて埋め込むＣ
ＶＤ装置Ａにおいて、反応室３内へ酸素あるいは活性酸
素を供給する手段１２ｃを具備して構成する。
上の開口内に、選択的に金属層を成長させて埋め込むＣ
ＶＤ装置Ａにおいて、反応室３内へ酸素あるいは活性酸
素を供給する手段１２ｃを具備して構成する。
【００１１】また、本発明は、上記ＣＶＤ装置Ａにおい
て、上記手段１２ｃと共に、反応室３内に活性酸素を発
生させる手段１８を具備して構成する。
て、上記手段１２ｃと共に、反応室３内に活性酸素を発
生させる手段１８を具備して構成する。
【００１２】
【作用】上述の本発明の構成によれば、反応室３内へ酸
素あるいは活性酸素を供給する手段１２ｃを設けるよう
にしたので、反応室３内壁等に附着したＷＦ６ 等の附
着物を、活性酸素の反応性を利用して昇華性が大である
酸化タングステン（タングステンブルー）に変化させて
化学的に除去することができる。即ち、機械的な除去方
法を用いずに、反応室３内壁等に対するセルフクリーニ
ングが可能になり、例えば選択Ｗ−ＣＶＤの再現性並び
に信頼性を高めることができる。
素あるいは活性酸素を供給する手段１２ｃを設けるよう
にしたので、反応室３内壁等に附着したＷＦ６ 等の附
着物を、活性酸素の反応性を利用して昇華性が大である
酸化タングステン（タングステンブルー）に変化させて
化学的に除去することができる。即ち、機械的な除去方
法を用いずに、反応室３内壁等に対するセルフクリーニ
ングが可能になり、例えば選択Ｗ−ＣＶＤの再現性並び
に信頼性を高めることができる。
【００１３】また、反応室３内へ酸素あるいは活性酸素
を供給する手段１２ｃと共に、反応室３内に活性酸素を
発生させる手段１８を具備させることにより、上記附着
物をタングステンブルーに変化させる効率が大幅に向上
し、反応室３内のセルフクリーニングの高効率化を実現
させることができる。
を供給する手段１２ｃと共に、反応室３内に活性酸素を
発生させる手段１８を具備させることにより、上記附着
物をタングステンブルーに変化させる効率が大幅に向上
し、反応室３内のセルフクリーニングの高効率化を実現
させることができる。
【００１４】
【実施例】以下、図１を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００１５】図１は、本実施例に係るＣＶＤ装置、特に
選択Ｗ−ＣＶＤを行なうＣＶＤ装置Ａを示す概略構成図
である。
選択Ｗ−ＣＶＤを行なうＣＶＤ装置Ａを示す概略構成図
である。
【００１６】このＣＶＤ装置Ａは、図示する如く、ウェ
ハ１を保持するサセプタ２がチェンバ３内の上部に設置
され、その下面にウェハ１を保持するようになされてい
る。ウェハ１は、既知のスライド機構４に連結され、圧
縮バネ等によって常時上方に付勢された押圧レバー（Ｆ
ｉｎｇｅｒ Ｃｌａｍｐ）５によって保持される。ま
た、サセプタ２は、そのウェハ保持面２ａにおいて、石
英製のプレート６が嵌め込まれ、更に、サセプタ２上部
において、石英製の赤外光導入窓７が設けられており、
外部に設置された赤外線ランプ８からの赤外光９がこれ
ら赤外光導入窓７及びプレート６を介してウェハ１の裏
面に照射されるように構成されている。
ハ１を保持するサセプタ２がチェンバ３内の上部に設置
され、その下面にウェハ１を保持するようになされてい
る。ウェハ１は、既知のスライド機構４に連結され、圧
縮バネ等によって常時上方に付勢された押圧レバー（Ｆ
ｉｎｇｅｒ Ｃｌａｍｐ）５によって保持される。ま
た、サセプタ２は、そのウェハ保持面２ａにおいて、石
英製のプレート６が嵌め込まれ、更に、サセプタ２上部
において、石英製の赤外光導入窓７が設けられており、
外部に設置された赤外線ランプ８からの赤外光９がこれ
ら赤外光導入窓７及びプレート６を介してウェハ１の裏
面に照射されるように構成されている。
【００１７】一方、チェンバ３内のサセプタ２と対向す
る側には、ガス導入管１０が設置され、このガス導入管
１０の径は、上記プレート６の径とほぼ同じとされてい
る。このガス導入管１０は、その後部において、ガス供
給部１１と連通しており、ガス供給部１１内に配された
複数のリング状のガス供給管を通して外部からガスが供
給されるように構成されている。
る側には、ガス導入管１０が設置され、このガス導入管
１０の径は、上記プレート６の径とほぼ同じとされてい
る。このガス導入管１０は、その後部において、ガス供
給部１１と連通しており、ガス供給部１１内に配された
複数のリング状のガス供給管を通して外部からガスが供
給されるように構成されている。
【００１８】リング状のガス供給管は、夫々３つ配され
ており、最も外側の管１２ａを通じて例えばＳｉＨ４
ガスが供給され、その内側の管１２ｂを通じてＷＦ６
ガスが供給され、そして、最も内側の管１２ｃを通じて
オゾン（Ｏ３ ）が供給される。オゾン（Ｏ３ ）はチ
ェンバ３の外部に設置された既知のオゾン発生器１３か
らマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１４を介して供給
される。 また、ガス導入管１０は、その管内に上下に摺動するプ
ランジャ１５が配されており、このプランジャ１５の上
下方向の位置によって、ガス供給部１１からの混合ガス
の単位時間当たりの供給量並びに供給圧等を制御するよ
うになされている。
ており、最も外側の管１２ａを通じて例えばＳｉＨ４
ガスが供給され、その内側の管１２ｂを通じてＷＦ６
ガスが供給され、そして、最も内側の管１２ｃを通じて
オゾン（Ｏ３ ）が供給される。オゾン（Ｏ３ ）はチ
ェンバ３の外部に設置された既知のオゾン発生器１３か
らマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１４を介して供給
される。 また、ガス導入管１０は、その管内に上下に摺動するプ
ランジャ１５が配されており、このプランジャ１５の上
下方向の位置によって、ガス供給部１１からの混合ガス
の単位時間当たりの供給量並びに供給圧等を制御するよ
うになされている。
【００１９】また、このチェンバ３は、図面上、左右に
排気口１６が設けられており、この排気口１６を通じて
真空排気されて、その内圧が例えば５０Ｐａ程度に保た
れている。
排気口１６が設けられており、この排気口１６を通じて
真空排気されて、その内圧が例えば５０Ｐａ程度に保た
れている。
【００２０】また、チェンバ３の外側面（上面、下面、
外周面を含む）には、例えばヒータ線１７が配されて、
チェンバ３のクリーニング時、チェンバ３内の温度を室
温以上に加熱するようになされている。尚、図示の例で
は、ヒータ線１７をチェンバ３下面のみに配した例を示
してあるが、実際には、上述の如く、チェンバ３の外側
面に配される。
外周面を含む）には、例えばヒータ線１７が配されて、
チェンバ３のクリーニング時、チェンバ３内の温度を室
温以上に加熱するようになされている。尚、図示の例で
は、ヒータ線１７をチェンバ３下面のみに配した例を示
してあるが、実際には、上述の如く、チェンバ３の外側
面に配される。
【００２１】次に、本例に係るＣＶＤ装置Ａの動作を説
明する。
明する。
【００２２】まず、排気口１６を通じてチェンバ３内を
真空排気する。その後、チェンバ３内にウェハ１を投入
し、該ウェハ１をサセプタ２下面に押圧レバー５を介し
て保持させる。その後、２つのガス供給管１２ａ及び１
２ｂより夫々ＳｉＨ４ ガスとＷＦ６ ガスを導入し、
ガス供給部１１内において、これらＳｉＨ４ ガスとＷ
Ｆ６ ガスを混合させると共に、この混合ガスをガス導
入管１０を通じてウェハ１側へ送り込む。このとき、ウ
ェハ１は、赤外線ランプ８からの赤外光９の照射によっ
て、一定の温度に保たれており、この赤外線ランプ８に
よるＩＲ加熱により、ウェハ１表面において、ＷＦ６
とＳｉＨ４ が反応し、タングステン（Ｗ）の還元反応
が起こる。 これにより、ウェハ１上に予め形成されているコンタク
トホールやビアホール等の開口内において、タングステ
ン（Ｗ）が選択的に成長し、ウェハ１上の全開口がタン
グステン（Ｗ）によって埋込まれる。
真空排気する。その後、チェンバ３内にウェハ１を投入
し、該ウェハ１をサセプタ２下面に押圧レバー５を介し
て保持させる。その後、２つのガス供給管１２ａ及び１
２ｂより夫々ＳｉＨ４ ガスとＷＦ６ ガスを導入し、
ガス供給部１１内において、これらＳｉＨ４ ガスとＷ
Ｆ６ ガスを混合させると共に、この混合ガスをガス導
入管１０を通じてウェハ１側へ送り込む。このとき、ウ
ェハ１は、赤外線ランプ８からの赤外光９の照射によっ
て、一定の温度に保たれており、この赤外線ランプ８に
よるＩＲ加熱により、ウェハ１表面において、ＷＦ６
とＳｉＨ４ が反応し、タングステン（Ｗ）の還元反応
が起こる。 これにより、ウェハ１上に予め形成されているコンタク
トホールやビアホール等の開口内において、タングステ
ン（Ｗ）が選択的に成長し、ウェハ１上の全開口がタン
グステン（Ｗ）によって埋込まれる。
【００２３】上記処理、即ち選択Ｗ−ＣＶＤを例えば５
０枚のウェハ１に対し行なった後、ガス供給管１２ａ及
び１２ｂからのＳｉＨ４ ガス及びＷＦ６ ガスの供給
を止めると共に、オゾン発生器１３からオゾン（Ｏ３
）をマスフローコントローラ１４及びガス供給管１２ｃ
を介してチェンバ３内に供給する。このガス供給管１２
ｃを通じて供給されたオゾン（Ｏ３）は、それ自体非常
に活性化された酸素であるため、上記の如く選択Ｗ−Ｃ
ＶＤのラン数を重ねることによってチェンバ３の内壁や
サセプタ２等に附着したＷＦ６ やその反応生成物（Ｗ
，ＷＦｘ ，ＷＨｘ Ｆｙ 等）が、上記オゾン（Ｏ３
）と急速に反応し、Ｗｘ Ｏｙ （タングステンブル
ー）となる。このＷｘ Ｏｙ （タングステンブルー）
は、昇華性が大であるため、その後のヒータ線１７への
通電によりチェンバ３自体を加熱すれば、Ｗｘ Ｏｙ（
タングステンブルー）の昇華が促進され、最終的に上記
附着物がガスとなって排気口１６より排出される。この
ヒータ線１７による加熱は、チェンバ３内が例えば室温
以上になる程度の加熱で十分である。
０枚のウェハ１に対し行なった後、ガス供給管１２ａ及
び１２ｂからのＳｉＨ４ ガス及びＷＦ６ ガスの供給
を止めると共に、オゾン発生器１３からオゾン（Ｏ３
）をマスフローコントローラ１４及びガス供給管１２ｃ
を介してチェンバ３内に供給する。このガス供給管１２
ｃを通じて供給されたオゾン（Ｏ３）は、それ自体非常
に活性化された酸素であるため、上記の如く選択Ｗ−Ｃ
ＶＤのラン数を重ねることによってチェンバ３の内壁や
サセプタ２等に附着したＷＦ６ やその反応生成物（Ｗ
，ＷＦｘ ，ＷＨｘ Ｆｙ 等）が、上記オゾン（Ｏ３
）と急速に反応し、Ｗｘ Ｏｙ （タングステンブル
ー）となる。このＷｘ Ｏｙ （タングステンブルー）
は、昇華性が大であるため、その後のヒータ線１７への
通電によりチェンバ３自体を加熱すれば、Ｗｘ Ｏｙ（
タングステンブルー）の昇華が促進され、最終的に上記
附着物がガスとなって排気口１６より排出される。この
ヒータ線１７による加熱は、チェンバ３内が例えば室温
以上になる程度の加熱で十分である。
【００２４】上記例は、チェンバ３のクリーニング時に
オゾン（Ｏ３ ）を供給して、このオゾン（Ｏ３ ）と
附着物との自然反応により附着物をＷｘ Ｏｙ （タン
グステンブルー）に変化させるようにしたが、その他、
サセプタ２に高周波発振器１８を介して高周波信号を供
給し、更にチェンバ３に接地電位ＶＳＳを印加して、チ
ェンバ３内にプラズマを発生させ、このプラズマにより
、上記ガス供給管１２ｃから導入されたオゾン（Ｏ３
）をより活性化のあるラジカルな酸素（Ｏ＊ ）に分解
させて、附着物との反応を促進させ、即ち、附着物のＷ
ｘ Ｏｙ （タングステンブルー）への変化をより促進
させて、チェンバ３のクリーニング時間の短縮化を図る
ようにしてもよい。 この場合、ガス供給管１２ｃには、上記オゾン（Ｏ３
）の代わりに酸素（Ｏ２ ）を供給するようにしてもよ
い。
オゾン（Ｏ３ ）を供給して、このオゾン（Ｏ３ ）と
附着物との自然反応により附着物をＷｘ Ｏｙ （タン
グステンブルー）に変化させるようにしたが、その他、
サセプタ２に高周波発振器１８を介して高周波信号を供
給し、更にチェンバ３に接地電位ＶＳＳを印加して、チ
ェンバ３内にプラズマを発生させ、このプラズマにより
、上記ガス供給管１２ｃから導入されたオゾン（Ｏ３
）をより活性化のあるラジカルな酸素（Ｏ＊ ）に分解
させて、附着物との反応を促進させ、即ち、附着物のＷ
ｘ Ｏｙ （タングステンブルー）への変化をより促進
させて、チェンバ３のクリーニング時間の短縮化を図る
ようにしてもよい。 この場合、ガス供給管１２ｃには、上記オゾン（Ｏ３
）の代わりに酸素（Ｏ２ ）を供給するようにしてもよ
い。
【００２５】上述の如く、本例によれば、チェンバ３に
、ＳｉＨ４ ガス及びＷＦ６ ガスを供給するためのガ
ス供給管１２ａ及び１２ｂのほかに、オゾン（Ｏ３ ）
を供給するためのガス供給管１２ｃを設けて、チェンバ
３内にオゾン（Ｏ３ ）を供給するようにしたので、チ
ェンバ３のクリーニング時、チェンバ３内にオゾン（Ｏ
３ ）を供給することにより、チェンバ３の内壁やサセ
プタ２に附着している附着物と反応させ、この反応によ
り上記附着物を昇華性が大であるＷｘ Ｏｙ （タング
ステンブルー）に変化させることができる。その結果、
上記附着物を機械的な除去方法を用いずに化学的にガス
に変化させて除去することができ、チェンバ３の内壁等
に対するセルフクリーニングが可能になる。これは、上
記選択Ｗ−ＣＶＤの再現性の向上並びに信頼性の向上に
つながる。
、ＳｉＨ４ ガス及びＷＦ６ ガスを供給するためのガ
ス供給管１２ａ及び１２ｂのほかに、オゾン（Ｏ３ ）
を供給するためのガス供給管１２ｃを設けて、チェンバ
３内にオゾン（Ｏ３ ）を供給するようにしたので、チ
ェンバ３のクリーニング時、チェンバ３内にオゾン（Ｏ
３ ）を供給することにより、チェンバ３の内壁やサセ
プタ２に附着している附着物と反応させ、この反応によ
り上記附着物を昇華性が大であるＷｘ Ｏｙ （タング
ステンブルー）に変化させることができる。その結果、
上記附着物を機械的な除去方法を用いずに化学的にガス
に変化させて除去することができ、チェンバ３の内壁等
に対するセルフクリーニングが可能になる。これは、上
記選択Ｗ−ＣＶＤの再現性の向上並びに信頼性の向上に
つながる。
【００２６】また、サセプタ２に高周波発振器１８を介
して高周波を印加すると共に、チェンバ３に接地電位Ｖ
ＳＳを印加して、チェンバ３内にプラズマを発生させれ
ば、上記附着物をＷｘ Ｏｙ （タングステンブルー）
に変化させる効率が大幅に向上し、チェンバ３内のセル
フクリーニングにおける高効率化を実現させることがで
きる。
して高周波を印加すると共に、チェンバ３に接地電位Ｖ
ＳＳを印加して、チェンバ３内にプラズマを発生させれ
ば、上記附着物をＷｘ Ｏｙ （タングステンブルー）
に変化させる効率が大幅に向上し、チェンバ３内のセル
フクリーニングにおける高効率化を実現させることがで
きる。
【００２７】
【発明の効果】本発明に係るＣＶＤ装置によれば、ラン
数を重ねることによって反応室内壁等に附着した附着物
を機械的な除去方法を用いずに、活性酸素の反応性を利
用して、上記附着物を化学的に除去することができると
共に、反応室に対するセルフクリーニングを実現させる
ことができ、選択Ｗ−ＣＶＤにおける再現性の向上並び
に信頼性の向上を図ることができる。
数を重ねることによって反応室内壁等に附着した附着物
を機械的な除去方法を用いずに、活性酸素の反応性を利
用して、上記附着物を化学的に除去することができると
共に、反応室に対するセルフクリーニングを実現させる
ことができ、選択Ｗ−ＣＶＤにおける再現性の向上並び
に信頼性の向上を図ることができる。
【図１】本実施例に係るＣＶＤ装置を示す概略構成図。
Ａ ＣＶＤ装置
１ ウェハ
２ サセプタ
３ チェンバ
５ 押圧レバー
６ プレート
７ 赤外光導入窓
８ 赤外線ランプ
１０ ガス導入管
１１ ガス供給部
１２ａ〜１２ｃ ガス供給管
１３ オゾン発生器
１４ マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ プ
ランジャ １６ 排気口 １７ ヒータ線 １８ 高周波発振器
ランジャ １６ 排気口 １７ ヒータ線 １８ 高周波発振器
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上の開口内に、選択的に金
属層を成長させて埋め込むＣＶＤ装置において、反応室
内へ酸素あるいは活性酸素を供給する手段を具備してな
るＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 反応室内に活性酸素を発生させる手段
を具備したことを特徴とする請求項１のＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41495490A JPH04225521A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41495490A JPH04225521A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225521A true JPH04225521A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18523373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41495490A Pending JPH04225521A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04225521A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006121585A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Applied Materials, Inc. | High efficiency uv cleaning of a process chamber |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP41495490A patent/JPH04225521A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006121585A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Applied Materials, Inc. | High efficiency uv cleaning of a process chamber |
| KR101018965B1 (ko) * | 2005-05-09 | 2011-03-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 처리 챔버의 고효율 ｕｖ 클리닝 |
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