JPH04225296A - 銅回路付きセラミックス基板 - Google Patents

銅回路付きセラミックス基板

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JPH04225296A
JPH04225296A JP41458590A JP41458590A JPH04225296A JP H04225296 A JPH04225296 A JP H04225296A JP 41458590 A JP41458590 A JP 41458590A JP 41458590 A JP41458590 A JP 41458590A JP H04225296 A JPH04225296 A JP H04225296A
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ceramic substrate
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copper
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洋平 渡部
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス基板上に
実装された電子機器用素子、部品等が動作することによ
って発生する熱を拡散させるための銅回路を付した放熱
用のセラミックス基板に関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器に用いられるトランジスタ、ダ
イオード、IC,LSI、その他各種の電子部品で、比
較的大きい電力を扱うものは、動作時に発熱するため、
これらの素子の保証温度の上限以下で動作させる必要が
ある。このためこれらを搭載する基板自体を熱伝導性の
良いセラミックス基板とするか、あるいはその表面に銅
箔を貼付けて熱を拡散放熱する方法が取られる。これら
の基板としてはアルミナ、窒化アルミニウム等のセラミ
ックス基板がある。
【0003】従来のこの種のセラミックス基板では、平
面図である図3(a)、及び断面図である図3(b)に
示すようにセラミックス基板10上に銅回路11を構成
する場合、鍍金や印刷を用いて銅回路11を形成するも
のや、セラミックス基板10と銅回路11との間に他の
接合層12を設け、銅回路11の全面を接合面としセラ
ミックス基板10に接合する技術が知られている。この
ようにして形成される銅回路付セラミックス基板は銅回
路11とセラミックス基板11の熱膨張係数が異なるた
め、セラミックス基板10と銅回路11の接合焼成時に
熱応力がかかり易く、又、これに実装された素子や部品
からの発熱による熱衝撃、温度サイクル等の熱歪等によ
り、セラミックス基板10に反りや,クラックが生じた
り、銅回路11が剥がれ、または膨れ等の現象を生じ易
く、信頼性に問題を有していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
熱による銅回路とセラミックス基板との膨張収縮の差を
緩和し、セラミックス基板の反りやクラックの発生、銅
回路の剥がれの発生を防止することで、高信頼性を有す
る銅回路付きセラミックス基板を提供しようとするもの
である。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミックス
基板の表面に電子部品を接合するための銅回路を取り付
けたセラミックス基板において、片面あるいは両面に接
合された銅回路とセラミックス基板の接合部の一部に、
非接合部をモザイク状で形成することを特徴とする銅回
路付きセラミックス基板。
【0006】請求項1記載の銅回路付きセラミックス基
板の製造方法において、モザイク状の非接合部分の幅は
0.5〜1.0mm、間隔は2〜4mmとし、接合部分
に対する非接合部面積は接合部の5〜35%の範囲とす
ることを特徴とする銅回路付きセラミックス基板の製造
方法。
【0007】請求項1記載の銅回路付きセラミックス基
板において、銅回路とセラミックス基板との間にモザイ
ク状の非接合部分を形成する方法として、共晶銀ろうを
ペーストとしモザイク状の非接合部をセラミックス基板
に印刷あるいは非接合部を有するモザイク状の共晶銀ろ
う箔を銅回路とセラミックス基板との間に挿入すること
を特徴とする銅回路付きセラミックス基板の製造方法。
【0008】
【作用】上記によって接合された銅回路付セラミックス
基板は接合焼成時の加熱、冷却による膨張、収縮が生じ
ても、銅回路とセラミックス基板の間にある共晶銀ろう
接合材のモザイク状の非接合部が応力の緩衝部として作
用し、銅回路とセラミックス基板との膨張、収縮の差を
吸収して銅回路の剥がれ、セラミックス基板の反りやク
ラックの発生を防止する。特に、セラミックス基板の表
面に銅回路を形成し、裏面に銅回路を形成していない銅
箔を接合する場合、セラミックス基板と銅箔の中間にモ
ザイク状の非接合部分を設けることによって、表面の銅
回路間の溝に部分に生じる応力集中を緩和し、銅回路の
剥がれ、セラミックス基板の反りやクラックの発生を防
止する。
【0009】又、このようにして接合された銅回路付セ
ラミックス基板は、半導体部品実装後、熱衝撃、温度サ
イクルなどにより膨張、収縮が生じても、接合焼成時と
同様にモザイク状非接合部が緩衝部として作用し、銅回
路とセラミックス基板との膨張、収縮の差を吸収して銅
回路の剥がれ、セラミックス基板の反りやクラック発生
を抑止するため、信頼性の高い銅回路付セラミックス基
板が得られる。
【0010】
【実施例】以下に本発明の実施例について図面を参照し
て詳しく説明する。
【0011】本発明の実施にあたり、70×40×0.
6mmのアルミナのセラミックス基板、厚み0.3mm
の銅回路パターンを有する銅回路付セラミックス基板を
用いた。尚、アルミナセラミックス基板面に、銅回路と
の非接合部を形成するためにモザイク状の非接合部分を
除き共晶銀ろうのペーストを印刷し、その上に銅回路を
、真空中において780〜900℃の温度でろう付けす
ることにより銅回路付セラミックス基板を形成した。
【0012】図1は、本発明の一実施例を示す平面図で
ある。
【0013】図1はセラミックス基板1の表面に銅回路
2を構成したものであり、銅回路2の一部に例えば図1
の点線で示すように0.5〜1.0mmの巾をもったモ
ザイク状の非接合部3を有するものである。
【0014】このように構成された銅回路付きセラミッ
クス基板は、熱衝撃、温度サイクル等により膨張、収縮
が生じても銅回路2とセラミックス基板1の非接合部3
が緩衝部として作用し、銅回路2とセラミックス基板1
との膨張、収縮の差を吸収し、銅回路2の剥がれや、セ
ラミックス基板1の反りやクラックの発生が防止される
【0015】モザイク状の非接合部分の幅は、銀ろうペ
ーストを用いた場合、スクリーン印刷の限界値が0.5
mmである。これ以下では、基板に対するペーストのニ
ジミによりパターン間が接触してしまう場合がある。銀
ろう箔を用いた場合、モザイク状をプレスで抜く場合の
最小値が1mmである。ただし、エッチングによってモ
ザイク状を形成する場合、0.5mm幅も可能である。 1mm以上の幅では、非接合部面積が35%以上を越え
てしまう。また、表面の銅回路のパターンの間隙の最小
値が現在1mmである。以上の理由により、モザイク状
非接合部の幅は0.5〜1.0mmの範囲とした。
【0016】非接合部分の間隔は、5mm以上では、表
面の銅回路パターンの大きさより、大きくなるため、モ
ザイク状にした場合の効果が現れない。1mm以下では
接合面積が少なくなり、剥がれ易くなる。
【0017】非接合部の面積は、表面の銅回路末形成部
と同等の面積が必要であり、また、35%以上の非接合
部分を有していると、放熱効果を損ない、放熱用基板と
して不適当なものになるため、5〜35%の範囲で有効
である。
【0018】図2は、本発明による銅回路付きセラミッ
クス基板の一実施例を示す図で、図2(a)は平面図、
ず2(b)は裏面図、図2(c)は図2(a)のA1−
A1断面図である。
【0019】図2において、両面に銅回路4、7を構成
したものであり、図2(b)裏面には、図2(a)表面
の銅回路4に対してモザイク状の非接合部8を設けた構
造とする。とくに本実施例の場合、裏面の非接合部8が
接合部9で閉じられているため、外部からの異物、液体
等の進入が防げる。
【0020】このように構成された銅回路付きセラミッ
クス基板は、図1の実施例と同様の効果を有することは
もちろんのことであるが、とくにセラミックス基板の裏
面のモザイク状非接合部8が表面の銅回路の間隙6の温
度による膨張、収縮に対する応力の集中を緩和し、銅回
路付きセラミックス基板の剥がれや反り、及びクラック
の発生を防止する。
【0021】以上述べたごとく、本発明により、セラミ
ックス基板と銅回路を接合する接合用活性金属ろうをモ
ザイク状の非接合部を有する構造にすることにより、銅
回路付セラミック基板の反りは300μmから60μm
以下に減少し、接合時のクラックの発生率は20%から
1%以下にすることが可能となった。
【0022】また、本発明による銅回路付きセラミック
ス基板とセラミック基板との間に非接合部が形成されて
いない銅回路付きセラミックス基板の温度サイクルに対
するセラミックス基板のクラックの発生、及び銅回路の
剥がれの結果を表1に示す。
【0023】温度サイクル条件:−40℃→25℃→1
25℃
【0024】試験用試料サイズ:70×40×1.2t
mm
【表1】
【0025】
【発明の効果】表1の結果により、以上述べたようにセ
ラミックス基板面と銅回路間にモザイク状の非接合部を
形成することによりセラミックス基板の反りやクラック
の発生、及び銅回路の剥がれを防止し、高信頼性を有す
る銅回路付きセラミックス基板の提供が可能となった。
【0026】尚、本実施例ではアルミナセラミックス基
板について示したが、窒化アルミニウム基板等の他の基
板についても同様である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す銅回路付きセラミック
ス基板の平面図。
【図2(a)】本発明の実施例を示すセラミックス基板
の表に銅回路を形成した銅回路付きセラミックス基板を
示す平面図。
【図2(b)】本発明の実施例を示すセラミックス基板
の裏に銅回路を形成した銅回路付きセラミックス基板を
示す裏面図。
【図2(c)】図2(a)における銅回路付きセラミッ
クス基板のA1−A1断面図。
【図3(a)】従来の銅回路付きセラミックス基板の平
面図。
【図3(b)】従来の銅回路付きセラミックス基板の断
面図。
【符号の説明】
1    セラミックス基板 2    銅回路 3    非接合部 4    銅回路 5    セラミックス基板 6    間隙 7    銅回路 8    非接合部 9    接合部 10    セラミックス基板 11    銅回路 12    接合層

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  セラミックス基板の表面に電子部品を
    接合するための銅回路を取り付けたセラミックス基板に
    おいて、片面あるいは両面に接合された銅回路とセラミ
    ックス基板の接合部の一部に、非接合部をモザイク状で
    形成することを特徴とする銅回路付きセラミックス基板
  2. 【請求項2】  請求項1記載の銅回路付きセラミック
    ス基板の製造方法において、モザイク状の非接合部分の
    幅は0.5〜1.0mm,間隔は2〜4mmとし、接合
    部分に対する非接合部面積は接合部の5〜35%の範囲
    とすることを特徴とする銅回路付きセラミックス基板の
    製造方法。
  3. 【請求項3】  請求項1記載の銅回路付きセラミック
    ス基板において、銅回路とセラミックス基板との間にモ
    ザイク状の非接合部分を形成する方法として、共晶銀ろ
    うをペーストとしモザイク状の非接合部をセラミックス
    基板に印刷あるいは非接合部を有するモザイク状の共晶
    銀ろう箔を銅回路とセラミックス基板との間に挿入する
    ことを特徴とする銅回路付きセラミックス基板の製造方
    法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006279035A (ja) * 2005-03-04 2006-10-12 Dowa Mining Co Ltd セラミックス回路基板及びその製造方法
JP2006282417A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Dowa Mining Co Ltd 金属−セラミックス接合基板
JP2011199315A (ja) * 2011-06-17 2011-10-06 Dowa Holdings Co Ltd 金属−セラミックス接合基板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6465859A (en) * 1987-09-05 1989-03-13 Showa Denko Kk Manufacture of circuit substrate
JPH02196075A (ja) * 1989-01-25 1990-08-02 Sumitomo Cement Co Ltd 接合構造体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6465859A (en) * 1987-09-05 1989-03-13 Showa Denko Kk Manufacture of circuit substrate
JPH02196075A (ja) * 1989-01-25 1990-08-02 Sumitomo Cement Co Ltd 接合構造体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006279035A (ja) * 2005-03-04 2006-10-12 Dowa Mining Co Ltd セラミックス回路基板及びその製造方法
JP2006282417A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Dowa Mining Co Ltd 金属−セラミックス接合基板
JP2011199315A (ja) * 2011-06-17 2011-10-06 Dowa Holdings Co Ltd 金属−セラミックス接合基板

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