JPH04225282A - 太陽電池およびその製造方法 - Google Patents

太陽電池およびその製造方法

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彰志 西田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は太陽電池およびその製造
方法に関し、特にエネルギー変換効率が良好な太陽電池
およびその製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】各種機器において、駆動エネルギー源と
して太陽電池が利用されている。 【０００３】太陽電池は機能部分にｐｎ接合を用いてお
り、該ｐｎ接合を構成する半導体としては一般にシリコ
ンが用いられている。光エネルギーを起電力に変換する
効率の点からは、単結晶シリコンを用いるのが好ましい
が、大面積化および低コスト化の点からはアモルファス
シリコンが有利とされている。 【０００４】近年においては、アモルファスシリコンな
みの低コストと単結晶シリコンなみの高エネルギー変換
効率とを得る目的で多結晶シリコンの使用が検討されて
いる。ところが、従来提案されている方法では塊状の多
結晶をスライスして板状体としこれを用いていたために
厚さを０．３ｍｍ　以下にすることは困難であり、従っ
て光量を十分に吸収するのに必要以上の厚さとなり、こ
の点で材料の有効利用が十分ではなかった。即ちコスト
を下げるためには十分な薄型化が必要である。 【０００５】そこで、化学的気相成長法（ＣＶＤ）等の
薄膜形成技術を用いて多結晶シリコンの薄膜を形成する
試みがなされているが、結晶粒径がせいぜい百分の数ミ
クロン程度にしかならず、塊状多結晶シリコンスライス
法の場合に比べてもエネルギー変換効率が低い。 【０００６】また、上記ＣＶＤ法により形成した多結晶
シリコン薄膜にＰなどの不純物原子をイオン打ち込みに
より導入して過飽和状態にした後高温でアニールするこ
とにより、結晶粒径を膜厚の１０倍以上にも拡大させる
いわゆる異常粒成長技術が報告されている（Ｙａｓｕｏ
　Ｗａｄａ　ａｎｄ　Ｓｈｉｇｅｒｕ　Ｎｉｓｈｉｍａ
ｔｓｕ　，Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈ
ｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔ
ｅ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，
１２５　（１９７８）１４９９）。しかしこの方法では
導入する不純物濃度が高すぎて光電流を発生させる活性
層に用いることが出来ない。 【０００７】さらに、多結晶シリコン薄膜にレーザ光を
照射し溶融再結晶化させて結晶粒径を大きくするという
試みもなされているが、低コスト化が十分でなく、また
安定した製造も困難である。 【０００８】このような事情はシリコンのみならず、化
合物半導体においても共通な問題となっている。 【０００９】これに対し、特開昭６３−１８２８７２号
公報に開示されている方法、すなわち、太陽電池の製造
方法において、基体表面上に該基体表面の材料よりも核
形成密度が十分に大きく且つ結晶成長後単結晶となる単
一の核だけが成長する程度に十分微細な異種材料（核形
成面を構成する）を設け、次いで堆積により該異種材料
に核を形成させ該核によって結晶を成長させる工程を含
んで上記基体表面上に第１の導電型の半導体の実質的単
結晶層を形成し、該単結晶層の上方に第２の導電型の半
導体の実質的単結晶層を形成することを特徴とする太陽
電池の製造方法により薄型で結晶粒径の十分大きい、良
好なエネルギー変換効率を有する太陽電池が得られるこ
とが示された。 【００１０】 【発明が解決しようとしている課題】上述の方法におい
て核形成面となる微細な異種材料から形成される核によ
って成長した単結晶体が互いに接する時に結晶粒界（以
下粒界と略記する）が形成される。 【００１１】一般に、多結晶半導体では、様々な結晶方
位をもった多数の単結晶粒子同士が多数の粒界を形成し
ており、粒界には未結合手を持つ原子が有る。このため
に禁制帯中に欠陥準位が形成されている。半導体デバイ
スの特性は作製される半導体層の欠陥密度と密接に関係
しているが粒界には前述した様に欠陥準位が多数形成さ
れているとともに不純物等が析出しやすくなっているた
め、これらによりデバイス特性の低下をもたらしてしま
う。よって多結晶半導体では粒界の制御によりデバイス
特性が大きく左右されると考えられている。即ち、多結
晶を半導体層に用いた半導体デバイスの特性を向上させ
るには半導体層中に存在する粒界の量を低減させること
が効果的である。上述の方法は粒径を拡大させることで
粒界の量を減らすことを目的としている。しかしながら
、上述の方法ではコストの低減を目的として基体として
金属を用いた場合、この基体金属原子が成長中に結晶の
中や粒界に取り込まれてしまい、デバイス特性および再
現性に悪影響を及ぼしてしまうといった解決すべき課題
があった。 【００１２】 【発明の目的】本発明は、上記従来技術の持つ課題を解
決し、粒径が大きくかつ良質な多結晶太陽電池およびそ
の製造方法を提供するものである。 【００１３】本発明の目的は金属基体を用い、しかも大
粒径の多結晶半導体層を成長させることにより安価な太
陽電池を提供することにある。また本発明の他の目的は
小粒径多結晶半導体層を種結晶としてその上に大粒径多
結晶半導体層を形成することにより、粒界での欠陥準位
密度を減らして、高品質な太陽電池を提供することにあ
る。 【００１４】 【課題を解決するための手段】本発明は、上述の従来技
術における課題を解決し、上記の目的を達成すべく本発
明者らによる鋭意研究の結果完成に至ったものであり、
特性の良好な薄型多結晶太陽電池およびその製造方法に
係わるものである。 【００１５】すなわち、本発明の太陽電池は、金属基体
上に該金属基体との電気的接触を保つ第１の半導体層と
、光電流を発生し第１の半導体層より大きな結晶粒を有
す第２の半導体層と、を備え、前記第１の半導体層と前
記第２の半導体層との間に絶縁層を有すとともに、前記
金属基体と前記第１の半導体層との間に金属−半導体の
中間層を有することを特徴とする太陽電池である。 【００１６】また本発明の太陽電池の製造方法は、金属
基体上に多結晶半導体層を堆積させる工程と、前記多結
晶半導体層に高濃度の不純物原子を導入して過飽和状態
にする工程と、前記多結晶半導体層の表面に絶縁層を形
成する工程と、アニールすることにより前記多結晶半導
体層内に異常粒成長を生じさせかつ前記金属基体と多結
晶半導体層との間に金属−半導体の中間層を形成する工
程と、　前記絶縁層に微小の開口部を設けて多結晶半導
体表面を露出させる工程と、選択的エピタキシャル成長
法および横方向成長法により前記微小開口部から結晶成
長を行う工程と、を含むことを特徴とする太陽電池の製
造方法である。 【００１７】なお、以下の説明においては、本発明に用
いる半導体材料として、シリコンを取り上げて説明する
が、本発明はシリコンに限定されるものではない。 【００１８】本発明の主要な技術は■　　図２，３に示
されるように金属基板２０１上に堆積された多結晶シリ
コン２０２に対しＰなどの不純物原子をイオン打ち込み
または熱拡散等により導入して過飽和状態にし、アニー
ルすることでオーミックコンタクト層となる金属−シリ
コンの中間層を形成するとともに、多結晶シリコン中の
結晶粒径を異常粒成長を行なわせて小粒径である第１の
多結晶シリコン層とすること（ただし図２においては結
晶粒界を省略している。）、■　　次に図４，５，６に
示すように異常粒成長させた小粒径多結晶シリコン層の
表面に酸化膜（ＳｉＯ２）などの絶縁層３０４を形成し
、絶縁層３０４の表面に周期的に微小な開口部を設けて
シリコン表面を露出し、それぞれ絶縁層３０４を非核形
成面とし、シリコン部を核形成面とすること、■　　こ
れらの非核形成面と核形成面とに対して選択的エピタキ
シャル成長および横方向成長を行い、大きさ（粒径）の
揃った単結晶体を成長し大粒径である第２の多結晶シリ
コン薄膜層を形成することである。　 【００１９】ここで選択的エピタキシャル成長法の一般
的な原理について簡単に説明する。選択的エピタキシャ
ル成長法とは、気相成長法を用いてエピタキシャル成長
を行う場合に、図７，８に示されるように、シリコンウ
エハ４０１上に形成された酸化膜などの絶縁層上では核
形成が起きないような条件で絶縁層４０２に設けられた
開口部４０３内の露出したシリコン表面を種結晶として
この開口部内のみでエピタキシャル成長を行う選択的結
晶成長法である。開口部４０３を埋めたエピタキシャル
層がさらに成長を続けた場合には結晶層は縦方向の成長
を続けながら絶縁層の表面に沿って横方向にも成長して
いく。これが横方向成長法（ＥｐｉｔａｘｉａｌＬａｔ
ｅｒａｌ　Ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）と呼ばれるもので、
この時の縦方向対横方向の成長比やファセットの出現は
一般に形成条件や絶縁層の厚さに依存する。 【００２０】本発明者らは幾多の実験を重ねることによ
り、開口部の大きさを数μｍ以下の微小な領域とするこ
とにより、絶縁層の厚さに関係なく縦方向対横方向の成
長比がほぼ１で三次元的に絶縁層上で結晶成長していく
こと、明瞭なファセットが現れて山型の単結晶体４０４
が得られることを見い出した（図９，１０）。 【００２１】また本発明者らはさらに実験を重ねること
により、シリコンウエハの代わりに多結晶シリコンを用
いても結晶粒径（平均結晶粒径）がある大きさ以上であ
れば上述と同様な方法により山型の単結晶体が得られる
ことを見い出した。 【００２２】また本発明者らはさらに実験を行い、金属
基板上に堆積した第１の多結晶シリコン層の膜厚を適当
に選ぶことで第１の多結晶シリコン上に成長させた第２
の多結晶シリコン層に基板からの金属原子が混入するこ
とが阻止できること、アニールにより異常粒成長を行う
過程で同時に金属基板−第１の多結晶シリコン層界面で
シリサイド等の中間層が形成され良好なオーミック接触
が得られることおよび第１の多結晶シリコンとその上に
成長させた第２の多結晶との間に絶縁層が介在すること
により第１の多結晶シリコン中に高濃度にドーピングさ
れた不純物原子が成長している第２の多結晶層中への拡
散が抑えられることを見い出し、本発明の完成に至った
。以下に本発明者らの行った実験について詳述する。 【００２３】（実験１）　　選択結晶成長図７に示すよ
うに、５００μｍ厚の（１００）シリコンウエハ４０１
の表面に絶縁層４０２として熱酸化膜１０００Å形成し
、フォトリソグラフィーを用いてエッチングを行い、図
１１に示すような配置で一辺がａであるような正方形の
開口部４０３をｂ＝５０μｍの間隔で設けた。 ここでａの値として１．２　μｍ、２μｍ、４μｍの３
種類の開口部を設けた。次に図２０に示すような通常の
減圧ＣＶＤ装置（ＬＰＣＶＤ　装置）を用いて選択的結
晶成長を行った。 【００２４】図２０において、７０１はガス供給系、７
０２はヒーター、７０３は石英反応管、７０４は基板、
７０５はサセプタである。原料ガスにはＳｉＨ２Ｃｌ２
　を用い、キャリアガスとしてＨ２　を、さらに絶縁層
４０２の酸化膜上での核の発生を抑制するためにＨＣｌ
を添加した。この時の成長条件を表１に示す。 【００２５】表　　１ 　　成長終了後、ウエハ表面の様子を光学顕微鏡で観察
したところ、図９あるいは図１２に示すように、どのａ
の値に対しても粒径が約２０μｍの山型ファセットを有
する単結晶体４０４が５０μｍ間隔で格子点上に規則正
しく配列しており、図１１で決められた開口部４０３の
パターンに従って選択結晶成長が行われていることが確
かめられた。このとき、開口部に対して成長した結晶が
占める割合はどのａの値に対しても１００％であった。 また、成長した単結晶体の中で表面のファセットがくず
れないで明確に出ているものの割合（ファセット率）は
ａの値に依存し、表２に示すようにａが小さい程くずれ
ている割合は少ない。 【００２６】表　　２ 　　得られた単結晶体は全て互いに方位が揃っており、
基板であるシリコンウエハの結晶方位を正確に受け継い
でいることがわかった。 【００２７】（実験２）　　金属基板上の多結晶シリコ
ン中の異常粒成長 基体として厚さ０．８ｍｍ　のクロム基板上にタングス
テン（Ｗ）を１０００Å真空蒸着しその上に通常のＬＰ
ＣＶＤ　装置によりＳｉＨ４を６３０℃で熱分解して０
．４　μｍ多結晶シリコンを堆積させた。このときの多
結晶シリコンの結晶粒径はＸ線回折で調べたところ約８
０Åであった。 【００２８】次にこの多結晶シリコンの表面にイオン打
ち込みによりＰを加速電圧５０ＫＶ、ドーズ量３．２　
×１０１６ｃｍ−２の条件で打ち込み不純物濃度を８×
１０２０ｃｍ−３とした。 【００２９】このような金属基板上の多結晶シリコン膜
に対してアニール温度を変えたときの結晶粒径の変化を
調べた。なおアニール時間は３時間一定とした。 【００３０】アニール後に高分解能走査型電子顕微鏡お
よびＥＣＣ　（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｈａｎｎｅｌｉｎ
ｇ　Ｃｏｎｔｒａｓｔ）法により多結晶シリコン膜中の
結晶粒径を調べたところ、図２８に示すようにアニール
温度の増加とともに結晶粒径の大幅な増大が見られ、１
０００℃で平均約３μｍの結晶粒径が得られた。さらに
ＥＣＰ　（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ　
Ｐａｔｔｅｒｎ　）法で各々の結晶方位を調べたところ
、主に（１１０）方向に配向していることが分かった。 【００３１】また、アニール後の金属基板／多結晶シリ
コン界面付近の組成分析を行なったところ、界面ではＷ
とＳｉが反応してシリサイドが形成されていることが分
かった。このときのシリサイドの組成は大部分がＷＳｉ
２であった。 【００３２】（実験３）　　金属基板／多結晶シリコン
層上への選択的結晶成長 金属基板上に、実験２と同様な方法で多結晶シリコン層
を形成し、その多結晶シリコン層を用いて選択的結晶成
長の実験を行なった。 【００３３】形成した第１の多結晶シリコン層の表面に
実験１と同様の方法で絶縁層としての熱酸化膜を約１０
００Å形成し、フォトリソグラフィーを用いてエッチン
グを行い、一辺がａ＝１．２　μｍであるような正方形
の開口部をｂ＝５０μｍの間隔で格子点状に設け、第１
の多結晶シリコンの表面を露出させた。 【００３４】次いで、図２０に示す様な通常のＬＰＣＶ
Ｄ　装置を用いて表１に示す成長条件で選択的結晶成長
を行なった。成長終了後、第１の多結晶シリコン層／酸
化膜表面の様子を光学顕微鏡で観察したところ、実験１
と同様に粒径が約２０μｍの山型ファセットを有する単
結晶体あるいは一部多結晶体が５０μｍ間隔で格子点上
に規則正しく配列している様子が見られ、選択的結晶成
長が行なわれていることが確認された。このとき、開口
部に対して成長した結晶が占める割合は１００％であっ
た。また、成長で得られた全結晶中に対して単結晶が占
める割合は約８９％であった。 【００３５】得られた単結晶体について微小Ｘ線回折に
より配向の様子を調べたところ、ほとんど（１１０）方
向に配向していた。これは各単結晶体は開口部を通して
それぞれの種結晶である第１の多結晶シリコン層の結晶
粒の方位を正確に受け継いでおり、これらの結晶粒の方
位は実験３で示したように主に（１１０）であるためで
ある。 【００３６】（実験４）　　連続膜の形成実験３に引き
続いて、さらに成長時間を９０ｍｉｎと長くして選択的
結晶成長を行なった。成長終了後実験３と同様に多結晶
シリコン層／酸化膜表面を光学顕微鏡で観察したところ
、結晶体は隣接するもの同士が完全に接触しており、基
板上方から見てほぼマス目状に整然と並んだ単結晶体あ
るいは一部多結晶体の集合からなる第１の多結晶層の結
晶より大粒径（約５０μｍ）の第２の多結晶層（連続膜
）が得られていることが確かめられた。このときの連続
膜の高さは酸化膜上から約４０μｍであった。 【００３７】また、連続膜形成後に膜の表面を研磨によ
り酸化層から数μｍのところまで削り、その後２次質量
イオン分析により表面から酸化層までのＰの濃度プロフ
ァイルを測定し、高濃度にドープされた多結晶シリコン
層からの不純物原子の成長結晶層への拡散の様子を調べ
た。 【００３８】その結果、酸化層が介在するためにＰは第
２の多結晶層へはほとんど拡散しておらず、遷移領域は
わずか２０００Å程度であった。さらに、基板側からの
金属原子の成長層への混入についてもドープされた第１
の多結晶シリコン層が間に有るために第２の多結晶シリ
コン層内では金属原子は検出されなかった。 【００３９】（実験５）　　太陽電池の形成実験４で得
られた大粒径である第２の多結晶シリコンの表面にイオ
ン打ち込みによりＢを２０ＫｅＶ，１×１０１５ｃｍ−
２の条件で打ち込み、８００℃，３０ｍｉｎでアニール
してｐ＋　層を形成した。このようにして作製したｐ＋
　／大粒径である第２の多結晶シリコン／ＳｉＯ２　／
小粒径である第１の多結晶シリコン（ｎ＋　）／Ｃｒ構
造の太陽電池についてＡＭ１．５　（１００ｍＷ／ｃｍ
２）光照射下でのＩ−Ｖ特性について測定を行ったとこ
ろ、セル面積０．１６ｃｍ２　で開放電圧０．４０Ｖ、
短絡光電流２５ｍＡ／ｃｍ２　、曲線因子０．６８とな
り、変換効率６．８　％を得た。このように、金属基板
上に形成した大粒径である第２の多結晶シリコン薄膜を
用いて良好な太陽電池が形成可能であることが示された
。 【００４０】以上述べた実験結果に基づいて完成に至っ
た本発明は前述した様に、金属基板上に光電流を発生す
る第２の多結晶シリコン層と該金属基板との電気的接触
を保つ第１の多結晶シリコン層とを備え、該第２のシリ
コン層と該第１のシリコン層との間には絶縁層を、かつ
該金属基板と小粒シリコン層との間には金属−シリコン
の中間層を有することを特徴とするシリコン多結晶太陽
電池およびその製造方法に係わるものである。 【００４１】図１に本発明の太陽電池の構成について示
す。金属基板１０１上に金属−シリコン中間層１０２、
高濃度にドープされた小粒径である第１の多結晶シリコ
ン層（ｎ＋　またはｐ＋　層）１０３、絶縁層１０４、
第１の多結晶シリコン層の結晶粒径より大粒径である第
２の多結晶シリコン層１０５が積層されており、第２の
多結晶シリコン層１０５の表面にはｐ＋　またはｎ＋　
層１０６が形成されている。 【００４２】ｐ＋　またはｎ＋　層１０６の上には反射
防止膜を兼ねた透明電極１０７と集電電極１０８が備え
られている。本発明の太陽電池に使用される金属基板材
料としては導電性が良好でシリコンとシリサイド等の化
合物を形成する任意の金属が用いられ、代表的なものと
してＷ，Ｍｏ，Ｃｒ等が挙げられる。もちろん、それ以
外であっても表面に上述の性質を有する金属が付着して
いるものであれば何でもよく、従って金属以外の安価な
基板も使用可能である。小粒径である第１の多結晶シリ
コン層１０３の粒径としては絶縁層１０４に設けられる
微小開口部の寸法（ａ＝１〜５μｍ）との兼ね合いから
１〜２０μｍとするのが適当であり、１．５　〜１０μ
ｍとするのが好ましい。絶縁層１０４の厚さについては
特に規定はないが、２００Å〜１μｍの範囲とするのが
適当である。また大粒径である第２の多結晶シリコン層
１０５の粒径および膜厚については太陽電池の特性上の
要求とプロセスの制約から、それぞれ２０〜５００μｍ
が適当であり、好ましくはそれぞれ３０〜５００μｍが
望ましい。尚ここでいう大粒径、小粒径の結晶とは第１
の多結晶層と第２の多結晶層とを比較した結晶粒の大き
さのことを示している。また、ｐ＋　またはｎ＋　層１
０６の厚さとしては導入される不純物の量にもよるが０
．０５〜１μｍの範囲とするのが適当であり、好ましく
は０．１　〜０．５　μｍとするのが望ましい。 【００４３】次に図１に示す本発明の太陽電池の製造方
法について図２１〜図２７の製造工程図のプロセスに従
って述べる。まず、金属基板８０１上にＬＰＣＶＤ　装
置等で多結晶シリコン層８０２（但し図中では粒界を略
して示している。）を堆積させる。このとき堆積時にド
ーピングするか、または堆積後にイオン打ち込みあるい
は熱拡散により高濃度の不純物原子（例えばｎ型ならば
Ｐ，Ｐ型ならばＢ）を導入して過飽和状態にする（図２
１）。 【００４４】次に第１の多結晶シリコン層８０２の表面
に絶縁層（例えば熱酸化あるいは常圧ＣＶＤ法による酸
化膜）８０３を形成する（図２２）。８００〜１１００
℃でアニールして多結晶シリコン層８０２内に異常粒成
長を生じさせ第１の多結晶シリコン層８０２とし、また
金属基板８０１と第１の多結晶シリコン層８０２との間
に金属−シリコンの中間層（シリサイドあるいは化合物
）８０４を形成する（図２３）。絶縁層８０３に周期的
に微小の開口部８０５を設けて第１の多結晶シリコン層
表面を露出させ（図２４）、選択的エピタキシャル成長
法および横方向成長法により微小開口部８０５から結晶
成長を行って大粒径シリコンを成長させ連続膜である第
２の多結晶シリコン層８０６を得る（図２５）。イオン
打ち込み、あるいは不純物拡散等により成長結晶表面に
ｐ＋　またはｎ＋　層８０７を形成し（図２６）、最後
に透明導電膜８０８／集電電極８０９を設ける（図２７
）。 【００４５】金属基板上に多結晶シリコンを堆積させる
方法としては、ＬＰＣＶＤ　法、プラズマＣＶＤ法、蒸
着法、スパッタ法等何でもよいが一般的にはＬＰＣＶＤ
　法が用いられる。第１の多結晶シリコン層の厚さは、
成長させる異常粒の大きさや基板からの金属原子の拡散
の抑制等の要因によって決められるが、概ね０．１　〜
１．０　μｍの範囲が適当である。 【００４６】また、基板上に形成する多結晶シリコンは
これに替えてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、微結
晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）等の非晶質相を含むシリコン
層を用いてもよく、この層に不純物を導入して過飽和状
態とすることにより同様に異常粒を成長させ第１の多結
晶シリコン層とすることができる。 【００４７】また上記の第１の多結晶シリコンまたはａ
−Ｓｉ，μｃ−Ｓｉ等のシリコンに対して異常粒成長を
行なわせる目的で導入される不純物としてはｎ型ではＰ
，Ａｓ，Ｓｎ等が、ｐ型ではＢ，Ａｌ等が選ばれる。 導入される不純物量としては所望の異常粒の大きさおよ
びアニール処理条件によって適宜決められるが概ね４×
１０２０ｃｍ−３以上である。 【００４８】金属基板と多結晶シリコン層との間のオー
ミックコンタクトを形成する金属−シリコンの中間層を
形成するためのアニール温度は、異常粒を形成するため
のアニール温度よりも低いため、前述したように異常粒
を形成するためのアニールと同時に形成することによっ
て工程の簡略化が図れるが別の工程として行ってもよい
ことは言うまでもない。 【００４９】本発明の太陽電池において、多結晶シリコ
ンまたはａ−Ｓｉ，μｃ−Ｓｉ等のシリコン層の上に形
成される絶縁層としては、選択結晶成長中に核発生を抑
制する点からその表面での核形成密度がシリコンのそれ
に比べてかなり小さいような材質が用いられる。例えば
、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４　等が代表的なものとして使用
される。 本発明において上述の異常粒成長させた多結晶シリコン
を種結晶として大粒径シリコン層を成長させる目的で用
いられる選択的結晶成長を行なう手法としてはＬＰＣＶ
Ｄ　法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等があるが一般
的にはＬＰＣＶＤ　法が用いられる。 【００５０】本発明に使用される選択的結晶成長用の原
料ガスとしてはＳｉＨ２Ｃｌ２　，ＳｉＣｌ４　，Ｓｉ
ＨＣｌ３，ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６　，ＳｉＨ２Ｆ２，Ｓ
ｉ２Ｆ６　等のシラン類およびハロゲン化シラン類が代
表的なものとして挙げられる。またキャリアガスとして
、あるいは結晶成長を促進させる還元雰囲気を得る目的
で前記の原料ガスに加えてＨ２　が添加される。 前記原料ガスと水素との導入量の割合は形成方法および
原料ガスの種類や絶縁層の材質、さらに形成条件により
適宜所望に従って決められるが、好ましくは１：１０以
上、１：１０００以下が適当であり、より好ましくは１
：２０以上、１：８００以下とするのが望ましい。 【００５１】本発明において、絶縁層上での核の発生を
抑制する目的でＨＣｌが用いられるが、原料ガスに対す
るＨＣｌの添加量は形成方法および原料ガスの種類や絶
縁層の材質、さらに形成条件により適宜所望に従って決
められるが、概ね１：０．１　以上、１：１００以下が
適当であり、より好ましくは１：０．２　以上、１：８
０以下とされるのが望ましい。 【００５２】本発明において選択的結晶成長が行われる
温度および圧力としては、形成方法および使用する原料
ガスの種類、原料ガスとＨ２　およびＨＣｌとの流量比
等の形成条件によって異なるが、温度については例えば
通常のＬＰＣＶＤ　法では概ね６００℃以上１２５０℃
以下が適当であり、より好ましくは６５０℃以上１２０
０℃以下に制御されるのが望ましい。またプラズマＣＶ
Ｄ法等の低温プロセスでは概ね２００℃以上６００℃以
下が適当であり、より好ましくは２００℃以上５００℃
以下に制御されるのが望ましい。 【００５３】同様に圧力については概ね１０−２Ｔｏｒ
ｒ〜７６０Ｔｏｒｒが適当であり、より好ましくは１０
−１Ｔｏｒｒ〜７６０Ｔｏｒｒの範囲が望ましい。 【００５４】選択的結晶成長法としてプラズマＣＶＤ法
等の低温プロセスを用いる場合には基板に付与される熱
エネルギー以外に原料ガスの分解または基板表面での結
晶成長促進の目的で補助エネルギーが付与される。例え
ばプラズマＣＶＤ法の場合には一般に高周波エネルギー
が用いられ、光ＣＶＤ法の場合には紫外光エネルギーが
用いられる。補助エネルギーの強度としては形成方法お
よび形成条件によって異なるが、高周波エネルギーにつ
いては高周波放電パワー２０〜１００Ｗ、紫外光エネル
ギーにおいてはエネルギー密度２０〜５００ｍＷ／ｃｍ
２　といった値が適当であり、より好ましくは高周波放
電パワー３０〜１００Ｗ、紫外光エネルギー密度２０〜
４００ｍＷ／ｃｍ２　とするのが望ましい。 【００５５】また本発明の方法により形成される多結晶
薄膜は結晶成長中、あるいは成長後に不純物元素でドー
ピングして接合を形成することが可能である。使用する
不純物元素としては、ｐ型不純物として、周期律表第Ｉ
ＩＩ　族Ａの元素、例えばＢ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ等が好
適なものとして挙げられ、ｎ型不純物としては、周期律
表第Ｖ族Ａの元素、例えばＰ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ等が好
適なものとして挙げられるが、特にＢ，Ｇａ，Ｐ，Ｓｂ
等が最適である。ドーピングされる不純物の量は、所望
される電気的特性に応じて適宜決定される。 【００５６】かかる不純物元素を成分として含む物質（
不純物導入用物質）としては、常温常圧でガス状態であ
るか、または適宜の気化装置で容易に気化し得る化合物
を選択するのが好ましい。この様な化合物としては、Ｐ
Ｈ３　，Ｐ２Ｈ４，ＰＦ３　，ＰＦ５　，ＰＣｌ３，Ａ
ｓＨ３，ＡｓＦ３，ＡｓＦ５，ＡｓＣｌ３　，ＳｂＨ３
，ＳｂＦ５，ＢＦ３　，ＢＣｌ３，ＢＢｒ３，Ｂ２Ｈ６
，Ｂ４Ｈ１０　，Ｂ５Ｈ９，Ｂ５Ｈ１１　，Ｂ６Ｈ１０
　，Ｂ６Ｈ１２　，ＡｌＣｌ３　等を挙げることができ
る。不純物元素を含む化合物は、１種用いても２種以上
併用してもよい。 【００５７】本発明の太陽電池の製造法に用いられる選
択的結晶成長法を行う際に絶縁層に設けられる開口部の
形状については特に規定はないが、正方形、円などが代
表的なものとして挙げられる。開口部の大きさとしては
、成長する山型単結晶体のファセットは実験１で示した
ように開口部が大きくなるにつれて崩れていく、すなわ
ち結晶性が悪くなる傾向があり、ファセットの崩れを抑
えるために数μｍ以下とするのが望ましい。現実的には
フォトリソグラフィーのパターン精度に依るため、形状
が正方形とした場合に、ａは１μｍ以上５μｍ以下が適
当となる。また、開口部の設けられる間隔ｂとしては、
成長させる種結晶の大きさを考慮して１０μｍ以上５０
０μｍ以内とするのが適当である。 【００５８】また本発明の太陽電池の型については特に
限定はなく、前述の実験例や後述の実施例で示すように
、ショットキー型、ＭｌＳ型、ｐｎ接合型、ｐｉｎ接合
型、ヘテロ接合型、タンデム型等あらゆる構造について
適用できる。 【００５９】 【実施例】以下、本発明を実施して所望の太陽電池を形
成するところをより詳細に説明するが、本発明はこれら
の実施例に何ら限定されるものではない。 【００６０】（実施例１）前述したように、実験２〜５
と同様にして図１に示したような金属基板上の大粒径多
結晶シリコンｐｉｎ型太陽電池を作製した。図２１〜図
２７にその作製プロセスを示す。基体としての金属基板
には厚さ０．９ｍｍ　のＭｏ板を用いた。この上に図２
０に示すＬＰＣＶＤ　装置を用いてＳｉＨ４を６３０℃
で熱分解して０．４　μｍ多結晶シリコンを堆積させた
。 【００６１】次にこの多結晶シリコンの表面にリンガラ
スを堆積させて不純物拡散を行なった。リンガラスの堆
積条件を表３に示す。リンガラス堆積直後に温度を９５
０℃のままにしてＮ２　雰囲気中で５分間ドライブした
。 このとき多結晶シリコン中に導入されたＰの量は約６×
１０２０ｃｍ−３であった。 【００６２】不純物拡散が終了した後にＨＦ：Ｈ２Ｏ　
＝１　：１０のＨＦ水溶液でリンガラスを除去し、熱酸
化により多結晶シリコンの表面にＳｉＯ２層を１０００
Å形成した。次に１０００℃４時間の条件でアニール処
理を行い、異常粒成長をさせた。これにより結晶粒径は
約３μｍである第１の多結晶シリコン層を得た。 【００６３】表　　３ 　　また金属／多結晶シリコン層の界面ではＭｏＳｉ２
　が形成されていることが同一条件で作製した別のサン
プルから確認された。 【００６４】ＳｉＯ２層に開口部をａ＝２μｍ、ｂ＝５
０μｍの間隔で周期的に設け、図２０のＬＰＣＶＤ　装
置により表４の連続条件で選択結晶成長を行い大粒径で
ある第２の多結晶シリコンからなる連続薄膜を得た。こ
のとき得られたシリコン薄膜の粒径と膜厚はともに約５
０μｍであった。 【００６５】この大粒径である第２の多結晶シリコン層
の表面にイオン打ち込みによりＢを２０ＫｅＶ　，１×
１０１５ｃｍ−２の条件で打ち込み、表　　４ 　　８００　℃，３０ｍｉｎ　でアニールしてｐ＋　層
を形成した。 最後にＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ　）　蒸着に
よりＩＴＯ透明導電膜／集電電極（Ｃｒ／Ａｇ／Ｃｒ）
をｐ＋　層上に形成した。　【００６６】このようにし
て得られたｐ＋　／大粒径多結晶シリコン／ＳｉＯ２／
ｎ＋　小粒径多結晶シリコン／Ｃｒ構造の太陽電池につ
いてＡＭ１．５　（１００ｍＷ　／ｃｍ２　）光照射下
でのＩ−Ｖ特性について測定したところ、セル面積０．
２５ｃｍ２で開放電圧０．４２Ｖ　、短絡電流２６ｍＡ
／ｃｍ２　、曲線因子０．６６となり、エネルギー変換
効率７．２　％を得た。 【００６７】このような特性は再現性良く得られ、小粒
径多結晶シリコン層を用いないで直接金属基板上に大粒
径多結晶シリコンを成長させた太陽電池に比べて特性の
バラツキは大幅に改善された。表５に小粒径多結晶シリ
コン層の有無による特性のバラツキの様子を示す。 【００６８】表　　５ 　　このように金属基板上に成長させた大粒径シリコン
層を用いて良好な特性を示す多結晶太陽電池が作製出来
た。 【００６９】（実施例２）実施例１と同様にしてアモル
ファスシリコンカーバイト／多結晶シリコンヘテロ型太
陽電池を作製した。金属基板にはＣｒを用い、その上に
プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ４＋ＡｓＨ３の分解により微
結晶を含む第１のシリコン層を０．４　μｍ堆積した。 このときのドーピング量はＡｓＨ３／ＳｉＨ４＝１．６
　×１０−２（流量比）とした。 【００７０】常圧ＣＶＤ法によりシリコン層の上にＳｉ
Ｏ２膜を５００Å堆積させ、開口部は大きさをａ＝１．
２　μｍ、ｂ＝５０μｍの間隔で設けた。ＬＰＣＶＤ　
法により表６の条件で選択結晶成長を行い、大粒径であ
る第２のシリコン層を形成した。図１３〜図１９に作製
したヘテロ型太陽電池のプロセスを示す。ただし６０２
においては結晶粒界を省略している。実施例１で示した
図２１〜図２７の場合とほとんど同じであるが、図１７
においてｐ＋　層８０７の代わりにｐ型アモルファスシ
リコンカーバイト６０７が多結晶シリコン上に形成され
る。 【００７１】表　　６ 　　ｐ型アモルファスシリコンカーバイト層６０７は通
常のプラズマＣＶＤ装置により、表６に示す条件で多結
晶シリコン表面上に１００Å堆積させた。この時のアモ
ルファスシリコンカーバイト膜の暗導電率は〜１０−２
Ｓ・ｃｍ−１であり、ＣとＳｉの膜中の組成比は２：３
であった。 【００７２】また、透明導電膜６０８としてはＩＴＯを
約１０００Å電子ビーム蒸着して形成した。 【００７３】このようにして得られたアモルファスシリ
コンカーバイト／多結晶シリコンヘテロ型太陽電池のＡ
Ｍ１．５　光照射下でのＩ−Ｖ特性の測定を行ったとこ
ろ（セル面積０．１６ｃｍ２　）、開放電圧０．４９Ｖ
　、短絡光電流２１．５ｍＡ／ｃｍ２　、曲線因子０．
５５となり、変換効率５．８　％という高い値が得られ
た。これは従来のスライスした多結晶基板を用いたアモ
ルファスシリコンカーバイト／多結晶シリコンヘテロ型
太陽電池に比べて遜色のない結果となっている。 【００７４】（実施例３）実施例１と同様にして図１に
示すようなｐｉｎ型多結晶太陽電池を作製した。前述し
たようにＭｏ基板上に多結晶シリコンを堆積させ、表面
にリンガラスを析出させて不純物拡散を行なった。ＨＦ
水溶液でリンガラスを除去した後にＳｉＯ２に替えて通
常のＬＰＣＶＤ　装置で多結晶シリコンの表面にＳｉ３
Ｎ４　を１０００Å堆積し、１０５０℃，３時間の条件
でアニール処理を行い、異常粒成長をさせた。この様に
して結晶粒径は約３．２　μｍの第１の多結晶シリコン
層を得た。 【００７５】Ｓｉ３Ｎ４　層に開口部をａ＝１．２　μ
ｍとし、ｂ＝１００　μｍの間隔で周期的に設け、図２
０のＬＰＣＶＤ　装置により表７の連続成長条件で選択
的結晶成長を行い大粒径である第２の多結晶シリコンか
らなる連続薄膜を得た。 【００７６】表　　７ このとき表７の条件において選択的結晶成長中に微量の
不純物を混入させてドーピングを行なった。不純物とし
てＰＨ３　を用い、原料ガスＳｉＨ２Ｃｌ２　に対して
ＰＨ３　／ＳｉＨ２Ｃｌ２　＝２　×１０−６とした。 また得られたシリコン薄膜の粒径と膜厚はともに約９０
μｍであった。 【００７７】ｐ＋　層を形成するためにＡｌを大粒径シ
リコンの表面に真空蒸着してＲＴＡ　（Ｒａｐｉｄ　Ｔ
ｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ　）処理を行なった
。蒸着したＡｌの膜厚は６００Åであり、ＲＴＡ　処理
の条件は８００℃、１５秒で行なった。 【００７８】最後に反射防止膜を兼ねた透明導電膜ＩＴ
Ｏ　を約１０００Å電子ビーム蒸着して形成し、さらに
その上に集電電極としてＣｒを１μｍ真空蒸着した。 【００７９】このようにして作製したｐｉｎ型多結晶太
陽電池ＡＭ１．５　光照射下でのＩ−Ｖ特性を調べたと
ころ、セル面積０．１６ｃｍ２　で開放電圧０．４７Ｖ
　、短絡光電流２８ｍＡ／ｃｍ２　曲線因子０．６７と
なり、８．８　％という高い変換効率が得られた。 【００８０】（実施例４）実施例１〜３と同様にして図
１に示すようなｎｉｐ型多結晶太陽電池を作製した。Ｃ
ｒ基板上に図２０に示すＬＰＣＶＤ　装置を用いてＳｉ
Ｈ４を６３０℃で熱分解して０．４　μｍ多結晶シリコ
ンを堆積させた。 この多結晶シリコンの表面にＢを打ち込みエネルギー２
０ＫｅＶ　、ドーズ量　２×１０１６ｃｍ−２の条件で
イオン打ち込みを行い、不純物濃度を５　×１０２０ｃ
ｍ−３とした。常圧ＣＶＤ装置によりＳｉＯ２膜を８０
０　Å堆積させ、１０００℃、５時間のアニール条件で
多結晶シリコン中の異常粒成長をさせた。 そして第１の多結晶シリコン層を形成した。この後、Ｓ
ｉＯ２層に開口部をａ＝１．２　μｍ、ｂ＝５０μｍの
間隔で周期的に設け、ＬＰＣＶＤ　法により表４の条件
で選択結晶成長を行い、大粒径である第２の多結晶シリ
コンからなる薄膜層を得た。大粒径多結晶シリコン層の
表面にイオン打ち込みでＰを５０ＫｅＶ　、１×１０１
５ｃｍ−２の条件で打ち込み、８００℃，　３０ｍｉｎ
でアニールしてｎ＋　層を形成した。最後に実施例４と
同様にしてＩＴＯ／集電電極を形成して太陽電池の作製
を完了した。このようにして作製したｎｉｐ型多結晶太
陽電池のＡＭ１．５　光照射下でのＩ−Ｖ特性を調べた
ところ、セル面積０．１６ｃｍ２　で開放電圧０．４６
Ｖ　、短絡光電流２６ｍＡ／ｃｍ２、曲線因子０．６９
となり、変換効率８．３　％を得た。以上述べたように
、本発明によれば、小粒径多結晶シリコン層を種結晶と
してその上に大粒径多結晶シリコン層を形成することに
より金属基板上に高品質な多結晶シリコン層が形成でき
ることから、量産性のある安価な太陽電池が製造される
ことが示された。 【００８１】 【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれば
、特性の良好な多結晶太陽電池を金属基板上に形成する
ことが可能となった。これにより、量産性のある安価で
良質の太陽電池を市場に提供することができるようにな
った。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法により作製したｐｉｎ型太陽電池
の断面図である。
【図２】異常粒成長について説明した図である。
【図３】異常粒成長について説明した図である。
【図４】異常成長させた多結晶シリコンを種結晶として
選択的結晶成長法により大粒径多結晶シリコンを成長さ
せている様子を示した図である。
【図５】異常成長させた多結晶シリコンを種結晶として
選択的結晶成長法により大粒径多結晶シリコンを成長さ
せている様子を示した図である。
【図６】異常成長させた多結晶シリコンを種結晶として
選択的結晶成長法により大粒径多結晶シリコンを成長さ
せている様子を示した図である。
【図７】選択的結晶成長法について説明した図である。
【図８】選択的結晶成長法について説明した図である。
【図９】選択的結晶成長法について説明した図である。
【図１０】選択的結晶成長法について説明した図である
。
【図１１】選択的結晶成長法において山型結晶が三次元
的に成長していく過程を説明した図である。
【図１２】選択的結晶成長法において山型結晶が三次元
的に成長していく過程を説明した図である。
【図１３】本発明の方法により作製したヘテロ型太陽電
池の製造工程を示した図である。
【図１４】本発明の方法により作製したヘテロ型太陽電
池の製造工程を示した図である。
【図１５】本発明の方法により作製したヘテロ型太陽電
池の製造工程を示した図である。
【図１６】本発明の方法により作製したヘテロ型太陽電
池の製造工程を示した図である。
【図１７】本発明の方法により作製したヘテロ型太陽電
池の製造工程を示した図である。
【図１８】本発明の方法により作製したヘテロ型太陽電
池の製造工程を示した図である。
【図１９】本発明の方法により作製したヘテロ型太陽電
池の製造工程を示した図である。
【図２０】本発明の太陽電池の製造過程において使用し
たＬＰＣＶＤ　装置の概略図である。
【図２１】図１のｐｉｎ型太陽電池の製造工程を説明し
た図である。
【図２２】図１のｐｉｎ型太陽電池の製造工程を説明し
た図である。
【図２３】図１のｐｉｎ型太陽電池の製造工程を説明し
た図である。
【図２４】図１のｐｉｎ型太陽電池の製造工程を説明し
た図である。
【図２５】図１のｐｉｎ型太陽電池の製造工程を説明し
た図である。
【図２６】図１のｐｉｎ型太陽電池の製造工程を説明し
た図である。
【図２７】図１のｐｉｎ型太陽電池の製造工程を説明し
た図である。
【図２８】不純物ドープした多結晶シリコン膜において
アニール温度を変えたときの結晶粒径の変化を示す特性
図である。
【符号の説明】
１０１　　金属基板、２０１　　金属基板、３０１　　
金属基板、６０１　　金属基板、８０１　　金属基板、
１０３　　多結晶シリコン層、２０２　　多結晶シリコ
ン層、３０３　　多結晶シリコン層、６０２　　多結晶
シリコン層、８０２　　多結晶シリコン層、１０２　　
金属−シリコン中間層、２０３　　金属−シリコン中間
層、３０２　　金属−シリコン中間層、６０４　　金属
−シリコン中間層、８０４　　金属−シリコン中間層、
１０４　　絶縁層、３０４　　絶縁層、４０２　　絶縁
層、６０３　　絶縁層、８０３絶縁層、１０５　　シリ
コン結晶体、３０５　　シリコン結晶体、４０４　　シ
リコン結晶体、６０６　　シリコン結晶体、８０６　　
シリコン結晶体、１０６　　ｐ＋　層またはｎ＋　層、
８０７　　ｐ＋　層またはｎ＋　層、６０７　　ｐ型ア
モルファスシリコンカーバイト、１０７　　透明導電層
、６０８　　透明導電層、８０８　　透明導電層、１０
８　　集電電極、６０９　　集電電極、８０９　　集電
電極、４０３　　開口部、６０５　　開口部、８０５　
　開口部、７０１　　ガス供給系、７０２　　ヒーター
、７０３　　石英反応管、７０４　　基板、７０５　　
サセプタ。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　金属基体上に該金属基体との電気的接
    触を保つ第１の半導体層と、光電流を発生し第１の半導
    体層より大きな結晶粒を有す第２の半導体層と、を備え
    、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に絶
    縁層を有すとともに前記金属基体と前記第１の半導体層
    との間に金属−半導体の中間層を有することを特徴とす
    る太陽電池。
  2. 【請求項２】　　前記第２の半導体層の平均粒径が２０
    μｍ以上５００μｍ以下の多結晶シリコン層である請求
    項１記載の太陽電池。
  3. 【請求項３】　　前記第１の半導体層の平均粒径が１μ
    ｍ以上２０μｍ以下の多結晶シリコンである請求項１又
    は請求項２記載の太陽電池。
  4. 【請求項４】　　前記第１の半導体層が多結晶シリコン
    層であって、４×１０２０ｃｍ−３以上の不純物原子を
    含む請求項１、請求項２、又は請求項３記載の太陽電池
    。
  5. 【請求項５】　　金属基体上に多結晶半導体層を堆積さ
    せる工程と、前記多結晶半導体層に高濃度の不純物原子
    を導入する工程と、前記多結晶半導体層の表面に絶縁層
    を形成する工程と、アニールすることにより前記多結晶
    半導体層内に異常粒成長を生じさせかつ前記金属基体と
    多結晶半導体層との間に金属−半導体の中間層を形成す
    る工程と、　前記絶縁層に周期的に微小な開口部を設け
    て多結晶半導体表面を露出させる工程と、選択的エピタ
    キシャル成長および横方向成長により前記微小開口部か
    ら結晶成長を行う工程と、を含むことを特徴とする太陽
    電池の製造方法。
  6. 【請求項６】　　前記多結晶半導体は多結晶シリコンで
    あって、前記不純物原子はＰ，Ａｓ，Ｓｎ，Ｂ，Ａｌの
    中から一つ選ばれる請求項５記載の太陽電池の製造方法
    。
  7. 【請求項７】　　前記選択的エピタキシャル成長は熱Ｃ
    ＶＤ法により行なわれる請求項５または請求項６記載の
    太陽電池の製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004086516A1 (en) * 2003-03-26 2004-10-07 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell
WO2010140371A1 (ja) * 2009-06-05 2010-12-09 住友化学株式会社 半導体基板、光電変換デバイス、半導体基板の製造方法、および光電変換デバイスの製造方法
JP2012162447A (ja) * 2011-01-21 2012-08-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 水素発生体、水素発生装置、並びに発電装置及び駆動装置
US8859887B2 (en) 2008-10-31 2014-10-14 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Photovoltaic device and process for producing photovoltaic device
JP2017126748A (ja) * 2016-01-12 2017-07-20 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100452448B1 (ko) * 2001-09-28 2004-10-08 준 신 이 기판 상에 산화세륨 층을 갖는 태양전지 및 그 제조방법
KR101490599B1 (ko) * 2013-06-25 2015-02-05 주식회사 포스코 비정질 실리콘 태양전지의 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04127482A (ja) * 1990-06-22 1992-04-28 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子の製造方法
JPH04151878A (ja) * 1990-10-15 1992-05-25 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4828173A (ja) * 1971-08-13 1973-04-13
JPS5319190B2 (ja) * 1972-06-07 1978-06-19
CA1337170C (en) * 1986-03-31 1995-10-03 Jinsho Matsuyama Method for forming crystalline deposited film
JP2596547B2 (ja) * 1987-01-26 1997-04-02 キヤノン株式会社 太陽電池及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04127482A (ja) * 1990-06-22 1992-04-28 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子の製造方法
JPH04151878A (ja) * 1990-10-15 1992-05-25 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子の製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004086516A1 (en) * 2003-03-26 2004-10-07 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell
US8859887B2 (en) 2008-10-31 2014-10-14 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Photovoltaic device and process for producing photovoltaic device
WO2010140371A1 (ja) * 2009-06-05 2010-12-09 住友化学株式会社 半導体基板、光電変換デバイス、半導体基板の製造方法、および光電変換デバイスの製造方法
CN102449775A (zh) * 2009-06-05 2012-05-09 住友化学株式会社 半导体基板、光电转换器件、半导体基板的制造方法和光电转换器件的制造方法
US8835980B2 (en) 2009-06-05 2014-09-16 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Semiconductor wafer, photoelectric conversion device, method of producing semiconductor wafer, and method of producing photoelectric conversion device
JP2012162447A (ja) * 2011-01-21 2012-08-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 水素発生体、水素発生装置、並びに発電装置及び駆動装置
JP2017126748A (ja) * 2016-01-12 2017-07-20 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法

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