JPH04223032A - Ｘ線管ターゲット - Google Patents
Ｘ線管ターゲットInfo
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- JPH04223032A JPH04223032A JP3073637A JP7363791A JPH04223032A JP H04223032 A JPH04223032 A JP H04223032A JP 3073637 A JP3073637 A JP 3073637A JP 7363791 A JP7363791 A JP 7363791A JP H04223032 A JPH04223032 A JP H04223032A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
- H01J35/10—Rotary anodes; Arrangements for rotating anodes; Cooling rotary anodes
- H01J35/108—Substrates for and bonding of emissive target, e.g. composite structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/08—Targets (anodes) and X-ray converters
- H01J2235/083—Bonding or fixing with the support or substrate
- H01J2235/084—Target-substrate interlayers or structures, e.g. to control or prevent diffusion or improve adhesion
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【発明の背景】本発明はＸ線管の陽極ターゲットに関す
るものであって、更に詳しく言えば、優れた熱放散性を
有する回転陽極ターゲットに関する。
るものであって、更に詳しく言えば、優れた熱放散性を
有する回転陽極ターゲットに関する。
【０００２】本発明の場合と同じ譲受人に譲渡された米
国特許第４１３２９１６号明細書中に述べられている通
り、電子ビームによるＸ線管ターゲットの衝撃に関与す
る全エネルギーの内、Ｘ線に変換されるのは僅か１％に
過ぎないのであって、残りの約９９％は熱に変換される
ことが知られている。Ｘ線管ターゲットに入射する電子
ビームのエネルギー束は極めて大きいから、Ｘ線を発生
させるために使用される焦点軌道中のタングステンの融
解を防止するため、１００００ｒｐｍ の速度でターゲ
ットを回転させることが必要となる。このような大きい
熱発生量を考慮すれば、Ｘ線管ターゲットが破壊されな
いように焦点軌道から熱を放散させることが必要である
。効果的な熱放散を達成するためには、電子ビームによ
るターゲット衝撃部位から熱エネルギーを拡散させると
共に、ターゲットの外部へ熱を伝達しなければならない
。 後者は、米国特許第４１３２９１６号明細書中に記載さ
れているごとく、ケーシング内の循環油を用いて達成さ
れる。
国特許第４１３２９１６号明細書中に述べられている通
り、電子ビームによるＸ線管ターゲットの衝撃に関与す
る全エネルギーの内、Ｘ線に変換されるのは僅か１％に
過ぎないのであって、残りの約９９％は熱に変換される
ことが知られている。Ｘ線管ターゲットに入射する電子
ビームのエネルギー束は極めて大きいから、Ｘ線を発生
させるために使用される焦点軌道中のタングステンの融
解を防止するため、１００００ｒｐｍ の速度でターゲ
ットを回転させることが必要となる。このような大きい
熱発生量を考慮すれば、Ｘ線管ターゲットが破壊されな
いように焦点軌道から熱を放散させることが必要である
。効果的な熱放散を達成するためには、電子ビームによ
るターゲット衝撃部位から熱エネルギーを拡散させると
共に、ターゲットの外部へ熱を伝達しなければならない
。 後者は、米国特許第４１３２９１６号明細書中に記載さ
れているごとく、ケーシング内の循環油を用いて達成さ
れる。
【０００３】ほとんどのＸ線管においては、ターゲット
を速く回転することにより、電子ビーム中のエネルギー
がターゲット全体に発散される。焦点軌道中のタングス
テンの熱伝導性もまた、電子ビーム衝撃部位から熱を運
び去るために役立つ。
を速く回転することにより、電子ビーム中のエネルギー
がターゲット全体に発散される。焦点軌道中のタングス
テンの熱伝導性もまた、電子ビーム衝撃部位から熱を運
び去るために役立つ。
【０００４】米国特許第４３９２２３８号明細書中には
、Ｘ線管用の回転陽極において熱分解黒鉛層を使用する
ことによって焦点軌道から熱を放散させ得ることが述べ
られている。とは言え、Ｘ線管ターゲットからの熱放散
を一層改善することは今なお要望されている。
、Ｘ線管用の回転陽極において熱分解黒鉛層を使用する
ことによって焦点軌道から熱を放散させ得ることが述べ
られている。とは言え、Ｘ線管ターゲットからの熱放散
を一層改善することは今なお要望されている。
【０００５】本発明の目的の１つは、容易に入手し得る
Ｘ線管ターゲットよりも優れた熱放散性を有する改良さ
れたＸ線管ターゲットを提供することにある。
Ｘ線管ターゲットよりも優れた熱放散性を有する改良さ
れたＸ線管ターゲットを提供することにある。
【０００６】また、電子ビームの直下からターゲット全
体に熱エネルギーを放散させるため焦点軌道の下方に配
置されたダイヤモンド層を提供することも本発明の目的
の１つである。
体に熱エネルギーを放散させるため焦点軌道の下方に配
置されたダイヤモンド層を提供することも本発明の目的
の１つである。
【０００７】更にまた、Ｘ線管ターゲット上にダイヤモ
ンド層をその場で形成するための方法を提供することも
本発明の目的の１つである。
ンド層をその場で形成するための方法を提供することも
本発明の目的の１つである。
【０００８】上記の目的およびその他の特徴や利点は、
添付の図面を参照しながら以下の説明を読むことによっ
て一層容易に理解されよう。
添付の図面を参照しながら以下の説明を読むことによっ
て一層容易に理解されよう。
【０００９】
【発明の概要】本発明の一側面に従って簡単に述べれば
、黒鉛製または高融点金属製の本体は、その上に電子に
よって衝撃をうけてＸ線を発生する金属層からなる表面
領域をに有する。このＸ線発生用金属層と本体との間に
はダイヤモンド層が配置される。
、黒鉛製または高融点金属製の本体は、その上に電子に
よって衝撃をうけてＸ線を発生する金属層からなる表面
領域をに有する。このＸ線発生用金属層と本体との間に
はダイヤモンド層が配置される。
【００１０】本発明の実施の一態様に従えば、ターゲッ
ト本体はモリブデン基合金から成り、そして金属層とモ
リブデン基合金製本体との間にダイヤモンド層が配置さ
れる。
ト本体はモリブデン基合金から成り、そして金属層とモ
リブデン基合金製本体との間にダイヤモンド層が配置さ
れる。
【００１１】別の実施の態様に従えば、ターゲット本体
は黒鉛のみから成り、そして黒鉛製本体上にダイヤモン
ド層が直接に配置される。更に別の実施の態様に従えば
、ターゲット本体は黒鉛およびその上に配置された炭化
ケイ素層から成り、そして金属層と炭化ケイ素層との間
にダイヤモンド層が配置される。
は黒鉛のみから成り、そして黒鉛製本体上にダイヤモン
ド層が直接に配置される。更に別の実施の態様に従えば
、ターゲット本体は黒鉛およびその上に配置された炭化
ケイ素層から成り、そして金属層と炭化ケイ素層との間
にダイヤモンド層が配置される。
【００１２】本発明の様々な実施の態様に従えば、ダイ
ヤモンド層はプラズマ促進化学蒸着法（プラズマ促進Ｃ
ＶＤ法）をはじめとする各種の方法によってその場で形
成することができる。一般に、ダイヤモンド層は４〜４
００ミルの厚さを有することが必要である。プラズマ促
進ＣＶＤ法について述べれば、蒸着工程の温度は６００
〜１１００℃の範囲内にあることが必要であり、また圧
力は５〜１００Ｔｏｒｒの範囲内にあることが必要であ
る。
ヤモンド層はプラズマ促進化学蒸着法（プラズマ促進Ｃ
ＶＤ法）をはじめとする各種の方法によってその場で形
成することができる。一般に、ダイヤモンド層は４〜４
００ミルの厚さを有することが必要である。プラズマ促
進ＣＶＤ法について述べれば、蒸着工程の温度は６００
〜１１００℃の範囲内にあることが必要であり、また圧
力は５〜１００Ｔｏｒｒの範囲内にあることが必要であ
る。
【００１３】下記の説明中において参照される図面中に
は、好適な実施の態様が示されている。しかしながら、
本発明の精神および範囲から逸脱することなく、その他
の様々な変更態様が可能であることは言うまでもない。
は、好適な実施の態様が示されている。しかしながら、
本発明の精神および範囲から逸脱することなく、その他
の様々な変更態様が可能であることは言うまでもない。
【００１４】
【好適な実施の態様の説明】先ず第１図を見ると、本発
明に基づく回転陽極Ｘ線管用のターゲットまたは陽極ア
センブリ１０が示されている。かかる陽極アセンブリ１
０は、常法に従って陰極からの電子によって衝撃された
場合にＸ線を発生するための焦点軌道１２を前面に付着
させた金属円板部分１１を含んでいる。金属円板部分１
１はモリブデンまたはモリブデン合金（たとえば、ＴＺ
ＭもしくはＭＴ１０４）のごとき適当な高融点金属から
成っている。その上に配置された焦点軌道１２は、従来
通り、タングステンまたはタングステン−レニウム合金
から成っている。金属円板部分１１および黒鉛円板部分
１４はそれぞれ中心開口１８および１９を有しており、
そして回転軸１３上に嵌め込まれている。金属円板部分
１１は、ろう付け、拡散結合または機械的接合のごとき
通常の方法によって固定されている。
明に基づく回転陽極Ｘ線管用のターゲットまたは陽極ア
センブリ１０が示されている。かかる陽極アセンブリ１
０は、常法に従って陰極からの電子によって衝撃された
場合にＸ線を発生するための焦点軌道１２を前面に付着
させた金属円板部分１１を含んでいる。金属円板部分１
１はモリブデンまたはモリブデン合金（たとえば、ＴＺ
ＭもしくはＭＴ１０４）のごとき適当な高融点金属から
成っている。その上に配置された焦点軌道１２は、従来
通り、タングステンまたはタングステン−レニウム合金
から成っている。金属円板部分１１および黒鉛円板部分
１４はそれぞれ中心開口１８および１９を有しており、
そして回転軸１３上に嵌め込まれている。金属円板部分
１１は、ろう付け、拡散結合または機械的接合のごとき
通常の方法によって固定されている。
【００１５】黒鉛円板部分１４は、本発明の場合と同じ
譲受人に譲渡された米国特許第４８０２１９６号明細書
中に記載のごとく、白金ろう材によって金属円板部分１
１の後面に接合されている。黒鉛円板部分１４の主たる
使用目的は、焦点軌道１２から金属円板部分１１を通し
て伝達される熱のための放熱手段を提供することにある
。かかる放熱機能は、陽極アセンブリの質量を大幅に増
加させることなしに達成できれば最良である。
譲受人に譲渡された米国特許第４８０２１９６号明細書
中に記載のごとく、白金ろう材によって金属円板部分１
１の後面に接合されている。黒鉛円板部分１４の主たる
使用目的は、焦点軌道１２から金属円板部分１１を通し
て伝達される熱のための放熱手段を提供することにある
。かかる放熱機能は、陽極アセンブリの質量を大幅に増
加させることなしに達成できれば最良である。
【００１６】特に注意すべき点は、焦点軌道１２と金属
円板部分１１との間にダイヤモンド層２３が存在するこ
とである。ダイヤモンド層２３の使用目的は、電子ビー
ムによって焦点軌道１２が衝撃された場合に発生する熱
を放散させることである。ダイヤモンドの高い熱伝導率
は、電子ビームの直下から熱を拡散させるばかりでなく
、それをターゲットの外側部分にまで伝導するためにも
役立つ。こうして外側部分に到達した熱は、放射によっ
て管壁に伝達されることになる。
円板部分１１との間にダイヤモンド層２３が存在するこ
とである。ダイヤモンド層２３の使用目的は、電子ビー
ムによって焦点軌道１２が衝撃された場合に発生する熱
を放散させることである。ダイヤモンドの高い熱伝導率
は、電子ビームの直下から熱を拡散させるばかりでなく
、それをターゲットの外側部分にまで伝導するためにも
役立つ。こうして外側部分に到達した熱は、放射によっ
て管壁に伝達されることになる。
【００１７】ダイヤモンド層２３は４〜４００ミルの厚
さを有することが好ましい。それを形成するためには、
水素−メタン混合ガス中において発生されたプラズマを
利用するプラズマ促進ＣＶＤ法が使用される。その場合
には、金属円板部分１１の温度は約１０００℃に保つ必
要があり、また蒸着工程は５〜１００Ｔｏｒｒの圧力お
よび６００〜１１００℃の温度を有する雰囲気中におい
て行うことが必要である。次いで、通常のＣＶＤ法に従
ってタングステン−レニウム合金層を設置することによ
って焦点軌道１２が形成される。それは３０〜３５ミル
の厚さを有している。かかる陽極アセンブリ１０を製造
するための工程を図解した流れ図を図４に示す。この図
中では、ブロックとして示された点を除けば、同じ構成
要素は同じ参照番号によって表わされている。
さを有することが好ましい。それを形成するためには、
水素−メタン混合ガス中において発生されたプラズマを
利用するプラズマ促進ＣＶＤ法が使用される。その場合
には、金属円板部分１１の温度は約１０００℃に保つ必
要があり、また蒸着工程は５〜１００Ｔｏｒｒの圧力お
よび６００〜１１００℃の温度を有する雰囲気中におい
て行うことが必要である。次いで、通常のＣＶＤ法に従
ってタングステン−レニウム合金層を設置することによ
って焦点軌道１２が形成される。それは３０〜３５ミル
の厚さを有している。かかる陽極アセンブリ１０を製造
するための工程を図解した流れ図を図４に示す。この図
中では、ブロックとして示された点を除けば、同じ構成
要素は同じ参照番号によって表わされている。
【００１８】次の図２および３には、その他の実施の態
様に基づく陽極アセンブリ１０ａおよび１０ｂが示され
ている。これらの図中では、対応する構成要素は図１中
の参照番号に「ａ」または「ｂ」を付けたものによって
表わされている。ダイヤモンド層２３ａおよび２３ｂは
、ダイヤモンド層２３の場合と同じ方法によって形成さ
れる。
様に基づく陽極アセンブリ１０ａおよび１０ｂが示され
ている。これらの図中では、対応する構成要素は図１中
の参照番号に「ａ」または「ｂ」を付けたものによって
表わされている。ダイヤモンド層２３ａおよび２３ｂは
、ダイヤモンド層２３の場合と同じ方法によって形成さ
れる。
【００１９】陽極アセンブリ１０と異なり、陽極アセン
ブリ１０ａおよび１０ｂは独立した円板部分１１および
１４から成るのではなく、単一の黒鉛円板部分１４ａま
たは１４ｂから成っている。回転軸１３ａまたは１３ｂ
に対する円板部分１４ａまたは１４ｂの連結は、ろう付
けまたは機械的接合によって行われる。陽極アセンブリ
１０ａの場合には、ダイヤモンド層２３ａと黒鉛円板部
分１４ａとの間に炭化ケイ素層２４ａが配置されている
ことが認められよう。この炭化ケイ素層２４ａはＣＶＤ
法またはプラズマ促進ＣＶＤ法によって設置されたもの
であって、５〜７ミクロンの厚さを有している。これは
ダイヤモンドの成長速度を増大させ、それによってダイ
ヤモンドの結晶構造を調節すると共に、基体に対するダ
イヤモンドの密着性を向上させるために役立つ。炭化ケ
イ素層２４ａの代りに、高融点金属またはそれの炭化物
（たとえば、炭化タンタルもしくは炭化タングステン）
から成るようなその他の中間層を使用することもできる
。かかる陽極アセンブリ１０ａを製造するための一連の
工程を図５に示す。
ブリ１０ａおよび１０ｂは独立した円板部分１１および
１４から成るのではなく、単一の黒鉛円板部分１４ａま
たは１４ｂから成っている。回転軸１３ａまたは１３ｂ
に対する円板部分１４ａまたは１４ｂの連結は、ろう付
けまたは機械的接合によって行われる。陽極アセンブリ
１０ａの場合には、ダイヤモンド層２３ａと黒鉛円板部
分１４ａとの間に炭化ケイ素層２４ａが配置されている
ことが認められよう。この炭化ケイ素層２４ａはＣＶＤ
法またはプラズマ促進ＣＶＤ法によって設置されたもの
であって、５〜７ミクロンの厚さを有している。これは
ダイヤモンドの成長速度を増大させ、それによってダイ
ヤモンドの結晶構造を調節すると共に、基体に対するダ
イヤモンドの密着性を向上させるために役立つ。炭化ケ
イ素層２４ａの代りに、高融点金属またはそれの炭化物
（たとえば、炭化タンタルもしくは炭化タングステン）
から成るようなその他の中間層を使用することもできる
。かかる陽極アセンブリ１０ａを製造するための一連の
工程を図５に示す。
【００２０】次の図３に示された陽極アセンブリ１０ｂ
においては、焦点軌道１２ｂと黒鉛円板部分１４ｂとの
間にダイヤモンド層２３ｂが配置されている。この陽極
アセンブリ１０ｂにおいては、ダイヤモンドの結合密度
が高い結果、焦点軌道１２ｂと黒鉛円板部分１４ｂとの
間に生成する傾向のある炭化タングステンの生成が低減
するはずである。かかる陽極アセンブリ１０ｂを製造す
るための一連の工程を図６に示す。
においては、焦点軌道１２ｂと黒鉛円板部分１４ｂとの
間にダイヤモンド層２３ｂが配置されている。この陽極
アセンブリ１０ｂにおいては、ダイヤモンドの結合密度
が高い結果、焦点軌道１２ｂと黒鉛円板部分１４ｂとの
間に生成する傾向のある炭化タングステンの生成が低減
するはずである。かかる陽極アセンブリ１０ｂを製造す
るための一連の工程を図６に示す。
【００２１】図３に示されるごとく、黒鉛円板部分１４
ｂ上に形成された厚さ２０ミルまたは１０ミルのダイヤ
モンド層を含む陽極アセンブリ１０ｂを用いて計算機モ
デルによるシミュレーションを行った。厚さ３０ミルの
焦点軌道１２ｂの下方に厚さ２０ミルのダイヤモンド層
を設置した場合には、厚さ３０ミルの焦点軌道１２ｂが
単独で存在する場合に比べ、同じ出力負荷の下における
ターゲットの表面温度が約２００℃だけ低下した。また
、厚さ２０ミルの焦点軌道１２ｂの下方に厚さ１０ミル
のダイヤモンド層を設置した場合には、ターゲットの表
面温度は１３４℃だけ低下した。
ｂ上に形成された厚さ２０ミルまたは１０ミルのダイヤ
モンド層を含む陽極アセンブリ１０ｂを用いて計算機モ
デルによるシミュレーションを行った。厚さ３０ミルの
焦点軌道１２ｂの下方に厚さ２０ミルのダイヤモンド層
を設置した場合には、厚さ３０ミルの焦点軌道１２ｂが
単独で存在する場合に比べ、同じ出力負荷の下における
ターゲットの表面温度が約２００℃だけ低下した。また
、厚さ２０ミルの焦点軌道１２ｂの下方に厚さ１０ミル
のダイヤモンド層を設置した場合には、ターゲットの表
面温度は１３４℃だけ低下した。
【００２２】ダイヤモンド層２３、２３ａおよび２３ｂ
をその場で形成するための好適な方法はプラズマ促進Ｃ
ＶＤ法である。とは言え、それ以外にも、公知のごとき
高温フィラメントＣＶＤ法、マイクロ波プラズマ促進Ｃ
ＶＤ法、（高周波促進ＣＶＤ法を含めた）電子促進ＣＶ
Ｄ法、プラズマ促進物理蒸着法、イオンビーム蒸着法、
スパッタリング法、直流プラズマトーチまたは大気中に
おける炭化水素−酸素燃焼炎の使用、あるいは当業者に
とって公知であるその他任意のダイヤモンド生成技術を
採用することもできる。ダイヤモンド層は４〜４００ミ
ルの範囲内の厚さを有するように形成する必要があると
は言え、ターゲット性能を最適化するために望ましい任
意の厚さを使用することができる。プラズマ促進ＣＶＤ
法について述べれば、蒸着工程の温度は６００〜１１０
０℃の範囲内にあることが必要であり、また圧力は５〜
１００Ｔｏｒｒの範囲内にあることが必要である。とは
言え、当業者にとって公知であるその他の処理条件を採
用することもできる。上記の説明においては、ダイヤモ
ンド層２３、２３ａおよび２３ｂはプラズマ促進ＣＶＤ
法のごとき方法を用いてその場で形成されるものとして
記載された。しかしながら、所望ならば、仮の基体（た
とえば、ケイ素）上にダイヤモンド層を形成し、適当な
溶液または液体中に溶解することなどによって基体を除
去し、次いでダイヤモンド層をターゲット本体上にろう
付けすることもできる。
をその場で形成するための好適な方法はプラズマ促進Ｃ
ＶＤ法である。とは言え、それ以外にも、公知のごとき
高温フィラメントＣＶＤ法、マイクロ波プラズマ促進Ｃ
ＶＤ法、（高周波促進ＣＶＤ法を含めた）電子促進ＣＶ
Ｄ法、プラズマ促進物理蒸着法、イオンビーム蒸着法、
スパッタリング法、直流プラズマトーチまたは大気中に
おける炭化水素−酸素燃焼炎の使用、あるいは当業者に
とって公知であるその他任意のダイヤモンド生成技術を
採用することもできる。ダイヤモンド層は４〜４００ミ
ルの範囲内の厚さを有するように形成する必要があると
は言え、ターゲット性能を最適化するために望ましい任
意の厚さを使用することができる。プラズマ促進ＣＶＤ
法について述べれば、蒸着工程の温度は６００〜１１０
０℃の範囲内にあることが必要であり、また圧力は５〜
１００Ｔｏｒｒの範囲内にあることが必要である。とは
言え、当業者にとって公知であるその他の処理条件を採
用することもできる。上記の説明においては、ダイヤモ
ンド層２３、２３ａおよび２３ｂはプラズマ促進ＣＶＤ
法のごとき方法を用いてその場で形成されるものとして
記載された。しかしながら、所望ならば、仮の基体（た
とえば、ケイ素）上にダイヤモンド層を形成し、適当な
溶液または液体中に溶解することなどによって基体を除
去し、次いでダイヤモンド層をターゲット本体上にろう
付けすることもできる。
【００２３】以上、特定の実施の態様および実施例に関
連して本発明を説明したが、上記の説明に基づけばその
他の変更態様も可能であることは当業者にとって自明で
あろう。それ故、前記特許請求の範囲によって規定され
る本発明の範囲内においては、上記に記載されたものと
は異なるやり方でも本発明を実施し得ることを理解すべ
きである。
連して本発明を説明したが、上記の説明に基づけばその
他の変更態様も可能であることは当業者にとって自明で
あろう。それ故、前記特許請求の範囲によって規定され
る本発明の範囲内においては、上記に記載されたものと
は異なるやり方でも本発明を実施し得ることを理解すべ
きである。
【図１】本発明の実施の一態様に基づくＸ線管ターゲッ
トの断面図である。
トの断面図である。
【図２】本発明の別の実施の態様を示す、図１と同様な
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の更に別の実施の態様を示す、図１と同
様な断面図である。
様な断面図である。
【図４】本発明の実施の一態様に基づくＸ線管ターゲッ
トの製造方法を示す流れ図である。
トの製造方法を示す流れ図である。
【図５】本発明の別の実施の態様に基づくＸ線管ターゲ
ットの製造方法を示す流れ図である。
ットの製造方法を示す流れ図である。
【図６】本発明の更に別の実施の態様に基づくＸ線管タ
ーゲットの製造方法を示す流れ図である。
ーゲットの製造方法を示す流れ図である。
１０ ターゲットまたは陽極アセンブリ１１ 金属
円板部分 １２ 焦点軌道 １３ 回転軸 １４ 黒鉛円板部分 １６ 白金ろう材 １８ 中心開口 １９ 中心開口 ２３ ダイヤモンド層
円板部分 １２ 焦点軌道 １３ 回転軸 １４ 黒鉛円板部分 １６ 白金ろう材 １８ 中心開口 １９ 中心開口 ２３ ダイヤモンド層
Claims (14)
- 【請求項１】 黒鉛製または高融点金属製の本体は、
その上に電子によって衝撃をうけてＸ線を発生する金属
層からなる表面領域を有し、そして、前記Ｘ線発生用金
属層と前記本体との間にはダイヤモンド層が配置される
ことを特徴とするＸ線管陽極。 - 【請求項２】 前記本体がモリブデン基合金から成る
請求項１記載のＸ線管陽極。 - 【請求項３】 前記本体が黒鉛から成る請求項１記載
のＸ線管陽極。 - 【請求項４】 前記Ｘ線発生用金属層がタングステン
−レニウム合金から成る請求項１記載のＸ線管陽極。 - 【請求項５】 前記ダイヤモンド層と黒鉛製の前記本
体との間に炭化ケイ素層が配置される請求項１記載のＸ
線管陽極。 - 【請求項６】 前記ダイヤモンド層が４〜４００ミル
の範囲内の厚さを有する請求項１記載のＸ線管陽極。 - 【請求項７】 黒鉛製または高融点金属製の本体の表
面領域上にダイヤモンド層を配置し、次いで前記ダイヤ
モンド層上にＸ線発生用金属層を配置することから成る
Ｘ線管陽極の製造方法。 - 【請求項８】 前記ダイヤモンド層がその場で形成さ
れる請求項７記載の方法。 - 【請求項９】 前記ダイヤモンド層が化学蒸着法によ
って形成される請求項８記載の方法。 - 【請求項１０】 前記ダイヤモンド層がプラズマ促進
化学蒸着法によって形成される請求項８記載の方法。 - 【請求項１１】 前記プラズマが水素−メタン混合ガ
ス中において発生される請求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 前記ダイヤモンド層が仮の基体を用
いて形成される請求項７記載の方法。 - 【請求項１３】 （ａ） 黒鉛製本体の表面領域上に
高融点金属またはそれの炭化物の層を配置し、（ｂ）
前記高融点金属またはそれの炭化物の層上にダイヤモン
ド層をその場で形成し、次いで（ｃ） 前記ダイヤモン
ド層上にＸ線発生用金属層を配置する諸工程から成るこ
とを特徴とするＸ線管陽極の製造方法。 - 【請求項１４】 前記高融点金属またはそれの炭化物
が炭化ケイ素である請求項１３記載の方法。
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| CN102257591B (zh) | 2008-12-17 | 2014-06-04 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 将高z焦点轨迹层附着于用作旋转阳极靶的碳-碳复合衬底 |
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1991
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