JPH0421756A - ＴｉＡｌ系金属間化合物層の製造方法 - Google Patents
ＴｉＡｌ系金属間化合物層の製造方法Info
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- JPH0421756A JPH0421756A JP2123307A JP12330790A JPH0421756A JP H0421756 A JPH0421756 A JP H0421756A JP 2123307 A JP2123307 A JP 2123307A JP 12330790 A JP12330790 A JP 12330790A JP H0421756 A JPH0421756 A JP H0421756A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＴ ｉ Ａ ｌ系金属間化合物層の製造方法に
関する。
関する。
［従来の技術］
Ｔ ｉ −Ａ Ｉ ２元系において、常温における４９
〜５５原子％Ａｌの組成域において、金属間化合物Ｔ
ｉ Ａ ｌが存在する。このＴ ｉ Ａ ｌ金属間化合
物は、比重が小さく、高温強度、耐酸化性に優れている
ため、軽量の耐熱材料として、有望視されている。
〜５５原子％Ａｌの組成域において、金属間化合物Ｔ
ｉ Ａ ｌが存在する。このＴ ｉ Ａ ｌ金属間化合
物は、比重が小さく、高温強度、耐酸化性に優れている
ため、軽量の耐熱材料として、有望視されている。
しかしながら、このＴ ｉ Ａ ｌ金属間化合物は、他
の金属間化合物と同様に、通常の金属や合金にくらべて
脆く、常温延性に乏しく、まだ本格的に実用化されてい
ない、そのため、比較的延性の出やすいＴｉ′Ｆｒりの
ＴｉＡｌ÷Ｔｉ５Ａｌ相境界に近い組成の化合物を中心
に、延性を改良する研究が続けられている。
の金属間化合物と同様に、通常の金属や合金にくらべて
脆く、常温延性に乏しく、まだ本格的に実用化されてい
ない、そのため、比較的延性の出やすいＴｉ′Ｆｒりの
ＴｉＡｌ÷Ｔｉ５Ａｌ相境界に近い組成の化合物を中心
に、延性を改良する研究が続けられている。
また、Ｔｉは溶融状態で非常に活性な金属であるため、
カルシア製のるつぼを用い真空誘導溶解する方法が提案
されており（特開昭６１−２２３１７２号公報）、Ｔ
ｉ Ａ Ｉが難加工性であるため、ＡｌおよびＴｉの粉
体混合物と密封容器中で成形した後焼結する粉末冶金の
手法が提案されている（特開昭６２−７０５３１号公報
）、さらに、ＴｉＡ金属間化合物の加工方法として、耐
熱合金からなるシース材を用いた恒温鍛造法が提案され
ている（特開昭６１−２１３３６１号公報）。
カルシア製のるつぼを用い真空誘導溶解する方法が提案
されており（特開昭６１−２２３１７２号公報）、Ｔ
ｉ Ａ Ｉが難加工性であるため、ＡｌおよびＴｉの粉
体混合物と密封容器中で成形した後焼結する粉末冶金の
手法が提案されている（特開昭６２−７０５３１号公報
）、さらに、ＴｉＡ金属間化合物の加工方法として、耐
熱合金からなるシース材を用いた恒温鍛造法が提案され
ている（特開昭６１−２１３３６１号公報）。
［発明が解決しようとする課題］
そこで、Ｔ ｉ Ａ ｌ系金属間化合物の高温強度およ
び耐酸化性を利用する方法として、部材の表面にＴ ｉ
Ａ ｌ系金属間化合物を金属溶射により盛金する方法
が考えられる。しかしながら、部材の表面にＴｉＡｌ層
を金属溶射により盛金するには、高価なＴｉＡｌ粉末を
用いる必要があり、その場合にはＴｉＡｌの組成および
量を容易に変えることが困難であるため、盛金の条件を
うまくコントロールしないと割れが生じるという欠点が
ある。
び耐酸化性を利用する方法として、部材の表面にＴ ｉ
Ａ ｌ系金属間化合物を金属溶射により盛金する方法
が考えられる。しかしながら、部材の表面にＴｉＡｌ層
を金属溶射により盛金するには、高価なＴｉＡｌ粉末を
用いる必要があり、その場合にはＴｉＡｌの組成および
量を容易に変えることが困難であるため、盛金の条件を
うまくコントロールしないと割れが生じるという欠点が
ある。
かかる問題点を解決すべ〈発明者等は先にＴｉＡｌ系化
合物層の形成方法の発明を出願しており、その要旨は重
量比で７〜４３％のＡｌ粉末を含有するＴｉ粉末を溶射
材料として、減圧プラズマ溶射することにある。
合物層の形成方法の発明を出願しており、その要旨は重
量比で７〜４３％のＡｌ粉末を含有するＴｉ粉末を溶射
材料として、減圧プラズマ溶射することにある。
また、高温学会誌（Ｖｏｌ、１０．１９８４．Ｐ２４９
）には、窒素雰囲気中でＮ２ガスプラズマを形成し、Ｔ
ｉ粉末を溶射してＴｉ皮膜中に硬質のＴｉ窒化物を形成
させて、耐摩耗性を著しく向上することが示されている
。
）には、窒素雰囲気中でＮ２ガスプラズマを形成し、Ｔ
ｉ粉末を溶射してＴｉ皮膜中に硬質のＴｉ窒化物を形成
させて、耐摩耗性を著しく向上することが示されている
。
さらに、特開昭６２−１９９７６４号公報の発明は、Ｔ
ｉ Ａ Ｉ材料の特性改善のため、第３元素を合金添
加により固溶すること、または熱拡散法により固溶させ
ることが極めて困難であることに鑑みてなされたもので
、Ｔ ｉ Ａ １基合金材料の表面にイオン注入法によ
りＮイオンを注入することが提案されている。
ｉ Ａ Ｉ材料の特性改善のため、第３元素を合金添
加により固溶すること、または熱拡散法により固溶させ
ることが極めて困難であることに鑑みてなされたもので
、Ｔ ｉ Ａ １基合金材料の表面にイオン注入法によ
りＮイオンを注入することが提案されている。
しかしながら、前記のＡＬＥ含有するＴｉ粉末を減圧プ
ラズマ溶射する第１の提案においては、ＴｉＡｌ系金属
間化合物のみの被覆層であり、たとえ第３の合金元素が
添加できたとしても、硬さが不十分で耐摩耗性が十分で
ない、また、窒素ガスをプラズマガスとする第２の提案
においては、マトリクスがＴｉのため耐酸化性が悪く、
約６００℃以上にさらされる部位には使用できないとい
う欠点がある。さらに、イオン注入法を用いる第３の提
案においては、イオン注入深さが一般に１＜（１μ−以
下）、信頼性に欠けるとともに生産性も良くない。
ラズマ溶射する第１の提案においては、ＴｉＡｌ系金属
間化合物のみの被覆層であり、たとえ第３の合金元素が
添加できたとしても、硬さが不十分で耐摩耗性が十分で
ない、また、窒素ガスをプラズマガスとする第２の提案
においては、マトリクスがＴｉのため耐酸化性が悪く、
約６００℃以上にさらされる部位には使用できないとい
う欠点がある。さらに、イオン注入法を用いる第３の提
案においては、イオン注入深さが一般に１＜（１μ−以
下）、信頼性に欠けるとともに生産性も良くない。
本発明はＴｉＡｌ系金属間化合物層の製造方法における
前記のごとき問題点を解決すべくなされたものであって
、耐摩耗性および耐酸化性が良好で、かつ数１００μ麹
程度の厚さの被覆層が容易に得られるＴ ｉ Ａ ｌ系
金属間化合物層の製造方法を提供することを目的とする
。
前記のごとき問題点を解決すべくなされたものであって
、耐摩耗性および耐酸化性が良好で、かつ数１００μ麹
程度の厚さの被覆層が容易に得られるＴ ｉ Ａ ｌ系
金属間化合物層の製造方法を提供することを目的とする
。
［課題を解決するための手段］
本発明のＴ ｉ Ａ ｌ系金属間化合物層の製造方法は
、重量比で２０〜６３％のＡＩ粉末を含有するＴｉ粉末
を溶射材料とし、窒素ガスをプラズマガスとして反応性
減圧プラズマ溶射することを要旨とする。
、重量比で２０〜６３％のＡＩ粉末を含有するＴｉ粉末
を溶射材料とし、窒素ガスをプラズマガスとして反応性
減圧プラズマ溶射することを要旨とする。
溶射材料として用いるＴｉ粉末に混合するＡｌ粉末量の
重量比が２０％未満であるとＴｉが大量に残留し、耐酸
化性が著しく悪くなる。また、Ａｌ粉末の重量比が６３
％を越えると、生成した化合物にＡＩが残存し、ＴｉＡ
ｌ皮膜の耐摩耗性、耐酸化性等の特性を著しく劣化させ
て好ましくない。
重量比が２０％未満であるとＴｉが大量に残留し、耐酸
化性が著しく悪くなる。また、Ａｌ粉末の重量比が６３
％を越えると、生成した化合物にＡＩが残存し、ＴｉＡ
ｌ皮膜の耐摩耗性、耐酸化性等の特性を著しく劣化させ
て好ましくない。
減圧プラズマ溶射は、溶射ガン、基材移動装置および基
材を、減圧無酸素状態に制御できる減圧室内に組み込ん
でプラズマ溶射を行う従来から公知の減圧プラズマ溶射
装置を用いて行う。
材を、減圧無酸素状態に制御できる減圧室内に組み込ん
でプラズマ溶射を行う従来から公知の減圧プラズマ溶射
装置を用いて行う。
減圧プラズマ溶射を行う際の減圧室の内圧は、２００
Ｌｏｒｒ以下とすることが好ましい、減圧室の内圧が２
００ ｔｏｒｒより高い場合は、Ｔｉ、ＡＩの液滴から
の雰囲気への放熱が多くなり、液滴が基材に到達する前
に凝固しやすくなる。このため、生成した皮膜がポーラ
スとなり、密着性が悪くなる。
Ｌｏｒｒ以下とすることが好ましい、減圧室の内圧が２
００ ｔｏｒｒより高い場合は、Ｔｉ、ＡＩの液滴から
の雰囲気への放熱が多くなり、液滴が基材に到達する前
に凝固しやすくなる。このため、生成した皮膜がポーラ
スとなり、密着性が悪くなる。
減圧室の内圧は、低くなればなる程、液滴の温度が上が
り、ＴｉＡｌ皮膜の生成には有利である。
り、ＴｉＡｌ皮膜の生成には有利である。
また、プラズマ溶射を行う基材の移動速度が小さくなれ
ばなる程、減圧室の内圧が低くなればなる程、基材の温
度は上昇するが、減圧プラズマ溶射時においては、基材
の温度は６３０°Ｃ以上に保つ必要がある。基材の温度
が６３０℃未満であると、Ｔ ｉ Ａ ｌ系金属間化合
物および一部の窒化物（Ｔｉ−ＡＩＮ系窒化物）は殆ど
生成されない、従って、減圧プラズマ溶射に際しては、
基材移動速度、基材冷却方法、減圧室の内圧を適宜に選
択して、基材の温度と６３０°Ｃ以上に保つことが必要
である。
ばなる程、減圧室の内圧が低くなればなる程、基材の温
度は上昇するが、減圧プラズマ溶射時においては、基材
の温度は６３０°Ｃ以上に保つ必要がある。基材の温度
が６３０℃未満であると、Ｔ ｉ Ａ ｌ系金属間化合
物および一部の窒化物（Ｔｉ−ＡＩＮ系窒化物）は殆ど
生成されない、従って、減圧プラズマ溶射に際しては、
基材移動速度、基材冷却方法、減圧室の内圧を適宜に選
択して、基材の温度と６３０°Ｃ以上に保つことが必要
である。
プラズマ生成のための雰囲気ガスとしては、Ｎ２とＮ２
の混合ガスまたは、Ｎ２羊独ガスを用いることができる
。Ｎ、とＮ２の混合ガスとすることでプラズマ温度が上
がり、その結果基材の温度も上がり、Ｔ ｉ Ａ ｌ基
金Ｉｉ！：開化合物および一部の窒化物（Ｔｉ−ＡＩ−
Ｎ系窒化物）の生成には有利て′ある。
の混合ガスまたは、Ｎ２羊独ガスを用いることができる
。Ｎ、とＮ２の混合ガスとすることでプラズマ温度が上
がり、その結果基材の温度も上がり、Ｔ ｉ Ａ ｌ基
金Ｉｉ！：開化合物および一部の窒化物（Ｔｉ−ＡＩ−
Ｎ系窒化物）の生成には有利て′ある。
なお、Ｎ２ガス量はプラズマ発生の着火が起きさえすれ
ば良く、一般に多いほど高温になるため多量の混合粉末
を処理でき、生産性は高くなる。
ば良く、一般に多いほど高温になるため多量の混合粉末
を処理でき、生産性は高くなる。
［作用］
電極と基材の間に発生したメインアークは、作動ガスと
ノズルによって、収束されてプラズマ柱となる。このプ
ラズマ柱の中へＡｌ粉末を混合したＴｉ粉末を供給して
溶融し、さらにプラズマアークにより、基材表面に溶融
溶着させる。
ノズルによって、収束されてプラズマ柱となる。このプ
ラズマ柱の中へＡｌ粉末を混合したＴｉ粉末を供給して
溶融し、さらにプラズマアークにより、基材表面に溶融
溶着させる。
溶着された盛金の組成範囲は、溶射材料であるＴｉ粉末
中に混合するＡｌ粉末の量によって、自由に調整するこ
とができる。また、プラズマ溶射条件あるいは減圧室の
内圧および基材の温度を適宜選択することにより、Ｔ
ｉ Ａ Ｉ基金属間化合物層が盛金される。
中に混合するＡｌ粉末の量によって、自由に調整するこ
とができる。また、プラズマ溶射条件あるいは減圧室の
内圧および基材の温度を適宜選択することにより、Ｔ
ｉ Ａ Ｉ基金属間化合物層が盛金される。
プラズマジェットは化学的に極めて活性で反応性に富ん
だ状態にあり、本発明方法では７素雰囲気中でＮ２ガス
プラズマが形成されるので、ＴｉＡｌ−Ｎ系窒化物が形
成される。このＴ ｉ −ＡＮ系窒化物は硬質で、Ｔ
ｉ Ａ Ｉ基金属間化合物層に分散されるので、従来法
で製造したものより硬さが高く、耐摩耗性に優れている
。また、Ｔ ｉ −Ａ １−Ｎ系窒化物の形成割合は、
プラズマ電流、溶射距離等によって変えることができる
。
だ状態にあり、本発明方法では７素雰囲気中でＮ２ガス
プラズマが形成されるので、ＴｉＡｌ−Ｎ系窒化物が形
成される。このＴ ｉ −ＡＮ系窒化物は硬質で、Ｔ
ｉ Ａ Ｉ基金属間化合物層に分散されるので、従来法
で製造したものより硬さが高く、耐摩耗性に優れている
。また、Ｔ ｉ −Ａ １−Ｎ系窒化物の形成割合は、
プラズマ電流、溶射距離等によって変えることができる
。
［実施例］
本発明の好適な実施例について説明し、本発明の効果を
明らかにする。
明らかにする。
（実施例１）
第１表に示す種々の重量比の純Ａｌ粉末を混合した粒度
４４μ以下の純Ｔｉ混合粉末を溶射材料として、所定の
真空度にしてＮ２雰囲気を維持しつつ、第１表に示す溶
射条件で、溶射直前にブラスト処理を行ったＳＳ４１製
の基材に、反応性減圧プラズマ溶射を行い、溶射皮膜を
盛金した。
４４μ以下の純Ｔｉ混合粉末を溶射材料として、所定の
真空度にしてＮ２雰囲気を維持しつつ、第１表に示す溶
射条件で、溶射直前にブラスト処理を行ったＳＳ４１製
の基材に、反応性減圧プラズマ溶射を行い、溶射皮膜を
盛金した。
得られた溶射皮膜について、Ｘ線回折法により生成した
化合物を測定したところ、第２表に示すような結果を得
た。
化合物を測定したところ、第２表に示すような結果を得
た。
（以下余白）
第２表に示されたように、混合粉末のＡＩ配合比が２０
％未満である場合はＴｉが、混合粉末のＡｌ配合比が６
３％を越えるとＡｌが、それぞれ溶射層に多量に残存す
ることが判明した。これに対して、ＡＩ配合比が２０〜
６３％ではＴ ｉ Ａ ｌ系金属間化合物が主成分であ
ることが確認された。また、Ａｌ配合比が高くなるにつ
れて、Ａｌ含有量の高いＴ ｉ Ａ ｌ系金属間化合物
に変化している。
％未満である場合はＴｉが、混合粉末のＡｌ配合比が６
３％を越えるとＡｌが、それぞれ溶射層に多量に残存す
ることが判明した。これに対して、ＡＩ配合比が２０〜
６３％ではＴ ｉ Ａ ｌ系金属間化合物が主成分であ
ることが確認された。また、Ａｌ配合比が高くなるにつ
れて、Ａｌ含有量の高いＴ ｉ Ａ ｌ系金属間化合物
に変化している。
一方、強化相となる窒化物も同時に生成し、特にＡＩ配
合比が１０〜６３％において、Ｔ ｉ Ａ ｌ系の窒化
物が生成していることが判明した。また、ＡＩ配合比が
高くなるにつれて、ＡＩ含有量の高い窒化物に変化して
いる０代表例として、３６％ＡＩの混合粉末を使用して
、本発明方法により製造した溶射層のＸ線回折線口を第
２図に示す。
合比が１０〜６３％において、Ｔ ｉ Ａ ｌ系の窒化
物が生成していることが判明した。また、ＡＩ配合比が
高くなるにつれて、ＡＩ含有量の高い窒化物に変化して
いる０代表例として、３６％ＡＩの混合粉末を使用して
、本発明方法により製造した溶射層のＸ線回折線口を第
２図に示す。
（実施例２）
従来例として重量比で６４％の純Ｔｉおよび３６％の純
Ａｌの混合粉末を溶射材料として、第３表に示す従来方
法の減圧プラズマ溶射条件で、５Ｓ４１製の基材の上に
、溶射皮膜を盛金した。
Ａｌの混合粉末を溶射材料として、第３表に示す従来方
法の減圧プラズマ溶射条件で、５Ｓ４１製の基材の上に
、溶射皮膜を盛金した。
得られたこの従来例の溶射皮膜と、本発明例として実施
例１で得られた溶射皮膜の内３６％の純Ａｌ粉末を混合
したものについて、種々の温度における硬度を測定し、
得られた結果を第１１２Ｉに示した。
例１で得られた溶射皮膜の内３６％の純Ａｌ粉末を混合
したものについて、種々の温度における硬度を測定し、
得られた結果を第１１２Ｉに示した。
第１図に示したように、本発明方法で得られた溶射皮膜
は、従来法で得られた溶射皮膜よりも、すべての温度で
はるかに高い硬度を示し、本発明方法で得られた溶射皮
膜の方が優れた耐摩耗性を持つことが確認された。
は、従来法で得られた溶射皮膜よりも、すべての温度で
はるかに高い硬度を示し、本発明方法で得られた溶射皮
膜の方が優れた耐摩耗性を持つことが確認された。
（実施例３）
３６％純Ａ純金１有する純Ｔｉ混合粉末を使用し、実施
例１で本発明方法で製造した溶射皮膜と、従来例として
純Ｔｉ粉を使用し窒素雰囲気中でＮ２ガスプラズマを形
成して反応性減圧プラズマ溶射して製造した溶射皮膜と
を、大気中８００℃で２００時間保持し、表面状態の比
較を行った０本発明方法による溶射皮膜は試験後も特に
ま著な変化はなく良好であったが、従来例として製造し
た溶射皮膜は、表面に酸化スケールが生成し、かなりの
剥離がみられた。この結果、本発明方法による溶射皮膜
は耐酸化性が良好であることが確認された。
例１で本発明方法で製造した溶射皮膜と、従来例として
純Ｔｉ粉を使用し窒素雰囲気中でＮ２ガスプラズマを形
成して反応性減圧プラズマ溶射して製造した溶射皮膜と
を、大気中８００℃で２００時間保持し、表面状態の比
較を行った０本発明方法による溶射皮膜は試験後も特に
ま著な変化はなく良好であったが、従来例として製造し
た溶射皮膜は、表面に酸化スケールが生成し、かなりの
剥離がみられた。この結果、本発明方法による溶射皮膜
は耐酸化性が良好であることが確認された。
［発明の効果］
本発明のＴｉＡｌ系金属間化合物層の製造方法は以上詳
述したように、重量比で２０〜６３％のＡ粉末を含有す
るＴ１粉末′５：溶射材料として、窒素ガスをプラズマ
ガスとして反応性減圧プラズマ溶射することを特徴とす
るものであって、プラズマ柱の中へＡＩ粗粉末混合した
Ｔｉ粉末を供給して溶融することによって、ＴｉＡｌ系
金属間化合物層を製造することができ、その上基材表面
に溶Ｍ溶着されるＴｉＡｌ系金属閉化合物層の組成範囲
は、溶射材料であるＴｉ粉末中に混合するＡ！粉末の量
によって、自由に調整することができる。また、化学的
に極めて活性で反応性に富んだプラズマジェットを窒素
雰囲気にすることにより、Ｎ２ガスプラズマが形成され
るので、溶射皮膜中に硬質のＴｉＡｌ−Ｎ系窒化物が形
成され、製造されたＴｉＡｌ系金属間化合物層の耐摩耗
性および耐酸化性を著しく向上することができる。さら
に、ＡＩとＴの混合比を変えることにより、溶射皮膜の
硬さを容易に選択することができるので、摺動部材に用
いる場合には、相手材の硬さに応じた硬さにすることで
、自己摩耗と相手攻撃性を兼ね備えた材料とすることが
できる。
述したように、重量比で２０〜６３％のＡ粉末を含有す
るＴ１粉末′５：溶射材料として、窒素ガスをプラズマ
ガスとして反応性減圧プラズマ溶射することを特徴とす
るものであって、プラズマ柱の中へＡＩ粗粉末混合した
Ｔｉ粉末を供給して溶融することによって、ＴｉＡｌ系
金属間化合物層を製造することができ、その上基材表面
に溶Ｍ溶着されるＴｉＡｌ系金属閉化合物層の組成範囲
は、溶射材料であるＴｉ粉末中に混合するＡ！粉末の量
によって、自由に調整することができる。また、化学的
に極めて活性で反応性に富んだプラズマジェットを窒素
雰囲気にすることにより、Ｎ２ガスプラズマが形成され
るので、溶射皮膜中に硬質のＴｉＡｌ−Ｎ系窒化物が形
成され、製造されたＴｉＡｌ系金属間化合物層の耐摩耗
性および耐酸化性を著しく向上することができる。さら
に、ＡＩとＴの混合比を変えることにより、溶射皮膜の
硬さを容易に選択することができるので、摺動部材に用
いる場合には、相手材の硬さに応じた硬さにすることで
、自己摩耗と相手攻撃性を兼ね備えた材料とすることが
できる。
第１図は本発明方法により形成された溶射皮膜層と従来
方法で形成された溶射皮膜層の各種温度における硬度を
示す線区、第２図は本発明方法で形成されたＴ ｉ Ａ
Ｉ基金属間化合物層（Ｔｉ＋３６％ＡＩ）のＸ線回折
図形である。
方法で形成された溶射皮膜層の各種温度における硬度を
示す線区、第２図は本発明方法で形成されたＴ ｉ Ａ
Ｉ基金属間化合物層（Ｔｉ＋３６％ＡＩ）のＸ線回折
図形である。
Claims (1)
- （１）重量比で２０〜６３％のＡｌ粉末を含有するＴｉ
粉末を溶射材料とし、窒素ガスをプラズマガスとして反
応性減圧プラズマ溶射することを特徴とするＴｉＡｌ系
金属間化合物層の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123307A JP2767972B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | ＴｉＡｌ系金属間化合物層の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123307A JP2767972B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | ＴｉＡｌ系金属間化合物層の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0421756A true JPH0421756A (ja) | 1992-01-24 |
| JP2767972B2 JP2767972B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=14857304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2123307A Expired - Lifetime JP2767972B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | ＴｉＡｌ系金属間化合物層の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2767972B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2290309A (en) * | 1993-02-15 | 1995-12-20 | Secr Defence | Diffusion barrier layers |
| JP2015100905A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 学校法人慶應義塾 | ダイヤモンド被膜被着部材およびその製造方法 |
| KR20210106216A (ko) * | 2020-02-20 | 2021-08-30 | 주식회사 싸이노스 | 금속분말을 이용한 반도체 장비용 코팅방법 및 이에 의한 코팅층을 갖는 반도체 증착공정용 반도체 장비 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261609A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | チタン合金製きのこ状弁 |
| JPS63255358A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-10-21 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 少くとも２種類の金属窒化物混合層とその形成方法 |
| JPS63266068A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-02 | Nisshin Steel Co Ltd | セラミツクドライコ−テイング皮膜の着色法 |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP2123307A patent/JP2767972B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261609A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | チタン合金製きのこ状弁 |
| JPS63255358A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-10-21 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 少くとも２種類の金属窒化物混合層とその形成方法 |
| JPS63266068A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-02 | Nisshin Steel Co Ltd | セラミツクドライコ−テイング皮膜の着色法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2290309A (en) * | 1993-02-15 | 1995-12-20 | Secr Defence | Diffusion barrier layers |
| GB2290309B (en) * | 1993-02-15 | 1996-10-30 | Secr Defence | Diffusion barrier layers |
| JP2015100905A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 学校法人慶應義塾 | ダイヤモンド被膜被着部材およびその製造方法 |
| KR20210106216A (ko) * | 2020-02-20 | 2021-08-30 | 주식회사 싸이노스 | 금속분말을 이용한 반도체 장비용 코팅방법 및 이에 의한 코팅층을 갖는 반도체 증착공정용 반도체 장비 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2767972B2 (ja) | 1998-06-25 |
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