JPH04217012A - 温度検出装置 - Google Patents
温度検出装置Info
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- JPH04217012A JPH04217012A JP40354790A JP40354790A JPH04217012A JP H04217012 A JPH04217012 A JP H04217012A JP 40354790 A JP40354790 A JP 40354790A JP 40354790 A JP40354790 A JP 40354790A JP H04217012 A JPH04217012 A JP H04217012A
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- resistor
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
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- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 26
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
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- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、温度検出部の故障を検
知することを可能とした温度検出装置に関する。
知することを可能とした温度検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、サーミスタにより温度検出をして
温度制御を行う温度制御装置において、サーミスタの断
線を検出するため、サーミスタと抵抗を直列に接続し、
その両端に電圧Ｖ０を印加し、サーミスタと抵抗の接点
電圧ＶＴＨの変化を検出することによって断線の検出を
行っていた。通常使用しているサーミスタは制御温度時
（１６０℃程度）で数ｋΩ、室温時（２０℃程度）で数
ＭΩの抵抗値をとる。抵抗は制御温度時の温度制御の精
度が確保できるように数ｋΩの抵抗を使用している。数
ｋΩの抵抗を使用した場合、室温のときにはサーミスタ
は抵抗値が数ＭΩとなるので、サーミスタが正常の場合
も断線している場合も接点電圧ＶＴＨはほぼ等しいため
判別がつかない。そのために、温度検出される熱源に電
流を流し、温度を上昇させ、制御温度に達すると予測さ
れる設定時間経過後に接点電圧ＶＴＨを検出することに
よって、サーミスタの断線を検出していた。
温度制御を行う温度制御装置において、サーミスタの断
線を検出するため、サーミスタと抵抗を直列に接続し、
その両端に電圧Ｖ０を印加し、サーミスタと抵抗の接点
電圧ＶＴＨの変化を検出することによって断線の検出を
行っていた。通常使用しているサーミスタは制御温度時
（１６０℃程度）で数ｋΩ、室温時（２０℃程度）で数
ＭΩの抵抗値をとる。抵抗は制御温度時の温度制御の精
度が確保できるように数ｋΩの抵抗を使用している。数
ｋΩの抵抗を使用した場合、室温のときにはサーミスタ
は抵抗値が数ＭΩとなるので、サーミスタが正常の場合
も断線している場合も接点電圧ＶＴＨはほぼ等しいため
判別がつかない。そのために、温度検出される熱源に電
流を流し、温度を上昇させ、制御温度に達すると予測さ
れる設定時間経過後に接点電圧ＶＴＨを検出することに
よって、サーミスタの断線を検出していた。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかし、従来の方
法では、発熱体に電流を流して発熱体の温度を上昇させ
る制御は、発熱体の温度とは無関係に行われていた。そ
のため、発熱体の温度がすでに制御温度近くである場合
、断線かどうか判断するまでの間に必要以上に発熱体の
温度が上昇してしまい、発熱体やその周辺部の損傷、発
火等を引き起こす危険性があった。
法では、発熱体に電流を流して発熱体の温度を上昇させ
る制御は、発熱体の温度とは無関係に行われていた。そ
のため、発熱体の温度がすでに制御温度近くである場合
、断線かどうか判断するまでの間に必要以上に発熱体の
温度が上昇してしまい、発熱体やその周辺部の損傷、発
火等を引き起こす危険性があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
、本発明は、熱を発生する発熱体と、前記発熱体の温度
の変化に応じて抵抗値が変化する第１抵抗体を有し、前
記第１抵抗体の印加電圧より前記発熱体の温度を検出す
る温度検出装置において、前記第１抵抗体と直列に接続
され、抵抗値が可変である第２抵抗体と、前記発熱体の
発熱状態を検出する検出手段と、前記検出手段の検出結
果に応じて前記第２抵抗体の抵抗値を制御する制御手段
と、前記第１抵抗体の印加電圧より前記第１抵抗体の不
良を判断する判断手段を有するものである。
、本発明は、熱を発生する発熱体と、前記発熱体の温度
の変化に応じて抵抗値が変化する第１抵抗体を有し、前
記第１抵抗体の印加電圧より前記発熱体の温度を検出す
る温度検出装置において、前記第１抵抗体と直列に接続
され、抵抗値が可変である第２抵抗体と、前記発熱体の
発熱状態を検出する検出手段と、前記検出手段の検出結
果に応じて前記第２抵抗体の抵抗値を制御する制御手段
と、前記第１抵抗体の印加電圧より前記第１抵抗体の不
良を判断する判断手段を有するものである。
【０００５】
【作用】上記構成において、制御手段が発熱体の状態に
応じて第２抵抗体の抵抗値を制御し、判断手段が第１抵
抗体の印加電圧を見ることにより第１抵抗体の不良を検
出する。
応じて第２抵抗体の抵抗値を制御し、判断手段が第１抵
抗体の印加電圧を見ることにより第１抵抗体の不良を検
出する。
【０００６】
【実施例】１． 第１図は本発明の第１の実施例の温
度制御装置の回路図である。１は温度制御を行うＣＰＵ
、２は制御の内容が書き込まれているＲＯＭ、３はデー
タの読み書きを行うＲＡＭである。４は発熱体であるハ
ロゲンヒータ、５はＣＰＵ１によりハロゲンヒータ４の
電源をスイッチングするソリッドステートリレー、６は
ＣＰＵ１とソリッドステートリレー５の入出力インター
フェースである。７は温度により抵抗値が変化するサー
ミスタで、ハロゲンヒータ４が制御温度（１６０℃）の
時は数ｋΩ、室温（２０℃程度）のときは数ＭΩの抵抗
値となる。８、９は抵抗で、それぞれがサーミスタ７に
対して直列に接続され、一定電圧Ｖ０が印加される。８
はサーミスタ７の制御温度時の抵抗値と同じオーダーの
数ｋΩの抵抗、９は室温時の抵抗値と同じオーダーの数
ＭΩの抵抗である。１０は抵抗８、９とサーミスタ７の
接点電圧ＶＴＨをアナログデジタル変換するアナログデ
ジタルコンバータ（以下Ａ／Ｄ変換器と称する）である
。１１は抵抗９に直列に接続していてスイッチングを行
うリレー、１２はＣＰＵ１とリレー１１の入出力インタ
ーフェースである。１３はＣＰＵ１の誤動作やソリッド
ステートリレー５のショートなどによって、ハロゲンヒ
ータ４が通電し続けた場合にある所定の温度でハロゲン
ヒータ４への電源供給を遮断する温度ヒューズで、ハロ
ゲンヒータ４の過昇温を防止する。
度制御装置の回路図である。１は温度制御を行うＣＰＵ
、２は制御の内容が書き込まれているＲＯＭ、３はデー
タの読み書きを行うＲＡＭである。４は発熱体であるハ
ロゲンヒータ、５はＣＰＵ１によりハロゲンヒータ４の
電源をスイッチングするソリッドステートリレー、６は
ＣＰＵ１とソリッドステートリレー５の入出力インター
フェースである。７は温度により抵抗値が変化するサー
ミスタで、ハロゲンヒータ４が制御温度（１６０℃）の
時は数ｋΩ、室温（２０℃程度）のときは数ＭΩの抵抗
値となる。８、９は抵抗で、それぞれがサーミスタ７に
対して直列に接続され、一定電圧Ｖ０が印加される。８
はサーミスタ７の制御温度時の抵抗値と同じオーダーの
数ｋΩの抵抗、９は室温時の抵抗値と同じオーダーの数
ＭΩの抵抗である。１０は抵抗８、９とサーミスタ７の
接点電圧ＶＴＨをアナログデジタル変換するアナログデ
ジタルコンバータ（以下Ａ／Ｄ変換器と称する）である
。１１は抵抗９に直列に接続していてスイッチングを行
うリレー、１２はＣＰＵ１とリレー１１の入出力インタ
ーフェースである。１３はＣＰＵ１の誤動作やソリッド
ステートリレー５のショートなどによって、ハロゲンヒ
ータ４が通電し続けた場合にある所定の温度でハロゲン
ヒータ４への電源供給を遮断する温度ヒューズで、ハロ
ゲンヒータ４の過昇温を防止する。
【０００７】上記構成において、温度制御を開始すると
き、リレー１１をオフにし、接点電圧ＶＴＨを見ること
によって断線を検出する。サーミスタ７が断線していな
い場合、接点電圧ＶＴＨは式（１）に示す値となる。
き、リレー１１をオフにし、接点電圧ＶＴＨを見ること
によって断線を検出する。サーミスタ７が断線していな
い場合、接点電圧ＶＴＨは式（１）に示す値となる。
【０００８】ＶＴＨ＝Ｖ０×ＲＴＨ／（ＲＴＨ＋Ｒ２
）…式（１）式（１）において、サーミスタ７が室温の
ときにはサーミスタ７の抵抗ＲＴＨは数ＭΩとなり、抵
抗８の値Ｒ２ は数ＭΩなので、接点電圧ＶＴＨはＶ０
／２前後となる。また、サーミスタ７が制御温度のとき
にはサーミスタ７の抵抗ＲＴＨは数ｋΩとなり、抵抗８
の値Ｒ２ は数ＭΩなので、接点電圧ＶＴＨはほぼ０と
なる。断線している場合、式（１）においてサーミスタ
７の抵抗ＲＴＨは無限大となるので、接点電圧ＶＴＨは
ほぼＶ０となる。ＣＰＵ１はＡ／Ｄ変換器１０を介して
接点電圧ＶＴＨがＶ０付近であるか否か見ることにより
サーミスタ７が断線しているか判断できる。すなわち、
接点電圧ＶＴＨがＶ０付近であれば断線、Ｖ０／２以下
であれば正常であると判断できる。 次に、ハロゲン
ヒータ４の温度を上昇させ、温度制御を行う。リレー１
１をオンにし、抵抗８、９に電圧Ｖ０を印加する。この
時の接点電圧ＶＴＨは式（２）に示す値となる。
）…式（１）式（１）において、サーミスタ７が室温の
ときにはサーミスタ７の抵抗ＲＴＨは数ＭΩとなり、抵
抗８の値Ｒ２ は数ＭΩなので、接点電圧ＶＴＨはＶ０
／２前後となる。また、サーミスタ７が制御温度のとき
にはサーミスタ７の抵抗ＲＴＨは数ｋΩとなり、抵抗８
の値Ｒ２ は数ＭΩなので、接点電圧ＶＴＨはほぼ０と
なる。断線している場合、式（１）においてサーミスタ
７の抵抗ＲＴＨは無限大となるので、接点電圧ＶＴＨは
ほぼＶ０となる。ＣＰＵ１はＡ／Ｄ変換器１０を介して
接点電圧ＶＴＨがＶ０付近であるか否か見ることにより
サーミスタ７が断線しているか判断できる。すなわち、
接点電圧ＶＴＨがＶ０付近であれば断線、Ｖ０／２以下
であれば正常であると判断できる。 次に、ハロゲン
ヒータ４の温度を上昇させ、温度制御を行う。リレー１
１をオンにし、抵抗８、９に電圧Ｖ０を印加する。この
時の接点電圧ＶＴＨは式（２）に示す値となる。
【０００９】ＶＴＨ＝Ｖ０×ＲＴＨ／（ＲＴＨ＋（１／
（１／Ｒ１ ＋１／Ｒ２ ）））≒Ｖ０×ＲＴＨ（ＲＴ
Ｈ＋Ｒ１ ）…式（２）ＣＰＵ１はＡ／Ｄ変換器１０を
介して接点電圧ＶＴＨを読み、予め設定された電圧を比
較することによりハロゲンヒータ４の温度を検出する。 また、接点電圧ＶＴＨがＶ０付近であればサーミスタ７
が断線していると判断できる。
（１／Ｒ１ ＋１／Ｒ２ ）））≒Ｖ０×ＲＴＨ（ＲＴ
Ｈ＋Ｒ１ ）…式（２）ＣＰＵ１はＡ／Ｄ変換器１０を
介して接点電圧ＶＴＨを読み、予め設定された電圧を比
較することによりハロゲンヒータ４の温度を検出する。 また、接点電圧ＶＴＨがＶ０付近であればサーミスタ７
が断線していると判断できる。
【００１０】第２図は本発明の実施例の温度制御のフロ
ーチャートである。まず、温度制御開始時であるか否か
判別する変数Ｃに０を代入する（ステップＳ１）。ハロ
ゲンヒータ４を使用するか否か判断し（ステップＳ２）
、使用しない場合には、ソリッドステートリレー５をオ
フし、ハロゲンヒータ４の電源を切り（ステップＳ９）
、ステップＳ１へ進む。ステップＳ２でハロゲンヒータ
４を使用する場合には、Ｃ＝０であるか判断する（ステ
ップＳ３）。Ｃ＝０の場合は温度制御開始時であり、Ｃ
に１を代入し（ステップＳ１０）、リレー１１をオフす
る（ステップＳ１１）。そして、前述の方法でサーミス
タ７と抵抗８に電圧Ｖ０を印加し、接点電圧ＶＴＨを見
ることによりサーミスタ７の断線検知をする（ステップ
Ｓ１２）。ステップＳ１２でサーミスタ７が断線してい
なければステップＳ１へ進み、断線していれば異常処理
をして中止する（ステップＳ１３）。ステップＳ３にお
いてＣ＝０でない場合すなわち温度制御開始時でない場
合、リレー１１をオンして（ステップＳ４）、サーミス
タ７と抵抗８、９に電圧Ｖ０を印加し、サーミスタ７の
断線検知を行う（ステップＳ５）。ステップＳ５でサー
ミスタ７が断線していればステップＳ７に進み異常処理
を行い、断線していなければ、接点電圧ＶＴＨと設定値
を比較することにより制御温度以上かどうか判断する（
ステップＳ６）。ステップＳ６で制御温度以上でなけれ
ばハロゲンヒータ４をオンにしてステップＳ１に進み（
ステップＳ８）、制御温度以上であればハロゲンヒータ
４をオフにしてステップＳ１に進む（ステップＳ７）。 以上を繰り返すことによって、ハロゲンヒータ４の温度
が所定の温度となるように制御を行う。
ーチャートである。まず、温度制御開始時であるか否か
判別する変数Ｃに０を代入する（ステップＳ１）。ハロ
ゲンヒータ４を使用するか否か判断し（ステップＳ２）
、使用しない場合には、ソリッドステートリレー５をオ
フし、ハロゲンヒータ４の電源を切り（ステップＳ９）
、ステップＳ１へ進む。ステップＳ２でハロゲンヒータ
４を使用する場合には、Ｃ＝０であるか判断する（ステ
ップＳ３）。Ｃ＝０の場合は温度制御開始時であり、Ｃ
に１を代入し（ステップＳ１０）、リレー１１をオフす
る（ステップＳ１１）。そして、前述の方法でサーミス
タ７と抵抗８に電圧Ｖ０を印加し、接点電圧ＶＴＨを見
ることによりサーミスタ７の断線検知をする（ステップ
Ｓ１２）。ステップＳ１２でサーミスタ７が断線してい
なければステップＳ１へ進み、断線していれば異常処理
をして中止する（ステップＳ１３）。ステップＳ３にお
いてＣ＝０でない場合すなわち温度制御開始時でない場
合、リレー１１をオンして（ステップＳ４）、サーミス
タ７と抵抗８、９に電圧Ｖ０を印加し、サーミスタ７の
断線検知を行う（ステップＳ５）。ステップＳ５でサー
ミスタ７が断線していればステップＳ７に進み異常処理
を行い、断線していなければ、接点電圧ＶＴＨと設定値
を比較することにより制御温度以上かどうか判断する（
ステップＳ６）。ステップＳ６で制御温度以上でなけれ
ばハロゲンヒータ４をオンにしてステップＳ１に進み（
ステップＳ８）、制御温度以上であればハロゲンヒータ
４をオフにしてステップＳ１に進む（ステップＳ７）。 以上を繰り返すことによって、ハロゲンヒータ４の温度
が所定の温度となるように制御を行う。
【００１１】以上説明したように、温度制御開始時には
サーミスタ７はサーミスタ７と同じオーダーの抵抗を介
して電圧が印加されるので、ハロゲンヒータ４が低温状
態のときでもサーミスタ７の断線が検知できるので、過
昇温によるハロゲンヒータ４や周辺の部品の損傷、発火
を防止できる。
サーミスタ７はサーミスタ７と同じオーダーの抵抗を介
して電圧が印加されるので、ハロゲンヒータ４が低温状
態のときでもサーミスタ７の断線が検知できるので、過
昇温によるハロゲンヒータ４や周辺の部品の損傷、発火
を防止できる。
【００１２】なお、式（２）において、Ｒ２ はＲ１
に比べて十分大きな抵抗値であるため、１／Ｒ２ の項
を無視して考えたが、温度検出を精密に行う必要がある
場合は、抵抗８（Ｒ２ ）も抵抗９（Ｒ１ ）と同様に
別のリレー（図示せず）を介してＶ０を印加するように
構成し、サーミスタ７が低温のときには抵抗８（Ｒ２
）のみを使用し、高温のときには抵抗９（Ｒ１ ）のみ
を使用するようリレーを制御すれば良い。
に比べて十分大きな抵抗値であるため、１／Ｒ２ の項
を無視して考えたが、温度検出を精密に行う必要がある
場合は、抵抗８（Ｒ２ ）も抵抗９（Ｒ１ ）と同様に
別のリレー（図示せず）を介してＶ０を印加するように
構成し、サーミスタ７が低温のときには抵抗８（Ｒ２
）のみを使用し、高温のときには抵抗９（Ｒ１ ）のみ
を使用するようリレーを制御すれば良い。
【００１３】２． 第３図は本発明の第２の実施例の
温度制御装置の回路図である。１〜９、１２、１３は実
施例１と同様なので説明を省略する。１０は抵抗９の両
端の電位をアナログデジタル変換するＡ／Ｄ変換器であ
る。１４はトランジスタで、抵抗９に直列に接続してい
る。
温度制御装置の回路図である。１〜９、１２、１３は実
施例１と同様なので説明を省略する。１０は抵抗９の両
端の電位をアナログデジタル変換するＡ／Ｄ変換器であ
る。１４はトランジスタで、抵抗９に直列に接続してい
る。
【００１４】上記構成において、温度制御開始時はトラ
ンジスタ１４をオフにし、実施例１と同様にハロゲンヒ
ータ４がオフの状態でサーミスタ７の断線検出を行う。 温度制御時にはトランジスタ１４をオンにし、温度制御
と断線検出を行う。トランジスタ１４のオン抵抗による
電圧降下が生じるため、式（２）のＶＴＨを式（３）の
ＶＴＨ’ と置き換えて補正する。ただし、Ｖ１はトラ
ンジスタ１４と抵抗１の接点の電位である。
ンジスタ１４をオフにし、実施例１と同様にハロゲンヒ
ータ４がオフの状態でサーミスタ７の断線検出を行う。 温度制御時にはトランジスタ１４をオンにし、温度制御
と断線検出を行う。トランジスタ１４のオン抵抗による
電圧降下が生じるため、式（２）のＶＴＨを式（３）の
ＶＴＨ’ と置き換えて補正する。ただし、Ｖ１はトラ
ンジスタ１４と抵抗１の接点の電位である。
【００１５】ＶＴＨ’ ＝ＶＴＨ×（Ｖ０／Ｖ１）…式
（３）この構成にすることにより、実施例１と同様の効
果が得られ、よりコンパクトな温度制御装置が実現でき
る。
（３）この構成にすることにより、実施例１と同様の効
果が得られ、よりコンパクトな温度制御装置が実現でき
る。
【００１６】３． 第４図は本発明の第３の実施例の
温度制御装置の回路図である。１〜１０は実施例１と同
様なので説明を省略する。１５はバイメタルスイッチ、
１６はＡ／Ｄ変換器である。バイメタルスイッチ１５は
ハロゲンヒータ４が室温付近の時にはＡ／Ｄ変換器１６
側へ、制御温度付近の時には抵抗９側へ熱により倒れる
特性を持ち、ハロゲンヒータ４の近傍へ設置される。
温度制御装置の回路図である。１〜１０は実施例１と同
様なので説明を省略する。１５はバイメタルスイッチ、
１６はＡ／Ｄ変換器である。バイメタルスイッチ１５は
ハロゲンヒータ４が室温付近の時にはＡ／Ｄ変換器１６
側へ、制御温度付近の時には抵抗９側へ熱により倒れる
特性を持ち、ハロゲンヒータ４の近傍へ設置される。
【００１７】上記構成において、ハロゲンヒータ４が室
温の時にはバイメタルスイッチ１４はＡ／Ｄ変換器１６
側へ倒れる。ＣＰＵ１はＡ／Ｄ変換器１６を介して電圧
がＶ０であることを検出すると、ハロゲンヒータ４は室
温であると判断し、サーミスタ７の断線検出を行う。抵
抗９には電圧Ｖ０が印加されないので、実施例１のリレ
ー１１がオフの状態の時と同様のサーミスタ７の断線検
出を行う。また、ハロゲンヒータ４が制御温度の時には
バイメタルスイッチ１４は抵抗９側へ倒れる。ＣＰＵ１
はＡ／Ｄ変換器１６を介して電圧が０であることを検出
すると、ハロゲンヒータ４は制御温度付近であると判断
し、サーミスタ７の温度検出と断線検出を行う。そして
、実施例１のリレー１１がオンの状態の時と同様のハロ
ゲンヒータ４の温度制御と断線検出を行う。
温の時にはバイメタルスイッチ１４はＡ／Ｄ変換器１６
側へ倒れる。ＣＰＵ１はＡ／Ｄ変換器１６を介して電圧
がＶ０であることを検出すると、ハロゲンヒータ４は室
温であると判断し、サーミスタ７の断線検出を行う。抵
抗９には電圧Ｖ０が印加されないので、実施例１のリレ
ー１１がオフの状態の時と同様のサーミスタ７の断線検
出を行う。また、ハロゲンヒータ４が制御温度の時には
バイメタルスイッチ１４は抵抗９側へ倒れる。ＣＰＵ１
はＡ／Ｄ変換器１６を介して電圧が０であることを検出
すると、ハロゲンヒータ４は制御温度付近であると判断
し、サーミスタ７の温度検出と断線検出を行う。そして
、実施例１のリレー１１がオンの状態の時と同様のハロ
ゲンヒータ４の温度制御と断線検出を行う。
【００１８】この構成にすることにより、ハロゲンヒー
タ４が室温のとき、サーミスタ７はサーミスタ７と同じ
オーダーの抵抗を介して電圧が印加されるので、ハロゲ
ンヒータ４が室温のときでも即座にサーミスタ７の断線
検出が行え、簡単な構成で過昇温によるハロゲンヒータ
４や周辺の部品の損傷、発火を防止できる。
タ４が室温のとき、サーミスタ７はサーミスタ７と同じ
オーダーの抵抗を介して電圧が印加されるので、ハロゲ
ンヒータ４が室温のときでも即座にサーミスタ７の断線
検出が行え、簡単な構成で過昇温によるハロゲンヒータ
４や周辺の部品の損傷、発火を防止できる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、発熱体の温度にか
かわらず、即座に第１抵抗体すなわち温度検出部の故障
を検出できるため、発熱体の過昇温を防止でき、安全性
の高い温度検出装置を提供することができるという効果
がある。
かわらず、即座に第１抵抗体すなわち温度検出部の故障
を検出できるため、発熱体の過昇温を防止でき、安全性
の高い温度検出装置を提供することができるという効果
がある。
【図１】本発明の第１の実施例の温度検出装置を持つ温
度制御装置の回路図である。
度制御装置の回路図である。
【図２】第１の実施例の断線検出及び温度制御の動作を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図３】本発明の第２の実施例の温度検出装置を持つ温
度制御装置の回路図である。
度制御装置の回路図である。
【図４】本発明の第３の実施例の温度検出装置を持つ温
度制御装置の回路図である。
度制御装置の回路図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 熱を発生する発熱体と、前記発熱体の
温度の変化に応じて抵抗値が変化する第１抵抗体を有し
、前記第１抵抗体の印加電圧より前記発熱体の温度を検
出する温度検出装置において、前記第１抵抗体と直列に
接続され、抵抗値が可変である第２抵抗体と、前記発熱
体の発熱状態を検出する検出手段と、前記検出手段の検
出結果に応じて前記第２抵抗体の抵抗値を制御する制御
手段と、前記第１抵抗体の印加電圧より前記第１抵抗体
の不良を判断する判断手段を有する温度検出装置。 - 【請求項２】 前記検出手段は、前記発熱体の温度検
出の開始時であるか、それ以降であるかを検出すること
により前記発熱状態を検出することを特徴とした請求項
１の温度検出装置。 - 【請求項３】 前記検出手段は、前記発熱体の温度の
高低を検出することにより前記発熱状態を検出すること
を特徴とした請求項１の温度検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40354790A JPH04217012A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 温度検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40354790A JPH04217012A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 温度検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04217012A true JPH04217012A (ja) | 1992-08-07 |
Family
ID=18513279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40354790A Pending JPH04217012A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 温度検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04217012A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010038450A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 加熱調理器 |
-
1990
- 1990-12-19 JP JP40354790A patent/JPH04217012A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010038450A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 加熱調理器 |
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