JPH0421045A - キャッシュメモリ - Google Patents

キャッシュメモリ

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JPH0421045A
JPH0421045A JP2124966A JP12496690A JPH0421045A JP H0421045 A JPH0421045 A JP H0421045A JP 2124966 A JP2124966 A JP 2124966A JP 12496690 A JP12496690 A JP 12496690A JP H0421045 A JPH0421045 A JP H0421045A
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signal
cache memory
hit
level
circuit
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Akira Yamada
朗 山田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、キャッシュメモリに関するものである。
[従来の技術] CPUの動作速度に対して、主メモリの動作速度は低速
である。CPUの動作効率を上げるために、主メモリか
ら読み出したデータを高速動作可能なキャッシュメモリ
に保管し、そのデータの再読み出しの際には、キャッシ
ュメモリから読み出すという手法が一般に用いられてい
る。
第8図は、CQ出版社発行の雑誌「インターフェースJ
 19B7年9月号の250ページに記載されている4
ウエイセツトアソシアテイブ方弐のキャッシュメモリの
1ウエイだけを説明のために取り出したキャッシュメモ
リのブロック構成図である。
図において、1はキャッシュメモリにアクセスしようと
するアドレス信号、2は前記アドレス信号1の一部であ
るタグアドレス、3は前記アドレス信号1の一部である
エントリアドレス、4は前記アドレス信号1の一部であ
るワードアドレス、5はキャッシュメモリ内にあるタグ
アドレスを保持するタグアドレスメモリ、6はデータメ
モリ7の保持しているデータが有効であるか無効である
かを示したバリッドビットメモリである。バリッドビッ
トは、Hのときデータが有効、Lのとき無効を示す。7
はキャッシュメモリ内にあるデータを保持するデータメ
モリ、8は前記タグアドレス2と前記タグアドレスメモ
リ5に保持しているタグアドレスとを比較して一致して
いるか否かを調べる比較器、9は前記ワードアドレス4
によって前記データメモリから1ワードを選択するワー
ドセレクタ、10はバリッドビットと前記ワードアドレ
ス4により制御される制御回路、11は前記制御回路1
0から出力されるHIT信号、12は前記ワードデータ
゛り11から出力されるデータ信号、13は前記エント
リアドレス3のデコーダ、14はデコーダ13の出力で
あるデコード信号、15はMISS信号である。
次に、従来のキャッシュメモリのリード動作について説
明する。この例では、説明の都合上ワードアドレスを1
ビツト、エントリアドレスを2ビツト、タグアドレスを
3ビツトと仮定する。外部からアドレス信号1が与えら
れるとエントリアドレス3、デコーダ13で選ばれたタ
グアドレスメモリ5の内容を比較器8に送ると共にデー
タメモリ7の内容もワードセレクタ9に送り、ワードア
ドレス4でワードデータを選ぶ。この例では、1エント
リアドレスに対して2つのワードデータが対応している
。そして、選ばれたタグアドレスメモリ5の内容を前記
比較器8でタグアドレス2と一致しているか否かを調べ
、その結果を制御回路10に送る。この例では、1エン
トリアドレスに対応する2つのワードデータの各々の有
効、無効を示すために2ビツトのバリッドビットを持っ
ている。
制御回路10では、ワードアドレス4で選択されたワー
ドデータに対応するバリッドビットの値がHで、かつ、
外部アドレスにより指定されたデータがキャッシュメモ
リ内に有るとき、所定のタイミングでHIT信号11を
発生する。このHIT信号11は、キャッシュメモリ外
部およびワードセレクタ9に送られ、HIT信号11が
Hのときには、データをデータ信号12に出力する。ま
た、キャッシュミス時にはMISS信号15をHにして
、キャッシュメモリ外のメインメモリを起動しデータを
読みに行き、MPUにデータを送ると共にキャッシュメ
モリ内のデータメモリ7にデータを格納する。
次に、従来のキャッシュメモリのライト動作について説
明する。外部からアドレス信号1が与えられるとリード
動作と同様にアドレスのヒツト判定を行い、HIT信号
11がHのときには、データ信号12の値をデータメモ
リ7に書き込む。HIT信号11がHのときには、何も
しない。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のキャッシュメモリでは、リードヒツト時に出力す
るHIT信号11のタイミングが固定であるため、低い
電源電圧や高温でキャッシュメモリを使用したときにヒ
ツト判定時間が増加し、判定結果を誤ったHIT信号1
工をCPUに対して出力してしまうという問題があった
また、従来のキャッシュメモリでは、キャッシュメモリ
の動作周波数を増加させると、キャッシュメモリ内部で
ヒツト判定に使用できる時間が減少するため、判定結果
を誤ったHIT信号11をCPUに対して出力してしま
うという問題があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、より広い環境で使用できる、汎用的なキャ
ッシュメモリを得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明にかかるキャッシュメモリは、キャッシュメモ
リの起動信号を遅延させる回路と、キャツシュヒツトを
示す信号の出力するタイミングを変更する回路とを含む
ようにしたものである。
また、この発明にかかるキャッシュメモリは、キャッシ
ュメモリの起動信号を遅延させる回路と、キャッシュミ
ス時に外部メモリをアクセスするタイミングを変更する
回路とを含むようにしたものである。
〔作用〕
この発明におけるキャッシュメモリは、ヒツト判定が遅
れたために、ウェイトサイクル無しで正しいHIT信号
をCPUに出力することができない場合には、自動的に
ウェイトサイクルを挿入した後、HIT信号を出力する
また、この発明におけるキャッシュメモリは、ヒツト判
定が遅れた場合にリードミスし、ウェイトサイクル無し
で外部メモリをアクセスできない時には、自動的にウェ
イトサイクルを挿入した後、外部メモリのアクセスを起
動する。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第1図は本発明の第1の実施例によるキャッシュメモリ
を示し、これは第8図に示した従来例の回路にタイミン
グ変更回路20を追加したもので、他の部分の構成は同
じである。タイミング変更回路20はHI、T信号11
およびMISS信号の出力タイミングを変更する回路で
ある。HIT信号11は、ワードセレクタ9およびキャ
ッシュメモリ外部に出力される。21はキャッシュメモ
リの外部から与えられクロックを示すCLKI信号、2
2はCLK2信号である、23は制御回路10から出力
されアドレスの一致を示すTAGHIT信号、24はキ
ャッシュメモリの外部から与えられバスサイクルの開始
を示すBS信号、25はキャッシュメモリの外部から与
えられたリードサイクルを示すREAD信号である。
次に、この実施例のキャッシュメモリの動作について説
明する。この実施例のキャッシュメモリのライト動作は
従来のキャッシュメモリと同様で、リード動作のみ異な
るので、以下にリード動作について説明する。この例で
は、説明の都合上ワードアドレスを1ビツト、エントリ
アドレスを2ビツト、タグアドレスを3ビツトと仮定す
る。
外部からアドレス信号1が与えられるとエントリアドレ
ス3、デコーダ13で選ばれたタグアドレスメモリ5の
内容を比較器8に送ると共にデータメモリ7の内容もワ
ードセレクタ9に送り、ワードアドレス4でワードデー
タを選ぶ。この例では、1エントリアドレスに対して2
つのワードデータが対応している。そして、選ばれたタ
グアドレスメモリ5の内容を前記比較器8でタグアドレ
ス2と一致しているか否かを調べ、その結果を制御回路
10に送る。この例では、1エントリアドレスに対応す
る2つのワードデータの各々の有効。
無効を示すために2ビツトのバリッドビットを持ってい
る。制御回路10では、ワードアドレス4で選択された
ワードデータに対応するバリッドビットの値がHで、か
つ、外部アドレスにより指定されたデータがキャッシュ
メモリ内に有るとき、所定のタイミングでTAGHIT
信号23を発生し、タイミング変更回路20へ送られる
。タイミング変更回路20では、BS信号24からBS
のデイレイ信号34を作成し、BSのデイレイ信号34
の遅延状態により、ウェイトサイクルを挿入するか否か
を判断し、ウェイトサイクルを考慮してHIT信号11
とMISS信号15を出力する。
F(IT信号11は、キャッシュメモリ外部およびワー
ドセレクタ9に送られ、HIT信号11がHのときには
、データをデータ信号12に出力する。キャッシュミス
時にはMass信号15をHにして、キャッシュメモリ
外のメインメモリを起動しデータを読みに行き、MPU
にデータを送ると共にキャッシュメモリ内のデータメモ
リ7にデータを格納する。
次に、タイミング変更回路の一構成例を、第2図を用い
て説明する。図において、21はCLK1信号、22は
CLK2信号、23はTAGHIT倍信号24はBS信
号、25はREAD信号、30は遅延回路、31は3人
力ANDゲート、32および33はDラッチである。D
ラッチ32およびDラッチ33は、Nチ+ネルトランス
ミッションゲート40および41、インバータゲート4
2および43より構成される。Dラッチ32のNチャネ
ルトランスミ・ンションゲート40はCLK2信号22
で制御され、Nチャネルトランスミッションゲート41
はCLK1信号21で制御される。Dラッチ33のNチ
ャネルトランスミッションゲート40はCLK 1信号
21で制御され、Nチャネルトランスミッションゲート
41はCLK2信号22で制御される。35はインバー
タゲートである。
第3図は第2図で示した遅延回路300回路例である0
図において、50はインバータゲート、51は負荷容量
、52はGNDである。この回路例では4つのインバー
タゲート50と4つの負荷容量51によりBS信号24
を遅延させてBSのデイレイ信号34を作成する。この
回路で得られる遅延は、キャッシュメモリ内のヒツト判
定に必要な時間よりわずかに大きい値になるように、負
荷容量51の容量値を設定する。なお、ここで示した遅
延回路は一例であり、得られる遅延がキャッシュメモリ
内のヒツト判定に必要な時間よりわずかに大きい値にな
るものであれば、回路構成が異なっても問題はない。
次に、第2図のタイミング変更回路の動作を、タイミン
グ変更回路のタイミングチャートである第4図ないし第
7図を用いて説明する。
まずO−ウェイトリードビットのタイミングチャートで
ある第4図を説明する0図中、21はCLKI信号、2
2はCLK2信号でこれらの信号はキーオーバーラツプ
の2相クロツクである。本例では、クロックの1周期を
1マシンサイクルと呼ぶことにする。1マシンサイクル
ごとにキャッシュメモリのステートを記した。
第4図はSCMPと5HITステートから構成されてい
る。SCMPはアドレスを比較するステートで、5HI
TはHIT信号11をHレベルにするステートである。
リード信号25はリードアクセスの時にHレベルに、ラ
イトアクセスの時Lレベルになる信号である。BS信号
24はバスサイクルの開始を示す信号で、SCMPの時
にHレベルになる。動作を明確に示すために、第2図の
A点〜D点の状態も示した。第4図のリードヒツト状態
では、SCMPサイクルの終了までに、TAG)(IT
信号23とBSデイレイ信号34は共にLレベルからH
レベルに変化する。そのため、SCMPサイクルの終了
までにA点はHレベルに。
B点はLレベルになり、HIT信号11は5HITサイ
クルでHレベルになる。このとき、0点はLレベル、D
点はHレベル、MISS信号15はLレベルを保つ。
次に、0−ウェイトリードミスのタイミングチャートで
ある第5図について説明する。第5図はSCMPと5M
l5Sのステートから構成されている。SCMPはアド
レスを比較するステートで5Ml5SはMISS信号1
5をHレベルにするステートである。
第5図のリードミス状態では、TAGHI T信号23
はLレベル、A点はLレベル、B点はHレベル、HIT
ft号11はLレベルを保つ。SCMPサイクルの終了
までに、BSのデイレイ信号34はLレベルからHレベ
ルに変化する。そのため、SCMPサイクルの終了まで
に0点はHレベルになりMISS信号15は5Ml5S
サイクルでHレベルに、D点はLレベルになり、MIS
S信号15は5Ml5SサイクルでHレベルになる。M
■SS信号15をHレベルにすることにより、外部メモ
リをアクセスする。外部メモリをアクセス方法について
は、数多くの種類があり、また、この発明には関係しな
いので述べない。
次に、1−ウェイトリードヒツトのタイミングチャート
である第6図を説明する。第6図はSCMPと5WAI
Tと5HITのステートから構成されている。SCMP
はアドレスを比較するステートで、5WAITはウェイ
トステート、5HITはHIT信号11をHレベルにす
るステートである。第6図のリードヒツト状態では、S
CMPサイクルの終了後に、TACHIT信号23とB
Sのデイレイ信号34は共にLレベルからHレベルに変
化する。そのため、SCMPサイクルの次のサイクルで
A点はHレベルに、B点はLレベルになり、HIT信号
11は5HITサイクルでHレベルになる。このとき、
0点はLレベル、D点はHレベル、MISS信号15は
Lレベルを保つ。
このように、T、l;HIT信号23とBSのデイレイ
信号34が遅れると、自動的にウェイトサイクルを挿入
した後、HIT信号IfがHレベルになる。
次に、1−ウェイトリードミスのタイミングチヤードで
ある第7図について説明する。第7図は、SCMPと5
WAITと5Ml5Sのステートから構成されている。
SCMPはアドレスを比較するステートで、5WAIT
はウェイトステート、5Ml5SはMISS信号15を
Hレベルにするステートである。第7図のリードミス状
態では、TAGHIT信号23はLレベル、A点はLレ
ベル、B点はHレベル、HIT信号11はLレベルを保
つ。SCMPサイクルの終了後にBSのデイレイ信号3
4はLレベルからHレベルに変化する。
そのため、SCMPサイクルの次のサイクルで0点はH
レベルに、D点はLレベルになり、MISS信号15は
S’M I S SサイクルでHレベルになる。このよ
うに、TAGHIT信号23とBSのプレイ信号34が
遅れると、自動的にウェイトサイクルを挿入した後、M
ISS信号15をHレベルにすることにより、外部メモ
リをアクセスする。
なお、上記実施例では、Oウェイトと1ウエイトアクセ
スについて説明したが、BSのデイレイ信号34がさら
に遅れたり、クロックの周波数を上げたときには、自動
的に2ウ工イト以上のウェイトサイクルが挿入されるこ
とは明らかである。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、ヒント判定が遅れウ
ェイトサイクル無しで正しいHIT信号1工をCPUに
出力することができない場合には、自動的にウェイトサ
イクルを挿入した後HIT信号11を出力し、また、ヒ
ツト判定が遅れた場合にリードミスし、ウェイトサイク
ル無しで外部メモリをアクセスできない時には、自動的
にウェイトサイクルを挿入した後外部メモリのアクセス
を起動するようにしたため、低い電源電圧、高温、高い
動作周波数等の広い動作環境において正常に動作する汎
用的なキャンシュメモリを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例によるキャッシュメモリのブ
ロック構成図、第2図は第1図で示したタイミング変更
回路の一構成例を示す図、第3図は第2図で示した遅延
回路の一構成例を示す図、第4図ないし第7図は第2図
で示したタイミング変更回路のタイミングチャートを示
す図、第8図は従来のキャッシュメモリシステムのプロ
・ツク構成図である。 図において、1はアドレス、2はタグアドレス、3はエ
ントリアドレス、4はワードアドレス、5はタグアドレ
スメモリ、6はバリツドビ・ントメモリ、7はデータメ
モリ、8は比較器、9はワードセレクタ、10は制御回
路、11はHIT信号、12はデータ信号、13はデコ
ーダ、14はデコード信号、15はMISS信号、20
はタイミング変更回路、24はBS信号、30はキヤ・
ノシュメモリ起動信号の遅延回路、34はBSのデイレ
イ信号である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)キャッシュメモリの起動信号を遅延させる回路と
    、 該遅延信号を用いて検出されるキャッシュヒット判定の
    遅れに応じて、キャッシュヒットを示す信号の出力タイ
    ミングを変更する回路とを備えたことを特徴とするキャ
    ッシュメモリ。
  2. (2)キャッシュメモリの起動信号を遅延させる回路と
    、 該遅延信号を用いて検出されるキャッシュヒット判定の
    遅れに応じて、キャッシュミス時に外部メモリをアクセ
    スするタイミングを変更する回路とを有することを特徴
    とするキャッシュメモリ。
JP2124966A 1990-05-14 1990-05-14 キャッシュメモリ Expired - Fee Related JPH0775008B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009059682A (ja) * 2007-08-08 2009-03-19 Denso Corp マグネットスイッチ及びその製造方法
JP2010026716A (ja) * 2008-07-17 2010-02-04 Toshiba Corp キャッシュメモリ制御回路及びプロセッサ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009059682A (ja) * 2007-08-08 2009-03-19 Denso Corp マグネットスイッチ及びその製造方法
JP2010026716A (ja) * 2008-07-17 2010-02-04 Toshiba Corp キャッシュメモリ制御回路及びプロセッサ

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