JPH04210224A - 真空チャンバの材質評価方法 - Google Patents
真空チャンバの材質評価方法Info
- Publication number
- JPH04210224A JPH04210224A JP2401492A JP40149290A JPH04210224A JP H04210224 A JPH04210224 A JP H04210224A JP 2401492 A JP2401492 A JP 2401492A JP 40149290 A JP40149290 A JP 40149290A JP H04210224 A JPH04210224 A JP H04210224A
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- vacuum chamber
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１１
【産業上の利用分野］本発明は、真空チャンバに用いる
材料の材質評価方法に関するものである。近年の半導体
装置の高集積化・微細化に伴い、製造工程における製品
の汚染を防止することが要求されており、このため製造
工程において用いる製造設備の真空チャンバに用いる材
料の材質評価を迅速に行い、個々の製造設備に最適な真
空チャンバに用いる材料を選択することが必要である。 ［０００２１以上のような状況から、製造装置の真空チ
ャンバに用いる材料の材質評価を迅速かつ容易に行うこ
とが可能な真空チャンバの材質評価方法が要望されてい
る。 ［０００３］ 【従来の技術】従来の真空チャンバの材質評価方法につ
いて説明する。従来の真空チャンバの材料や表面処理方
法の評価においては、その材料を用いてその表面処理方
法で処理を行った試作機を製作し、この試作機を用いて
実際に処理を行った場合の真空チャンバの内壁の状態を
調査し、その結果をもとにして真空チャンバの材料や表
面処理方法の選択を行っている。 ［０００４］Ｌかしながら、試作機を製作するため及び
このような評価を行うためには非常に多くの時日が必要
であり、この方法における真空チャンバの内壁の観察は
肉眼によって行っている。 ［０００５］
材料の材質評価方法に関するものである。近年の半導体
装置の高集積化・微細化に伴い、製造工程における製品
の汚染を防止することが要求されており、このため製造
工程において用いる製造設備の真空チャンバに用いる材
料の材質評価を迅速に行い、個々の製造設備に最適な真
空チャンバに用いる材料を選択することが必要である。 ［０００２１以上のような状況から、製造装置の真空チ
ャンバに用いる材料の材質評価を迅速かつ容易に行うこ
とが可能な真空チャンバの材質評価方法が要望されてい
る。 ［０００３］ 【従来の技術】従来の真空チャンバの材質評価方法につ
いて説明する。従来の真空チャンバの材料や表面処理方
法の評価においては、その材料を用いてその表面処理方
法で処理を行った試作機を製作し、この試作機を用いて
実際に処理を行った場合の真空チャンバの内壁の状態を
調査し、その結果をもとにして真空チャンバの材料や表
面処理方法の選択を行っている。 ［０００４］Ｌかしながら、試作機を製作するため及び
このような評価を行うためには非常に多くの時日が必要
であり、この方法における真空チャンバの内壁の観察は
肉眼によって行っている。 ［０００５］
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の真
空チャンバの材質評価方法においては、試作機を製作す
るため及びこのような評価を行うためには非常に多くの
時日が必要であり、またこの方法における真空チャンバ
の内壁の観察は肉眼によって行っているために、その判
断は主観的になり、選定基準が曖昧なために判断をする
のが困難になるという問題点があった。 ［０００６］本発明は以上のような状況から、真空チャ
ンバの材質評価を短時間に行うことが可能で、かつ選定
基準を明確にすることが可能な真空チャンバの材質評価
方法の提供を目的としたものである。 ［０００７］
空チャンバの材質評価方法においては、試作機を製作す
るため及びこのような評価を行うためには非常に多くの
時日が必要であり、またこの方法における真空チャンバ
の内壁の観察は肉眼によって行っているために、その判
断は主観的になり、選定基準が曖昧なために判断をする
のが困難になるという問題点があった。 ［０００６］本発明は以上のような状況から、真空チャ
ンバの材質評価を短時間に行うことが可能で、かつ選定
基準を明確にすることが可能な真空チャンバの材質評価
方法の提供を目的としたものである。 ［０００７］
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造装置の真空チャンバの材質評価方法は、既設の半導体
装置の製造設備の真空チャンバの内部に、評価対象の各
種の材料を種々の表面状態に処理した試料を放置して処
理を行い、この試料の表面に付着した物質や、この試料
の表面に形成された反応物質を分析し、この付着した物
質や表面に形成された反応物質の除去方法を調査するこ
とにより、この試料を評価してこの半導体装置の製造装
置の真空チャンバに最適の材料を決定するよう構成する
。 ［０００８］
造装置の真空チャンバの材質評価方法は、既設の半導体
装置の製造設備の真空チャンバの内部に、評価対象の各
種の材料を種々の表面状態に処理した試料を放置して処
理を行い、この試料の表面に付着した物質や、この試料
の表面に形成された反応物質を分析し、この付着した物
質や表面に形成された反応物質の除去方法を調査するこ
とにより、この試料を評価してこの半導体装置の製造装
置の真空チャンバに最適の材料を決定するよう構成する
。 ［０００８］
【作用】即ち本発明においては、既設の半導体装置の製
造設備の真空チャンバ内に、評価の対象となる材料を評
価の対象となる表面処理方法により処理を行った試料を
放置してこの状態で複数回の処理を行い、その後この真
空チャンバからこの試料を取り出すので、この試料をこ
の真空チャンバから取り出して観察・評価を行うことが
可能となる。 ［０００９１
造設備の真空チャンバ内に、評価の対象となる材料を評
価の対象となる表面処理方法により処理を行った試料を
放置してこの状態で複数回の処理を行い、その後この真
空チャンバからこの試料を取り出すので、この試料をこ
の真空チャンバから取り出して観察・評価を行うことが
可能となる。 ［０００９１
【実施例］以下図１により本発明による一実施例の真空
チャンバの材質評価方法について詳細に説明する。図１
は本発明による一実施例の真空チャンバの材質評価方法
を示す図である。図に示すように、既設の半導体装置の
製造設備のステージ２の近傍の真空チャンバ１内の四隅
に評価すべき材料を評価すべき表面処理方法で処理を行
った試料３を放置する。 ［００１０１本実施例の試料３の大きさは１インチの立
方体で、材料としてはステンレススチール、銅、アルミ
ニウムを用い、表面処理方法としては電解研磨と砥石研
磨の二種類とした。この状態でこの設備の処理を複数回
行った後、これらの試料３を真空チャンバ１の外に取り
出す。 ［００１１１この取り出した試料３について、下記の種
々の評価方法を、各種の測定器を用い、各種の評価項目
について評価する。 ［０，０１２］ 【表１】 ［００１３］測定器の内のＸ線マイクロアナライザは、
試料３に電子ビームを照射し、反射したＸ線を分析する
測定器である。試料の表面に付着した物質や、試料の表
面に形成された反応物質を除去する方法としては、クリ
ーンルームの清掃に用いている市販のミクロスターにア
ルコール或いは純水を含ませて行う拭き取り方法や、ブ
ラシを用いるスクラブ除去方法があり、これらの方法に
よる清掃効果を調査して最適方法及び清掃周期を決定す
る。 ［００１４］このような本発明による一実施例の方法に
よって評価を行うと、評価対象の試料３が小さな塊であ
るから、光学顕微鏡やＳＥＭによるミクロな観察やＸＭ
Ａによる分析も可能となるので、従来の試作真空チャン
バの表面の肉眼による観察では分からなかった点につい
ても評価を行うことが可能であり、また、既設の真空チ
ャンバ１内の任意の位置に試料３を放置することができ
るので、付着物の真空チャンバ１内における分布をも知
ることが可能であり、試料の表面に付着した物質や、試
料の表面に形成された反応物質を除去する最適方法を決
定することが可能となり、真空チャンバの構造の解析や
部位による材料の使い分は等を行うことも可能となる。 ［００１５］
チャンバの材質評価方法について詳細に説明する。図１
は本発明による一実施例の真空チャンバの材質評価方法
を示す図である。図に示すように、既設の半導体装置の
製造設備のステージ２の近傍の真空チャンバ１内の四隅
に評価すべき材料を評価すべき表面処理方法で処理を行
った試料３を放置する。 ［００１０１本実施例の試料３の大きさは１インチの立
方体で、材料としてはステンレススチール、銅、アルミ
ニウムを用い、表面処理方法としては電解研磨と砥石研
磨の二種類とした。この状態でこの設備の処理を複数回
行った後、これらの試料３を真空チャンバ１の外に取り
出す。 ［００１１１この取り出した試料３について、下記の種
々の評価方法を、各種の測定器を用い、各種の評価項目
について評価する。 ［０，０１２］ 【表１】 ［００１３］測定器の内のＸ線マイクロアナライザは、
試料３に電子ビームを照射し、反射したＸ線を分析する
測定器である。試料の表面に付着した物質や、試料の表
面に形成された反応物質を除去する方法としては、クリ
ーンルームの清掃に用いている市販のミクロスターにア
ルコール或いは純水を含ませて行う拭き取り方法や、ブ
ラシを用いるスクラブ除去方法があり、これらの方法に
よる清掃効果を調査して最適方法及び清掃周期を決定す
る。 ［００１４］このような本発明による一実施例の方法に
よって評価を行うと、評価対象の試料３が小さな塊であ
るから、光学顕微鏡やＳＥＭによるミクロな観察やＸＭ
Ａによる分析も可能となるので、従来の試作真空チャン
バの表面の肉眼による観察では分からなかった点につい
ても評価を行うことが可能であり、また、既設の真空チ
ャンバ１内の任意の位置に試料３を放置することができ
るので、付着物の真空チャンバ１内における分布をも知
ることが可能であり、試料の表面に付着した物質や、試
料の表面に形成された反応物質を除去する最適方法を決
定することが可能となり、真空チャンバの構造の解析や
部位による材料の使い分は等を行うことも可能となる。 ［００１５］
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、半導体装置の製造装置の真空チャンバに用いる
材料及びその表面処理方法、クリーニング方法や周期、
真空チャンバの最適な構造等を短時間に、かつ客観的に
評価することが可能となり、半導体装置の製造装置に最
適な真空チャンバを製作することが可能となり、半導体
装置の製造歩留りを向上させることが可能となる等の利
点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待
できる真空チャンバの材質評価方法の提供が可能である
。
よれば、半導体装置の製造装置の真空チャンバに用いる
材料及びその表面処理方法、クリーニング方法や周期、
真空チャンバの最適な構造等を短時間に、かつ客観的に
評価することが可能となり、半導体装置の製造装置に最
適な真空チャンバを製作することが可能となり、半導体
装置の製造歩留りを向上させることが可能となる等の利
点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待
できる真空チャンバの材質評価方法の提供が可能である
。
【図１】本発明による一実施例の真空チャンバの材質評
価方法を示す図、
価方法を示す図、
１は真空チャンバ、２はステージ、３は試料、
【図１】
Claims (1)
- 【請求項１】半導体装置の製造装置の真空チャンバの材
質評価方法であって、既設の半導体装置の製造設備の真
空チャンバ（１）の内部に、評価対象の各種の材料を種
々の表面状態に処理した試料（３）を放置して処理を行
い、該試料（３）の表面に付着した物質や、該試料（３
）の表面に形成された反応物質を分析し、前記付着した
物質や表面に形成された反応物質の除去方法を調査する
ことにより、前記試料（３）を評価して前記半導体装置
の製造装置の真空チャンバに最適の材料を決定すること
を特徴とする真空チャンバの材質評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2401492A JPH04210224A (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 真空チャンバの材質評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2401492A JPH04210224A (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 真空チャンバの材質評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04210224A true JPH04210224A (ja) | 1992-07-31 |
Family
ID=18511318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2401492A Withdrawn JPH04210224A (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 真空チャンバの材質評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04210224A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6502833B1 (en) * | 1999-06-30 | 2003-01-07 | Nichias Corporation | Metal C-shaped ring gasket |
| DE102008060683A1 (de) | 2007-12-20 | 2009-06-25 | Kurt Ansperger | Vakuumkammer zum Bedampfen oder Beschichten |
-
1990
- 1990-12-12 JP JP2401492A patent/JPH04210224A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6502833B1 (en) * | 1999-06-30 | 2003-01-07 | Nichias Corporation | Metal C-shaped ring gasket |
| DE102008060683A1 (de) | 2007-12-20 | 2009-06-25 | Kurt Ansperger | Vakuumkammer zum Bedampfen oder Beschichten |
| DE202008017738U1 (de) | 2007-12-20 | 2010-05-27 | Ansperger, Kurt | Vakuumkammer zum Bedampfen oder Beschichten |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |