JPH04209576A - 光電変換素子 - Google Patents

光電変換素子

Info

Publication number
JPH04209576A
JPH04209576A JP2400801A JP40080190A JPH04209576A JP H04209576 A JPH04209576 A JP H04209576A JP 2400801 A JP2400801 A JP 2400801A JP 40080190 A JP40080190 A JP 40080190A JP H04209576 A JPH04209576 A JP H04209576A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
thickness
back electrode
electrode
photoelectric conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2400801A
Other languages
English (en)
Inventor
Jun Takada
純 高田
Akihiko Nakajima
昭彦 中島
Katsuhiko Hayashi
克彦 林
Keizo Asaoka
圭三 浅岡
Yoshihisa Owada
善久 太和田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP2400801A priority Critical patent/JPH04209576A/ja
Priority to US07/802,996 priority patent/US5250120A/en
Publication of JPH04209576A publication Critical patent/JPH04209576A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/075Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光電変換素子に関し、
特に光入射側とは反対側において感光層上に裏面電極を
設けた太陽電池や光センサー等の光電変換素子に関する
。 [0002]
【従来の技術】光電変換素子は、例えば非晶質シリコン
半導体(a−3i:H)からなる感光層を透明導電膜か
らなる透明電極と不透明金属膜からなる裏面電極とで挟
んだ構造を有する。透明電極側から感光層に向けて光を
入射する。感光層で生成した光電荷を取り出すための裏
面電極は、電気抵抗率が低いだけでなく、入射光に対す
る反射率が高く、耐熱性にすぐれており、しかも感光層
に対する付着力が高くなければならない。耐外傷性等の
機械強度が高いことも必要である。電気抵抗率は電極に
おける電圧降下及び発熱の大小に、反射率は光電変換効
率の高低にそれぞれ密接に関係している。耐熱性、付着
性及び機械強度は素子の信頼性を決定する重要な因子で
ある。材料コストが低いことも望ましい。 [0003]さて、例えばa−3i:Hを感光層の主要
部分とする非晶質シリコン系太陽電池では、裏面電極材
として従来AI又はAgが用いられている。ところが、
AIはa−5i:Hに対する付着力が比較的高い反面、
Agに比べて電気抵抗率が高くかつ反射率が低いだけで
なく、耐熱性にも問題があった。これに対してAgは電
気抵抗率が低く、可視光域のうち特に長波長域の反射率
が高い反面、a−3i:Hとの付着力が低いために信頼
性に欠ける問題があった。Atに比べて電気抵抗率の低
い電極材料としてAgとともにCuやAuを挙げること
ができる。ところが、AgとCuとは外傷に対して弱い
問題があり、Auは高コストである。つまり、AI、A
g、Cu及びAuのいずれの材料もこれを単独で裏面電
極を構成する場合には、低抵抗、高反射率、高耐熱性、
高付着性、高機械強度性及び低コストの諸条件を同時に
満足させ得ないのが実情であった。 [0004]
【発明が解決しようとする課題】本願出願人は、上記従
来の光電変換素子の問題点に鑑みて、AtとAgとを交
互に繰り返し積層した多層体で太陽電池の裏面電極(A
I/Ag多層裏面電極)を電極することを提案した(特
願平1−249423号)。 [0005]この提案によれば、Agのみを裏面電極材
とする場合に比べてa−5i:Hに対する裏面電極の付
着力が高くなり、AIのみの場合と違って耐熱性の問題
も生じない。また、この太陽電池ではAg裏面電極の特
徴である反射率の高さを生かすことができ、AI単体の
場合に比べて高い素子短絡電流を得ることができるので
、光電変換効率の高い素子が実現できる。ところが、電
気抵抗率の高いA1層での発熱が素子の高密度化に伴な
って無視できない問題になってきている。 [0006]本発明は、AIに比べて電気抵抗率の低い
1価金属材料であるCu、Ag及びAuを組み合わせて
多層裏面電極を構成することにより上記諸問題を一気に
解決し、低抵抗、高反射率、高耐熱性、高付着性、高機
械強度性及び低コストの諸条件を同時に満足する裏面電
極を備えた光電変換素子を提供して、高効率かつ高信頼
性の光電変換素子を実現することを目的とする。 [0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係る光電変換素
子は、光入射側とは反対側において半導体感光層上に設
ける裏面電極がCu、Ag及びAuからなる群より選ば
れた2種以上の1価金属を0. 3〜50nmの厚みで
交互に繰り返し積層した多層体からなるものである。中
でもCuとAgとの組み合わせが後述する理由により最
も好ましい。裏面電極中のCu層又はAu層の厚みは0
゜3〜20nm、Ag層の厚みは1〜50nmが好まし
い。更に好ましくはCu層又はAu層の厚みが0.3〜
5nm、Ag層の厚みが1〜20nmである。裏面電極
の総厚は20nm〜1μmが適当である。 [0008]
【作 用】一般に合金化すると機械強度の向上が期待で
きるのでCuとAgとの合金(Cu+Ag)を作れば耐
外傷強度の高い低抵抗裏面電極が実現できると考えられ
るが、実際には合金内にポテンシャルの乱れが生じてし
まって電気抵抗率が高くなる。これに対して本発明に係
るCu、Ag又はAuを繰り返し積層した多層裏面電極
では、界面の存在により合金の場合と同じく機械強度が
増すと同時に、各層内では単一物質であるために合金の
場合に比べて抵抗が低くなる。積層する各層の厚みは電
気抵抗及び機械強度の観点から0.3〜50nmとする
。 [0009] Cu、Ag及びAuは、いずれも電気抵
抗率の低い1価金属であり、価数の違いによる界面での
電子の散乱もないので、これらの金属に組み合わせによ
り低抵抗の多層裏面電極が実現できる。これら金属のう
ちCuとAgとは1価格及び抵抗率がAuに比べて低い
ので特に好ましい組み合わせである。 [00101Cu/Ag多層体又はAu/Ag多層体を
半導体感光層上の多層裏面電極とする場合には、感光層
中へのCu又はAuの拡散も考慮してCu層又はAu層
の厚みを0. 3〜20nmとし、Ag層の厚みを1〜
50nmとするのが良い。更に好ましくはCu層又はA
u層が0.3〜5nm、Ag層が1〜20nmである。 総厚(ま信頼性と通常の蒸着やスパッタリングの方法に
よる作製時間の観点から20nm〜1μmが好ましい。 更に好ましくは20〜500 nmである。 [00111
【実施例]以下、本発明の実施例に係る光電変換素子と
して非晶質シリコン系太陽電池について説明する。図1
は、本実施例に係る太陽電池の断面図である。 [0012]同図に示すように、厚さ1.1mmのガラ
ス基板10上に、熱CVD法により膜厚450nmの酸
化錫からなる透明導電膜を透明電極11として形成した
。 [0013]この上に、a−3i:Hを主体とするpi
n接合からなる感光層12を形成する。このために、ま
ずS iH4、CH4及びB2H6からなる混合ガスを
容量結合型グロー放電分解装置内で分解することにより
、p型a−5i:8層を膜厚が15nmになるように形
成する。引続くi型a−3i:8層の形成に際しては同
装置内にSiH4及びH2からなる混合ガスを導入し、
膜厚を450nmとする。次に、S iH4、PH3及
びH2からなる混合ガスを同装置内で分解することによ
り、n型微結晶Si半導体層を膜厚が30n、mになる
ように形成する。ただし、以上のa−3t:H感光層1
2の形成時における基板温度及び真空度は、200℃、
045〜1.0Torrである。 [0014]最後に、Cu及びAgを0.3〜50nm
の厚みで交互に繰り返し積層して裏面電極13を形成し
た。このために、10  ’Torrの真空度下でタン
グステンポート上のCuとAgとをそれぞれ独立に抵抗
加熱し、蒸発させた。ただし、各金属の蒸着速度を0.
 1層m/sに保ち、基板加熱はしなかった。また、基
板側及び両前発源側にシャッターを配するとともに基板
近くに膜厚計を設け、該膜厚計をモニターとする膜厚コ
ントローラで各シャッターの開閉を制御#シてCuとA
gとを交互に所定の膜厚で積層した。 [0015]次に、以上のようにして得られた太陽電池
の性能を説明する。 [0016)まず、Cu4nmとAg4nmとを交互に
20回ずつ繰り返し積層して得た総厚160nmの多層
体(周期8nm)と、CulOnmとAg 10 nm
とを交互に8回ずつ繰り返し積層して得た同じ総厚の多
層体(周期20 n m)とについて耐外傷性能を調べ
た。膜厚160nmのCu単体とAg単体とは銅製のス
ティックで引っ掻くといずれも傷が付くが、両多層体は
傷が付きにくく剥がれにくい。しかも、両多層体の電気
抵抗値を同一寸法の合金と比較すると、周期8nmの場
合は合金の約85%であり、周期20nmの場合は合金
の約60%であった。ただし、多層体と合金とはCuと
Agとの原子数比を等しくした。 [00171表1は、種々の構造のCu / A g多
層裏面電極13をもつ太陽電池(サンプルSC1、SC
2及び5C3)と、単層裏面電極をもつ太陽電池(サン
プルSC4及びSC5:比較例)との初期性能を示す。 ただし、Jscは短絡電流、Vocは開放電圧、FFは
フィルファクター、ηは光電変換効率をそれぞれ表わす
。 [0018] 【表1】 [0019]サンプルS01及びSC2は、いずれもa
−3i :H感光層12上にCu4nmとAg4nmと
を交互に20回ずつ繰り返し積層して総厚160nmの
多層裏面電極13を形成した太陽電池である。ただし、
サンプルS01はAg層を先に形成したサンプルであり
、サンプルSC2はCu層を先に形成したものである。 サンプルSC3は、a−3t:H感光層12上にCu4
nmとAg 16 nmとを交互に8回ずつ繰り返し積
層して総厚160 nmの多層裏面電極13を形成した
太陽@池である。サンプルSC4は同じa−5i:H感
光層上に膜厚160nmのAg単層裏面電極を形成した
ものであり、サンプルSC5は膜厚160nmのCu単
層裏面電極を形成したものである。 [00201サンプルSCIとSC2との比較かられか
るように、裏面電極13としてCuとAgとを4nmず
つ積層する場合には積層の順序が太陽電池の性能に大き
な影響を及ぼす。すなわち、a−3t:H感光層12に
対してAg層が隣接するサンプルS01は9.89%の
高い効率ηを示すが、同じ感光層にCu層が隣接するサ
ンプルSC2はCu単層裏面電極をもつサンプルSC5
と同じく効率ηがごく低く1%台である。サンプルSO
2の場合に効率が低いのは、感光層12を構成するa 
−5i:H中へのCuの拡散が原因であると考えられる
。 ところが、同様に感光層12にCu層が隣接する場合で
もAg層が16nmと比較的厚いサンプルSC3では、
Cuの拡散が抑制されて9.35%の高効率が得られる
。 [0021]図2は、太陽電池の分光感度η。に関する
特性を実施例(サンプル5CI)と比較例(サンプル5
C4)とを対比して示すグラフである。Cu/Ag多層
体の反射特性はAgに近い。同図に見るようにCu/A
g多層裏面電極の場合とAg単層裏面電極の場合との太
陽電池の分光感度特性に大差はなく、Cu / A g
多層裏面電極をもつ太陽電池は可視光域のうち特に60
0〜800nmの長波長域で優れた分光感度を示す。 (OO22]さて、太陽電池を長期にわたって屋外で使
用する場合、感光層を構成するa−3i:H中への裏面
電極材の熱拡散によって太陽電池の性能に劣化が生じる
。図3は、170℃での熱劣化加速試験における光電変
換効率ηの時間変化を実施例(サンプルSCI及び5C
3)と比較例(サンプル5C4)とを対比して示すグラ
フである。同図に示されるように裏面電極をAg単体で
構成した太陽電池(サンプル5C4)では初期光電変換
効率9.01%が20時間で5.7%まで低下したのに
対し、Cu / A g多層裏面電極をもつ太陽電池(
サンプルSCI:初期効率9.89%、サンプルSCI
:初期効率9435%)は、20時間後でも8%以上の
高効率を維持しており、耐熱性が良好である。ただし、
サンプルSC3の場合はサンプルSCIに比べて始めの
短時間における効率低下が大きく、以後の効率低下は小
さい。これは、a−St:H感光層に隣接する4nm厚
のCuが感光層中に拡散した後は、拡散が停止すること
によるのだと考えられる。 [0023]なお、Cu、Ag及びAuは、いずれも電
気抵抗率の低い1価金属であり、いずれの組み合わせで
も価数の違いによる界面での電子の散乱がなく低抵抗の
多層裏面電極が実現できる。ただし、これら金属のうち
上記のCuとAgとの組み合わせは、価格及び抵抗率が
Auに比べて低いので特に好ましい。 [0024] Cu/Ag多層体又はAu/Ag多層体
を半導体感光層12上の多層裏面電極13とする場合に
は、感光層12中へのCu又はAuの拡散も考慮して0
1層又はAu層の厚みを0.3〜20層mとし、Ag層
の厚みを1〜50層mとする。更に好まし7くはCu層
又はAu層が0.3〜5nm、Ag層が1〜200mで
ある。裏面電極]3の総厚は、信頼性と作製時間との観
点から20層m〜17−zmとする。更に好ましくは2
0〜500nmの総厚とする。 [0025]
【発明の効果】以上に説明したように本発明に係る光電
変換素子では、Alに比べて電気抵抗率が低く、しかも
互いに同じ価数(1gfJ)の金属材料であるCu、A
g及びAuを0. 3〜50層mの厚みで組み合わせた
多層裏面電極を半導体感光層上に構成しているので、本
発明によれば低抵抗、高反射率、高耐熱性、高付着性、
高機械強度性及び低コストの諸条件を同時に満足する裏
面電極を備えた光電変換素子を提供することができ、高
効率かつ高信頼性の光電変換素子を実現することができ
る。特にCu / A g多層体又はAu/Ag多層体
を半導体感光層上の多層裏面電極とする場合には、Cu
層又はAu層の厚みを043〜20層mとするとともに
Ag層の厚みを1〜50層mとし、あるいは、Cu層又
はAu層の厚みを0. 3〜5nmとするとともにAg
層の厚みを1〜20層mとすることにより、感光層中へ
のCu又はAuの拡散が抑制でき、安定した光電変換素
子が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係る光電変換素子である非晶
質シリコン系太陽電池の断面図である。
【図2】太陽電池の分光感度に関する特性を実施例と比
較例とを対比して示すグラフである。
【図31170℃での熱劣化加速試験における太陽電池
の光電変換効率の時間変化を実施例と比較例とを対比し
て示すグラフである。 【符号の説明】 10・・・ガラス基板 11・・・透明電極 12・・・感光層 13・・・裏面電極

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光入射側とは反対側において半導体感光層
    上に設ける裏面電極が、Cu、Ag及びAuからなる群
    より選ばれた2種以上の1価金属を0.3〜50nmの
    厚みで交互に繰り返し積層した多層体からなる光電変換
    素子。
  2. 【請求項2】裏面電極中のCu層又はAu層の厚みが0
    .3〜20nmであり、Ag層の厚みが1〜50nmで
    ある請求項1記載の光電変換素子。
  3. 【請求項3】裏面電極中のCu層又はAu層の厚みが0
    .3〜5nmであり、Ag層の厚みが1〜20nmであ
    る請求項1記載の光電変換素子。
  4. 【請求項4】裏面電極の総厚が20nm〜1μmである
    請求項1〜3のいずれか1項に記載の光電変換素子。
JP2400801A 1990-12-07 1990-12-07 光電変換素子 Pending JPH04209576A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2400801A JPH04209576A (ja) 1990-12-07 1990-12-07 光電変換素子
US07/802,996 US5250120A (en) 1990-12-07 1991-12-05 Photovoltaic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2400801A JPH04209576A (ja) 1990-12-07 1990-12-07 光電変換素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04209576A true JPH04209576A (ja) 1992-07-30

Family

ID=18510680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2400801A Pending JPH04209576A (ja) 1990-12-07 1990-12-07 光電変換素子

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5250120A (ja)
JP (1) JPH04209576A (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296045A (en) * 1992-09-04 1994-03-22 United Solar Systems Corporation Composite back reflector for photovoltaic device
US6090701A (en) 1994-06-21 2000-07-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for production of semiconductor device
US5824566A (en) * 1995-09-26 1998-10-20 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing a photovoltaic device
US5672282A (en) * 1996-01-25 1997-09-30 The Whitaker Corporation Process to preserve silver metal while forming integrated circuits
JP3545177B2 (ja) 1997-09-18 2004-07-21 株式会社荏原製作所 多層埋め込みCu配線形成方法
FR2771855B1 (fr) * 1997-12-01 1999-12-31 Commissariat Energie Atomique Dispositif de photodetection, procede de fabrication de ce dispositif et application a la detection multispectrale
US6654534B1 (en) * 2000-11-13 2003-11-25 Bookham Technology, Plc Electrode, termination for reduced local heating in an optical device
US20080128020A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 First Solar, Inc. Photovoltaic devices including a metal stack
DE102008008726A1 (de) * 2008-02-12 2009-09-24 Schott Solar Gmbh Photovoltaisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
US8367924B2 (en) * 2009-01-27 2013-02-05 Applied Materials, Inc. Buried insulator isolation for solar cell contacts
US9559229B2 (en) * 2009-12-31 2017-01-31 Epistar Corporation Multi-junction solar cell
JP5884077B2 (ja) * 2010-12-29 2016-03-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池及び太陽電池モジュール
US20120175755A1 (en) * 2011-01-12 2012-07-12 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including a heat spreader
US8795785B2 (en) * 2011-04-07 2014-08-05 Dynamic Micro System Methods and apparatuses for roll-on coating
CN103094374B (zh) * 2011-10-27 2016-03-09 清华大学 太阳能电池
WO2014140297A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Fundació Institut De Ciències Fotòniques Transparent electrode and substrate for optoelectronic or plasmonic applications comprising silver

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6199385A (ja) * 1984-10-19 1986-05-17 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子

Also Published As

Publication number Publication date
US5250120A (en) 1993-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5230746A (en) Photovoltaic device having enhanced rear reflecting contact
RU2435251C2 (ru) Передний электрод со слоем тонкой металлической пленки и буферным слоем с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом приборе и способ получения таковых
JPH04209576A (ja) 光電変換素子
TW304309B (ja)
US8772076B2 (en) Back contact diffusion barrier layers for group ibiiiavia photovoltaic cells
US20080251120A1 (en) Thin Film Solar Cell and Manufacturing Method
US8987587B2 (en) Metal barrier-doped metal contact layer
JPH08504542A (ja) 効率が改善されたタンデム形光起電力デバイスの製造方法および該方法により製造されたデバイス
KR20100046040A (ko) 태양전지 전면 기재 및 태양전지 전면용 기재의 용도
US4772335A (en) Photovoltaic device responsive to ultraviolet radiation
JP3755048B2 (ja) 集積化薄膜タンデム太陽電池とその製造方法
US20120006398A1 (en) Protective back contact layer for solar cells
JP2011003895A (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法
US20100307561A1 (en) Doped metal contact
JP2003101059A (ja) 薄膜太陽電池
JP2000150934A (ja) 光起電力素子及びその製造方法
JP3025392B2 (ja) 薄膜太陽電池とその製造方法
JP3419108B2 (ja) 薄膜太陽電池の製造方法
JP5468217B2 (ja) 薄膜太陽電池
JPH0458710B2 (ja)
JP5022246B2 (ja) 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置
TWI513020B (zh) 金屬障壁摻雜金屬接觸層
US20220262971A1 (en) Mirror for a photovoltaic cell, photovoltaic cell and photovoltaic module
JP3687236B2 (ja) 薄膜光電変換素子
JP4146635B2 (ja) 多層型薄膜光電変換素子