JPH04208557A - 半導体装置用放熱体 - Google Patents
半導体装置用放熱体Info
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- JPH04208557A JPH04208557A JP2340917A JP34091790A JPH04208557A JP H04208557 A JPH04208557 A JP H04208557A JP 2340917 A JP2340917 A JP 2340917A JP 34091790 A JP34091790 A JP 34091790A JP H04208557 A JPH04208557 A JP H04208557A
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- Japan
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- heat sink
- semiconductor device
- porous
- surface area
- porous metal
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、特に低い熱抵抗を要求される半導体装置に取
付け、その熱抵抗を低下させるために用いる半導体装置
用放熱体に関する。
付け、その熱抵抗を低下させるために用いる半導体装置
用放熱体に関する。
従来の放熱体は第３図（ａ）または同図（ｂ）の断面図
のように、半導体装置のパッケージ６に対し水平なフィ
ン４ａをもつもの、または、垂直方向のフィン５ａをも
つものがあり、材質としては熱伝導率に勝れ、かつ、加
工のし易いアルミまたは銅などが用いられている。
のように、半導体装置のパッケージ６に対し水平なフィ
ン４ａをもつもの、または、垂直方向のフィン５ａをも
つものがあり、材質としては熱伝導率に勝れ、かつ、加
工のし易いアルミまたは銅などが用いられている。
この従来の放熱体構造では、放熱特性を更によくしよう
とすると、フィンを増やすことになるが、従来と同じフ
ィンピッチ・サイズでは放熱体のサイズが大きくなり実
装密度が低下する。又、フィンピッチ・サイズを小さく
すると、放熱体の強度が低下するという問題点があった
。
とすると、フィンを増やすことになるが、従来と同じフ
ィンピッチ・サイズでは放熱体のサイズが大きくなり実
装密度が低下する。又、フィンピッチ・サイズを小さく
すると、放熱体の強度が低下するという問題点があった
。
上記課題に対し本発明の放熱体は、多孔質な金属又は多
孔質な、金属酸化物又は多孔質な金属窒化物から構成さ
れてし・る。
孔質な、金属酸化物又は多孔質な金属窒化物から構成さ
れてし・る。
こ実施例〕
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の内部構造を示す
ための部分拡大断面図、同図（ｂ）は半導体装置のパッ
ケージに同図（ａ）の材質の放熱体を取付けた状態の断
面図である。第１図（ａ）では、放熱体を構成する材質
は、従来のアルミと比べて同−形状で約１０倍の表面積
を有する多くの空洞１を内部に有する多孔質アルミナを
用い、形状としては、同図（ｂ）のようにブロック２て
構成され、半導体装置のパッケージ６に密着し取付けら
れる。
ための部分拡大断面図、同図（ｂ）は半導体装置のパッ
ケージに同図（ａ）の材質の放熱体を取付けた状態の断
面図である。第１図（ａ）では、放熱体を構成する材質
は、従来のアルミと比べて同−形状で約１０倍の表面積
を有する多くの空洞１を内部に有する多孔質アルミナを
用い、形状としては、同図（ｂ）のようにブロック２て
構成され、半導体装置のパッケージ６に密着し取付けら
れる。
第２図（ａ）は本発明の第２実施例の内部構造を示す部
分拡大断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の材質の放熱体
を半導体装置のパッケージに取付けた状態の断面図であ
る。第２図（ａ）のように、柱状３の構造を有し、アル
ミに比べ同一形状で約３倍の表面積を有する窒化チタン
を用いており、形状としては、同図（ｂ）のようにパッ
ケージ６に対し水平なフィン４をもつ放熱体としている
。
分拡大断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の材質の放熱体
を半導体装置のパッケージに取付けた状態の断面図であ
る。第２図（ａ）のように、柱状３の構造を有し、アル
ミに比べ同一形状で約３倍の表面積を有する窒化チタン
を用いており、形状としては、同図（ｂ）のようにパッ
ケージ６に対し水平なフィン４をもつ放熱体としている
。
なお上記実施例では、金属酸化物と金属窒化物の例を挙
げたが、多孔質金属を用いることもできるのはいうまで
もない。
げたが、多孔質金属を用いることもできるのはいうまで
もない。
以上説明したように本発明は放熱体の材質として多孔質
な金属、金属酸化物等を使用することにより、表面積を
増加させ、放熱特性が向上するという効果を有する。同
一容積で表面積を２倍にすると熱抵抗はｌ／７Ｔになる
という実験データがら推察すると、第１の実施例では熱
抵抗は１／Ｊ′Ｖ６に、第２の実施例では１／ブＩにな
ることが期待できる。
な金属、金属酸化物等を使用することにより、表面積を
増加させ、放熱特性が向上するという効果を有する。同
一容積で表面積を２倍にすると熱抵抗はｌ／７Ｔになる
という実験データがら推察すると、第１の実施例では熱
抵抗は１／Ｊ′Ｖ６に、第２の実施例では１／ブＩにな
ることが期待できる。
第１図（ａ）は本発明の第１実施例の内部材質構造を説
明するための部分拡大断面図、同図（ｂ）は半導体装置
のパッケージに本発明の第１実施例を取付けた状態の断
面図、第２図（ａ）は本発明の第２実施例の内部材質構
造説明のための部分拡大断面図、同図（ｂ）は半導体装
置のパッケージに第２実施例をとりつけた状態の断面図
、第３図（ａ）２（ｂ）はそれぞれ従来の一例および他
の一例と取付は半導体装置のパッケージを示す断面図で
ある。 １・・・・・空洞、２・・・・・ブロック、３・・・・
・柱状、４・・・・水平フィン、５・・垂直フィン、６
・・・・・半導体装置のパッケージ。 代理人 弁理士 内 原 晋
明するための部分拡大断面図、同図（ｂ）は半導体装置
のパッケージに本発明の第１実施例を取付けた状態の断
面図、第２図（ａ）は本発明の第２実施例の内部材質構
造説明のための部分拡大断面図、同図（ｂ）は半導体装
置のパッケージに第２実施例をとりつけた状態の断面図
、第３図（ａ）２（ｂ）はそれぞれ従来の一例および他
の一例と取付は半導体装置のパッケージを示す断面図で
ある。 １・・・・・空洞、２・・・・・ブロック、３・・・・
・柱状、４・・・・水平フィン、５・・垂直フィン、６
・・・・・半導体装置のパッケージ。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 多孔質金属、多孔質金属酸化物、多孔質金属窒化物より
なる一群中より任意に選んだ一つの物質により構成され
た半導体装置用放熱体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340917A JPH04208557A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置用放熱体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340917A JPH04208557A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置用放熱体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04208557A true JPH04208557A (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=18341493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2340917A Pending JPH04208557A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置用放熱体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04208557A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995023951A1 (en) * | 1994-03-04 | 1995-09-08 | A. Bromberg & Co. Ltd. | Heat-radiating element |
| KR100381303B1 (ko) * | 2001-01-16 | 2003-04-26 | 윤재석 | 다공성 히트싱크 |
| EP1463113A1 (en) * | 2003-03-22 | 2004-09-29 | ABC Taiwan Electronics Corp. | Ceramic heat sink with micro-pores structure |
| DE102007005233A1 (de) * | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Leistungsmodul |
| KR101012502B1 (ko) * | 2008-08-20 | 2011-02-08 | 주식회사 현대엘이디 | Ｌｅｄ 램프의 방열구조 |
| JP2016046366A (ja) * | 2014-08-22 | 2016-04-04 | 太陽誘電株式会社 | 電子機器 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2340917A patent/JPH04208557A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995023951A1 (en) * | 1994-03-04 | 1995-09-08 | A. Bromberg & Co. Ltd. | Heat-radiating element |
| US5727622A (en) * | 1994-03-04 | 1998-03-17 | Elisra Gan Ltd. | Heat radiating element |
| KR100381303B1 (ko) * | 2001-01-16 | 2003-04-26 | 윤재석 | 다공성 히트싱크 |
| EP1463113A1 (en) * | 2003-03-22 | 2004-09-29 | ABC Taiwan Electronics Corp. | Ceramic heat sink with micro-pores structure |
| DE102007005233A1 (de) * | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Leistungsmodul |
| DE102007005233B4 (de) | 2007-01-30 | 2021-09-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Leistungsmodul |
| KR101012502B1 (ko) * | 2008-08-20 | 2011-02-08 | 주식회사 현대엘이디 | Ｌｅｄ 램프의 방열구조 |
| JP2016046366A (ja) * | 2014-08-22 | 2016-04-04 | 太陽誘電株式会社 | 電子機器 |
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