JPH0420845B2 - - Google Patents

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JPH0420845B2
JPH0420845B2 JP28188686A JP28188686A JPH0420845B2 JP H0420845 B2 JPH0420845 B2 JP H0420845B2 JP 28188686 A JP28188686 A JP 28188686A JP 28188686 A JP28188686 A JP 28188686A JP H0420845 B2 JPH0420845 B2 JP H0420845B2
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JP
Japan
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hydrogen
hydrogen sulfide
gas
sulfide
sodium
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JP28188686A
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JPS63139007A (ja
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Senji Takenaka
Tetsuo Fujita
Tsunekichi Yamabe
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JGC Corp
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JGC Corp
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B17/00Sulfur; Compounds thereof
    • C01B17/22Alkali metal sulfides or polysulfides
    • C01B17/32Hydrosulfides of sodium or potassium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B17/00Sulfur; Compounds thereof
    • C01B17/22Alkali metal sulfides or polysulfides

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 イ 発明の目的 産業上の利用分野 本発明は、有機合成やポリマーの製造等に使用
するための、特に高純度が要求される硫化ソーダ
又は水硫化ソーダの製造法に関するものである。
従来の技術 硫化水素と苛性ソーダから硫化ソーダや水硫化
ソーダを製造することは公知であり、近年は公害
対策の一環として、石油精製工程から排出される
硫化水素含有廃ガス及び廃苛性ソーダ溶液を用い
て製造する方法が主流をなしている。
しかしこのようにして製造された製品中には、
硫化水素含有廃ガス中に含まれるCO2、NH3
や、廃苛性ソーダ中の炭酸塩、メルカプタン等に
起因する不純物の混入を避けることが出来ず、有
機合成やポリマー製造のような高純度を必要とす
る目的に使用するには不適当である。また精製工
程を設けた場合その経済性は低下する。
また上記の製造方法は、工場の立地条件、即ち
硫化水素含有ガスが廃ガスとして得られる地区に
限定されると云う問題がある。
発明が解決しようとする問題点 本発明は、有機合成やポリマー製造等に使用す
る特に高純度の硫化ソーダ又は水硫化ソーダの製
造方法を提供することを目的とする。
ロ 発明の構成 問題点を解決するための手段 本発明の硫化ソーダ又は水硫化ソーダの製造法
は、単体硫黄蒸気と1:1モルの理論量より過剰
の水素とを反応させて硫化水素ガスを製造し、こ
れを未反応水素を含有したまま苛性ソーダ水溶液
に接触させることを特徴とする。
硫化水素と苛性ソーダ水溶液から硫化ソーダ又
は水硫化ソーダを製造する場合の化学反応を示す
と下記の通りである。
2NaOH+H2S=Na2S+2H2O (1) Na2S+H2S=2NaSH (2) 2NaOH+2H2S=2NaSH+2H2O (3) 即ち、苛性ソーダ水溶液に硫化水素ガスを接触
させると、苛性ソーダは硫化水素を吸収してまず
(1)式により硫化ソーダを生成し、さらに硫化水素
ガスを接触させると(2)式により水硫化ソーダを生
成する。(1)式と(2)式を総合すれば(3)式の如くな
る。
即ちNaOH:H2S=2:1の場合は硫化ソー
ダ、NaOH:H2S=1:1の場合は水硫化ソーダ
が得られる。
本発明によれば、上記式以外の副反応を抑制し
て高純度の硫化ソーダ又は水硫化ソーダを得るこ
とができる。
以下本発明を詳細に説明する。
本発明においては、出発原料である単体硫黄及
び水素はそれぞれ高純度のものを使用する。
単体硫黄としては、クラウス法により製造され
たものが好ましい。クラウス法による単体硫黄は
通常99.5%以上の純度を有しており、このまま使
用することが出来る。又鉱山精製硫黄でもクラウ
ス法からの単体硫黄に匹敵する品位のものなら使
用出来る。
一方水素も高純度のものを使用する。電解水素
のほか、例えば石油精製からのオフガス(水素の
他、炭化水素、CO、CO2等を含む)をメタネー
シヨンユニツト又はPSAユニツトで処理して
CO、CO2等の不純物をメタン化又は除去したも
のを使用することが出来る。なお飽和炭化水素は
含まれていてもよい。
上記のような高純度の単体硫黄を加熱して蒸気
とし、理論量(1:1モル)より過剰の水素と共
に、例えば、アルミナ担体に担持したCo−Mo
系、Ni−Mo系、あるいはNi系の硫化した触媒の
存在下、反応の平衡及び速度から適切な圧力0.1
乃至10Kg/cm2G、温度250乃至500℃、好ましくは
300乃至450℃の条件下で反応させると硫化水素ガ
スが高収率で生成する。
水素過剰率(H2/Sモル比)は使用する水素
の純度にもよるが、水素を循環使用しない場合は
2倍程度で、水素を循環使用する場合は更に過剰
率を高く、20倍程度までとすることができる。
このように水素過剰とすることにより、反応系
における水素分圧を上げ硫黄から硫化水素ガスへ
の転換を完全にし、反応ガス中に未反応硫黄分が
実質的に残存しないようにすることが出来る。生
成硫化水素ガス中に未反応の硫黄分が残存してい
ると製品硫化ソーダ又は水硫化ソーダ中に溶解し
て多硫化ソーダを生成し製品純度を低下させる原
因となる。
このため水素過剰率は高い方が好ましく、通常
5倍以上、特に10倍以上が好ましい。
また水素と単体硫黄蒸気との反応は発熱反応で
あるが、水素過剰で反応させることにより反応器
の温度を500℃以下に制御することができるとい
う利点もある。
このようにして水素過剰条件下で製造された硫
化水素ガスを、未反応水素を含有したまま苛性ソ
ーダ水溶液に接触させる。
苛性ソーダは製造法によつてその品質が規定さ
れているが、JIS規格に規定されている最高品位
のものを使用するのが好ましい。
本発明の好ましい連続プロセスを第1図に従つ
て更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。
クラウス装置等からの担体硫黄が固体状態であ
る場合には、先ず融解槽1に投入し、スチーム加
熱によつて液状硫黄にする(液状硫黄で供給され
る時は融解槽は省略できる)。融解後ポンプ2に
よつて蒸発器3に供給し、例えば約300℃に加熱
してライン9からの反応用水素と混合すれば容易
に硫黄蒸気とすることができる。反応用水素は前
記したように理論量より過剰の水素が用いられ
る。十分に混合された硫黄蒸気と水素の混合ガス
は触媒を充填している反応器4に導入され、硫黄
蒸気は硫化水素ガスに変換される。
生成した硫化水素ガス、未反応の水素及び不活
性ガス(水素中に不活性ガスが含有されている場
合)からなる混合ガスは反応器4出口において例
えば約400℃の高温となるので、次の吸収反応塔
6の出口ガスと熱交換器5で熱交換後吸収反応塔
6の下部に供給し、一方吸収反応塔6の上部から
20〜30%の苛性ソーダ水溶液を供給して両者を接
触させる。塔底液はポンプ7によつて冷却器10
を通した後、一部を抜き出し、残部は吸収反応塔
6に循環した気−液接触反応を完結させる。
塔上部から供給する苛性ソーダと、塔底部から
供給される硫化水素ガスのモル比を制御すること
により硫化ソーダ又は水硫化ソーダが得られる。
また硫化ソーダは、このようにして得られた水硫
化ソーダ水溶液に別に苛性ソーダを添加すること
によつて製造することもできる。
吸収反応塔6下部から抜き取られた水硫化ソー
ダ又は硫化ソーダの水溶液を濃縮溶液又はフレー
ク状の製品とされる。
反応塔上部からは過剰の水素ガスが排出される
が、補給水素と混合して圧縮機8で昇圧し、熱交
換器5で加熱して、ライン9を経て蒸発器3へと
循環することにより液状硫黄の蒸発を促進する。
ここで使用する吸収反応塔6としては、気−液
接触の良い充填塔、棚段塔等が選ばれるが、水素
を圧縮する動力費の節減を計る点から圧力損失の
少ない塔を選定する。
また第1図では吸収反応塔を一基使用の場合を
示しているが、二基以上を直列又は並列に配置し
て吸収反応を行わせることもできる。更に第1図
は連続式による製造法であるが、バツチ式で反応
を行なうことも勿論可能であり、この場合に吸収
反応塔を二基以上設置して交互に切り替え使用す
ることもできる。
なおまた過剰水素の処理については、循環法に
するか、ワンパス法で排出するかは、水素源の状
況、水素過剰率、循環するための動力費等を考慮
して適宜決定する。
実施例 1 蒸発器に溶融硫黄を21.4g/hrで供給し電気ヒ
ーターで加熱しながら、これにボンベより水素を
268.8N/hrの割合で吹き込んで硫黄を蒸発さ
せ、硫黄蒸気を含む水素気流(H2/Sモル比=
18)とした。
ついで、これをアルミナに担持したCo−Mo系
硫化物触媒を180c.c.充填したステンレス製反応器
に導入し、0.5Kg/cm2G、350〜400℃で触媒に接
触させて硫化水素を合成した。
さらに、得られた硫化水素−水素混合ガスを冷
却器で30℃に冷却した後、26%NaOH水溶液を
500c.c.入れてある水冷式吸収反応器に供給した。
このようにして実験を5.5時間継続したところ、
NaSHの30%水溶液が得られた。
ハ 発明の効果 (1) 水素過剰下で生成した硫化水素を使用するこ
とにより、不純物が少ない高品位の製品が得ら
れる。
(2) 原料品質の変動が少ないので、工程管理が容
易である。
(3) 入手の容易な単体硫黄を使用するので、設備
の立地選択の自由度が高い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施態様の一例を示すフロシ
ートである。主な構成機器は下記の通りである。 1……硫黄融解槽、3……硫黄蒸発器、4……
反応器、5……熱交換器、6……吸収反応塔、8
……水素圧縮機、10……冷却器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 単体硫黄蒸気と1:1モルの理論量より過剰
    の水素とを反応させて硫化水素ガスを製造し、こ
    れを未反応水素を含有したまま苛性ソーダ水溶液
    に接触させることを特徴とする硫化ソーダ又は水
    硫化ソーダの製造法。 2 単体硫黄蒸気に対する水素のモル比を2以上
    として反応させる特許請求の範囲第1項記載の方
    法。 3 単体硫黄蒸気と水素をCo−Mo系、Ni−Mo
    系又はNi系の硫化した触媒の存在下に反応させ
    て硫化水素ガスを製造する特許請求の範囲第1項
    記載の方法。 4 単体硫黄蒸気と水素を圧力0.1乃至10Kg/cm2
    G、温度250乃至500℃で反応させて硫化水素ガス
    を製造する特許請求の範囲第1項記載の方法。
JP28188686A 1986-11-28 1986-11-28 硫化ソ−ダ又は水硫化ソ−ダの製造法 Granted JPS63139007A (ja)

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