JPH04207978A - エレベータの制御装置 - Google Patents
エレベータの制御装置Info
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- JPH04207978A JPH04207978A JP2330487A JP33048790A JPH04207978A JP H04207978 A JPH04207978 A JP H04207978A JP 2330487 A JP2330487 A JP 2330487A JP 33048790 A JP33048790 A JP 33048790A JP H04207978 A JPH04207978 A JP H04207978A
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- JP
- Japan
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- inverter
- elevator
- thermister
- semiconductor element
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- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 7
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Landscapes
- Control Of Ac Motors In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Elevator Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野コ
この発明は、エレベータの制御装置に間し、特に電圧駆
動形半導体素子にて構成されたインバータを用いて誘導
電動機を駆動するものにおいて、高速スイッチングによ
る弊害を低減したエレベータの制御装置に関する乙ので
ある。
動形半導体素子にて構成されたインバータを用いて誘導
電動機を駆動するものにおいて、高速スイッチングによ
る弊害を低減したエレベータの制御装置に関する乙ので
ある。
Ｃ従来の技術］
近年、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴと言った電圧駆動形半導
体素子にてインバータが構成され、その特長である高速
スイッチングを利用してインバータの高周波化を図り、
電動機の磁気音を人間の可聴周波数より高くして騒音の
低減を実現できるようになった。
体素子にてインバータが構成され、その特長である高速
スイッチングを利用してインバータの高周波化を図り、
電動機の磁気音を人間の可聴周波数より高くして騒音の
低減を実現できるようになった。
第２図は従来のエレベータの制御装置を示す構成図であ
って、図において、（１）はＲ相、Ｓ相、Ｔ相からなる
３相交流を源を直流に変換するコンバータ、（２）はコ
ンバータ（１）の出力端間に接続されて直流出力の平滑
化を行う平滑コンデンサ、（３）は平滑コンデンサ（２
）によって平滑化された直流を３相交流電源に変換して
３相誘導電動機（４）に供給して、これを駆動するイン
バータ、（５）はインバータ（３）を構成するＩＧＢＴ
のゲートに接続され、これを駆動するゲートドライブ回
路である。尚、図示せずも３相誘導電動機（４）には巻
上機が連結され、これに巻回されたワイヤーによって吊
り下げられたがご及び釣り合いおらりを上下に走行させ
ている。そして、従来は第３図に示すようにインバータ
（３）を構成する電圧駆動形半導体素子例えばＩＧＢＴ
（６）のゲートにゲート入力用抵抗器（７）を固定的に
挿入し、ＩＧＢＴ（６）のスイッチング速度を一定に保
持している。
って、図において、（１）はＲ相、Ｓ相、Ｔ相からなる
３相交流を源を直流に変換するコンバータ、（２）はコ
ンバータ（１）の出力端間に接続されて直流出力の平滑
化を行う平滑コンデンサ、（３）は平滑コンデンサ（２
）によって平滑化された直流を３相交流電源に変換して
３相誘導電動機（４）に供給して、これを駆動するイン
バータ、（５）はインバータ（３）を構成するＩＧＢＴ
のゲートに接続され、これを駆動するゲートドライブ回
路である。尚、図示せずも３相誘導電動機（４）には巻
上機が連結され、これに巻回されたワイヤーによって吊
り下げられたがご及び釣り合いおらりを上下に走行させ
ている。そして、従来は第３図に示すようにインバータ
（３）を構成する電圧駆動形半導体素子例えばＩＧＢＴ
（６）のゲートにゲート入力用抵抗器（７）を固定的に
挿入し、ＩＧＢＴ（６）のスイッチング速度を一定に保
持している。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、インバータの高周波化を図るには高速スイッ
チングを行う必要があるが、インバータを構成する半導
体素子のスイッチング速度が遅いと、半導体素子の発熱
の増加、インバータを構成する各アームの上下短絡防止
時間を長く取る必要があるという不具合があり、逆に半
導体素子のスイッチング速度が速いと、インバータに含
まれるスナバ回路の発熱の増加、インバータや電動機の
絶縁劣化の促進、高調波障害の増加といった不具合があ
る。また、半導体素子の発熱の許容量は放熱フィンの容
量によって決まり、それはエレベータの最大の起動頻度
にて決められている。
チングを行う必要があるが、インバータを構成する半導
体素子のスイッチング速度が遅いと、半導体素子の発熱
の増加、インバータを構成する各アームの上下短絡防止
時間を長く取る必要があるという不具合があり、逆に半
導体素子のスイッチング速度が速いと、インバータに含
まれるスナバ回路の発熱の増加、インバータや電動機の
絶縁劣化の促進、高調波障害の増加といった不具合があ
る。また、半導体素子の発熱の許容量は放熱フィンの容
量によって決まり、それはエレベータの最大の起動頻度
にて決められている。
ところが従来のエレベータの制御装置はエレベータの起
動頻度が高くてらこれに追従するように抵抗器（７）を
一定の値に設定している。二の為半導体素子の発熱が増
加し、これを抑える為半導体素子のスイッチング速度分
速くなるようにしている。するとエレベータの起動頻度
が低くなると、半導体素子の発熱は減少するが、抵抗器
〈７）の値が一定であるので、半導体素子のスイ・ソチ
ング速度は速いまま変わらず、この結果起動頻度が低い
場合上述したようなスナバ回路の発熱の増加、インバー
タや電動機の絶縁劣化の促進、高調波障害の増加等の弊
害を生ずるという問題点があった。
動頻度が高くてらこれに追従するように抵抗器（７）を
一定の値に設定している。二の為半導体素子の発熱が増
加し、これを抑える為半導体素子のスイッチング速度分
速くなるようにしている。するとエレベータの起動頻度
が低くなると、半導体素子の発熱は減少するが、抵抗器
〈７）の値が一定であるので、半導体素子のスイ・ソチ
ング速度は速いまま変わらず、この結果起動頻度が低い
場合上述したようなスナバ回路の発熱の増加、インバー
タや電動機の絶縁劣化の促進、高調波障害の増加等の弊
害を生ずるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、エレベータの起動頻度が低い場合の弊害を低
減できるエレベータの制御装置を得ることを目的とする
。
たもので、エレベータの起動頻度が低い場合の弊害を低
減できるエレベータの制御装置を得ることを目的とする
。
［課題を解決するための手段］
この発明に係るエレベータの制御装置は、インバータに
よって任意の交流電力を発生させ、この交流電力を誘導
電動機に供給することによってかごの駆動を行うエレベ
ータの制御装置において。
よって任意の交流電力を発生させ、この交流電力を誘導
電動機に供給することによってかごの駆動を行うエレベ
ータの制御装置において。
上記インバータを構成する半導体素子の発熱量を検出す
る検出手段を設け、上記発熱量に応じて上記半導体素子
のスイッチング速度を変化させるようにしたものである
。
る検出手段を設け、上記発熱量に応じて上記半導体素子
のスイッチング速度を変化させるようにしたものである
。
［作用］
この発明においては、エレベータの起動頻度が高く、イ
ンバータが熱的に苦しいときには、半導体素子のスイッ
チング速度を速くしてスイッチング損失を減らし、半導
体素子の発熱を抑え、起動頻度が低く、インバータが熱
的に苦しくないときには、上下短絡防止時間で許容され
る範囲で半導体素子のスイッチング速度を遅くして高調
波障害の発生等の不具合を抑える。
ンバータが熱的に苦しいときには、半導体素子のスイッ
チング速度を速くしてスイッチング損失を減らし、半導
体素子の発熱を抑え、起動頻度が低く、インバータが熱
的に苦しくないときには、上下短絡防止時間で許容され
る範囲で半導体素子のスイッチング速度を遅くして高調
波障害の発生等の不具合を抑える。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例を示す構成図であり、（５）〜
（７）は前述と同様のものである。
図はこの発明の一実施例を示す構成図であり、（５）〜
（７）は前述と同様のものである。
（８）は温度により抵抗値の変わる怒温素子例えばサー
ミスタ、（９）はゲート入力抵抗が零になるのを防止す
るための保護用抵抗器である。サーミスタ（８）は電気
的には抵抗器（９）と直列接続され、この直列回路が抵
抗器（７）と並列接続されている。また、サーミスタ（
８）は機械的にはＩＧＢＴ（６）の放熱フィン等め上に
取り付けられている。
ミスタ、（９）はゲート入力抵抗が零になるのを防止す
るための保護用抵抗器である。サーミスタ（８）は電気
的には抵抗器（９）と直列接続され、この直列回路が抵
抗器（７）と並列接続されている。また、サーミスタ（
８）は機械的にはＩＧＢＴ（６）の放熱フィン等め上に
取り付けられている。
次に、第１図に示したこの発明の一実施例の動作につい
て説明する。エレベータの起動頻度が高く、放熱フィン
の温度が高いときには、サーミスタ（８）の抵抗値が小
さくなり、ゲート入力抵抗が小さくなって、ｒＧＢＴ（
６）のスイッチング速度が速くなる。従って、ＩＧＢＴ
（６）のスイッチング損失が減り、インバータはエレベ
ータの高い起動頻度にも対応できる。
て説明する。エレベータの起動頻度が高く、放熱フィン
の温度が高いときには、サーミスタ（８）の抵抗値が小
さくなり、ゲート入力抵抗が小さくなって、ｒＧＢＴ（
６）のスイッチング速度が速くなる。従って、ＩＧＢＴ
（６）のスイッチング損失が減り、インバータはエレベ
ータの高い起動頻度にも対応できる。
エレベータの起動頻度が低く、放熱フィンの温度が低い
ときには、サーミスタ（８）の抵抗値が大きくなり、ゲ
ート入力抵抗が大きくなって、工ＧＢＴ（６）のスイッ
チング速度が遅くなる。従って、スナバ回路の発熱、イ
ンバータや電動機の絶縁劣化、高調波障害の発生等が抑
えられ、スイッチング速度分速く固定した場合よりも高
品質の工レヘータの制御装置を得ることが出来る。
ときには、サーミスタ（８）の抵抗値が大きくなり、ゲ
ート入力抵抗が大きくなって、工ＧＢＴ（６）のスイッ
チング速度が遅くなる。従って、スナバ回路の発熱、イ
ンバータや電動機の絶縁劣化、高調波障害の発生等が抑
えられ、スイッチング速度分速く固定した場合よりも高
品質の工レヘータの制御装置を得ることが出来る。
［発明の効宋：
以上のようにこの発明によれば、インバータによって任
意の交流電力を発生させ５二の交流電力を誘導電動機に
供給することによってかごの駆動を行うエレベータの制
御装置において、上記インバータを構成する半導体素子
の発熱Ｉを検出する検出手段を設け、上記発熱量に応じ
て上記半導体素子のスイッチング速度を変化させるよう
にしたので、エレベータの起動頻度が低い場合に生じる
スナバ回路の発熱、インバータや電動機の絶縁劣化、高
調波障害の発生等が抑えられ、スイッチング速度を速く
固定した場合よりも高品質のエレベータの制御装Ｗが得
られる効果がある。
意の交流電力を発生させ５二の交流電力を誘導電動機に
供給することによってかごの駆動を行うエレベータの制
御装置において、上記インバータを構成する半導体素子
の発熱Ｉを検出する検出手段を設け、上記発熱量に応じ
て上記半導体素子のスイッチング速度を変化させるよう
にしたので、エレベータの起動頻度が低い場合に生じる
スナバ回路の発熱、インバータや電動機の絶縁劣化、高
調波障害の発生等が抑えられ、スイッチング速度を速く
固定した場合よりも高品質のエレベータの制御装Ｗが得
られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図、第２図は従
来めエレベータの制卸装置を示す構成図、第３図は従来
のゲート入力部を示す回路図である。 図において、（３）はインバータ、（４）は３相誘導電
動機、（６）はＩＧＢＴ、（８）はサーミスタである。 尚、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
来めエレベータの制卸装置を示す構成図、第３図は従来
のゲート入力部を示す回路図である。 図において、（３）はインバータ、（４）は３相誘導電
動機、（６）はＩＧＢＴ、（８）はサーミスタである。 尚、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 インバータによって任意の交流電力を発生させ、この交
流電力を誘導電動機に供給することによつてかごの駆動
を行うエレベータの制御装置において、 上記インバータを構成する半導体素子の発熱量を検出す
る検出手段を設け、 上記発熱量に応じて上記半導体素子のスイッチング速度
を変化させるようにしたことを特徴とするエレベータの
制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2330487A JP2695699B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | エレベータの制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2330487A JP2695699B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | エレベータの制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207978A true JPH04207978A (ja) | 1992-07-29 |
| JP2695699B2 JP2695699B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=18233178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2330487A Expired - Fee Related JP2695699B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | エレベータの制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2695699B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011051794A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | エレベータの制御装置 |
| JP5236186B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2013-07-17 | 三菱電機株式会社 | エレベータ装置 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2330487A patent/JP2695699B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5236186B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2013-07-17 | 三菱電機株式会社 | エレベータ装置 |
| JP2011051794A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | エレベータの制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2695699B2 (ja) | 1998-01-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |