JPH04205828A - 探針駆動機構、それを備えた情報処理装置 - Google Patents
探針駆動機構、それを備えた情報処理装置Info
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- JPH04205828A JPH04205828A JP32962790A JP32962790A JPH04205828A JP H04205828 A JPH04205828 A JP H04205828A JP 32962790 A JP32962790 A JP 32962790A JP 32962790 A JP32962790 A JP 32962790A JP H04205828 A JPH04205828 A JP H04205828A
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Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、改良された探針駆動機構、それを備えた走査
型トンネル顕微鏡や記録再生装置などのトンネル電流を
利用した情報処理装置に関するものである。
型トンネル顕微鏡や記録再生装置などのトンネル電流を
利用した情報処理装置に関するものである。
[従来の技術]
近年、原子、分子オーダーの分解能を有する走査型トン
ネル顕微鏡が開発され、表面構造解析、表面粗さ計測な
どに応用されている。
ネル顕微鏡が開発され、表面構造解析、表面粗さ計測な
どに応用されている。
この走査型トンネル顕微鏡は、導電性試料と導電性探針
との間に電圧を印加し、両者間をlnm程度の距離まで
接近させた場合に流れるトンネル電流が、その距離によ
り指数関数的に変化することを利用したものである。
との間に電圧を印加し、両者間をlnm程度の距離まで
接近させた場合に流れるトンネル電流が、その距離によ
り指数関数的に変化することを利用したものである。
すなわち、先端を電解研摩等で非常に先鋭に仕上げた探
針を用いて、導電性物質からなる試料表面との距離を一
定に保ちながら2次元的に走査した時試料表面の原子配
列または凹凸形状によりトンネル電流が変化することを
利用して表面像を得ることができる(G、B1nn1g
etal、、Phys、Rev、Lett、49(
1982))。さらに走査型トンネル顕微鏡の原理を利
用して、媒体表面に微小な凹凸構造または電気的な特性
の異なる部分を形成することにより高密度の記録再生装
置の提案もなされている。
針を用いて、導電性物質からなる試料表面との距離を一
定に保ちながら2次元的に走査した時試料表面の原子配
列または凹凸形状によりトンネル電流が変化することを
利用して表面像を得ることができる(G、B1nn1g
etal、、Phys、Rev、Lett、49(
1982))。さらに走査型トンネル顕微鏡の原理を利
用して、媒体表面に微小な凹凸構造または電気的な特性
の異なる部分を形成することにより高密度の記録再生装
置の提案もなされている。
例えば、記録層として電圧電流のスイッチング特性に対
してメモリ効果を持つ材料、例えばπ電子系有機化合物
やカルコゲン化合物類の薄膜層を用いて、記録・再生を
STMで行なう方法が提案されている[特開昭63−1
61552号公報、特開昭63−161553号公報]
。号公報法によれば、記録のビットサイズを10nmと
すれば、10 ”b i t/ cm2もの大容量記録
再生が可能である。
してメモリ効果を持つ材料、例えばπ電子系有機化合物
やカルコゲン化合物類の薄膜層を用いて、記録・再生を
STMで行なう方法が提案されている[特開昭63−1
61552号公報、特開昭63−161553号公報]
。号公報法によれば、記録のビットサイズを10nmと
すれば、10 ”b i t/ cm2もの大容量記録
再生が可能である。
このような装置においては、試料を探針で数nm−数μ
mの範囲で走査する必要があり、その際の移動機構とし
て圧電素子が用いられる。この例としては例えば、3本
の圧電素子をx、y、z方向に沿って互いに直交するよ
うに組み合わせ、その交点に探針を配置したトライボッ
ド型や、円筒型の圧電素子の外周面の電極を分割して一
端を固定し、他端に探針を取り付け、各々の分割電極に
対応させて円筒を撓ませて走査する円筒型などのタイプ
がある。
mの範囲で走査する必要があり、その際の移動機構とし
て圧電素子が用いられる。この例としては例えば、3本
の圧電素子をx、y、z方向に沿って互いに直交するよ
うに組み合わせ、その交点に探針を配置したトライボッ
ド型や、円筒型の圧電素子の外周面の電極を分割して一
端を固定し、他端に探針を取り付け、各々の分割電極に
対応させて円筒を撓ませて走査する円筒型などのタイプ
がある。
さらに最近では、半導体加工技術を利用したマイクロメ
カニクスにより、探針駆動機構を微細に形成する試みが
なされている。
カニクスにより、探針駆動機構を微細に形成する試みが
なされている。
第5図は、マイクロマシーニング技術によりSi基板上
に圧電バイモルフからなるカンチレバーを形成した例で
ある。[Proceed−ings of 4th
Internati。
に圧電バイモルフからなるカンチレバーを形成した例で
ある。[Proceed−ings of 4th
Internati。
nal Conference on STM/
STS P317] このうち、第5図(a)は、その斜視図であり、Si基
板l上に2分割電極4a、4b、ZnO圧電体5、中間
電極3、ZnO圧電圧電極及52分割電極2a、2t)
を積層した。カンチレバー形状を作り、その下のSi基
板の一部を異方性エツチングにより除去してSi基板の
端部がら、片持ちで支持されるように形成されている。
STS P317] このうち、第5図(a)は、その斜視図であり、Si基
板l上に2分割電極4a、4b、ZnO圧電体5、中間
電極3、ZnO圧電圧電極及52分割電極2a、2t)
を積層した。カンチレバー形状を作り、その下のSi基
板の一部を異方性エツチングにより除去してSi基板の
端部がら、片持ちで支持されるように形成されている。
その圧電バイモルフからなるカンチレバーの先端には、
金属の探針7が接着などにより取付けられ、引き出し電
極6を通してトンネル電流を検知する。その際、第5図
(b)の断面図に示すように、カンチレバーの上側の2
分割電極2a、2bと中間電極3の間に挟まれる2つの
圧電体領域と下側の2分割電極4a、4bと中間電極3
との間に挟まれた2つの圧電体領域の各々にかける電圧
を制御することにより、カンチレバーを3次元方向に独
立して動かすことができる。
金属の探針7が接着などにより取付けられ、引き出し電
極6を通してトンネル電流を検知する。その際、第5図
(b)の断面図に示すように、カンチレバーの上側の2
分割電極2a、2bと中間電極3の間に挟まれる2つの
圧電体領域と下側の2分割電極4a、4bと中間電極3
との間に挟まれた2つの圧電体領域の各々にかける電圧
を制御することにより、カンチレバーを3次元方向に独
立して動かすことができる。
第5図(c)、(d)、(e)には、2分割電極により
分割された4つの圧電体領域の内、電圧を印加する領域
の組合せを変えて駆動した時のカンチレバーの動きを示
している。
分割された4つの圧電体領域の内、電圧を印加する領域
の組合せを変えて駆動した時のカンチレバーの動きを示
している。
第5図(c)は、4つの領域が同時に縮むように同相の
電圧を印加したときで、探針は第5図(a)のY方向に
移動する。また第5図(d)は右側の上下2つの領域が
伸び、左側の上下2つの領域が縮んだ場合で、探針は第
5図(a)のX方向へ移動可能である。さらに、第5図
(e)は、上側の左右の領域が縮み、下側の左右の領域
が伸び、探針は、第5図(a)のZ方向に移動すること
ができる。
電圧を印加したときで、探針は第5図(a)のY方向に
移動する。また第5図(d)は右側の上下2つの領域が
伸び、左側の上下2つの領域が縮んだ場合で、探針は第
5図(a)のX方向へ移動可能である。さらに、第5図
(e)は、上側の左右の領域が縮み、下側の左右の領域
が伸び、探針は、第5図(a)のZ方向に移動すること
ができる。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら上記従来例では、圧電バイモルフのカンチ
レバーの第5図(a)のY方向の移動はバイモルフ構造
による変位拡大機構がないため、他のX、Z方向に比べ
著しく移動量が少なくなる欠点があった。
レバーの第5図(a)のY方向の移動はバイモルフ構造
による変位拡大機構がないため、他のX、Z方向に比べ
著しく移動量が少なくなる欠点があった。
例えば、同じ駆動電圧に対して、Y方向の移動量はX方
向の移動量の1/l O程度になることがあり、探針の
走査領域が狭(なるという傾向があった。
向の移動量の1/l O程度になることがあり、探針の
走査領域が狭(なるという傾向があった。
[課題を解決するための手段(及び作用)]本発明は、
電極を長手方向に分割した圧電バイモルフを少な(とも
2本直交して配置した構成とすることにより、X、Y方
向(2次元)の走査範囲を広(することができるように
したものである。
電極を長手方向に分割した圧電バイモルフを少な(とも
2本直交して配置した構成とすることにより、X、Y方
向(2次元)の走査範囲を広(することができるように
したものである。
即ち、本発明は電極を長手方向に分割した圧電バイモル
フ部材が少な(とも2本直交して形成され、その一端は
基板に固定され、他端には探針が設けられていることを
特徴とする探針駆動機構に関する。
フ部材が少な(とも2本直交して形成され、その一端は
基板に固定され、他端には探針が設けられていることを
特徴とする探針駆動機構に関する。
更に、本発明は、上記の探針駆動機構を備えた走査型ト
ンネル顕微鏡や記録再生装置などのトンネル電流を利用
した情報処理装置に関する。
ンネル顕微鏡や記録再生装置などのトンネル電流を利用
した情報処理装置に関する。
[実施例]
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
夾11粗1
第1図の(a)は本発明の探針駆動機構の概略図であり
、(b)はその動作の説明図である。第1図(a)にお
いて、Si基板1の上に一端を固定された圧電バイモル
フ部材10とその他端に直交して、もう一つの圧電バイ
モルフ部材12を一体に結合した構造が形成されている
。圧電バイモルフ部材10.12は各々第1図(C)の
ように、下側の2分割電極13c、13d、圧電体層5
、中間電極3、圧電体層5及び上側の2分割電極13a
、13bの層からなるバイモルフ構造となっている。第
1図(a)では上側の2分割電極11a、llb、13
a、13bが見えており、各々の電極は、パターン電極
により引き出され、ポンディングパッド9aに配糸泉さ
れている。また、中間電極は圧電層を介して、ポンディ
ングパッド9bに、下側の2分割電極は、上側と同じパ
ターンになっており、ポンディングパッド9Cに引き出
されている。圧電バイモルフ部材12の先端部には、P
t、Rh、Wなどの金属片を接着して形成した探針7が
あり、パターン電極により、ポンディングパッド9aに
引き出されている。これらのポンディングパッドにより
外部の駆動回路にワイヤポンディング等で結合される。
、(b)はその動作の説明図である。第1図(a)にお
いて、Si基板1の上に一端を固定された圧電バイモル
フ部材10とその他端に直交して、もう一つの圧電バイ
モルフ部材12を一体に結合した構造が形成されている
。圧電バイモルフ部材10.12は各々第1図(C)の
ように、下側の2分割電極13c、13d、圧電体層5
、中間電極3、圧電体層5及び上側の2分割電極13a
、13bの層からなるバイモルフ構造となっている。第
1図(a)では上側の2分割電極11a、llb、13
a、13bが見えており、各々の電極は、パターン電極
により引き出され、ポンディングパッド9aに配糸泉さ
れている。また、中間電極は圧電層を介して、ポンディ
ングパッド9bに、下側の2分割電極は、上側と同じパ
ターンになっており、ポンディングパッド9Cに引き出
されている。圧電バイモルフ部材12の先端部には、P
t、Rh、Wなどの金属片を接着して形成した探針7が
あり、パターン電極により、ポンディングパッド9aに
引き出されている。これらのポンディングパッドにより
外部の駆動回路にワイヤポンディング等で結合される。
圧電体の材料としては、Z’nO,AρNなどの圧電材
料を用いマグネトロンスパッタによりC軸配向の膜を形
成することができる。また、PZTなどの圧電セラミッ
クスで形成することも可能である。電極は、Aρ、Au
などの材料を蒸着して形成されている。製造の手順とし
ては、Si基板上に圧電バイモルフの形状になるように
、下側2分割電極のパターニング、圧電体のスパッタ。
料を用いマグネトロンスパッタによりC軸配向の膜を形
成することができる。また、PZTなどの圧電セラミッ
クスで形成することも可能である。電極は、Aρ、Au
などの材料を蒸着して形成されている。製造の手順とし
ては、Si基板上に圧電バイモルフの形状になるように
、下側2分割電極のパターニング、圧電体のスパッタ。
中間電極のパターニング、圧電体のスパッタ、上側2分
割電極のパターニングを行ない積層してゆ(。最後に、
Si基板の不要な部分を異方性エツチングにより抜いて
、圧電バイモルフがひさし状に残るようにして形成され
る。
割電極のパターニングを行ない積層してゆ(。最後に、
Si基板の不要な部分を異方性エツチングにより抜いて
、圧電バイモルフがひさし状に残るようにして形成され
る。
次に動作を第1図(b)により説明する。探針7は圧電
バイモルフ部材10の上側、下側の2分割電極による4
つの領域を従来例と同様に左右の領域が相反して伸縮す
るように駆動することにより、X方向(図中矢印X)に
駆動され、また、直交して設けた圧電バイモルフ部材1
2により、同様の駆動法でY方向(図中矢印Y)に駆動
される。
バイモルフ部材10の上側、下側の2分割電極による4
つの領域を従来例と同様に左右の領域が相反して伸縮す
るように駆動することにより、X方向(図中矢印X)に
駆動され、また、直交して設けた圧電バイモルフ部材1
2により、同様の駆動法でY方向(図中矢印Y)に駆動
される。
これにより、探針7は、圧電バイモルフの変位拡大の作
用により、X、Y方向に同程度の大きさで広い走査が可
能となる。
用により、X、Y方向に同程度の大きさで広い走査が可
能となる。
また、2方向(図中紙面に垂直な方向)には、圧電バイ
モルフ部材10.12の上下の領域を相反して伸縮する
ように駆動することにより、駆動することができる。
モルフ部材10.12の上下の領域を相反して伸縮する
ように駆動することにより、駆動することができる。
失」1孔l
第2図の(a)は本発明の第2の実施例の概略図、(b
)はその動作の説明図である。前記実施例と同様にSi
基板1の上に一端を固定された平行な2つの圧電バイモ
ルフ部材14とその他端同士を結合する圧電バイモルフ
部材15により、門形の構造が形成されている。圧電バ
イモルフ部材14.15には、2分割電極が設けられ、
前記実施例と同様の積層構造をしており、各電極はパタ
ーン電極により、ポンディングパッドに引き出されてい
る。探針7は圧電バイモルフ部材15の中間に配置され
ている。
)はその動作の説明図である。前記実施例と同様にSi
基板1の上に一端を固定された平行な2つの圧電バイモ
ルフ部材14とその他端同士を結合する圧電バイモルフ
部材15により、門形の構造が形成されている。圧電バ
イモルフ部材14.15には、2分割電極が設けられ、
前記実施例と同様の積層構造をしており、各電極はパタ
ーン電極により、ポンディングパッドに引き出されてい
る。探針7は圧電バイモルフ部材15の中間に配置され
ている。
次に第2図(b)により動作を説明する。圧電バイモル
フ部材14を前記実施例と同様の駆動法でX方向(図中
矢印X)に駆動することにより、圧電バイモルフ15上
の探針7はX方向に移動し、また圧電バイモルフ部材1
5上の2つの2分割電極を同様に駆動することにより、
探針7はY方向(図中矢印Y)に移動できる。
フ部材14を前記実施例と同様の駆動法でX方向(図中
矢印X)に駆動することにより、圧電バイモルフ15上
の探針7はX方向に移動し、また圧電バイモルフ部材1
5上の2つの2分割電極を同様に駆動することにより、
探針7はY方向(図中矢印Y)に移動できる。
このように対称形にすることにより、剛性が上がり、か
つX、Y方向の干渉が少な(、より正確な走査が可能と
なる。
つX、Y方向の干渉が少な(、より正確な走査が可能と
なる。
見立■ユ
次に、前記探針駆動機構を用いた情報処理装置の第1の
態様である走査型トンネル顕微鏡の説明を行なう。第3
図は、本発明の走査型トンネル顕微鏡の説明図である。
態様である走査型トンネル顕微鏡の説明を行なう。第3
図は、本発明の走査型トンネル顕微鏡の説明図である。
101は、本発明の探針駆動機構102を形成したシリ
コン基板、205は、シリコン基板101をZ方向に駆
動する粗動用圧電素子、215は粗動用圧電素子105
及び探針駆動機構102を試料表面に接近させる接近機
構、203は、表面観察する導電性の試料で、204は
試料203をXY力方向微動するXY微動機構である。
コン基板、205は、シリコン基板101をZ方向に駆
動する粗動用圧電素子、215は粗動用圧電素子105
及び探針駆動機構102を試料表面に接近させる接近機
構、203は、表面観察する導電性の試料で、204は
試料203をXY力方向微動するXY微動機構である。
次に本STMの動作について説明する。まず、接近機構
215は、2方向の移動ステージからなり、手動または
モーターにより、探針駆動機構102の探針が試料20
3の表面に、粗動用圧電素子205のストローク内に入
るように接近させる。その際、顕微鏡等を用いて目視に
より、接近の程度をモニターするか、もしくは探針駆動
機構102にサーボをかけた状態でモーターにより自動
送りをし、探針と試料間にトンネル電流が流れるのを検
出した時点で接近を停止する。
215は、2方向の移動ステージからなり、手動または
モーターにより、探針駆動機構102の探針が試料20
3の表面に、粗動用圧電素子205のストローク内に入
るように接近させる。その際、顕微鏡等を用いて目視に
より、接近の程度をモニターするか、もしくは探針駆動
機構102にサーボをかけた状態でモーターにより自動
送りをし、探針と試料間にトンネル電流が流れるのを検
出した時点で接近を停止する。
試料203の観察時にはバイアス回路106によりバイ
アス電圧をかけられた試料203と探針の間に流れるト
ンネル電流をトンネル電流検出回路107により検出し
、2方向サーボ回路110を通して探針と試料表面の平
均距離が一定となるように探針駆動機構102を2方向
に制御している。
アス電圧をかけられた試料203と探針の間に流れるト
ンネル電流をトンネル電流検出回路107により検出し
、2方向サーボ回路110を通して探針と試料表面の平
均距離が一定となるように探針駆動機構102を2方向
に制御している。
その状態で、探針駆動機構102をXY位置制御回路1
09でXY力方向走査することにより、試料表面の微細
な凹凸により変化したトンネル電流が検出され、それを
制御回路112に取り込み、XY走査信号に同期して処
理すればコンスタントハイドモードのSTM像が得られ
る。STM像は、画像処理例えば2次元FFTなどの処
理をしてデイスプレィ214に表示される。
09でXY力方向走査することにより、試料表面の微細
な凹凸により変化したトンネル電流が検出され、それを
制御回路112に取り込み、XY走査信号に同期して処
理すればコンスタントハイドモードのSTM像が得られ
る。STM像は、画像処理例えば2次元FFTなどの処
理をしてデイスプレィ214に表示される。
その際探針駆動機構102の2方向のストロークが小さ
いので装置の温度ドリフト、試料203の表面の凹凸、
傾きが大きいと追従できな(なるため粗動用圧電素子1
05を用いて、トンネル電流検出回路107の信号をZ
方向粗動駆動回路111を通して、0.01〜0.1H
z程度の帯域のフィードバックを行ない、2方向の大き
な動きに追従するように制御している。
いので装置の温度ドリフト、試料203の表面の凹凸、
傾きが大きいと追従できな(なるため粗動用圧電素子1
05を用いて、トンネル電流検出回路107の信号をZ
方向粗動駆動回路111を通して、0.01〜0.1H
z程度の帯域のフィードバックを行ない、2方向の大き
な動きに追従するように制御している。
また、観察場所を変えるときは、試料例のXY微動機構
204をXY微動駆動回路213によりXY力方向移動
させ所望の領域に探針が来るようにして観察を行なう。
204をXY微動駆動回路213によりXY力方向移動
させ所望の領域に探針が来るようにして観察を行なう。
このような、走査型トンネル顕微鏡において探針駆動機
構を前記実施例のような構成とすることにより、従来の
カンチレバー型の探針駆動機構に比べ、XY力方向走査
範囲を広(することができる。
構を前記実施例のような構成とすることにより、従来の
カンチレバー型の探針駆動機構に比べ、XY力方向走査
範囲を広(することができる。
夫JJ粗豆
次に、本発明の他の実施例として、前記探針駆動機構を
用いた情報処理装置の第2の態様である記録再生装置の
説明を行なう。第4図は、本発明の記録再生装置の概略
図である。101は、本発明の探針駆動機構102を複
数設けたシリコン基板、105は、シリコン基板を2方
向に駆動する粗動用圧電素子、103は板状の記録媒体
。
用いた情報処理装置の第2の態様である記録再生装置の
説明を行なう。第4図は、本発明の記録再生装置の概略
図である。101は、本発明の探針駆動機構102を複
数設けたシリコン基板、105は、シリコン基板を2方
向に駆動する粗動用圧電素子、103は板状の記録媒体
。
104は探針駆動機構の走査可能領域で決まる記録エリ
アを一列に並べたデータ列である。記録媒体103は、
図示せぬ移動機構により、図中矢印の方向に並進移動さ
れ、記録エリアは列状に記録される。探針駆動機構10
2と粗動用圧電素子105は、図示せぬリニアモータな
どの移動機構によりデータ列と直交する方向に移動可能
なように構成され、任意のデータ列にアクセスし、デー
タの記録再生を行なうことができる。その際、目標とす
るデータ列までのアクセスは、リニアエンコーダーなど
の位置検出装置により行なわれ、その後、探針駆動機構
102の各々の探針は、目標のデータ列の各々の記録エ
リア内を走査する。
アを一列に並べたデータ列である。記録媒体103は、
図示せぬ移動機構により、図中矢印の方向に並進移動さ
れ、記録エリアは列状に記録される。探針駆動機構10
2と粗動用圧電素子105は、図示せぬリニアモータな
どの移動機構によりデータ列と直交する方向に移動可能
なように構成され、任意のデータ列にアクセスし、デー
タの記録再生を行なうことができる。その際、目標とす
るデータ列までのアクセスは、リニアエンコーダーなど
の位置検出装置により行なわれ、その後、探針駆動機構
102の各々の探針は、目標のデータ列の各々の記録エ
リア内を走査する。
次に記録媒体103は電気メモリー効果を持つ薄膜、例
えば、π電子系有機化合物やカルコゲン化物類からなる
記録層と導電性のある基板からなり、探針と導電性基板
間にあるしきい値以上の電圧を印加することにより、探
針直下の記録層に微小な領域で特性変化を生じさせ記録
を行うことができる。また、再生は、探針と記録層間に
流れるトンネル電流が、記録部と非記録部とで変化する
ことにより行なう。
えば、π電子系有機化合物やカルコゲン化物類からなる
記録層と導電性のある基板からなり、探針と導電性基板
間にあるしきい値以上の電圧を印加することにより、探
針直下の記録層に微小な領域で特性変化を生じさせ記録
を行うことができる。また、再生は、探針と記録層間に
流れるトンネル電流が、記録部と非記録部とで変化する
ことにより行なう。
本発明で用いる記録媒体としては、電流−電圧特性に於
いてメモリースイッチング現象(電気メモリー効果)を
有する材料、例えば、π電子準位をもつ群とσ電子準位
のみを有する群を併有する分子を電極上に積層した有機
単分子膜あるいはその累積膜を用いることが可能となる
。
いてメモリースイッチング現象(電気メモリー効果)を
有する材料、例えば、π電子準位をもつ群とσ電子準位
のみを有する群を併有する分子を電極上に積層した有機
単分子膜あるいはその累積膜を用いることが可能となる
。
例えば記録媒体103には、ガラスや雲母などの平坦な
基板上の金のエピタキシャル成長面やグラファイトへき
開面上に記録層として、スクアリリュウムービス−6−
オクチルアズレン(以下5OAZと略す)をラングミュ
ア・プロジェット法によって、単分子膜2層の累積膜を
形成したものを用いることができる。
基板上の金のエピタキシャル成長面やグラファイトへき
開面上に記録層として、スクアリリュウムービス−6−
オクチルアズレン(以下5OAZと略す)をラングミュ
ア・プロジェット法によって、単分子膜2層の累積膜を
形成したものを用いることができる。
その場合、プローブと記録層間に印加する電圧が電気メ
モリー効果を生じる閾値電圧以下の電圧、例えばIVの
とき、電流値は10−”A以下で記録層はOFF状態の
ままである。次に閾値電圧以上の三角波パルス電圧を印
加した後に、再び1vの電圧を印加すると10−’A程
度の電流が流れON状態に変化し、ON状態が記録され
る。次に、ON状態からOFF状態へ変化する閾値電圧
以上の逆極性の三角波パルスを印加した後IVの電圧を
印加したところ、電流値は1O−1lA以下となり、O
FF状態に戻り記録が消去されたことが実験的に認めら
れた。
モリー効果を生じる閾値電圧以下の電圧、例えばIVの
とき、電流値は10−”A以下で記録層はOFF状態の
ままである。次に閾値電圧以上の三角波パルス電圧を印
加した後に、再び1vの電圧を印加すると10−’A程
度の電流が流れON状態に変化し、ON状態が記録され
る。次に、ON状態からOFF状態へ変化する閾値電圧
以上の逆極性の三角波パルスを印加した後IVの電圧を
印加したところ、電流値は1O−1lA以下となり、O
FF状態に戻り記録が消去されたことが実験的に認めら
れた。
その他に、本発明に好適なπ電子系を有する色素の構造
として例えば、フタロシアニン、テトラフェニルポルフ
ィリン等のポルフィリン骨格を有する色素、スクアリリ
ウム基及びクロコニックメチン基を結合鎖として持つア
ズレン系色素及びキノリン、ベンゾチアゾール、ベンゾ
オキサゾール等の2個の含窒素複素環をスクアリリウム
基及びクロコニックメチン基により結合したシアニン系
類似の色素、またはシアニン色素、アントラセン及びピ
レン等の縮合多環芳香族、及び芳香環及び複素環化合物
が重合した鎖状化合物及びジアセチレン基の重合体、更
にはテトラシアノキノジノメタンまたはテトラチアフル
バレンの誘導体及びその電荷移動錯体、また更にはフェ
ロセン、トリスビピリジンルテニウム錯体等の金属錯体
化合物が挙げられる。
として例えば、フタロシアニン、テトラフェニルポルフ
ィリン等のポルフィリン骨格を有する色素、スクアリリ
ウム基及びクロコニックメチン基を結合鎖として持つア
ズレン系色素及びキノリン、ベンゾチアゾール、ベンゾ
オキサゾール等の2個の含窒素複素環をスクアリリウム
基及びクロコニックメチン基により結合したシアニン系
類似の色素、またはシアニン色素、アントラセン及びピ
レン等の縮合多環芳香族、及び芳香環及び複素環化合物
が重合した鎖状化合物及びジアセチレン基の重合体、更
にはテトラシアノキノジノメタンまたはテトラチアフル
バレンの誘導体及びその電荷移動錯体、また更にはフェ
ロセン、トリスビピリジンルテニウム錯体等の金属錯体
化合物が挙げられる。
さらに本発明に好適な高分子材料としては、例えばポリ
アクリル酸誘導体等の付加重合体、ポリイミド等の縮合
重合体、ナイロン等の開環重合体、バタテリオロドブシ
ン等の生体高分子が挙げられる。
アクリル酸誘導体等の付加重合体、ポリイミド等の縮合
重合体、ナイロン等の開環重合体、バタテリオロドブシ
ン等の生体高分子が挙げられる。
また記録媒体103として、あるしきい値以上の電圧を
印加すると表面が局所的に溶融または蒸発して、表面形
状が凹または凸に変化する材料、例えば、Au、Ptな
どの金属薄膜を用いてもよい。
印加すると表面が局所的に溶融または蒸発して、表面形
状が凹または凸に変化する材料、例えば、Au、Ptな
どの金属薄膜を用いてもよい。
次に、記録再生の方法を説明する。
まず、記録方法は、2方向粗動用圧電素子105と探針
駆動機構102は移動機構により、記録位置に移動し、
記録媒体103のあるしきい値を越える電圧を印加する
ことにより行なう。その際、記録媒体103には、バイ
アス回路106によりバイアス電圧が加えられ、探針は
記録媒体103に対してトンネル電流が流れる距離に保
たれている。その接近は、2方向粗動用圧電素子105
により、近傍まで近づけ、後は、複数ある探針駆動機構
102で各々の探針ごとにトンネル領域に引き込まれる
。その引込みは各探針に対応したトンネル電流検出回路
107により検出されたトンネル電流を各々の探針駆動
機構102の2方向サーボ回路110を通してフィード
バックすることにより、各探針と記録媒体間を一定距離
に制御している。そのとき、Z方向サーボ回路110に
はローパスフィルターが設けられ、そのカットオフ周波
数はデータ信号には追従せず、記録媒体の面振れ、表面
のうねりに追従できるように選ばれ、探針と記録媒体の
平均距離が一定となるように制御される。
駆動機構102は移動機構により、記録位置に移動し、
記録媒体103のあるしきい値を越える電圧を印加する
ことにより行なう。その際、記録媒体103には、バイ
アス回路106によりバイアス電圧が加えられ、探針は
記録媒体103に対してトンネル電流が流れる距離に保
たれている。その接近は、2方向粗動用圧電素子105
により、近傍まで近づけ、後は、複数ある探針駆動機構
102で各々の探針ごとにトンネル領域に引き込まれる
。その引込みは各探針に対応したトンネル電流検出回路
107により検出されたトンネル電流を各々の探針駆動
機構102の2方向サーボ回路110を通してフィード
バックすることにより、各探針と記録媒体間を一定距離
に制御している。そのとき、Z方向サーボ回路110に
はローパスフィルターが設けられ、そのカットオフ周波
数はデータ信号には追従せず、記録媒体の面振れ、表面
のうねりに追従できるように選ばれ、探針と記録媒体の
平均距離が一定となるように制御される。
記録時には、制御回路112から記録信号がパルス印加
回路108に送られ、各探針にパルス電圧として印加さ
れ、記録が行なわれる。
回路108に送られ、各探針にパルス電圧として印加さ
れ、記録が行なわれる。
その際、パルス印加により探針と記録媒体の距離が変化
しないように2方向サーボ回路110には、ホールド回
路を設けて、パルス電圧が印加されている探針駆動機構
102の駆動電圧を保持する。
しないように2方向サーボ回路110には、ホールド回
路を設けて、パルス電圧が印加されている探針駆動機構
102の駆動電圧を保持する。
そのとき、データ列の記録エリア内には図の拡大図のよ
うに記録ビットがマトリクス状に記録される。各々の記
録ビット列には、アドレス情報が挿入されており、再生
時のデータの識別を行なう。
うに記録ビットがマトリクス状に記録される。各々の記
録ビット列には、アドレス情報が挿入されており、再生
時のデータの識別を行なう。
次に再生方法について説明する。
再生時には探針は、移動機構により所望のデータ列の記
録エリア上に移動し、記録媒体103の表面との間のト
ンネル電流の記録部と非記録部の変化分を検出し再生を
行なう。そのとき探針駆動機構102はXY位置制御回
路109により制御され、探針が記録エリアの全域を走
査するように駆動される。1つの記録エリア内の再生信
号は、トンネル電流検出回路107を通し、制御回路1
12で信号処理して一時的に記憶され、その中から所望
のデータのみが再生出力される。
録エリア上に移動し、記録媒体103の表面との間のト
ンネル電流の記録部と非記録部の変化分を検出し再生を
行なう。そのとき探針駆動機構102はXY位置制御回
路109により制御され、探針が記録エリアの全域を走
査するように駆動される。1つの記録エリア内の再生信
号は、トンネル電流検出回路107を通し、制御回路1
12で信号処理して一時的に記憶され、その中から所望
のデータのみが再生出力される。
このような記録再生装置において探針駆動機構を前記実
施例のような構成とすることにより、1つの探針で走査
できる領域が広がり、1つの記録エリアが大きくなり、
全体として記録密度を上げることができる。
施例のような構成とすることにより、1つの探針で走査
できる領域が広がり、1つの記録エリアが大きくなり、
全体として記録密度を上げることができる。
[発明の効果]
以上のように、電極を長手方向に2分割した圧電バイモ
ルフ部材を少なくとも2本直交して配置することにより
、バイモルフの変位拡大作用をXY力方向利用すること
ができ、探針の走査範囲の拡大が可能となる。
ルフ部材を少なくとも2本直交して配置することにより
、バイモルフの変位拡大作用をXY力方向利用すること
ができ、探針の走査範囲の拡大が可能となる。
第1図の(a)は本発明の第1の実施例の概略図、(b
)は動作説明図、(C)は断面図、第2図の(a)は本
発明の第2の実施例の概略図、(b)は動作説明図、(
C)は断面図、第3図は本発明の第3の実施例の概略図
、第4図は本発明の第4の実施例の概略図、第5図は従
来例の説明図である。 1・・・シリコン基板 2a、2b、4a、4b−2分割電極 5・・・圧電体 7・・・探針 10.12,14,15,16.17・・・圧電バイモ
ルフ部材 9a、9b、9c・・・ポンディングパッド102・・
・探針駆動機構 103・・・記録媒体 105・・・2方向粗動用圧電素子 106・・・バイアス回路 107・・・トンネル電流検出回路 108・・・パルス印加回路 109・・・XY位置制御回路 110・・・Z方向サーボ回路 112・・・制置回路
)は動作説明図、(C)は断面図、第2図の(a)は本
発明の第2の実施例の概略図、(b)は動作説明図、(
C)は断面図、第3図は本発明の第3の実施例の概略図
、第4図は本発明の第4の実施例の概略図、第5図は従
来例の説明図である。 1・・・シリコン基板 2a、2b、4a、4b−2分割電極 5・・・圧電体 7・・・探針 10.12,14,15,16.17・・・圧電バイモ
ルフ部材 9a、9b、9c・・・ポンディングパッド102・・
・探針駆動機構 103・・・記録媒体 105・・・2方向粗動用圧電素子 106・・・バイアス回路 107・・・トンネル電流検出回路 108・・・パルス印加回路 109・・・XY位置制御回路 110・・・Z方向サーボ回路 112・・・制置回路
Claims (4)
- (1)電極を長手方向に分割した圧電バイモルフ部材が
少なくとも2本直交して形成され、その一端は基板に固
定され、他端には探針が設けられていることを特徴とす
る探針駆動機構。 - (2)請求項(1)に記載の探針駆動機構が、探針に関
して線対称となるよう門型に形成されていることを特徴
とする探針駆動機構。 - (3)請求項(1)に記載の探針駆動機構、該探針と観
察すべき試料媒体とを相対的に移動させる手段及び探針
と試料媒体の間に電圧を印加する手段を備えたことを特
徴とする情報処理装置。 - (4)請求項(1)に記載の探針駆動機構、該探針と記
録媒体とを相対的に移動させる手段及び探針と記録媒体
との間に電圧を印加する手段を備えたことを特徴とする
情報処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32962790A JPH04205828A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 探針駆動機構、それを備えた情報処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32962790A JPH04205828A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 探針駆動機構、それを備えた情報処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04205828A true JPH04205828A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18223468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32962790A Pending JPH04205828A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 探針駆動機構、それを備えた情報処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04205828A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0709835A3 (en) * | 1994-10-28 | 1996-07-03 | Hewlett Packard Co | Probe apparatus with reduced misalignment of conductive needles |
WO1997004451A1 (en) * | 1995-07-21 | 1997-02-06 | Carnegie Mellon University | Microelectromechanical structure and process of making same |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP32962790A patent/JPH04205828A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0709835A3 (en) * | 1994-10-28 | 1996-07-03 | Hewlett Packard Co | Probe apparatus with reduced misalignment of conductive needles |
US5600137A (en) * | 1994-10-28 | 1997-02-04 | Hewlett-Packard Company | Probe apparatus having reduced misalignment of conductive needles |
WO1997004451A1 (en) * | 1995-07-21 | 1997-02-06 | Carnegie Mellon University | Microelectromechanical structure and process of making same |
US5717631A (en) * | 1995-07-21 | 1998-02-10 | Carnegie Mellon University | Microelectromechanical structure and process of making same |
US5970315A (en) * | 1995-07-21 | 1999-10-19 | Carnegie Mellon University | Microelectromechanical structure and process of making same |
DE19680763B4 (de) * | 1995-07-21 | 2008-08-14 | Carnegie Mellon University | Verfahren zur Herstellung einer mikroelektromechanischen Vorrichtung |
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