JPH04200622A - 複合半透膜の処理方法 - Google Patents
複合半透膜の処理方法Info
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- JPH04200622A JPH04200622A JP33431190A JP33431190A JPH04200622A JP H04200622 A JPH04200622 A JP H04200622A JP 33431190 A JP33431190 A JP 33431190A JP 33431190 A JP33431190 A JP 33431190A JP H04200622 A JPH04200622 A JP H04200622A
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Landscapes
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、複合半透膜の処理方法に関し、詳しくは複合
半透膜を多官能性架橋剤で処理してその除去性能を向上
させる方法に関する。
半透膜を多官能性架橋剤で処理してその除去性能を向上
させる方法に関する。
かかる本発明による複合半透膜は、例えは、かん水、海
水等の脱塩による淡水化や、半導体の製造に必要とされ
る超純水の製造等に好適に用いることかできる。
水等の脱塩による淡水化や、半導体の製造に必要とされ
る超純水の製造等に好適に用いることかできる。
近年、逆浸透膜として多孔性基材上に半透性を有する薄
膜を形成させた複合半透膜か種々提案されている。
膜を形成させた複合半透膜か種々提案されている。
このような複合半透膜は一般に、多孔性基材上に反応性
基質の水溶液を塗布した後、ヘキサンのような水非混和
性の有機溶剤に溶解したトリレンジイソシアネート、塩
化イソフタロイル、トリメシン酸クロライド等の多官能
性架橋剤の溶液と接触させ、水相と有機相の界面で反応
性基質を架橋剤と反応させる界面反応を利用して、半透
性を有する薄膜(緻密層)を形成させることにより製造
されている。
基質の水溶液を塗布した後、ヘキサンのような水非混和
性の有機溶剤に溶解したトリレンジイソシアネート、塩
化イソフタロイル、トリメシン酸クロライド等の多官能
性架橋剤の溶液と接触させ、水相と有機相の界面で反応
性基質を架橋剤と反応させる界面反応を利用して、半透
性を有する薄膜(緻密層)を形成させることにより製造
されている。
具体的には、例えば多孔性基材にポリスルホン限外濾過
膜を用い、反応性基質としてポリエチレンイミンを用い
た複合半透膜(特開昭49−133282号)、アミン
変性エビクロロヒドリンを用いた複合半透膜(特公昭5
5−38164号)、ポリエチレンイミン等の水溶性重
合体とポリアミノ化合物単量体混合物を用いた複合半透
膜(特開昭57−27101号及び特開昭57−271
02号)、多官能芳香族アミンと多官能酸ハロゲン化物
との界面重合によって得られるポリアミドからなる薄膜
が、多孔性基材上に形成された複合半透膜(特公昭63
−36803号)等が知られている。
膜を用い、反応性基質としてポリエチレンイミンを用い
た複合半透膜(特開昭49−133282号)、アミン
変性エビクロロヒドリンを用いた複合半透膜(特公昭5
5−38164号)、ポリエチレンイミン等の水溶性重
合体とポリアミノ化合物単量体混合物を用いた複合半透
膜(特開昭57−27101号及び特開昭57−271
02号)、多官能芳香族アミンと多官能酸ハロゲン化物
との界面重合によって得られるポリアミドからなる薄膜
が、多孔性基材上に形成された複合半透膜(特公昭63
−36803号)等が知られている。
このような複合半透膜は、従来の酢酸セルロース膜に代
表される非対称膜に比較して、除去性、透水性、耐熱性
等の点て優れているが、実際に使用される用途によって
は、なお除去性能が十分てはなく、さらにその改善か要
望されている。 例えば、半導体の高容量化に伴いさら
にクリーンな超純水が要求されてきたり、また、海水の
1段脱塩等を満たすためには、現在の複合半透膜では不
十分てあり、さらに高い除去性能及び水透過性を有する
複合半透膜か求められている。
表される非対称膜に比較して、除去性、透水性、耐熱性
等の点て優れているが、実際に使用される用途によって
は、なお除去性能が十分てはなく、さらにその改善か要
望されている。 例えば、半導体の高容量化に伴いさら
にクリーンな超純水が要求されてきたり、また、海水の
1段脱塩等を満たすためには、現在の複合半透膜では不
十分てあり、さらに高い除去性能及び水透過性を有する
複合半透膜か求められている。
本発明はかかる問題点を解決するためになされたもので
あって、上記の複合半透膜にさらに多官能性架橋剤の溶
液を接触させることにより、酸膜の除去性を向上させる
ことかできる処理方法に関する。
あって、上記の複合半透膜にさらに多官能性架橋剤の溶
液を接触させることにより、酸膜の除去性を向上させる
ことかできる処理方法に関する。
即ち本発明は、多孔性基材上に、1分子中に2個以上の
官能基を有する反応性基質が上記官能基と反応し得る多
官能性架橋剤で架橋されてなる半透性薄膜が形成されて
いる複合半透膜を、さらに多官能性架橋剤と接触させて
、その除去性能を向上させることを特徴とする複合半透
膜の処理方法を提供する。
官能基を有する反応性基質が上記官能基と反応し得る多
官能性架橋剤で架橋されてなる半透性薄膜が形成されて
いる複合半透膜を、さらに多官能性架橋剤と接触させて
、その除去性能を向上させることを特徴とする複合半透
膜の処理方法を提供する。
本発明において用いる多孔性基材は、薄膜を支持し得る
ものである限り特に限定されないが、通常、表面に孔径
10〜500人の微孔を有する限外濾過膜が用いられる
。 素材としては、例えば、ポリスルホン、ポリエーテ
ルスルホン、ポリアクリロニトリル、ポリイミド、ポリ
アミド、エチレン−ビニルアルコール共重合体、酢酸セ
ルロース等か挙げられるが、特に耐熱性、耐酸化剤性等
の点から、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン等か好
ましい。 またこのような多孔質膜は織布、不織布等で
裏打ち補強されていてもよい。
ものである限り特に限定されないが、通常、表面に孔径
10〜500人の微孔を有する限外濾過膜が用いられる
。 素材としては、例えば、ポリスルホン、ポリエーテ
ルスルホン、ポリアクリロニトリル、ポリイミド、ポリ
アミド、エチレン−ビニルアルコール共重合体、酢酸セ
ルロース等か挙げられるが、特に耐熱性、耐酸化剤性等
の点から、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン等か好
ましい。 またこのような多孔質膜は織布、不織布等で
裏打ち補強されていてもよい。
本発明において用いる反応性基質とは、1分子中に2個
以上の官能基を有する単量体、オリゴマー及びポリマー
をいい、従来より多官能性架橋剤により架橋、重合して
、半透性を有する薄膜を形成することが知られている任
意の反応性基質を含む。 上記官能基としては、アミノ
基、水酸基、千オール基、カルボキシル基、アミド基、
尿素基等を挙げることができるが、特に除去性能を高く
するという点からアミノ基、水酸基が好ましい。
以上の官能基を有する単量体、オリゴマー及びポリマー
をいい、従来より多官能性架橋剤により架橋、重合して
、半透性を有する薄膜を形成することが知られている任
意の反応性基質を含む。 上記官能基としては、アミノ
基、水酸基、千オール基、カルボキシル基、アミド基、
尿素基等を挙げることができるが、特に除去性能を高く
するという点からアミノ基、水酸基が好ましい。
これらの反応性基質は水溶性であることを要し、ここで
水溶性とは室温において水又は炭素数1〜4の脂肪族ア
ルコールと水との混合溶剤に0.1重量%以上の溶解性
を有することを意味する。
水溶性とは室温において水又は炭素数1〜4の脂肪族ア
ルコールと水との混合溶剤に0.1重量%以上の溶解性
を有することを意味する。
従って、本発明において好ましく用いられる反応性基質
の具体例としては、ポリエチレンイミン、アミン変性ポ
リエビクロロヒドリン、アミン変性(エビクロロヒドリ
ン−酸化エチレン)共重合体、ポリビニルアルコール、
アミノ化ポリスチレン、ヒドロキシル化ポリスチレン、
アミノ化ポリスルホン等の水溶性ポリマー、ピペラジン
−トリメジ酸クロライドオリゴマー等の水溶性オリゴマ
ー、エチレンジアミン、ピペラジン、アミノピペリジン
、フェニレンジアミン等の単量体、及びこれらの任意の
2以上の混合物を挙げることかできる。
の具体例としては、ポリエチレンイミン、アミン変性ポ
リエビクロロヒドリン、アミン変性(エビクロロヒドリ
ン−酸化エチレン)共重合体、ポリビニルアルコール、
アミノ化ポリスチレン、ヒドロキシル化ポリスチレン、
アミノ化ポリスルホン等の水溶性ポリマー、ピペラジン
−トリメジ酸クロライドオリゴマー等の水溶性オリゴマ
ー、エチレンジアミン、ピペラジン、アミノピペリジン
、フェニレンジアミン等の単量体、及びこれらの任意の
2以上の混合物を挙げることかできる。
また本発明で用いる多官能性架橋剤とは、前記反応性基
質の有する官能基と反応し得る官能基を1分子中に2個
以上有する化合物をいい、後者の官能基の具体例として
、酸ハライド基、酸無水物基、イソシアネート基、ハロ
ゲンスルホニル基、ハロホルメート基、N−ハロホルミ
ル基等を挙げることかできる。
質の有する官能基と反応し得る官能基を1分子中に2個
以上有する化合物をいい、後者の官能基の具体例として
、酸ハライド基、酸無水物基、イソシアネート基、ハロ
ゲンスルホニル基、ハロホルメート基、N−ハロホルミ
ル基等を挙げることかできる。
従って好ましい多官能性架橋剤の具体例として、塩化イ
ソフタロイル、塩化テレフタロイル、5O2CI G1ω 02C1 (J(3 CHIN■ GO 等、及びこれらの任意の2以上の混合物を挙げることか
できる。 本発明においては特に、膜の除去性能を高く
するという点から、塩化イソフタロイル、トリメシン酸
クロライド、ブタンテトラカルホン酸クロライド等がか
好ましい。
ソフタロイル、塩化テレフタロイル、5O2CI G1ω 02C1 (J(3 CHIN■ GO 等、及びこれらの任意の2以上の混合物を挙げることか
できる。 本発明においては特に、膜の除去性能を高く
するという点から、塩化イソフタロイル、トリメシン酸
クロライド、ブタンテトラカルホン酸クロライド等がか
好ましい。
本発明か適用される複合半透膜は、前記多孔性基材上に
、反応性基質を含む水溶液を塗布又は含浸させ、次いて
多官能性架橋剤を含む水非混和性有機溶剤溶液と接触さ
せ、界面反応によって反応性基質を架橋、重合させて薄
膜を形成させたもので、必要に応じて加熱処理されたも
のを含む。
、反応性基質を含む水溶液を塗布又は含浸させ、次いて
多官能性架橋剤を含む水非混和性有機溶剤溶液と接触さ
せ、界面反応によって反応性基質を架橋、重合させて薄
膜を形成させたもので、必要に応じて加熱処理されたも
のを含む。
本発明は、上記複合半透膜をさらに多官能性架橋剤と接
触させ処理するものである。
触させ処理するものである。
ここで使用する多官能性架橋剤は、前記したものと同様
のものの内から任意に選択でき、複合半透膜製造の際に
使用したものと同一、もしくは他のものを使用すること
かできる。
のものの内から任意に選択でき、複合半透膜製造の際に
使用したものと同一、もしくは他のものを使用すること
かできる。
上記架橋剤の溶媒としては、用いる架橋剤をよ(溶解し
、かつ処理する複合半透膜を溶解又は膨潤させないもの
であれば特に限定されず、好ましくは炭素数が5〜8の
脂肪族及び脂環族炭化水素か用いられ、具体例として、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロペン
タン、シクロヘキサン、石油エーテル等を挙げることか
できる。
、かつ処理する複合半透膜を溶解又は膨潤させないもの
であれば特に限定されず、好ましくは炭素数が5〜8の
脂肪族及び脂環族炭化水素か用いられ、具体例として、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロペン
タン、シクロヘキサン、石油エーテル等を挙げることか
できる。
架橋剤溶液の濃度は、通常0.05〜lO重量%、好ま
しくは0.1〜5重量%である。 また、複合半透膜と
の接触温度及び時間は、使用する複合半透膜の種類、ま
たは架橋剤の種類及び濃度によっても異なるが、通常1
0〜60°C1例えば室温にて5〜10分間程度である
。 複合半透膜への架橋剤の接触は、複合半透膜の表面
に架橋剤溶液を塗布したり、複合半透膜を架橋剤溶液中
に浸漬することによって行われる。 また、該処理を十
分に行わせるために、必要に応じて加熱処理を行うこと
もてきる。
しくは0.1〜5重量%である。 また、複合半透膜と
の接触温度及び時間は、使用する複合半透膜の種類、ま
たは架橋剤の種類及び濃度によっても異なるが、通常1
0〜60°C1例えば室温にて5〜10分間程度である
。 複合半透膜への架橋剤の接触は、複合半透膜の表面
に架橋剤溶液を塗布したり、複合半透膜を架橋剤溶液中
に浸漬することによって行われる。 また、該処理を十
分に行わせるために、必要に応じて加熱処理を行うこと
もてきる。
加熱温度は40−180°C1好ましくは90〜150
℃であり、加熱時間は1〜60分間、好ましくは2〜3
0分間である。
℃であり、加熱時間は1〜60分間、好ましくは2〜3
0分間である。
上記した本発明の処理方法により、複合半透膜の除去性
能を向上させることかできる。 この理由は明確ではな
いが、界面架橋で得られた複合半造膜を再度架橋剤と接
触させることによって、その架橋度を増加させることに
よる効果と推察される。
能を向上させることかできる。 この理由は明確ではな
いが、界面架橋で得られた複合半造膜を再度架橋剤と接
触させることによって、その架橋度を増加させることに
よる効果と推察される。
本発明によって処理された複合半透膜は、従来の複合半
透膜と比較して除去性能か格段向上しているため、特に
クリーンな水か要求される分野、例えば、かん水、海水
等の脱塩による淡水化や、半導体の製造に必要とされる
超純水の製造等に好適に用いることができる。
透膜と比較して除去性能か格段向上しているため、特に
クリーンな水か要求される分野、例えば、かん水、海水
等の脱塩による淡水化や、半導体の製造に必要とされる
超純水の製造等に好適に用いることができる。
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこ
れら実施例により何ら限定されるものではない。
れら実施例により何ら限定されるものではない。
実施例1
特開昭57−27102号公報に記載された方法に基づ
き、ポリスルホン製限外濾過膜からなる多孔性基材上で
、ポリビニルアルコールとピペラジンとトリメシン酸ク
ロライドを架橋させて複合半透膜を得た。
き、ポリスルホン製限外濾過膜からなる多孔性基材上で
、ポリビニルアルコールとピペラジンとトリメシン酸ク
ロライドを架橋させて複合半透膜を得た。
この膜の表面を、処理用の多官能性架橋剤として1%ト
リメシン酸クロライドのへキサン溶液で30秒間接触さ
せ、120℃の温度で4分間加熱処理して本発明の複合
半透膜を得た。 かかる処理した膜に、塩化ナトリウム
の2000ppm水溶液を25°C1圧力15kg/c
arの条件下て逆浸透試験を行ったところ、除去率91
.1%、透水量1.00m / rrt−dてあった。
リメシン酸クロライドのへキサン溶液で30秒間接触さ
せ、120℃の温度で4分間加熱処理して本発明の複合
半透膜を得た。 かかる処理した膜に、塩化ナトリウム
の2000ppm水溶液を25°C1圧力15kg/c
arの条件下て逆浸透試験を行ったところ、除去率91
.1%、透水量1.00m / rrt−dてあった。
実施例2
実施例1において処理用の架橋剤として、1%ブタンテ
トラカルホン酸クロライドのヘキサン溶液を用いた以外
は実施例1と同様にして処理した。
トラカルホン酸クロライドのヘキサン溶液を用いた以外
は実施例1と同様にして処理した。
その膜性能は、除去率92.2%、透水量1.22rn
’/rtf・dてあった。
’/rtf・dてあった。
比較例1
実施例1において処理用の架橋剤で処理しなかった以外
は実施例1と同様にして得た複合半透膜の逆浸透試験を
行ったところ、除去率85.3%、透水量I、89rn
’ / rd−dてあった。
は実施例1と同様にして得た複合半透膜の逆浸透試験を
行ったところ、除去率85.3%、透水量I、89rn
’ / rd−dてあった。
実施例3
ポリスルホン製限外濾過膜からなる多孔性基材上で、メ
タフェニレンジアミン、ポリビニルアルコールとトリメ
シン酸クロライドを架橋させて複合半透膜を得た。
タフェニレンジアミン、ポリビニルアルコールとトリメ
シン酸クロライドを架橋させて複合半透膜を得た。
この膜の表面を、処理用の多官能性架橋剤として5%ト
リメシン酸クロライドのへキサン溶液で10秒間接触さ
せ、100°Cの温度で4分間加熱処理して本発明の複
合半透膜を得た。 かかる膜の逆浸透性能は、実施例1
と同し条件下で、除去率99.0%、透水量0.25
rn’ /’rd−dであった。
リメシン酸クロライドのへキサン溶液で10秒間接触さ
せ、100°Cの温度で4分間加熱処理して本発明の複
合半透膜を得た。 かかる膜の逆浸透性能は、実施例1
と同し条件下で、除去率99.0%、透水量0.25
rn’ /’rd−dであった。
実施例4〜6
実施例3において処理用架橋剤の濃度を次表に示すよう
にした以外は、実施例3と同様にして処理した。 その
逆浸透性能を表に併せて示す。
にした以外は、実施例3と同様にして処理した。 その
逆浸透性能を表に併せて示す。
比較例2
実施例3において処理用架橋剤で処理しなかった以外は
、実施例3と同様にして逆浸透試験を行い、その性能を
表に併せて示す。
、実施例3と同様にして逆浸透試験を行い、その性能を
表に併せて示す。
Claims (3)
- (1)多孔性基材上に、1分子中に2個以上の官能基を
有する反応性基質が上記官能基と反応し得る多官能性架
橋剤で架橋されてなる半透性薄膜が形成されている複合
半透膜を、さらに多官能性架橋剤と接触させて、その除
去性能を向上させることを特徴とする複合半透膜の処理
方法。 - (2)反応性基質の有する官能基が、アミノ基及び/又
は水酸基であることを特徴とする請求項(1)記載の複
合半透膜の処理方法。 - (3)多官能性架橋剤が、酸ハライド基、イソシアネー
ト基、酸無水物基、ハロゲンスルホニル基、ハロホルメ
ート基及びN−ハロホルメート基から選ばれる官能基を
2個以上有する化合物であることを特徴とする請求項(
1)記載の複合半透膜の処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33431190A JPH04200622A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 複合半透膜の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33431190A JPH04200622A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 複合半透膜の処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04200622A true JPH04200622A (ja) | 1992-07-21 |
Family
ID=18275936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33431190A Pending JPH04200622A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 複合半透膜の処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04200622A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4472028B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2010-06-02 | 日東電工株式会社 | 複合逆浸透膜およびその製造方法 |
JP2011078980A (ja) * | 2003-06-18 | 2011-04-21 | Toray Ind Inc | 複合半透膜およびその製造方法 |
WO2018003944A1 (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-04 | 東レ株式会社 | 複合半透膜および複合半透膜の製造方法 |
WO2022024452A1 (ja) * | 2020-07-27 | 2022-02-03 | 栗田工業株式会社 | 選択性透過膜の製造方法及び水処理方法 |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP33431190A patent/JPH04200622A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4472028B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2010-06-02 | 日東電工株式会社 | 複合逆浸透膜およびその製造方法 |
JP2011078980A (ja) * | 2003-06-18 | 2011-04-21 | Toray Ind Inc | 複合半透膜およびその製造方法 |
WO2018003944A1 (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-04 | 東レ株式会社 | 複合半透膜および複合半透膜の製造方法 |
WO2022024452A1 (ja) * | 2020-07-27 | 2022-02-03 | 栗田工業株式会社 | 選択性透過膜の製造方法及び水処理方法 |
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