JPH04199621A - シリコンウエーハの弗酸浸漬処理方法 - Google Patents
シリコンウエーハの弗酸浸漬処理方法Info
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- JPH04199621A JPH04199621A JP32603890A JP32603890A JPH04199621A JP H04199621 A JPH04199621 A JP H04199621A JP 32603890 A JP32603890 A JP 32603890A JP 32603890 A JP32603890 A JP 32603890A JP H04199621 A JPH04199621 A JP H04199621A
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- silicon wafer
- aqueous solution
- fluoric acid
- hydrofluoric acid
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Landscapes
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、シリコンウェーハ製造工程中、シリコンウ
ェー八表面を均一にエツチングするための弗酸浸漬処理
方法に関する。
ェー八表面を均一にエツチングするための弗酸浸漬処理
方法に関する。
（従来の技術）
従来の弗酸浸漬処理は、弗酸水溶液を収納した処理槽に
シリコンウェーハを浸漬し、その後、洗浄槽にて純水オ
ーバーフロー洗浄を行い、そしてスピンナーて乾燥させ
て行われている。
シリコンウェーハを浸漬し、その後、洗浄槽にて純水オ
ーバーフロー洗浄を行い、そしてスピンナーて乾燥させ
て行われている。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、第１図に示すように、弗酸処理を受けるシリ
コンウェーハ１の表面には、自然酸化膜２が形成され、
該自然酸化膜２中には吸着水分３等不純物が形成され、
該自然酸化膜２中には吸着水分３等不純物が混在してい
る。そして、上記吸着水分等は、必ずしも均一に分布し
ているとは限らず、第２図に示すように不均一に分布し
ている場合には、上記弗酸処理時に弗酸４がエツチング
を受けているシリコンウェーハ１表面に均一に到達せず
（到達ラインを符合「イ」で示す）、その結果、均一な
エツチングができず、エツチングムラやクモリが目視に
よっても認められるという問題を生じていた。
コンウェーハ１の表面には、自然酸化膜２が形成され、
該自然酸化膜２中には吸着水分３等不純物が形成され、
該自然酸化膜２中には吸着水分３等不純物が混在してい
る。そして、上記吸着水分等は、必ずしも均一に分布し
ているとは限らず、第２図に示すように不均一に分布し
ている場合には、上記弗酸処理時に弗酸４がエツチング
を受けているシリコンウェーハ１表面に均一に到達せず
（到達ラインを符合「イ」で示す）、その結果、均一な
エツチングができず、エツチングムラやクモリが目視に
よっても認められるという問題を生じていた。
本発明は、上記問題点を解決するシリコンウェーへ〇弗
酸浸漬処理方法を提案すべくなされた。
酸浸漬処理方法を提案すべくなされた。
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、シリコンウェーハを弗酸水溶液に浸
漬し、純水洗浄更には乾燥を行うシリコンウェーハの弗
酸浸漬処理方法において、シリコンウェーハを弗酸水溶
液に浸漬する前に、当該シリコンウェーハを０．０１〜
５％の界面活性剤水溶液に１〜６０秒間浸漬することを
特徴とするものである。
漬し、純水洗浄更には乾燥を行うシリコンウェーハの弗
酸浸漬処理方法において、シリコンウェーハを弗酸水溶
液に浸漬する前に、当該シリコンウェーハを０．０１〜
５％の界面活性剤水溶液に１〜６０秒間浸漬することを
特徴とするものである。
なお１．界面活性剤としては、市販の種々なものが使用
可能てあり、該界面活性剤の最適使用濃度はそれぞれ異
なる。そこで、本発明では一般的に使用されている界面
活性剤の効能適用濃度であるｒＯ，０１〜５％」を以っ
て濃度限定とした。
可能てあり、該界面活性剤の最適使用濃度はそれぞれ異
なる。そこで、本発明では一般的に使用されている界面
活性剤の効能適用濃度であるｒＯ，０１〜５％」を以っ
て濃度限定とした。
また、界面活性剤水溶液に対す、る浸漬時間を「１〜６
０秒」としているが、この時間はシリコンウェー八表面
に界面活性剤を十分付着させるに足る時間を意味する。
０秒」としているが、この時間はシリコンウェー八表面
に界面活性剤を十分付着させるに足る時間を意味する。
したがって、界面活性剤の種類によっては１秒ても十分
である。但し６０秒以上は時間の無駄となる。
である。但し６０秒以上は時間の無駄となる。
（作 用）
本発明のようにシリコンウェーハ１を界面活性剤水溶液
５に投入すると、第３図に示すように、界面活性剤６の
親水基７が醇化膜２に結合し、したがって疎水基８側が
揃った表面平滑な膜層９を形成する。
５に投入すると、第３図に示すように、界面活性剤６の
親水基７が醇化膜２に結合し、したがって疎水基８側が
揃った表面平滑な膜層９を形成する。
この状態下にシリコンウェーハ１を弗酸水溶液１０に入
れると、第４図に示すように、弗酸４が均等にシリコン
ウェーハ１表面に到達しく到達ラインを符合「口」で示
す）、均一なエツチングを具現する。
れると、第４図に示すように、弗酸４が均等にシリコン
ウェーハ１表面に到達しく到達ラインを符合「口」で示
す）、均一なエツチングを具現する。
（実施例）
以下、本発明を更に第５図、第６図に基づいて説明する
。
。
第５図は、本発明の一実施例を示したフローチャートで
あって、従来法に比較すると本発明法は、前処理工程（
Ａ）が加わっている点に相違がある。
あって、従来法に比較すると本発明法は、前処理工程（
Ａ）が加わっている点に相違がある。
具体的には、純水を溜めたテフロン槽１１に界面活性剤
６（商標名ＮＣＷ６０１Ａ、和光純薬株式会社製）を０
．１％投入して撹拌し、かくして作成された界面活性剤
水溶液５中に、キャリア１２に収めたシリコンウェーハ
１を１０秒間浸漬処理する。
６（商標名ＮＣＷ６０１Ａ、和光純薬株式会社製）を０
．１％投入して撹拌し、かくして作成された界面活性剤
水溶液５中に、キャリア１２に収めたシリコンウェーハ
１を１０秒間浸漬処理する。
尚、上記実施例で界面活性剤６を０．１％投入した理由
は、第６図に示すように、本発明の効果を得るためには
、ＮＣＷ６０１Ａの場合、０．１％もあれば十分である
という理由に基づく。
は、第６図に示すように、本発明の効果を得るためには
、ＮＣＷ６０１Ａの場合、０．１％もあれば十分である
という理由に基づく。
かくして、シリコンウェーハ１の表面に界面活性剤６を
吸着させた後、従来法同様の処理を行う。
吸着させた後、従来法同様の処理を行う。
すなわち、循環濾過機構を設けた浸漬処理槽１３内に１
０％弗酸水溶液１０を入れ、該水溶液１０中に上記前処
理済みＳＩウェーハ１を投入して浸漬処理を行ない、そ
の後に洗浄槽１４．Ｉｓにて純水洗浄をオーバーフロー
にて行い、最後にスピンナーにて乾燥させる。この例に
よれば、エツチングやクモリが約２％以下に抑えられる
。因みに、従来法に依る場合のエツチングやクモリの発
生は約５０％以上である。
０％弗酸水溶液１０を入れ、該水溶液１０中に上記前処
理済みＳＩウェーハ１を投入して浸漬処理を行ない、そ
の後に洗浄槽１４．Ｉｓにて純水洗浄をオーバーフロー
にて行い、最後にスピンナーにて乾燥させる。この例に
よれば、エツチングやクモリが約２％以下に抑えられる
。因みに、従来法に依る場合のエツチングやクモリの発
生は約５０％以上である。
なお、上記浸漬処理槽１３の循環濾過機構は、ポンプ１
６及びフィルタ１７を備えたものを図示しているが、更
にイオン交換樹脂等による清浄化装置（図示せず）を配
する等の設計変更を行ってもよい。
６及びフィルタ１７を備えたものを図示しているが、更
にイオン交換樹脂等による清浄化装置（図示せず）を配
する等の設計変更を行ってもよい。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、弗酸水溶液に浸
漬されるシリコンウェーハの表面に界面活性剤か平滑な
表面を形成しながら、吸着されていて、弗酸の到達ライ
ンが均一化されるので、シリコンウェー八表面は均一に
エツチングされることとなり、この結果、エツチングム
ラやクモリの発生を可及的に少なくすることができるも
のとなる。
漬されるシリコンウェーハの表面に界面活性剤か平滑な
表面を形成しながら、吸着されていて、弗酸の到達ライ
ンが均一化されるので、シリコンウェー八表面は均一に
エツチングされることとなり、この結果、エツチングム
ラやクモリの発生を可及的に少なくすることができるも
のとなる。
第１図はシリコンウェーハの表面状態説明図、第２図は
従来法による弗酸の到達ライン説明図、第３図は界面活
性剤による膜形成説明図、第４図は本発明方法による場
合の弗酸到達ラインの説明図、第５図は一実施例を示す
フローチャート、第６図は界面活性剤濃度とエツチング
ムラ及びクモリ発生率との関係を例示したグラフである
。 １・・・シリコンウェーハ ５・・・界面活性剤水溶液 １０・・・弗酸水溶液 特許出願人 九州電子金属株式会社 特許出願人 大阪チタニウム製造株式会社代 理 人
弁理士 森 正 製筒１図 第
２図 第３図 第４図 手続補正書００、） 平成３年１２月２５日 特許庁長官 深 沢 亘 殿 工 事件の表示 平成２年 特許願 第３２６０３８号 ２ 発明の名称 シリコンウェーハの弗酸浸漬処理方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者井上端夫 ４ 代理人 〒１６４電話（０３） ３３７３−９５１
０住所 東京都中野区本町２丁目９番１０号６ 補正
の対象 ７ 補正の内容 明細書第３頁第１６行〜同第１７行の「但し６０秒以上
は時間の無駄となる。」を「又６０秒以上の浸漬を行っ
てもウェー八表面上問題はない。Ｊと訂正する。
従来法による弗酸の到達ライン説明図、第３図は界面活
性剤による膜形成説明図、第４図は本発明方法による場
合の弗酸到達ラインの説明図、第５図は一実施例を示す
フローチャート、第６図は界面活性剤濃度とエツチング
ムラ及びクモリ発生率との関係を例示したグラフである
。 １・・・シリコンウェーハ ５・・・界面活性剤水溶液 １０・・・弗酸水溶液 特許出願人 九州電子金属株式会社 特許出願人 大阪チタニウム製造株式会社代 理 人
弁理士 森 正 製筒１図 第
２図 第３図 第４図 手続補正書００、） 平成３年１２月２５日 特許庁長官 深 沢 亘 殿 工 事件の表示 平成２年 特許願 第３２６０３８号 ２ 発明の名称 シリコンウェーハの弗酸浸漬処理方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者井上端夫 ４ 代理人 〒１６４電話（０３） ３３７３−９５１
０住所 東京都中野区本町２丁目９番１０号６ 補正
の対象 ７ 補正の内容 明細書第３頁第１６行〜同第１７行の「但し６０秒以上
は時間の無駄となる。」を「又６０秒以上の浸漬を行っ
てもウェー八表面上問題はない。Ｊと訂正する。
Claims (1)
- シリコンウェーハを弗酸水溶液に浸漬し、純水洗浄更に
は乾燥を行うシリコンウェーハの弗酸浸漬処理方法にお
いて、シリコンウェーハを弗酸水溶液に浸漬する前に、
当該シリコンウェーハを０．０１〜５％の界面活性剤水
溶液に１〜６０秒間浸漬することを特徴とするシリコン
ウェーハの弗酸浸漬処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32603890A JPH04199621A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | シリコンウエーハの弗酸浸漬処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32603890A JPH04199621A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | シリコンウエーハの弗酸浸漬処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199621A true JPH04199621A (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=18183409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32603890A Pending JPH04199621A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | シリコンウエーハの弗酸浸漬処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199621A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0863541A1 (en) * | 1994-02-12 | 1998-09-09 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for the production of a semiconductor single crystalline substrate having a chamfer and a protecting film |
| CN111192817A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-22 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种芯片镭射切割后的处理方法 |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP32603890A patent/JPH04199621A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0863541A1 (en) * | 1994-02-12 | 1998-09-09 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for the production of a semiconductor single crystalline substrate having a chamfer and a protecting film |
| CN111192817A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-22 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种芯片镭射切割后的处理方法 |
| CN111192817B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-10-11 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种芯片镭射切割后的处理方法 |
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