JPH04199508A - イオン注入方法 - Google Patents
イオン注入方法Info
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- JPH04199508A JPH04199508A JP33583490A JP33583490A JPH04199508A JP H04199508 A JPH04199508 A JP H04199508A JP 33583490 A JP33583490 A JP 33583490A JP 33583490 A JP33583490 A JP 33583490A JP H04199508 A JPH04199508 A JP H04199508A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、イオン注入方法に関し、特に化合物半導体
を用いたデバイスにおいてイオンを安定して注入できる
方法に関するものである。
を用いたデバイスにおいてイオンを安定して注入できる
方法に関するものである。
第３図は例えば絶縁体であるＧａＡｓウェハにシリコン
（Ｓ ｉ）をイオン注入する場合の従来のこの種のイオ
ン注入方法のプロセスフロー図を示す。なお上記ＧａＡ
ｓウェハは絶縁体であるため、湿度等の関係からウェハ
表面に電荷が帯電しやすい状態となっている。図におい
て、１は選択注入するための注入レジストパターンを形
成する工程であり、２はイオン照射工程、３は注入レジ
スト除去工程を示している。
（Ｓ ｉ）をイオン注入する場合の従来のこの種のイオ
ン注入方法のプロセスフロー図を示す。なお上記ＧａＡ
ｓウェハは絶縁体であるため、湿度等の関係からウェハ
表面に電荷が帯電しやすい状態となっている。図におい
て、１は選択注入するための注入レジストパターンを形
成する工程であり、２はイオン照射工程、３は注入レジ
スト除去工程を示している。
次にこの従来のイオン注入方法について説明する。
まず、前工程から送られてきたウェハ表面に注入領域の
パターンをレジスト等で形成する（工程１）。次に注入
すべき領域にイオン注入装置にて所定の注入量までイオ
ン注入を行い（工程２）、その後レジストの除去（工程
３）を行って後工程へ送り出している。
パターンをレジスト等で形成する（工程１）。次に注入
すべき領域にイオン注入装置にて所定の注入量までイオ
ン注入を行い（工程２）、その後レジストの除去（工程
３）を行って後工程へ送り出している。
従来のイオン注入方法では、以上のようなプロセスてイ
オンの注入を行っているか、イオン注入工程に送られて
（る、ウニ１１表面の帯電状態を管理できていないため
、イオン注入時にプロセス変動、即ち実際にイオンを注
入する量の変動をおこしてしまうため１、イオン注入に
より形成されるＦＥＴや注入抵抗等の特性が処理毎に変
動してしまうという問題点がある。
オンの注入を行っているか、イオン注入工程に送られて
（る、ウニ１１表面の帯電状態を管理できていないため
、イオン注入時にプロセス変動、即ち実際にイオンを注
入する量の変動をおこしてしまうため１、イオン注入に
より形成されるＦＥＴや注入抵抗等の特性が処理毎に変
動してしまうという問題点がある。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、安定したイオン注入特性が得られるイオン
注入方法を得ることを目的とする。
れたもので、安定したイオン注入特性が得られるイオン
注入方法を得ることを目的とする。
この発明に係るイオン注入方法は、被注入体表面をイオ
ンコーティングすることにより、被注入体表面を常に安
定な状態にして、イオン注入か行えるようにしたもので
ある。
ンコーティングすることにより、被注入体表面を常に安
定な状態にして、イオン注入か行えるようにしたもので
ある。
この発明におけるイオン注入方法は、上述のようなイオ
ンコーティングを行うようにしたので、常に安定な注入
特性が得られ、処理毎の特性変動か抑制されるため、安
定した歩留りで素子か形成できるようになる。
ンコーティングを行うようにしたので、常に安定な注入
特性が得られ、処理毎の特性変動か抑制されるため、安
定した歩留りで素子か形成できるようになる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の第１の実施例によるイオン注入方法の
フローチャートを示す。また第４図（ａ）。
フローチャートを示す。また第４図（ａ）。
（ｂ）はこの発明の実施例によるイオン注入方法の模式
図を示す。第１図において、２１は被注入体表面に対す
るイオンコーティング工程を示している。
図を示す。第１図において、２１は被注入体表面に対す
るイオンコーティング工程を示している。
次にこの工程の実施例によるイオン注入方法について説
明する。まず、前工程から送られてきたウェハ５３表面
に注入領域のパターンをレジスト５１等で形成する（工
程ｌ）。次に第４図（ａｌに示すように被注入体表面５
０に負のイオンフラックス５２、即ちイオン電荷を持っ
た粒子を照射して、前工程から送られてきた被注入体の
表面５０に、その初期状態が変わりなく一定の電位状態
になるように被注入体表面５０をイオンコーティングす
る（工程２１）。その後、注入すべき領域にイオン注入
装置にて所定の注入量までイオン注入を行う（工程２）
。最後にレジスト５１を除去を行って（工程３）、後工
程へ送り出している。
明する。まず、前工程から送られてきたウェハ５３表面
に注入領域のパターンをレジスト５１等で形成する（工
程ｌ）。次に第４図（ａｌに示すように被注入体表面５
０に負のイオンフラックス５２、即ちイオン電荷を持っ
た粒子を照射して、前工程から送られてきた被注入体の
表面５０に、その初期状態が変わりなく一定の電位状態
になるように被注入体表面５０をイオンコーティングす
る（工程２１）。その後、注入すべき領域にイオン注入
装置にて所定の注入量までイオン注入を行う（工程２）
。最後にレジスト５１を除去を行って（工程３）、後工
程へ送り出している。
以下、本発明の第２の実施例を図について説明する。第
２図は本発明の第２の実施例によるイオン注入方法のフ
ローチャートを示す。図において、１１は被注入体表面
に対する負イオン定着工程を示している。
２図は本発明の第２の実施例によるイオン注入方法のフ
ローチャートを示す。図において、１１は被注入体表面
に対する負イオン定着工程を示している。
次にこの工程の実施例によるイオン注入方法について説
明する。まず、前工程から送られてきたウェハの表面に
注入領域のパターンをレジスト５１等で形成する。次に
レジスト固化工程において、第４図（ｂ）に示すように
被注入体表面５０に負のイオンフラックス５２、即ちイ
オン電荷を持った粒子を照射して表面状態を負帯電化し
た後に固化ベーキングを実施して、レジスト５１内に負
イオンを定着させる（工程１１）。その後、注入すべき
領域にイオン注入装置にて所定の注入量までイオン注入
を行う（工程２）。最後にレジスト５１を除去を行って
（工程３）後工程へ送り出している。
明する。まず、前工程から送られてきたウェハの表面に
注入領域のパターンをレジスト５１等で形成する。次に
レジスト固化工程において、第４図（ｂ）に示すように
被注入体表面５０に負のイオンフラックス５２、即ちイ
オン電荷を持った粒子を照射して表面状態を負帯電化し
た後に固化ベーキングを実施して、レジスト５１内に負
イオンを定着させる（工程１１）。その後、注入すべき
領域にイオン注入装置にて所定の注入量までイオン注入
を行う（工程２）。最後にレジスト５１を除去を行って
（工程３）後工程へ送り出している。
このように上記２つの実施例では、前工程から送られて
きた被注入体の表面５０にイオンコーティング処理をす
ることによりウェハの表面状態を積極的に管理するよう
にしたので、前工程の変動影響を受けずに安定した注入
特性か得られ、安定した歩留りを実現できる。
きた被注入体の表面５０にイオンコーティング処理をす
ることによりウェハの表面状態を積極的に管理するよう
にしたので、前工程の変動影響を受けずに安定した注入
特性か得られ、安定した歩留りを実現できる。
なお、上記実施例ではウェハがＧａＡｓである場合を例
にとって説明したが、他の絶縁性の化合物半導体であっ
てもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
にとって説明したが、他の絶縁性の化合物半導体であっ
てもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明に係るイオン注入方法によれば
、前工程から送られてきた被注入体表面の変動をイオン
コーティング処理により一定状態に安定化するように構
成したので、前工程の変動影響を受けずに安定した注入
特性が得られ、安定した歩留りを実現できる効果かある
。
、前工程から送られてきた被注入体表面の変動をイオン
コーティング処理により一定状態に安定化するように構
成したので、前工程の変動影響を受けずに安定した注入
特性が得られ、安定した歩留りを実現できる効果かある
。
第１図は本発明の第１の実施例によるイオン注入方法を
示すフローチャート図、第２図は本発明の第２の実施例
によるイオン注入方法を示すフローチャート図、第３図
は従来例によるイオン注入方法のフローチャート図、第
４図（ａ）、 （ｂ）はこの発明の実施例によるイオン
注入方法を示す模式図である。 図において、１はパターン形成工程、２はイオン照射工
程、３はレジスト除去工程、１１はイオン定着工程、２
１はイオンコーティング工程、５０は被注入体表面、５
１はレジスト、５２はイオンフラックスである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
示すフローチャート図、第２図は本発明の第２の実施例
によるイオン注入方法を示すフローチャート図、第３図
は従来例によるイオン注入方法のフローチャート図、第
４図（ａ）、 （ｂ）はこの発明の実施例によるイオン
注入方法を示す模式図である。 図において、１はパターン形成工程、２はイオン照射工
程、３はレジスト除去工程、１１はイオン定着工程、２
１はイオンコーティング工程、５０は被注入体表面、５
１はレジスト、５２はイオンフラックスである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）被注入体表面にレジストパターンを形成するパタ
ーン形成工程と、 上記被注入体表面にイオンを選択的に注入するイオン照
射工程とを有するイオン注入方法において、 上記イオンビーム照射工程前に被注入体表面をイオンコ
ーティングする工程を含むことを特徴とするイオン注入
方法。 - （２）上記イオンコーティング工程は、上記レジストパ
ターン形成時にレジスト中にイオンを定着させて被注入
体表面をイオンコーティングする工程であることを特徴
とする請求項１記載のイオン注入方法。 - （３）上記イオンコーティング工程では、上記被注入体
表面を負の電位状態にすることを特徴とする請求項１ま
たは２記載のイオン注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33583490A JPH04199508A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | イオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33583490A JPH04199508A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | イオン注入方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199508A true JPH04199508A (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=18292928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33583490A Pending JPH04199508A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | イオン注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199508A (ja) |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP33583490A patent/JPH04199508A/ja active Pending
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