JPH04198091A - セルシャッター装置 - Google Patents
セルシャッター装置Info
- Publication number
- JPH04198091A JPH04198091A JP33241590A JP33241590A JPH04198091A JP H04198091 A JPH04198091 A JP H04198091A JP 33241590 A JP33241590 A JP 33241590A JP 33241590 A JP33241590 A JP 33241590A JP H04198091 A JPH04198091 A JP H04198091A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cell shutter
- cell
- shutter
- heater
- shutter device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は分子線エピタキシー装置用のセルシャッター装
置に関するものである。
置に関するものである。
従来の技術
現在分子線エピタキシーにおいて基板への分子線の供給
の制御、例えば結晶成長の開始や停止または不純物ドー
ピングなどは、全てセル前面に設置されたセルシャッタ
ーの開閉によって行われている。
の制御、例えば結晶成長の開始や停止または不純物ドー
ピングなどは、全てセル前面に設置されたセルシャッタ
ーの開閉によって行われている。
発明が解決しようとする課題
しかしながらこのような構成では、セルシャッターが開
いた状態では分子線エピタキシー装置に設けられた液体
窒素シュラウドによってセルシャッターが冷却されるた
め、結晶成長用のＶ族元素がセルシャッターに付着する
。この付着物は多孔質であり炭素のような不純物元素を
取シ込むことが多い。
いた状態では分子線エピタキシー装置に設けられた液体
窒素シュラウドによってセルシャッターが冷却されるた
め、結晶成長用のＶ族元素がセルシャッターに付着する
。この付着物は多孔質であり炭素のような不純物元素を
取シ込むことが多い。
このようなセルシャッターを結晶成長に用いると、セル
シャッターを閉じた際にセルの熱によシセルシャッター
が加熱されるだめ不純物元素を含んだＶ属元素が再蒸発
し、結晶成長中の半導体基板に不純物元素が到達し良質
な結晶成長の妨げになるという課題があった。
シャッターを閉じた際にセルの熱によシセルシャッター
が加熱されるだめ不純物元素を含んだＶ属元素が再蒸発
し、結晶成長中の半導体基板に不純物元素が到達し良質
な結晶成長の妨げになるという課題があった。
本発明はこのような従来の課題を解決し良質な結晶成長
を可能にするため、■族元素が付着しにくい特徴を有し
たセルシャッター装置を提供するものである。
を可能にするため、■族元素が付着しにくい特徴を有し
たセルシャッター装置を提供するものである。
課題を解決するだめの手段
本発明のセルシャッター装置はセルシャッターに通電可
能なヒーターを直接設置した構造を有したものである。
能なヒーターを直接設置した構造を有したものである。
このときセルシャッターにあらためてヒーターを設置す
る代わりにセルシャッターを導電性を有する金属で作成
し、これに直接通電加熱することでセルシャッター自身
をヒーターとして用いることも可能である。
る代わりにセルシャッターを導電性を有する金属で作成
し、これに直接通電加熱することでセルシャッター自身
をヒーターとして用いることも可能である。
作 用
本発明のセルシャッター装置はセルシャッターに設置し
たヒーターに通電加熱し、セルシャッターを常に■族元
素がセルシャッターに付着しないような温度（例えばヒ
素では２００℃以上）に保持しているため、セルシャッ
ターが開いた状態にあるときにおいても液体シーウラウ
ドによって冷却されることなく■族元素の付着を防止す
ることができる。
たヒーターに通電加熱し、セルシャッターを常に■族元
素がセルシャッターに付着しないような温度（例えばヒ
素では２００℃以上）に保持しているため、セルシャッ
ターが開いた状態にあるときにおいても液体シーウラウ
ドによって冷却されることなく■族元素の付着を防止す
ることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
図において、セルシャッター装置１１にはヒーター１２
と配線１３が設置されている。また七ノ。
と配線１３が設置されている。また七ノ。
シャッター装置１１にはセルシャンター取り付は穴１４
が設けられている。
が設けられている。
ヒーター１２を通電加熱することによってセルシャッタ
ー装置１１は■族元素が付着しないような温度（例えば
ヒ素の場合２００°Ｃ以上）に常に保持されている。こ
のような構成にすることでセ／Ｌ。
ー装置１１は■族元素が付着しないような温度（例えば
ヒ素の場合２００°Ｃ以上）に常に保持されている。こ
のような構成にすることでセ／Ｌ。
シャッター装置１１の開閉状態にかかわらずセ／Ｌ。
シャッター装置１１への■属元素の付着を防止できるた
め、Ｖ属元素がセルシャッター装置１１から再蒸発して
良好な結晶成長を妨げることをなくすことができる。
め、Ｖ属元素がセルシャッター装置１１から再蒸発して
良好な結晶成長を妨げることをなくすことができる。
なお、本実施例のセルシャッター装置はヒーター１２を
設けたものであるが、ヒーター１２を設置する代わりに
セルシャッターを導電性を有する金属で作成し、これに
直接通電加熱することでセルシャッター自身をヒーター
として用いることも可能である。
設けたものであるが、ヒーター１２を設置する代わりに
セルシャッターを導電性を有する金属で作成し、これに
直接通電加熱することでセルシャッター自身をヒーター
として用いることも可能である。
発明の効果
以上のように本発明のセルシャッター装置は、セルシャ
ッターにＶ属元素の付着を防止するだめの加熱用のヒー
ターを設置したものであり、セルシャッター開放時にお
いてもセルシャッター装置が液体窒素シュラウドによっ
て冷却されることがないためＶ族元素の付着を防止する
ことができる。
ッターにＶ属元素の付着を防止するだめの加熱用のヒー
ターを設置したものであり、セルシャッター開放時にお
いてもセルシャッター装置が液体窒素シュラウドによっ
て冷却されることがないためＶ族元素の付着を防止する
ことができる。
その結果セルシャッター開放時における■属元累の再蒸
発をなくし良好な結晶成長を行うことが可能となる。
発をなくし良好な結晶成長を行うことが可能となる。
図は本発明の一実施例におけるセルシャッター装置の構
造を示す平面図である。 １１・・・セルシャッター、１２・・・ヒーター。
造を示す平面図である。 １１・・・セルシャッター、１２・・・ヒーター。
Claims (3)
- （１）セルシャッター表面にシャッター加熱用のヒータ
ーを直接設置したセルシャッター装置。 - （２）セルシャッター表面に設置されたヒーターを通電
加熱することによりセルシャッターの表面温度を２００
℃以上の温度に保つように制御してなる請求項１記載の
セルシャッター装置。 - （３）セルシャッターに導電性を有する金属を使用し、
これに直接通電を行うことでセルシャッター自身を通電
加熱用ヒーターとして用いてセルシャッター表面を所定
の温度に保つことを特徴とする請求項１記載のセルシャ
ッター装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33241590A JPH04198091A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | セルシャッター装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33241590A JPH04198091A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | セルシャッター装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04198091A true JPH04198091A (ja) | 1992-07-17 |
Family
ID=18254715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33241590A Pending JPH04198091A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | セルシャッター装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04198091A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998056965A3 (en) * | 1997-06-10 | 1999-06-03 | Univ Texas | Molecular beam epitaxy effusion cell |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP33241590A patent/JPH04198091A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998056965A3 (en) * | 1997-06-10 | 1999-06-03 | Univ Texas | Molecular beam epitaxy effusion cell |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07172998A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の製造方法 | |
| JP2743377B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH04198091A (ja) | セルシャッター装置 | |
| EP0692556A1 (en) | K cell type vapor source and shutter | |
| JP3323522B2 (ja) | 分子線セル | |
| JPS6272113A (ja) | 分子線結晶成長装置 | |
| JPS5776821A (en) | Liquid phase epitaxial growing method | |
| GB2243242A (en) | Growing liquid phase epitaxial layers on a substrate | |
| Mori | Low‐temperature silicon crystal growth on an amorphous planar substrate | |
| Kaverina et al. | The influence of the structure of amorphous silicon deposited in ultrahigh vacuum on the solid phase epitaxial growth rate | |
| JP2001185488A (ja) | 気相成長装置及び方法 | |
| JPS61263212A (ja) | 分子線エピタキシ用基板ホルダ | |
| JP2547585B2 (ja) | ＺｎＳｅ単結晶の成長方法 | |
| JPH0512297Y2 (ja) | ||
| JPH0841629A (ja) | セルシャッターおよびその使用方法 | |
| JPH0235814Y2 (ja) | ||
| JPS60257126A (ja) | 分子線エピタキシ−装置 | |
| JPS61239618A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0691012B2 (ja) | 半導体薄膜気相成長装置 | |
| JPH03150290A (ja) | 結晶成長装置 | |
| JPS62138389A (ja) | 分子線エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH0152891B2 (ja) | ||
| JPS6021898A (ja) | 分子線エピタキシ結晶成長法 | |
| JPH03225916A (ja) | ＺｎＳｅ結晶薄膜の形成方法 | |
| JPH02243758A (ja) | 真空装置 |