JPH04192551A - 半導体チップキャリア - Google Patents
半導体チップキャリアInfo
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- JPH04192551A JPH04192551A JP2326753A JP32675390A JPH04192551A JP H04192551 A JPH04192551 A JP H04192551A JP 2326753 A JP2326753 A JP 2326753A JP 32675390 A JP32675390 A JP 32675390A JP H04192551 A JPH04192551 A JP H04192551A
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、熱放散型の半導体チップキャリアに関するも
のである。
のである。
半導体の高密度化や高出力化などに伴って、半導体チッ
プからの発熱か高くなっており、半導体チ・ツブを実装
する半導体チップキャリアとして、半導体チップの発熱
を放熱することができるものが要求されている。 第３図はその一例を示すものであり、プリント配線板な
どで形成される絶縁基板１に伝熱金属体６を一方の表面
（上面）から突出するように取り付け、絶縁基板１の他
方の面（下面）に伝熱金属体６が底面となるキャビティ
凹所３を設けてこのキャビティ凹所３に半導体チップ４
が実装しである。絶縁基板１の表面には回路（図示省略
）が形成してあり、この回路の一端に半導体チップ４ｔ
！：ワイヤー１１等を介して接続すると共に絶縁基板１
に基部を埋入した端子１２に回路の他端を接続するよう
にしである。そして伝熱金属体６の突出する表面にはヒ
ートシンク７を接合して取り付けである。このものにあ
って、半導体チップ４から発熱される熱は、伝熱金属体
６に伝えられると共に、さらにヒートシンク７に伝えら
れて放熱される。 そしてこの半導体チップキャリアの上面と下面にはエポ
キシ樹脂等の封止樹脂１０によって封止か施されている
。この封止をおこなうにあたっては、第２図に示すよう
にモールド金型９内に半導体チップキャリアをセ・ソト
して、型閉めすることによって伝熱金属体６の絶縁基板
ｌから突出する表面をモールド金型９の内面に当接させ
、この状態でモールド金型９内に封止樹脂１０を射出等
して注入することによっておこなわれている。伝熱金属
体６の表面をモールド金型９の内面に当接させることに
よって、伝熱金属体６の表面が封止樹脂１０て被覆され
ないようにし、ヒートシンク７を設ける場合にはヒート
シンク７と伝熱金属体６との接合面積が小さくならない
ようにしているのである。
プからの発熱か高くなっており、半導体チ・ツブを実装
する半導体チップキャリアとして、半導体チップの発熱
を放熱することができるものが要求されている。 第３図はその一例を示すものであり、プリント配線板な
どで形成される絶縁基板１に伝熱金属体６を一方の表面
（上面）から突出するように取り付け、絶縁基板１の他
方の面（下面）に伝熱金属体６が底面となるキャビティ
凹所３を設けてこのキャビティ凹所３に半導体チップ４
が実装しである。絶縁基板１の表面には回路（図示省略
）が形成してあり、この回路の一端に半導体チップ４ｔ
！：ワイヤー１１等を介して接続すると共に絶縁基板１
に基部を埋入した端子１２に回路の他端を接続するよう
にしである。そして伝熱金属体６の突出する表面にはヒ
ートシンク７を接合して取り付けである。このものにあ
って、半導体チップ４から発熱される熱は、伝熱金属体
６に伝えられると共に、さらにヒートシンク７に伝えら
れて放熱される。 そしてこの半導体チップキャリアの上面と下面にはエポ
キシ樹脂等の封止樹脂１０によって封止か施されている
。この封止をおこなうにあたっては、第２図に示すよう
にモールド金型９内に半導体チップキャリアをセ・ソト
して、型閉めすることによって伝熱金属体６の絶縁基板
ｌから突出する表面をモールド金型９の内面に当接させ
、この状態でモールド金型９内に封止樹脂１０を射出等
して注入することによっておこなわれている。伝熱金属
体６の表面をモールド金型９の内面に当接させることに
よって、伝熱金属体６の表面が封止樹脂１０て被覆され
ないようにし、ヒートシンク７を設ける場合にはヒート
シンク７と伝熱金属体６との接合面積が小さくならない
ようにしているのである。
しかし、伝熱金属体６は一般に銅の表面に金をメツキし
て形成されているが、モールド金型９内に半導体チップ
キャリアをセットするにあたって、伝熱金属体６のモー
ルド金型９に接触する表面に傷が付き易い。そしてこの
伝熱金属体６のこの表面に傷か付いて凹凸が発生すると
、伝熱金属体６とヒートシンク７とを密着して接合させ
ることができなくなり、伝熱金属体６からヒートシンク
７への伝熱効率が低下して放熱性能が低下するおそれが
あると共に接合強度か低くなるという問題かあった。ま
た伝熱金属体６を形成する銅は比重が高く、半導体千ツ
ブキャリアの重量が重くなるという問題もあった。 本発明は上記の点に濫みて為されたものであり、伝熱金
属体の表面に傷が発生することを防止できると共に、軽
量に作成することができる半導体チップキャリアを提供
することを目的とするものである。
て形成されているが、モールド金型９内に半導体チップ
キャリアをセットするにあたって、伝熱金属体６のモー
ルド金型９に接触する表面に傷が付き易い。そしてこの
伝熱金属体６のこの表面に傷か付いて凹凸が発生すると
、伝熱金属体６とヒートシンク７とを密着して接合させ
ることができなくなり、伝熱金属体６からヒートシンク
７への伝熱効率が低下して放熱性能が低下するおそれが
あると共に接合強度か低くなるという問題かあった。ま
た伝熱金属体６を形成する銅は比重が高く、半導体千ツ
ブキャリアの重量が重くなるという問題もあった。 本発明は上記の点に濫みて為されたものであり、伝熱金
属体の表面に傷が発生することを防止できると共に、軽
量に作成することができる半導体チップキャリアを提供
することを目的とするものである。
本発明に係る半導体チ・ツブキャリアは、半導体チップ
４が実装される絶縁基板１にその片側の表面から一部が
突出するようにアルミニウムで作成される伝熱金属体６
を埋設し、伝熱金属体６の突出表面にヒートシンク７を
接合して成ることを特徴とするものである。 伝熱金属体６の作成に用いるアルミニウムとしては、表
面をアルマイト処理したものが好ましい
４が実装される絶縁基板１にその片側の表面から一部が
突出するようにアルミニウムで作成される伝熱金属体６
を埋設し、伝熱金属体６の突出表面にヒートシンク７を
接合して成ることを特徴とするものである。 伝熱金属体６の作成に用いるアルミニウムとしては、表
面をアルマイト処理したものが好ましい
本発明にあっては、伝熱金属体６分アルミニウｌ、て形
成しであるために、モールド金型等と接触しても伝熱金
属体６の表面は傷か付きに＜＜、伝熱金属体の表面にヒ
ートシンク７を密着させて接合することできる。アルミ
ニウムの表面にアルマイト処理を施しておくと表面硬度
が高まるために傷の発生を一層低減することができる。
成しであるために、モールド金型等と接触しても伝熱金
属体６の表面は傷か付きに＜＜、伝熱金属体の表面にヒ
ートシンク７を密着させて接合することできる。アルミ
ニウムの表面にアルマイト処理を施しておくと表面硬度
が高まるために傷の発生を一層低減することができる。
以下本発明を実施例によって詳述する。
絶縁基板１は、銅箔を積層したエポキシ樹脂積層板など
の銅張り積層板を加工して得られるプリント配線板等に
よって作成されるものであり、第１図のように絶縁基板
１内には一方の表面（上面）に開口する放熱凹所５が設
けである。この放熱凹所５に伝９Ｉ！、金属体６の基部
を埋め込むことによって、伝熱金属体６の一部が絶縁基
板１の上面がら突出するように５伝熱金属体６を絶縁基
板］に取り付けである。この伝熱金属体６はアルミニウ
ムによって作成されるものてあり、アルミニラｌ、の表
面にはアルマイト処理を施しておくのが好ましい。また
絶縁基板１の他方の表面（下面）にはキャビティ凹所３
が設けてあり、キャビティ凹所３の底面は伝熱金属体６
によって形成されるようにしである。また絶縁基板１の
下面にはキャビティ凹所３を中心に放射状に複数本の回
路（図示省略〉が銅箔のエツチング加工などで作成しで
ある。ＩＣチップなど半導体チップ４はキャビティ凹所
３内において伝熱金属体６の表面に実装されるものであ
り、半導体チップ４の外部接続端子部と回路の一端部と
の間に金線などのワイヤー１１をボンディングして半導
体チップ４を回路に接続しである。絶縁基板１にはさら
に複数本の端子１２．１２・・・がその下面から突出す
るように基部を絶縁基板１に埋入して取り付けてあって
、各端子１２は向路の他端部に接続してあり、半導体チ
ップ４は回路を介して端子１２に接続されるようにしで
ある。 次ぎにエポキシ樹脂なとの封止樹脂１０て封止成形をお
こなうにあたっては、伝熱金属体６や半導体チップ４を
取り付けた絶縁基板１を第２図に示すようにモールド金
型９内にセ・ソトし、絶縁基板１から突出する伝熱金属
体６の表面をモールド金型９の内面に押さえ付けて密着
させる。このようにセットした状態でモールド金型８内
に封止樹脂１０を射出等して注入することによって、伝
熱金属体６の側方において絶縁基板１の上面を封止樹脂
１０で封止するものであり、また同時に絶縁基板１の下
面においても半導体チップ４を被覆するように封止樹脂
１０て封止をおこなうものである。 ここで、伝熱金属体６はアルミニウムで形成してあり、
しかも表面をアルマイト処理しであるために、伝熱金属
体６の表面をモールド金型９の内面に密着させても、伝
熱金属体６の表面は傷が付きにくい。従って伝熱金属体
６の表面が凹凸になることがなく、ヒートシ〕・り７を
第３図のように伝熱金属体６の表面に接合するにあたっ
て、伝熱金属体６とヒートシンク７とを密接させること
ができ、伝熱金属体６からヒートシンク７への伝熱効率
を高めることができると共にヒートシンク７の接合強度
を高めることができるものである。
の銅張り積層板を加工して得られるプリント配線板等に
よって作成されるものであり、第１図のように絶縁基板
１内には一方の表面（上面）に開口する放熱凹所５が設
けである。この放熱凹所５に伝９Ｉ！、金属体６の基部
を埋め込むことによって、伝熱金属体６の一部が絶縁基
板１の上面がら突出するように５伝熱金属体６を絶縁基
板］に取り付けである。この伝熱金属体６はアルミニウ
ムによって作成されるものてあり、アルミニラｌ、の表
面にはアルマイト処理を施しておくのが好ましい。また
絶縁基板１の他方の表面（下面）にはキャビティ凹所３
が設けてあり、キャビティ凹所３の底面は伝熱金属体６
によって形成されるようにしである。また絶縁基板１の
下面にはキャビティ凹所３を中心に放射状に複数本の回
路（図示省略〉が銅箔のエツチング加工などで作成しで
ある。ＩＣチップなど半導体チップ４はキャビティ凹所
３内において伝熱金属体６の表面に実装されるものであ
り、半導体チップ４の外部接続端子部と回路の一端部と
の間に金線などのワイヤー１１をボンディングして半導
体チップ４を回路に接続しである。絶縁基板１にはさら
に複数本の端子１２．１２・・・がその下面から突出す
るように基部を絶縁基板１に埋入して取り付けてあって
、各端子１２は向路の他端部に接続してあり、半導体チ
ップ４は回路を介して端子１２に接続されるようにしで
ある。 次ぎにエポキシ樹脂なとの封止樹脂１０て封止成形をお
こなうにあたっては、伝熱金属体６や半導体チップ４を
取り付けた絶縁基板１を第２図に示すようにモールド金
型９内にセ・ソトし、絶縁基板１から突出する伝熱金属
体６の表面をモールド金型９の内面に押さえ付けて密着
させる。このようにセットした状態でモールド金型８内
に封止樹脂１０を射出等して注入することによって、伝
熱金属体６の側方において絶縁基板１の上面を封止樹脂
１０で封止するものであり、また同時に絶縁基板１の下
面においても半導体チップ４を被覆するように封止樹脂
１０て封止をおこなうものである。 ここで、伝熱金属体６はアルミニウムで形成してあり、
しかも表面をアルマイト処理しであるために、伝熱金属
体６の表面をモールド金型９の内面に密着させても、伝
熱金属体６の表面は傷が付きにくい。従って伝熱金属体
６の表面が凹凸になることがなく、ヒートシ〕・り７を
第３図のように伝熱金属体６の表面に接合するにあたっ
て、伝熱金属体６とヒートシンク７とを密接させること
ができ、伝熱金属体６からヒートシンク７への伝熱効率
を高めることができると共にヒートシンク７の接合強度
を高めることができるものである。
上述のように本発明にあっては、伝熱金属体をアルミニ
ウムで形成しであるために、モールド金型等と接触して
も伝熱金属体の表面は傷が付きに＜＜、伝熱金属体の表
面にヒートシンクを密着させて接合することできるもの
であり、しがも伝熱金属体を形成するアルミニウムは比
重が小さく、半導体チップキャリアを軽量に作成するこ
とができるものである。
ウムで形成しであるために、モールド金型等と接触して
も伝熱金属体の表面は傷が付きに＜＜、伝熱金属体の表
面にヒートシンクを密着させて接合することできるもの
であり、しがも伝熱金属体を形成するアルミニウムは比
重が小さく、半導体チップキャリアを軽量に作成するこ
とができるものである。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は同上の封
止成形の方法を示す断面図、第３図は同上の半導体チッ
プキャリアの断面図である。 １は絶縁基板、４は半導体チップ、６は伝熱金属体、７
はヒートシンクである。
止成形の方法を示す断面図、第３図は同上の半導体チッ
プキャリアの断面図である。 １は絶縁基板、４は半導体チップ、６は伝熱金属体、７
はヒートシンクである。
Claims (2)
- （１）半導体チップが実装される絶縁基板にその片側の
表面から一部が突出するようにアルミニウムで作成され
る伝熱金属体を埋設し、伝熱金属体の突出表面にヒート
シンクを接合して成ることを特徴とする半導体チップキ
ャリア。 - （２）伝熱金属体は表面をアルマイト処理したアルミニ
ウムで作成されていることを特徴とする請求項１に記載
の半導体チップキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2326753A JPH04192551A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体チップキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2326753A JPH04192551A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体チップキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192551A true JPH04192551A (ja) | 1992-07-10 |
Family
ID=18191303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2326753A Pending JPH04192551A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体チップキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04192551A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2012066925A1 (ja) * | 2010-11-15 | 2014-05-12 | 日本電産サンキョー株式会社 | 電子機器 |
| JP2018037677A (ja) * | 2014-11-20 | 2018-03-08 | 日本精工株式会社 | 放熱基板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59201449A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-11-15 | プリンテツド・サ−キツツ・インタ−ナシヨナル・インコ−ポレイテツド | ヒ−トシンクを有する半導体チツプ担体パツケ−ジ及びその製造方法 |
| JPS6134990A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-19 | イビデン株式会社 | 電子部品搭載用基板およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP2326753A patent/JPH04192551A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59201449A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-11-15 | プリンテツド・サ−キツツ・インタ−ナシヨナル・インコ−ポレイテツド | ヒ−トシンクを有する半導体チツプ担体パツケ−ジ及びその製造方法 |
| JPS6134990A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-19 | イビデン株式会社 | 電子部品搭載用基板およびその製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2012066925A1 (ja) * | 2010-11-15 | 2014-05-12 | 日本電産サンキョー株式会社 | 電子機器 |
| JP5670447B2 (ja) * | 2010-11-15 | 2015-02-18 | 日本電産サンキョー株式会社 | 電子機器 |
| JP2018037677A (ja) * | 2014-11-20 | 2018-03-08 | 日本精工株式会社 | 放熱基板 |
| JP2018037678A (ja) * | 2014-11-20 | 2018-03-08 | 日本精工株式会社 | 放熱基板 |
| JP2018037676A (ja) * | 2014-11-20 | 2018-03-08 | 日本精工株式会社 | 放熱基板 |
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