JPH04187766A - マグネトロン・スパッタリング装置用磁気回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、磁界の作用てターケ／（−がら放出される電
子を閉じ込め電子密度を高めることにより２高密度のプ
ラスマを発生させ、高い成膜密度を得るようにしたマク
ネトロン　スパッタ１．に・）装置用磁気回路装置に係
り、と＜６．：ターを＋ｌ肉に＋−行な磁界を広範囲に
形成するためのマグネトロン・スバ・ツタリング装置用
磁気回路装置に関する。

（発明の概要） 本発明は、磁界の作用でターゲットから放出される電子
を閉じ込め電子密度を高めることにより、高密度のプラ
ズマを発生させ、高い成膜密度を得るようにしたマグネ
トロン・スパッタリング装置用磁気回路装置において、
永久磁石配置を工夫してターゲツト面に平行な磁界をタ
ーゲットのほぼ全域に広げ、侵食領域の拡大（エロージ
ョンの拡大）を図り、ひいては成膜の均一性の向上やタ
ーゲツト材の有効利用を図るようにしたものである。

（従来の技術及び発明が解決しようとする課題）第２１
図は一般的なマグネトロン・スパッタリング装置用磁気
回路装置を示す第１従来例であって、特公昭５８−５５
２２８号の第１図等に開示されたものでバる。この第２
１図の第１従来例は非磁性ターゲット用であり、１は環
状等の外側永久磁石、２はその中心部に配置された内側
永久磁石、斜線部である３は鉄等の磁気ヨーク、及び４
は非磁性ターゲットである。マグネトロン　スパッタリ
ング装置の陰極は非磁性ターゲツト４自体が導電性であ
ればこれを利用可能であるが、ターゲット４が非導電性
であればターゲット４を支持する導体板（図示省略）を
陰極とする。

この第２１図の構成において、ターゲット表面近傍に発
生する水平方向の磁界とこれに直交する電界とにより荷
電粒子は閉し込められ高密度プラズマ領域が形成される
ことになる。

ところで、第２１図の第１従来例では、基板（ウェハー
）の成膜を広範囲にわたり均一化するために磁気回路装
置の外径を大きくすると、これに伴い磁気回路装置の高
さも大きくする必要がある。

すなわち、外径のみを拡大したのでは、個々の永久磁石
の両端の磁極間を結ぶ向きの磁束が多くなり、外側永久
磁石１の先端面の磁極とこれと逆極性の内側永久磁石２
の先端面の磁極間の磁束が減少してしまうからである。

このような状況を第２２図乃至第２４図で示す。

第２２図は、第２１図の第１従来例において、外側永久
磁石１として外径２ＱＱｍｍ、厚み１０ｍｍ、高さ３０
ｆｆＩＩ１１の円環状フェライト永久磁石を用い、内側
永久磁石２として外径３Ｑｍｍて高さ３０ｍｍの円柱状
フェライト永久磁石を用いた場合における、永久磁石１
．２の先端面より上方に２０ｍｍＭ間した高さでの水平
方向の磁束密度Ｂｘと垂直方向の磁束密度Ｂｙを示す。

但し、ここで水平方向とはターゲット表面に平行な方向
であり、垂直方向とはターゲット表面に垂直な方向であ
る。横軸は内側永久磁石中心軸からのＸ方向距離（半径
方向距離）である。第２３図は第１従来例の場合の磁力
線を示し、第２４図は磁束の向きと大きさを示すベクト
ル図であり、測定条件は第２２図と同じである。但し、
第２４図で磁束の向きは矢印の向きで示され、磁束の大
きさは矢印の長さで示される。

これらの図から、外側永久磁石１の先端面の磁極と内側
永久磁石２の先端面の磁極間の磁束が少なく、ターゲッ
ト４の表面近傍における磁束密度が２７０カウス（すな
わち２７Ｘ１０−’テスラ）以下で磁界の強度か不足し
ていることがわかる。

また、第２１図の第１従来例は、仮に磁気回路装置の高
さを増大させ、ターゲット４の表面近傍における磁界を
強力にしたとしても、ターゲットの侵食領域が狭く、タ
ーゲツト材の有効利用の面においても問題があった。

第２１図の第１従来例を改良したものが第２５図に示す
第２従来例である。この第２従来例では、は環状等の外
側永久磁石１、その中心部に配置された内側永久磁石２
、鉄等の磁気ヨーク３に加えて外側永久磁石内面及び内
側永久磁石側面の先端部間に横向きに環状等の付加永久
磁石５を設けている。ターゲット４は非磁性でも強磁性
でも良い。

この第２従来例の場合、付加永久磁石５の磁極を近接す
る永久磁石１．２の磁極と同極性とし、付加永久磁石５
のＮｉからターゲット側を通過して当該永久磁石５のＳ
様に至る磁束の流れによって非磁性又は強磁性のターゲ
ット４の表面近接の磁界の強さを幾分増すことが可能で
ある。しがし、付加永久磁石５に平行に磁気ヨーク３が
存在しているため、付加永久磁石５のＮ極がらヨーク側
を通過してＳ極に至る磁束の流れも多くなり、付加永久
磁石５を設けたことによる効果が減殺される嫌いがある
。また、外側永久磁石１からヨーク３を通って内側永久
磁石２に向かう磁束によりヨーク３が磁化された状態に
なるべきであったのが付加永久磁石５の磁束か逆向きに
加わりヨーク３の磁化をキャンセルしてしまい、外側永
久磁石１のＮ極から内側永久磁石２のＳ極に向かう磁束
を減少させてしまう問題もあった。

第２６図は上述の第２従来例に類似しまた第３従来例で
あり、付加永久磁石を第１付加永久磁石５Ａと第２付加
永久磁石５Ｂの２個に分割したものである。性能は第２
従来例と実質的に同じものて・ある。

第２７図は、第２６図の第３従来例において、外側永久
磁石１として外径２００ｍｍ、Ｎみ１０ｍｍ、高さ３０
ｍｍの円環状フェライト永久磁石を用い、内側永久磁石
２として外径３０＋ｎｍで高さ３Ｑｍｍの円柱状フェラ
イト永久磁石を用い、付加永久磁石５Ａとして外径１７
５ｎ＋ｍ、内径１２０ｍｍの円環状フェライト永久磁石
き用い、け加永久磁石５Ｂとして外径９０Ｉｌｆｆｌ、
内径３５ｍｍの円環状フェライト永久磁石を用いた場合
における、永久磁石１，２の先端面より上方に２０ｍｍ
１４間した高さでの水平方向の磁束密度Ｂｘと垂直方向
の磁束密度ＢＳ＋を示す。但し、横軸は内側永久磁石中
心軸からのＸ方向距離（半径方向距離）であって、ター
ゲ・／トか非磁性の場合を想定している。第２８図は第
３従来例の場合の磁力線を示し、第２９図は磁束の向き
と大きさを示すベクトル図であり、測定条件は第２７図
と同しである。

これらの図から、付加永久磁石５Ａ、５Ｂのヨーク側を
回る磁束が多く、前述のような第２従来例の所で述べた
不都合が生じることがわかる。

第３０図乃至第３２図は、第２６図の第３従来例におい
て、ターゲット４が強磁性の場合のテークであって、第
３０［］は外側永久磁石１として外径１５０ｍｍ、厚み
１１ｍｍ、高さ２５ｍ＋ｎの円環状希土類永久磁石を用
い、内側永久磁石２として外径２５ｍｍで高さ２５ｍｍ
の円柱状希土類永久磁石を用い、付加永久磁石５Ａとし
て外径１２０ｍｍ、内径８ヲ＋ｎ　＋ｎの円環状希土類
永久磁石を用い、付加永久磁石５Ｂとして外径６５ｍｍ
、内径３０ｍｍの円環状希土類永久磁石を用いた場合に
おける、強磁性ターゲット（Ｔｂ：３ＦｅｓｙＣｏ：ｏ
）４の上面より上方に１ｍｍ離間した高さでの水平方向
の磁束密度Ｂ×と垂直方向の磁束密度Ｂｙを示す。但し
、横軸は内側永久磁石中心軸からのＸ方向距離（半径方
向距離１）である、第３１図は第３従来例て強磁性ター
ゲットの場合の磁力線を示し、第３２図は磁束の向きと
大きさを示すベクトル図であり、測定条件は第３０図と
同じである。

これらの図から、強磁性ターゲットの場合でも付加永久
磁石５Ａ、５Ｂのヨーク側を回る磁束が多く、やはり前
述のような第２従来例の所で述へた不都合が生じる。

本発明は、上記の点に鑑み、高さの低い薄形形状であっ
てもターゲット表面の広範囲にわたって充分強力な水平
方向の磁界（ターゲツト面に平行な磁界）を発生可能で
あり、びいてはターゲット侵食領域を拡大し、高価なタ
ーゲットの有効利用を図り得るマグネトロン・スパッタ
リング装置用磁気回路装置を提供することを目的とする
。

（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、本発明は、環状の外側永久
磁石と、該環状の外側永久磁石の内側に配置された内側
永久磁石と、それらの外側永久磁石及び内側永久磁石の
底部側間を橋絡する向きに配置される底部永久磁石とを
備え、前記外側永久磁石先端面の磁極と内側永久磁石先
端面の磁極とを略同一高さで逆極性とし、前記外側永久
磁石、内側永久磁石及び底部永久磁石による各起磁力の
総和が増大する向きに各永久磁石の磁化方向を定めた構
成としている。

（作用） 本発明のマダイ・トロン　スパッタリング装置用磁気回
路装置においては、環状の外側永久磁石と内側永久磁石
とを底部で橋絡する磁気回路部分か従来鉄等の磁気ヨー
つてあったものを永久磁石（底部永久磁石）て構成し、
各永久磁石による起磁力の総和が増大する向きに各永久
磁石の磁化方向を定めたので、ターゲットに対向する環
状の外側永久磁石先端面及び内側永久磁石先端面の磁極
を充分強力なものとし、かつ環状の外側永久磁石両端の
磁極間及び内側永久磁石両端の磁極間を短絡する磁束を
削減することができる。この結果５外側永久磁石及び内
側永久磁石の高さ寸法を小さくすることが可能になり、
また広範囲にわたりターゲットに水平磁界を印加できる
ことにより、ターゲットの侵食領域を拡大かつ平均化し
て高価なターゲ・、　ｌ−の有効利用を図り得る。

また、付加永久磁石を前記外側永久磁石内側面及び内側
永久磁石側面の先端部間に配設した場合は、付加永久磁
石の両端面の磁極による磁束の多くがターゲット側を通
過するようになり、付加永久磁石を有効に利用してター
ゲット表面近傍の磁界を広範囲にわたり充分強力にする
ことか可能になる。従って、非磁性ターゲットのみなら
す強磁性ターゲットの場合にも使用可能となる。

（実施例） 以下、本発明に係るマグネトロン・スパッタリング装置
用磁気回路装置の実施例を図面に従って説明する。

第１図は本発明の第１実施例を示す。この第１実施例は
非磁性ターゲット用であり、１０は円環状（円筒状）の
外側永久磁石、１コはその中心部に同心配置された円柱
状の内側永久磁石、１２は円環状（穴あき円板状）の底
部永久磁石、斜線部である１：３．１４は鉄等の磁気ヨ
ーク、及び４は非磁性ターゲットである。前記底部永久
磁石１２は外側永久磁石１０及び内側永久磁石１１の底
部側間を橋絡する向きに配置され、各永久磁石の直・　
交する磁極面を連絡するように円板状磁気ヨーク１３及
び円環状磁気ヨーク１４が設けられている。

前記外側永久磁石先端面の磁極と内側永久磁石先端面の
磁極とは略同一高さで逆極性であり、前記外側永久磁石
１０、内側永久磁石１１及び底部永久磁石１２による各
起磁力の総和が増大する向きに各永久磁石の磁化方向が
定められている。また、各永久磁石の一体化は有底円筒
ケースを用いたり、接着手段を用いたりすることにより
容易に実行できる。

なお、マクオ・トロン　スパッタリンク装置の陰極は非
磁性ターゲツト４自体が導電性であればこれを利用可能
であるが、ターゲット４か非導電性であればターゲット
４を支持する導体板（図示省略）を陰極とする。

第２図は、第１図の第１実施例において、外側永久磁石
１０として外径２００ｍｍ、厚み１０ｍｍ、高さ３０ｍ
ｍの円環状フェライト永久磁石を用い、内側永久磁石１
１として外径３０ｍｍて高さ３Ｑｍｍの円柱状フェライ
ト永久磁石を用い、底部永久磁石１２として厚み１０ｍ
ｍの穴あき円板状フェライト永久磁石を用いた場合にお
ける、永久磁石１０゜］１の先端面より上方に２０ｍｍ
離間した高さでの水平方向の磁束密度Ｂ×と垂直方向の
磁束密度Ｂｙを示す９．横軸は内側永久磁石中心軸から
のＸ方向距離〈平径方向距離）である。第３図は第１実
施例の場合の磁力線を示し、第４図は磁束の向きと大き
さを示すヘタ１−ル図てあり、測定条件は第２２図と同
じである。

これらの図から、外側永久磁石及び内側永久磁石の高さ
寸法が磁気回路装置外径に比へて小さいにもかかわらす
、外側永久磁石１０の先端面の磁極と内側永久磁石１１
の先端面の磁極間の磁束が多い。従って、ターゲット４
の表面近傍における磁束密度が２００ガウス（すなわち
２〉く１０−２テスラ）以上の領域が大部分となり、広
範囲にわたって強力な磁界が得られていることか判る。

この理由としては、底部永久磁石１２の存在によって個
々の永久磁石自体の両端の磁極間を結ぶ向きの磁束が減
少したこと及び磁気回路全体の起磁力の総和が増大した
ことが挙げられる。

第５図は本発明の第２実施例を示す。この場合、第１図
の構成に加えて２分割された付加永久磁石１５Ａ、１５
Ｂが外側永久磁石内周面及び内側永久磁石外周面の先端
部間に設けられている。すなわち、付加永久磁石１５Ａ
は円環状外側永久磁石１０の内径よりも小さな外径の円
環状永久磁石であり、付加永久磁石１５Ｂは付加永久磁
石１５Ａの内径よりも小さな外径の円環状付加永久磁石
である。そして、付加永久磁石１５Ａ、１５Ｂはいずれ
も半径方向に着磁されていて、外周面と内周面にそれぞ
れ磁極を有し、円環状外測永久磁石１０と同心に配置さ
れている。この場合のターゲット４は非磁性でも強磁性
でも良い。

第６［２Ｉは、第５図の第２実施例において、外側永久
磁石］０として外径２００ｍｍ、厚み１０ｍｍ、高さ３
０ｍｍの円環状フェライト永久磁石を用い、内側永久磁
石１１として外径３０ｍｍで高さ３０ｍ＋ｎの円柱状フ
ェライト永久磁石を用い、底部永久磁石１２として厚み
１０ｍｍの穴あき円板状フェライ）・永久磁石を用い、
付加永久磁石１５Ａとして外径１７５ｍｍ、内径１２０
ｍｍの円環状フェライト永久磁石を用い、付加永久磁石
１５Ｂとして外径９Ｑｍｍ、内径３５ｍｍの円環状フェ
ライ）へ永久磁石を用いた場合における、永久磁石１０
．１１の先端面より上方に２０ｍｍ離間した高さての水
平方向の磁束密度Ｂｘと垂直方向の磁束密度Ｂｙを示す
。但し、横軸は内側永久磁石中心軸からのＸ方向距離（
半径方向距離）てあって、データ・７　＋〜が非磁性の
場合を想定している。第７図は第２実施例の場合の磁力
線を示し、第Ｓ図は磁束の向きと大きさを示すベタ１ヘ
ル図てあり、測定条件は第６図と同じである。

これらの図から、底部永久磁石１２の存在により付加永
久磁石１５Ａ、１．５Ｂのヨーク側を回る磁束が従来よ
りも少なくなり、ターゲット側を回る磁束が多くなるの
で、データラ）〜４の表面近傍における磁束密度か２０
０カウス（すなわち２×１０−２テスラ）以上の領域は
データ・・川−のほぼ全域となり、４００力ウス以上の
領域も広く、広範囲にわたって一層強力な磁界が得られ
ていることがわかる。

第９図乃至第１１図は、第５図の第２実施例において、
ターゲット・４が強磁性の場合のデータてあ−って、第
９図は外側永久磁石１０として外径１５０ｍｍ、厚み］
、］、ｍｍ、高さ２５ｍｍの円環状希土類永久磁石を用
い、内側永久磁石１１として外径２５ｍｍて高さ２５ｍ
ｍの円柱状希土類永久磁石を用い、付加永久磁石５Ａと
して外径１２Ｑｍｍ、内径８５ｍＩｎの円環状希土類永
久磁石を用い、付加永久磁石５Ｂとして外径６５ｍｍ、
内径３Ｑｍｍの円環状希土類永久磁石を用いた場合にお
ける、強磁性クーゲラ１〜（Ｔｂ、Ｆｅ６７Ｃｏ１ｏ）
４の上面より上方に１ｍｍ離間した高さての水平方向の
磁束密度Ｂｘど垂直方向の磁束密度Ｂｙを示す。但し、
横軸は内側永久磁石中心軸からのＸ方向距離（半径方向
距離）である。第１０図は第２実施例で強磁性ターゲツ
トの場合の磁力線を示し、第１１図は磁束の向きと大き
さを示すベクトル図であり、測定条件は第９図と同しで
ある。

これらの図から、強磁性ターゲラ１−の場合も付加永久
磁石１５Ａ、１５Ｂのヨーク側を回る磁束を減じてター
ゲット側を回る磁束を増大せしめ、ひいては広範囲にわ
たって強力な磁界が得られていることがわかる。

第１２図は本発明の第３実施例を示す。この場合、第２
実施例に示した付加永久磁石１５Ａ、１５Ｂ間に鉄等の
磁気ヨーク１６を設けるとと≠１に、底部永久磁石も２
分割してその間に磁気ヨーク１７を設けている。すなわ
ち、円環状底部永久磁石１２Ａ、１２Ｂが外側永久磁石
１０及び内側永久磁石１１の底部側間を橋絡する向きに
配置され、底部永久磁石１２Ａ、１２Ｂ間に円環状磁気
ヨーク１７か配置され、さらに各永久磁石の直交する磁
極面を連終するように円板状磁気ヨーク１３及び円環状
磁気ヨーク１４が設（つられている。

第１３図は、第１２図の第３実施例において、外側永久
磁石１０として外径２００ｍｍ、厚み１０ｍｍ、高さ３
０ｍｍの円環状フェライト永久磁石を用い、内側永久磁
石１１として外径３Ｑｍｍで高さ３Ｑｍｍの円柱状フェ
ライト永久磁石を用い、底部永久磁石１２Ａとして外径
１９０ｍｍ、内径１２Ｃ１■、厚み１０ｍｍの円環状フ
ェライト永久磁石を用い、底部永久磁石１２Ｂとして外
径９０ｍｍ、内径３０ｍｍ、厚み１０ｍｍの円環状フェ
ライト永り、磁石を用い、付加永久磁石１５Ａとして外
径１７５ｍｍ、内径］、２０ｍｍの円環状フェライＩ・
永久磁石５用い、付加永久磁石１５Ｂとして外径９Ｑｍ
ｍ、内径３べｍｍの円環状フェライト永久磁石を用いた
場合における、永久磁石１０．１１の先端面より上方に
２０１１ＩＩＴｌ離間した高さでの水平方向の磁束密度
Ｂ＼と垂直方向の磁束密度ＢＹを示す。ｆ旦し、横軸は
内側永久磁石中心軸からのＸ方向比ｉ１ｉ！　（半径方
向距離）であって、ターゲットか非磁性の場合を想定し
ている。第１４図は第３実施例の場合の磁力線を示し、
第１５図は磁束の向きと大きさを示すベクトル図であり
、測定条件は第１３図と同じて゛ある。

これらの図から、底部永久磁石及び付加永久磁石を分割
して間に磁気ヨークを設けた第３実施例の構造の場合も
第２実施例と同様にターゲット表面の広範囲にわたり強
力な磁界が得られていることが判る。また、分割された
底部永久磁石の間の磁気ヨークは鉄等であり、例えば第
１２図−点鎖線Ｑｌ、Ｑ２の位置に取り付は穴等を穴あ
け加工で形成することが可能となる。

第１６図は本発明の第４実施例を示す。この場合、第１
実施例の磁気ヨーク部分を永久磁石て置換している。す
なわち、円環状永久磁石２０及び半円板状永久磁石２１
．Ａ、２１Ｂは、斜め方向に着磁して直交する２面に磁
極を形成している。そして、各永久磁石２０．２１Ａ、
２’ｌＢは他の永久磁石のＮ極にはＳ極か、他の永久磁
石のＳ極にはＮ極が対接する如く配置する。なお、４は
非磁性ターゲットであり、その他は第１図の第１実施例
と同じである。

この第４実施例によれは、前述の第１実雄例と同等以上
の特性を得ることができる。

第１７図は本発明の第５実施例を示す。この場合、半円
板状底部永久磁石１２Ｃ，１２Ｄは外側永久磁石１０及
び内側永久磁石１１の底部端面間を橋緒する如く配置さ
れている。各半円板状底部永久磁石１２Ｃ，１２Ｄはい
ずれも半径方向に着磁されており、外周面と円板中心部
とに磁極か形成されている。なお、４は非磁性ターゲッ
トである。

この第５実施例によっても、前述の第１実施例と実質的
に同様の特性を得ることができる。

第１８図は本発明の第６実施例であり、第１６図の第４
実施例Ｊ）構成に加えて円環状付加永久磁石１５を配置
したものである。

この第６実施例によれば、非磁性又は強磁性ターゲット
４に対して第５図の第２実施例と同等以上の効果を上け
ることかてきる。

第１９図は本発明の第７実施例であり、付加永久磁石を
２分割し、それらの間に磁気ヨークを配置したものであ
る。すなわち、付加永久磁石１５Ａ、１５Ｂ間に磁気ヨ
ーク１６を設けている。その他の構成は第１８図の第６
実施例と同様である。

第２０図は本発明の第８実施例であり、第５図の第２実
施例における分割された付加永久磁石１５Ａ、１５Ｂ間
に磁気ヨーク１６を設けたしのである。

なお、円環状の外側永久磁石、イづ加永久磁石及び底部
永久磁石は、着磁の都合により半円環状等のセグメント
に分割したものを一体化したものであっても差し支えな
い。また、外側永久磁石は方形環状構造であっても良い
。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明のマクネトロン・スパッタ
リンク装置用磁気回路装置によれば、永久磁石配置を工
夫して高さ寸法を削減するとともに、ターゲツト面に平
行な磁界をターゲットのほぼ全域に広く分布せしめ、タ
ーゲットの侵食領域の拡大（エロージョンの拡大）を図
り、ひいては成膜の均一性の向上や高価なターゲツト材
の有効利用を図ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るマクネトロン・スパッタリング装
置用磁気回路装置の第１実施例を示す断面図、第２図は
第１実施例の場合の非磁性ターゲット配置側における水
平及び垂直方向の磁束密度と内側永久磁石の中心からの
Ｘ方向距離との関係を示すグラフ、第３図は第１実施例
の場合の磁力線分布を示す説明図、第４図は第１実施例
の場合の磁束の向き及び強さを示すベクトル図、第５図
は本発明の第２実施例を示す断面図、第６図は第２実施
例の場合の非磁性ターゲラ）へ配置側における水平及び
垂直方向の磁束密度と内側永久磁石の中心からのＸ方向
距離との関係を示すグラフ、第７図は第６図と同し条件
下における磁力線分布を示す説明図、第Ｓ図は第６図と
同じ条件下における磁束の向き及び強さを示すベクトル
図、第９図は第２実施例の場合の強磁性ターゲント表面
近傍における水平及び垂直方向の磁束密度と内側永久磁
石の中心からのＸ方向距離との関係を示すグラフ、第１
０図は第９図と同し条件下における磁力線分布を示す説
明図、第１１図は第９図と同じ条件下における磁束の向
き及び強さを示すベクトル図、第１２図は本発明の第３
実施例を示す断面図、第１３図は第３実施例の場合の非
磁性ターケラト配置測における水平及び垂直方向の磁束
密度と内側永久磁石の中心からのＸ方向距離との関係を
示すグラフ、第１４図は第１３ｒ２Ｉと同し条件下にお
ける磁力線分布を示す説明図、第１５図は第１３図と同
じ条件下における磁束の向き及び強さを示すベクトル図
、第１６図は本発明の第４実施例を示す断面図、第１７
図は本発明の第５実施例を示す断面図、第１８図は本発
明の第６実施例を示す断面図、第１９図は本発明の第７
実施例を示す断面図、第２０図は本発明の第８実施例を
示す断面図、第２１図は第１従来例を示す断面図、第２
２図はは第１従来例の場合の非磁性ターゲット配π側に
おける水平及び垂直方向の磁束密度と内側永久磁石の中
心からのＸ方向距離との関係を示すグラフ、第２３図は
第１従来例の場合の磁力線分布を示す説明図、第２４図
は第１従来例の場合の磁束の向き及び強さを示すベクト
ル図、第２５図は第２従来例を示す断面図、第２６図は
第３従来例を示す断面図、第２７図は第３従来例の場合
の非磁性ターゲット配置側における水平及び垂直方向の
磁束密度と内側永久磁石の中心からのＸ方向距離との関
係を示すグラフ、第２８図は第２７図と同じ条件下にお
ける磁力線分布を示す説明図、第２９図は第２７図と同
じ条件下における磁束の向き及び強さを示すベクトル図
、第３０図は第３従来例の場合の強磁性ターゲット表面
近傍における水平及び垂直方向の磁束密度と内側永久磁
石の中心からのＸ方向距離との関係を示すグラフ、第３
１図は第３０１１ｍと同し条件下における磁力線分布を
示す説明図、第３２図は第３０図と同し条件下における
磁束の向き及び強さを示すベクトル図である。 ４・・・ターゲット、１０・・・外側永久磁石、１１・
・・内側永久磁石、１２．１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ。 １２Ｄ・・・底部永久磁石、１３，１４．１６・・磁気
ヨーク、１５，１５Ａ、１５Ｂ・・・付加永久磁石。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）環状の外側永久磁石と、該環状の外側永久磁石の
   内側に配置された内側永久磁石と、それらの外側永久磁
   石及び内側永久磁石の底部側間を橋絡する向きに配置さ
   れる底部永久磁石とを備え、前記外側永久磁石先端面の
   磁極と内側永久磁石先端面の磁極とを略同一高さで逆極
   性とし、前記外側永久磁石、内側永久磁石及び底部永久
   磁石による各起磁力の総和が増大する向きに各永久磁石
   の磁化方向を定めたことを特徴とするマグネトロン・ス
   パッタリング装置用磁気回路装置。
2. （２）前記外側永久磁石内側面及び内側永久磁石側面の
   先端部間に付加永久磁石を配置し、前記外側永久磁石内
   側面又は内側永久磁側面に近接対向する当該付加永久磁
   石の端面の磁極を前記外側永久磁石又は内側永久磁石の
   近接磁極と同極性とした請求項１記載のマグネトロン・
   スパッタリング装置用磁気回路装置。
3. （３）前記底部永久磁石が複数個の永久磁石からなつて
   いて、複数個の永久磁石間にヨークが設けられている請
   求項１記載のマグネトロン・スパッタリング装置用磁気
   回路装置。
4. （４）前記付加永久磁石が複数個の永久磁石からなって
   いる請求項１記載のマグネトロン・スパッタリング装置
   用磁気回路装置。
5. （５）前記付加永久磁石が複数個の永久磁石からなって
   いて、複数個の永久磁石間にヨークが設けられている請
   求項１記載のマグネトロン・スパッタリング装置用磁気
   回路装置。