JPH04186780A

JPH04186780A - 半導体素子およびその製造方法

Info

Publication number: JPH04186780A
Application number: JP2316256A
Authority: JP
Inventors: Hideji Kawasaki; 秀司川崎; Hiroyuki Tokunaga; 博之徳永
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1990-11-20
Filing date: 1990-11-20
Publication date: 1992-07-03

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は発光素子あるいは電子素子などの半導体素子と
その製造方法に関する。

［従来の技術］従来、電子写真プリンタに用いられてきたＬＥＤアレイ
ヘッドは特開昭６０−４８３８４号に示されたように１
〜２ｃｍ程度の長さの化合物半導体単結晶基板上に作ら
れたＬＥＤアレイを並べて支持基板上に接着していた。

また、上記ＬＥＤアレイヘッドは単結晶基板に対して垂
直方向を中心に光が放出されていたため、第５図のよう
に支持基板全体は書き込まれる感光ドラムの表面に並行
に保持されていた。このため、感光ドラム周辺にＬＥＤ
アレイヘッド設置するためのスペースを広（取る必要が
あった。

一方、このスペースを広く取らなければならないという
問題を解決するための手段として、支持基板と水平方向
に光の放出方向が向くように、単結晶基板を設置し、支
持基板を感光ドラムの表面と垂直な方向に保持されたも
のが提案されている。（特開平２−１２５７６５号）し
かし、実装方法は多数の小さな化合物半導体単結晶基板
を支持基板の上に光軸合わせを行いながら並べて接着し
ている。このため、実装時間が長くなり、つなぎ部分の
発光素子間隔９発光強度にむらがでやすい。

この解決策として本発明者らは１選択核形成法を用いた
半導体素子を提案している。　選択核形成法とは、非晶
質あるいは多結晶（非単結晶質）である核形成密度の小
さい非核形成面と、単一核のみより結晶成長するに充分
小さい面積を有し。

該非核形成面の核形成密度より大きい核形成密度を有す
る非晶質あるいは多結晶（非単結晶質）である核形成面
とを隣接して配された自由表面を有する基板に、結晶成
長処理を施して該単一核より単結晶を成長させるもので
ある。

これに対して、前記選択核形成法においては単結晶化率
を高めるような成長条件にすると占有率が低下し、占有
率を高めるような成長条件にすると単結晶化率が低下す
るという相反する問題が起こることがあり、これを解決
する方法の１つとして多結晶による選択的半導体素子形
成法を提案した。

［発明が解決しようとしている課題］しかしながら上記単結晶あるいは多結晶による発光素子
は、基板と垂直方向に光を放出するので電子写真プリン
タにＬＥＤアレイヘッドとして用いる場合感光ドラム周
辺にＬＥＤアレイヘッドを設置するためのスペースを取
る必要があった。また、半導体素子作成プロセスには平
坦化の工程を有するため、平坦化を行う際の基板表面に
加わる物理的な衝撃のため、半導体結晶が剥離する場合
があった。

［課題を解決するための手段］本発明の半導体素子は、非単結晶質材料で構成された表
面を有する基体と、該基体上の所望の位置に形成した第
一導電型結晶領域と、該結晶領域を包む形の第二導電型
結晶領域と、を有し、第一導電型結晶領域の露出部を有
することを特徴とする。

本発明の半導体素子の製造方法は、非単結晶質表面を有
する基体の所望の位置に第１導電型結晶領域および第２
導電型結晶領域を形成する工程と。

第２導電型結晶領域の一部に第２電極を形成し。

第２電極を形成した部分以外の第２導電型結晶領域を除
去し第１導電型領域を露出させ、第１電極を形成する工
程とを有することを特徴とする。

［作用］本発明では平坦化を行わず電極を形成するため１例えば
、平坦化のために行う物理的な衝撃が加わる研摩などの
工程が省けるため成長した単結晶の剥離が抑えられる。

また、ＬＥＤ素子を作成した場合、基板と並行な方向に
も光を放出することが比来る。

［実施態様例］先ず、下地材料１０１として、例えば、Ｓｉ単結晶基体
、ＧａＡｓ単結晶基体等の半導体単結晶基体あるいは石
英ガラス基体、セラミック基体等の非単結晶質基体ある
いは、Ｗ基体、Ｔｉ基体等の高融点金属基体等の耐熱基
体（１０１）上に熱酸化処理あるいは蒸着、スパッタ等
により基体表面に核形成密度の小さいＳｉＯ□、ＳｉＮ
ｘ等の非単結晶質層（非核形成面を提供）を形成する（
第１図（ａ））。　あるいは第１図（ｇ）のように石英
ガラス基体等の基体表面自体が非核形成面となりうる耐
熱性の非単結晶質の基体（１０８）を用いることにより
、基体表面を非核形成面としても良い。

つぎに、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ等の非単結晶質（非核形成
面）　（１０２）上に核形成密度が大きいＡｌｚ　Ｏｓ
　、Ｔａ２０５等の非単結晶質をＥＢ（電子ビーム）蒸
着、抵抗加熱蒸着等により形成する。微細な領域（核形
成面）　（１０３）　　（一般には１０μｍ四方以下、
望ましくは６μｍ四方以下。

最適には３μｍ四方以下）を残し、ＲＩＢＥ　（リアク
ティブイオンビームエツチング）、ＩＢＥ（イオンビー
ムエツチング）等のエツチング法により除去する。ある
いは、Ａｌ、Ａｓ等のイオンを微細な領域にＦＩＢ　（
フォーカスイオンビーム）を用いて注入し、核形成面と
しても良い。あるいは、微細な領域を残し、他の部分に
マスクをし。

基体表面にＡｌ、Ａｓ等のイオンを打ち込み、マスクを
除去し、微細な領域のみ核形成密度を増加させても良い
。

ここで、非核形成面および核形成面を形成する方法とし
て、第１図（ｈ）のようにしても良い。

つまり、耐熱性基体に核形成密度が大きいＡ　１２０ｓ
　、Ｔａ２０５等の非単結晶質層（１０３）を堆積させ
、つぎにＳｔｏｗ、ＳｉＮｘ等の前記非単結晶質層１０
３よりも核形成密度の小さい材料の非単結晶質層１０２
を堆積させる。つぎに、微細な領域の非核形成面を提供
する材料を取り去ることにより、微細な領域の核形成面
を露出させる。

非単結晶質層を堆積させる堆積法としては。

ＥＢ蒸着、抵抗加熱蒸着、スパッタ等が用いられる。

非核形成面と核形成面とを有する基体にＭＯＣＶＤ法（
有機金属気相成長法）を用いて、半導体結晶を形成する
（第１図（ｂ））。

ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）に用いられる原料
としては、■−Ｖ族化合物半導体原料としてはＴＭＧ　
（）リメチルガリウム）、ＴＥＧ（トリエチルガリウム
）やＴＭＡ　（トリメチルアルミニウム）、ＴＥＡ　（
）リエチルアルミニウム）、ＴＭＩｎ（トリメチルイン
ジウム）、ＴＥＩｎ（トリエチルインジウム）とＴＢＡ
ｓ　（ターシャルブチルアルシン）、ＴＭＡｓ　（ｌジ
メチルアルシン）、ＴＥＡｓ　（）ジエチルアルシン）
、ＤＭＡ５（ジメチルアルシン）、ＤＥＡｓ（ジエチル
アルシン）、ＡｓＨ＊　、ＴＢＰ　（ターシャルブチル
ホスフィン）、ＴＭＰ　（）リメチルホスフィン）、Ｔ
ＥＰ　（トリエチルホスフィン）、ＰＨ３゜ＮＨ３等の
原料およびドーピング原料どしてはＤＭＳｅ（ジメチル
セレン）、ＤＥＳｅ（ジエチルセレン）、ＤＭＴｅ（ジ
メチルテルル）、ＤＥＴｅ（ジエチルテルル）、ＳｉＨ
４、ＤＥＺｎ　（ジエチルジンク）、ｃｐ２　Ｍｇ、Ｍ
ｅｃｐ２　Ｍｇ等が挙げられる。　　′ 成長条件として、成長温度は５００℃以上１２００℃以
下が好ましく、窒化物系の材料を用いる場合には８００
℃以上１２００℃以下が好ましい。圧力は好ましくは、
８０　Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは３０Ｔｏｒｒ以下
、最適には２０　Ｔｏｒｒ以下であることが好ましい。

これらの条件のもとで、基体にＭＯＣＶＤ法（有機金属
気相成長法）等の結晶成長処理を施し、ｎ型あるいはｐ
型の半導体（１０４）を形成する。ただし、これらの成
長条件は装置依存性があり、使用する装置によりこれら
の条件は変化する。成長時間は半導体素子の大きさによ
り決定される。

つぎにドーピング原料を変化させ、第１図（ｂ）におい
て形成した第１導電型の半導体と反対の導電型を持つｎ
型あるいはｐ型の半導体（１０５）を成長させる（第１
図（Ｃ））。成長条件は前述したものと同様である。

つぎに、ＭＯＣＶＤ法を用いて形成された結晶核表面の
一部に電極（１０６）を形成する（第１図（ｄ））。

電極の形成法は例えば、抵抗加熱蒸着法、電子線加熱蒸
着法等を用いる。パターニングとしては、あらかじめレ
ジストによりパターニングし。

その後電極を形成し、レジストを剥離するりフトオフ法
、あるいは電極を全面に形成した後、不必要な部分の電
極を取り去る手法等により行う。

電極を形成した部分以外の成長した単結晶表面の一部を
除去し、形成した第１導電型の半導体を基体表面に露出
させる。単結晶核の一部を除去する方法としては、ＲＩ
ＢＥ、ＩＢＥ等のドライエツチングあるいはウェットエ
ツチング等のエツチングを用いる（第１図（ｅ））。

露出した半導体に電極（１０７）を形成しく第１図（ｆ
））、半導体素子とする。電極の形成方法としては、前
述した手法と同様である。

［実施例１〕Ｓｉ基体（１０１）に、ＥＢ蒸着によりＳ　ｉ　Ｏｚ層
（１０２）　、　Ａ　ｌ□０８層（１０３）を形成した
。　ここで蒸着は１ｘ１０−Ｔｏｒｒまで真空にし、酸
素を１ＯＣｃ／ｗｉｎ、供給して行った。その後、ホト
リソグラフィにより５０μｍ間隔でＡ１□０１層（１０
３）の微細な領域（０，８μｍ角）を残し、他の部分を
エツチング液（ＨＩ　Ｓｏ４　：　Ｈｘ　Ｏｘ　　：　
Ｈ，Ｏ＝１：１：２）によりウェットエツチングで除去
した（第１図（ａ））。

ＭＯＣＶＤ法を用いて、ｎ型ＧａＡｓ単結晶（ｎ　＝　
１　ｘ　１０　”ｃ　ｍ−”（１０４）を成長させた。

成長はＴＭＧ　（２，４Ｘ　１０−’ｍｏｌ　／ｍｉｎ
、）　、　ＡｓＨｓ　　（１、８Ｘ　ｌ　Ｏ−’ｍｏｌ
　／ｍｉｎ、）およびドーピング原料としてＳｉＨ４（
８，９ｘｌＯ−’ｍｏｌ　／ｍｉｎ、　）を供給し、キ
ャリアガスとしてＨ２を１０１／ｍｉｎ、　　供給して
行った。また、基体温度は６７０℃、圧力は２０　Ｔｏ
ｒｒで行った。成長時間は３０分で行った。

つぎにドーピング原料を変化させ、ｐ型ＧａＡｓ単結晶
（ｎ　＝　ｌ　Ｘ　１０　、”ｃ　ｍ−３（１０５）を
成長させた（第１図（ｂ））。

ココで、成長はＴＭＧ　（２、４ｘ　１０−’ｍｏｌ　
／ｍｉｎ、）　＋　Ａ５Ｈｚ　　（１，８Ｘ　１０−’
ｍｏｌ　／ｍｉｎ、）およびドーピング原料としてＤＥ
Ｚｎ（ｌｘｌ　０−’ｍｏｌ　／　ｍｉｎ、　）　Ｈ２
を１０　Ａ　／　ｍｉｎ、を用いて行った。また、成長
温度は６７０℃で行い、圧力は２０　Ｔｏｒｒで行った
。成長時間は１５分間であった。

電極を形成する部分以外にレジスト（膜厚５μｍ）を形
成した。つぎに、Ｃｒ　（５００人）／Ａｕ　（５００
０人）　（１０６１を抵抗加熱蒸着により形成した。つ
ぎに、レジスト剥離液中で２０分間超音波洗浄を行った
（第１図（ｄ））。

電極をマスクとしてｎ型ＧａＡＳ単結晶が露出するまで
エツチングした。エツチングはＲＩＥ　（反応性イオン
エツチング）を用い導入ガスはＣＣ１＊　Ｆａ　　（２
０ｃｃ／ｍｉｎ、　）圧力は４Ｐａ、パワーは１００Ｗ
、時間３分で行った（第１図（ｅ））。

第１導電型のｎ型ＧａＡｓ単結晶が露出した部分の一部
に電極を形成した（第１図（ｆ））、電極はＡｕＧｅ　
（２０００人）／Ａｕ（５０００人）　（１０７）を第
１図（ｄ）と同様の方法で形成した。　以上のようにＧ
ａＡｓダイオードを作成した。比較例として平坦化工程
を行った場合には。

研摩時に８％程度のＧａＡｓ単結晶の剥離が生じたが１
本手法により結晶形成後のプロセスによるＧａＡｓの剥
離は２％程度に低減できた。

Ｃ実施例２］Ｓｉ基体（ｚｏｉ）に、ＥＢ蒸看によりＳｉ　Ｏｚ層（
２０２）　、　Ａ　ｌ　ｚ　Ｏｓ層（２０３）を形成し
た。ここで蒸着はＩ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒまで真空に
し、酸素を１０ｃｃ／ｗｉｎ、供給して行った。その後
、ホトリソグラフィにより５０μｍ間隔でＡ１□０３層
（２０３）の微細な領域（５μｍ角）を残し、他の部分
をエツチング液（Ｈ，Ｓｏ、：Ｈ，Ｏ，：Ｈ，Ｏ＝１　
：１：２）によりウェットエツチングで除去した（第２
図（ａ））。

ＭＯＣＶＤ法を用いて、ｎ型ＧａＡｓ多結晶（ｎ−＝　
１　ｘ　１０”ｃｍ−″）　（２０４）を成長させた（
第２図（ｂ））。成長条件はＴＭＧ　（２，４Ｘ１０−
’ｍｏｌ　／ｗｉｎ、）　、　ＡｓＨｓ　　（１，８ｘ
　１０−’ｍｏｌ／　ｗｉｎ、　）およびドーピング原
料としてＳｉＨ４（８、９Ｘ　１０−’ｍｏｌ　／ｍｉ
ｎ、）を供給し、キャリアガスとしてＨ２を１０β／ｍ
ｉｎ、　　供給して行った。また、基体温度は６７０℃
、圧力は２０Ｔｏｒｒで行った。成長時間は３０分で行
った。

つぎにドーピング原料を変化させ、ｐ型ＧａＡｓ多結晶
（ｎ　＝　１　ｘ　１０　”ｃ　ｍ　−’）　（２０５
）を成長させた（第２図（Ｃ））。成長条件は、ＴＭＧ
　（２，４Ｘ　１０−”ｍａｌ／ｍｉｎ、）　、　Ａｓ
Ｈｊ（１、８Ｘ　ｌ　Ｏ−’ｍｏｌ　／ｍｉｎ、）およ
びドーピング原料としてＤＥＺｎ　（Ｉ　Ｘ　１０−’
　ｍｏｌ／　ｍｉｎ、　）Ｈ２を１０ρ／ｍｉｎ、　　
を用いて行った。また、成長温度は６７０℃で行い、圧
力は２０Ｔｏｒｒで行った。成長時間は１５分間行った
。

電極を形成する部分以外にレジスト（膜厚５μｍ）を形
成した。つぎに、Ｃｒ　（５００人）／Ａｕ　（５００
０人）　（２０６）を抵抗加熱蒸着により形成した。つ
ぎに、レジスト剥離液中で２０分間超音波洗浄を行った
（第２図（ｄ））。

電極をマスクとしてｎ型ＧａＡｓ多結晶が露出するまで
エツチングした（第２図（ｅ））。エツチングはＲＩＥ
　（反応性イオンエツチング）を用い、導入ガスはＣＣ
１２ｚ　Ｆ　２　　（２０ｃｃ／ｍｉｎ、　）　。

圧力は４Ｐａ、パワーは１００Ｗ、時間３分で行った。

ｎ型ＧａＡｓ多結晶が露出した部分の一部に電極を形成
した。電極はＡｕＧｅ　（２０００人）／Ａｕ　（５０
００人）　（２０７）を実施例１と同様の方法で形成し
た第２図（ｆ））。以上のようにＧａＡｓ　　ＬＥＤを
作成した。比較例として平坦化工程を行った場合には、
研摩時に５％程度のＧａＡｓ多結晶の剥離が生じていた
が９本手法により結晶形成後のプロセスによるＧａＡｓ
の剥離は２％程度に低減できた。

このＧａＡｓ　　、ＬＥＤを第２図（ｇ）のように１次
元アレー化して電子写真プリンタのＬＥＤヘッドとして
用いた。これによりＬＥＤアレーを基体に支持せずに感
光ドラム（２０８）近傍にスペースを広く取らずに設置
でき、支持基体（２０９）上への接着も１回の光軸合わ
せにより行えた。

［実施例３］Ｓ　ｉ　Ｏ２基体（３０１）に、ＣＶＤ法により５００
人のポリＳ　ｉ　（３０２）を堆積させた。その後、ホ
トリソグラフィにより５０μｍ間隔でポリＳｉの微細な
領域（５μｍ角）　（３０２）を残し、他の部をドライ
エツチングにより取り去った（第３図（ａ））。ドライ
エツチングの条件はＣＦ４　（２０ｃｃ／ｍｉｎ、　）
　、　Ｏｚ　　（２ｃｃ／ｗｉｎ、　）を供給し、圧力
１０Ｐａ、パワー１００Ｗで行った。

ＭＯＣＶＤ法を用いて、ｎ型ＧａＡｓ多結晶（ｎ＝　Ｉ
　Ｘ　１０　”ｃｍ−”）　ｆ３０３）を成長させた（
第３図（ｂ））。成長はＴＭＧ　（２，４Ｘ　１０−’
ｍｏｌ　／１ｎｉｎ、）　、　ＡｓＨｘ　　（１，８Ｘ
　１　−’　ｍｏｌ　／ｍｉｎ、）およびドーピング原
料としてＳｉＨ４（８、９Ｘ　１０−’ｍｏｌ　／ｍｉ
ｎ、）を供給し、キャリアガスとしてＨ２をｌ　Ｑ　Ｉ
ｌ、　／　ｍｉｎ、　　供給して行った。また、基体温
度は６７０℃、圧力は２０Ｔｏｒｒで行った。成長時間
は３０分で行った。

つぎにドーピング原料を変化させ、ｐ型ＧａＡｓ多結晶
（ｎ＝　１　ｘ　１０　”ｃｍ−”）　（３０４）を成
長させた（第３図（Ｃ））。ここで、成長はＴＭＧ　（
２，４Ｘ　１０−’ｍｏｌ　／ｍｉｎ、）　＋　Ａｓ　
Ｈｚ　　（１、８Ｘ　１０−’ｍｏｌ　／　ｗｉｎ、）
およびドーピング原料としてＤＥＺｎ　（Ｉ　Ｘ　１０
−’ｍｏｌ　／　ｌｌ１ｉｎ、　）Ｈ２を１０β／ｍｉ
ｎ、　　を用いて行った。また、成長温度は６７０’Ｃ
で行い、圧力は２０　Ｔｏｒｒで行った。成長時間は１
５分間行った。

基体表面の全面にＣｒ　（５００人）／Ａｕ（５０００
人）　（３０６）を抵抗加熱蒸着により形成した。つぎ
に、電極を形成する部分のみにレジスト（３０５）を形
成した（第３図（ｄ））。

レジストをマスクとして電極をエツチングし除去した（
第３図（ｅ））。電極のエツチングはヨウ素ヨウ化カリ
ウムによりＡｕを除去し、その後リン酸：塩酸：水を１
：１：１で混合した溶液でＣｒを除去した。

つぎにＮＨ，ＯＨ：Ｈｚ　Ｏ，＝１　：５０に混合した
溶液でＧａＡｓ多結晶を除去し、ｎ型ＧａＡｓ多結晶を
表面に露出させた第３図（ｆ）。

レジストを除去し、もう一方の電極を形成する部分以外
にレジストを形成した第３図（ｇ）。その後、　Ａ　ｕ
　Ｇ　ｅ　（２０００人）／Ａｕ（５０００人）　（３
０７）抵抗加熱蒸着により形成した。

レジストを除去し、リフトオフにより電極をバターニン
グした（第３図（ｈ））。　以上のようにＧａＡｓダイ
オードを作成した。比較例として平坦化工程を行った場
合には、研摩時に５％程度のＧａＡｓ多結晶核の剥離が
生じたが１本手法により結晶形成後のプロセスによるＧ
ａＡｓの剥離は３％程度に低減できた。

［実施例４］核形成面の大きさで粒径を制御したＧａＡｓ結晶を用い
て、ＬＥＤ素子を以下の条件で作成し、その発光特性を
測定した。

トリメチルガリウム（Ｔ　Ｍ　Ｇ　）　３．ＯＸ　１０
−’ｍｏｌ／分アルシシアルシンｓ　Ｈｚ　）　　　　
　２．Ｏｘ　１０−”ｍｏｌ／分反応圧力　　　　　　
　　　　２０　Ｔｏｒｒ基板温度　　　　　　　　　　
７７５℃成長時間　　　　　　　　　　６０分希釈ガス（Ｈ２）流量　　　　０．４５ｍｏｌ／分エツ
チングガス（ＨＣＩ）流量２．２　ｘ　１０−’ｍｏｌ
／分ドーピノド−ピングガスＤＥＺ）　　　　　　６　ＸＩＯ弓ｍｏｌ／分
Ｎ　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　　　　　５　Ｘｌ０−’ｍｏｌ
／分核形成分村形成面材料　　　　ポリシリコン非核形
成面材料　　　　　　　酸化珪素こうして作成したＬＥ
Ｄ素子から発せられる光をフォトマルにより光強度を測
定し、結晶粒径と光強度とを比較した。いずれの粒径の
ＬＥＤ素子も８８０ｎｍのピーク波長を示した。第４図
は結晶の平均粒径と発光強度の関係について示したもの
である。

結晶粒径が小さくなるにつれてＬＥＤ素子の発光強度は
低下している。特に、結晶粒径が０６５μｍ未満では発
光強度が低い。これは、結晶粒径が小さくなるにつれ、
再結合の原因である結晶粒界が増えるため発光効率の低
下を引き起こしているものと考えられる。

［発明の効果］以上説明したように１本発明素子をＬＥＤアレイヘッド
として用いることにより、感光ドラム周辺のスペースを
広く取る必要がなく、かつＬＥＤアレーを支持基体に接
着する際１回の光軸合わせにより行える。また、平坦化
のプロセスを行わずに電極を形成出来るため、平坦化プ
ロセスの際起こることがあった結晶の剥離を抑えること
が出来た。

【図面の簡単な説明】

第１図　本発明による半導体素子の工程図。第２図　本発明による半導体素子の工程図およびＬＥＤ
アレイヘッド構成図。第３図　本発明による電子素子の工程図。第４図　発光強度と粒径の関係を示す図。第５図　ＬＥＤアレイヘッドの従来例を示す図。（１０１）耐熱基体　　　（１０２）非核形成面（１０
３）核形成面（１０４）　ｎ型あるいはｐ型半導体（１０５）　ｐ型あるいはｎ型半導体（１０６）電極　　　（１０７）電極（２０１）　ＳＬ基体　　（２０２）　５ｉ０２層（２
０３）　Ａｌ２Ｏ３層　　　（２０４）　ｎ型ＧａＡｓ
多結晶（２０５）　ｐ型ＧａＡｓ多結晶（２０６）　Ｃ
ｒ／Ａｕ電極（２０７）　ＡｕＧｅ／Ａｕ電極（２０８
）　　感光ドラム（２０９）支持基体（３０１）　５ｉ０２基体　　　　　（３０２）　　ボ
’）ＳｉＮ（３０３）　ｎ型ＧａＡｓ多結晶（３０４）　１）型ＧａＡｓ多結晶　　（３０５）　　
　レジスト（３０６）　Ｃｒ／Ａｕ電極　　　（３０７
）　ＡｕＧｅ／Ａｕ（４０１）感光ドラム（４０２）化合物半導体基体（４０３）支持基体ｌθｌ第４図艷晶の平均粒径ψｍ）核形戸く句の−よＬの棄二◇Ｕ筑）

Claims

【特許請求の範囲】（１）非単結晶質材料で構成された表面を有する基体と
、該基体上の所望の位置に形成した第一導電型結晶領域と
、該結晶領域を包む形の第二導電型結晶領域と、を有し
、第一導電型結晶領域の露出部を有することを特徴とする
半導体素子。（２）前記第一導電型結晶領域には第一電極が、第二導
電型結晶領域には第二電極を設けた請求項１に記載の半
導体素子。（３）前記半導体素子をアレイ状に所望の数だけ所望の
位置に設けた請求項１に記載の半導体素子（４）前記第
一導電型結晶領域及び、前記第二導電型結晶領域はIII
−Ｖ族化合物半導体で構成されているある請求項１の半
導体素子。（５）前記第一導電型結晶領域及び、前記第二導電型結
晶領域は単結晶あるいは多結晶である請求項１の半導体
素子。（６）前記多結晶は平均粒径が０．５μｍ以上である請
求項５の半導体素子。（７）非単結晶質表面を有する基体の所望の位置第１導
電型結晶領域および第２導電型結晶領域を形成する工程
と、第２導電型結晶領域の一部に第２電極を形成し、第
２電極を形成した部分以外の第２導電型結晶領域を除去
し第１導電型領域を露出させ、第１電極を形成する工程
とを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。（８）前記第２導電型結晶領域の除去は、第２電極をマ
スクとして選択的にエッチングする請求項７記載の半導
体素子の製造方法。