JPH04184927A - ウエハのクリーニングシステム - Google Patents

ウエハのクリーニングシステム

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JPH04184927A
JPH04184927A JP31473990A JP31473990A JPH04184927A JP H04184927 A JPH04184927 A JP H04184927A JP 31473990 A JP31473990 A JP 31473990A JP 31473990 A JP31473990 A JP 31473990A JP H04184927 A JPH04184927 A JP H04184927A
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cassette
wafer
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cleaning
inert gas
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Yutaka Hiratsuka
豊 平塚
Tadahiro Omi
忠弘 大見
Shigeharu Hanajima
花島 重春
Yasuo Kamimura
上村 康夫
Mitsuo Watanabe
光男 渡辺
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DAN KAGAKU KK
Hitachi Plant Technologies Ltd
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DAN KAGAKU KK
Hitachi Plant Technologies Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ウェハのクリーニングシステムに係り、特に
半導体製造工程に於いてウェハ表面の酸化膜を除去する
と共に洗浄後のウェハに酸化膜を生じさせないウェハの
クリーニングシステムに関する。
〔従来の技術〕
シリコンウェハは酸化し易く、ウェハ表面に自然酸化膜
が生じる場合がある。ウェハ表面の酸化膜はICの製造
に於いて信頼性を失わせる原因となる。
この為、従来は、グローボックス等を利用し、手作業で
ウェハ表面の酸化膜を希フッ酸で除去する作業を行って
いるが、作業能率が悪い欠点があった。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、このような事情に鑑みて成されたもので、手
作業によらず自動的にウェハ表面の酸化膜が除去できる
ウェハのクリーニングシステムを提案することを目的と
する。
〔課題を達成する為の手段〕
本発明は、前記目的を達成する為に、不活性ガスが封入
されウェハがカセット単位で搬入される密閉状のカセッ
トローディング室と、密閉状の内槽と外槽とから成り、
内槽には希フッ酸と純水とが給排水される給排水管とが
接続され、外槽には不活性ガスの給気管と真空タンクと
が接続された洗浄室と、洗浄後のウェハを不活性ガス雰
囲気中で次工程処理部に向けて搬送するカセット搬送手
段と、不活性ガスが封入された容器内に配冒されカセッ
トローディング室のカセットを保持して洗浄室の内槽内
にカセットを搬入し、ウェハ洗浄後内槽内のカセットを
保持してカセット搬送手段に搬出するカセットハンドリ
ング手段と、から成ることを特徴とする。
〔作用〕
本発明によれば、カセットハンドリング手段で不活性ガ
ス雰囲気中のカセットローディング室からウェハカセッ
トを取り出して洗浄室に搬入する。
洗浄室でウェハは希フッ酸で酸化膜を除去された後、不
活性ガス雰囲気中で洗浄室からカセット搬送手段に送ら
れ、カセット搬送手段は不活性ガス雰囲気中でカセット
を次工程処理部に送る。
〔実施例〕
以下、添付図面に従って本発明に係るウェハのクリーニ
ングシステムを提案することを目的とする。
第1図乃至第3図は、本発明のウェハのクリーニングシ
ステムの全体図を示し、第1図はその平面図、第2図は
正面図、第3図は側面図である。
図に於いて、lOはカセットローディング室、12は洗
浄室、14はハンドリング手段、16はカセット搬送手
段である。
カセットローディング室10は、密閉状容器で形成され
、詳細に図示しないが、カセットの人口、出口18が検
出され、真空ポンプ20とバイブ22を介して連通され
ている。従ってカセットローディング室10は真空状態
に維持することができると共に、またチッ素ガスを封入
することができる。
洗浄室12は第2図に示すように外槽としての、外側容
器24と、内槽としての洗浄槽26とで分割構成される
。洗浄槽26は、全体として円筒状に形成された密閉容
器であり、上側円筒体26Aと下側円筒体26Bとから
構成され、下側円筒体26Bの当接面にはシール材とし
てのO’Jング28が装着されている。下側円筒体26
Bは外側容器24の底面に固着され、上側円筒体26A
は、上下動シリンダ30の作動ロッド32に固着されて
いる。従って上下動シリンダ30が作動すると、上側円
筒体26Aは上下動し、洗浄槽26を開閉する。
下側円筒体28Bには薬液注入バイブ34が設けられ、
上側円筒体26Aにはバイブ36が設けられ、バイブ3
6は伸縮可能なスパイラルバイブ38を介して排出バイ
ブ40と接触されている。
エアー供給管42はスパイラルパイプ44.3方弁46
を介してバイブ36と接続され1、これにより洗浄槽2
6内に高温エアーを供給できるようになっている。
チッ素ガス供給管48は、スパイラルパイプ50.3方
弁52を介してバイブ36と接続され、これにより洗浄
槽26内に高純度のチッ素ガスを供給できるようになっ
ている。
また、第2図に示すように洗浄室12の外側容器24と
はバイブ54を介して真空バイブ20と接続され、洗浄
室12内を真空状態に維持できるようになっている。
次にカセットハンドリング手段14について説明する。
第2図に示すようにカセットハンドリング手段14は密
閉状の容器に収納され、駆動源56にはロッド58が設
けられ、ロッド58の上端には支持台60が設けられて
いる。支持台60上にはアーム62が設けられ、駆動源
560回転動作によりアーム62は少なくとも180°
回転させられ、また、駆動源56の昇降動作によりアー
ム62は上下動することができる。更にアーム62には
、支持台60上の図示しない横蓋きの駆動シリンダと連
結され、アーム62は伸縮動作ができるようになってい
る。第5図に示すようにア−ムロ2の先端62Aはカセ
ット100の凹部102と係合可能なようにL字形に形
成され、これによりカセット100を保持して、ローデ
ィング室10→洗浄室12→搬送手段16に移動できる
ようになっている。
カセットハンドリング手段14の密閉容器は、第4図に
示すように天井室64、ハンドリング室66、床下空間
68から構成される。天井室64にはHEPAフィルタ
70が設けられ、HEPAフィルタ70を通過したチッ
素ガスは整流板72を通ってハンドリング室66に吹き
込み、ハンドリング室66のエアはグレーチングを介し
て床下空間68に吸引され、再び天井室64に送られて
循環使用される。
次にカセット搬送手段16について説明する。
第6図で示す搬送レール74にはビークル76が摺動自
在に配装され、ビークル76はリニアモータ78でレー
ル74に沿って左右に移動される。
更にクリーンガス供給ユニット80が設けられ、クリー
ンガス供給ユニット80からはパイプ82を介してチッ
素ガスがピーフル76の摺動面に供給される。即ち、チ
ッ素ガスはレール74の摺動面の小孔から吹き出し、ビ
ークル76を浮上させ、摺動面から発崖しないようにな
っている。ビークル76上にはウェハのカセット100
が載置される。
カセッ)13送手段16は、天井室84、搬送室86、
床下空間88から構成される。天井室84にはHEPA
フィルタ90が設けられ、HEPAフィルタ90を通過
したチッ素ガスは整流板92を通うて搬送室86に吹き
込み、搬送室86のエアはグレーチングを介して床下空
間88に吸引され、再び天井室84に送られて循環使用
される。
ビークル浮上のためレール74から噴射されるチッ素ガ
スにより搬送室86内のダウンフロー気流が撹乱されな
いように、浮上エアの噴射ノズルの上部に半円形のガイ
ドバーを取付けた方がよい。
前記の如く構成された本発明に係るウェハのクリーニン
グシステムの好ましい実施例を詳説する。
先ス、立上がり時、ローディング室10、ハンドリング
室66、搬送室86は真空ポンプ20で吸引されて減圧
された後、チッ素ガスが封入される。この状態でローデ
ィング室10内にウェハを載置したカセッ)100が搬
入される。次にアーム62の先端62Aがローディング
室IO内に挿入されてカセット100を保持し、洗浄室
12の開口部からカセット100を挿入し、開放した洗
浄槽26内にカセット100を搬入する。洗浄槽26が
閉じた後、パイプ34から希フッ酸が注入され、希フッ
酸はウェハの酸化膜を除去する。使用済みの希フッ酸は
パイプ36、スパイラルパイプ38、排出パイプ40を
通って排出される。次にパイプ34から純水が注入され
て希フッ酸と買換されリンス処理され、使用済みの純水
はパイプ36、スパイラルパイプ38、排出パイプ40
を通って排出される。
次に洗浄槽26を開いて洗浄室12を真空排気し、ウェ
ハを乾燥処理、又は高温乾燥処理する。
この場合、リンス処理の後で、高温の純水をウェハに流
すと乾燥処理の時間が短縮される。
乾燥処理が終了すると、パイプ48.50、弁52、パ
イプ36を介してチッ素ガスが洗浄室12内に封入され
る。この状態でアーム62の先端62Aがカセッ)10
0の凹部102と係合し、アーム62が180°回転し
てカセット100を搬送室86の開口部から挿入し、搬
送室86のビークル76上に載置する。ビークル76は
リニアモータ78によって駆動され、次工程処理部へ移
動される。この場合、搬送室86はチッ素ガスが封入さ
れていてウェハは酸化されず、また、ビークル76の摺
動面からは発じんしない。
前証実施例では、チッ素ガスを用いたが他の不活性ガス
、非酸化性ガスでもよい。
前記実施例では、洗浄室12は1つ設けたが、ハンドリ
ング手段14の周囲に複数設けて、洗浄を同時に複数処
理してもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明に係るウェハのクリーニング
システムによれば、カセットローディング室、洗浄室、
カセット搬送手段、カセットハンドリング手段を設け、
カセットハンドリング手段でカセットローディング室の
カセットを洗浄室に搬入し、洗浄後カセットハンドリン
グ手段でカセット搬送手段に向けて搬送し、カセット搬
送手段は次工程処理に向けてウェハカセットを搬送する
これらの処理工程は不活性雰囲気でなされ、酸化膜が生
じることはない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のウェハのクリーニングシステムの平面
図、第2図は本発明のウェハのクリーニングシステムの
正面図、第3図は本発明のウェハのクリーニングシステ
ムの側面図、第4図は本発明の要部を示す拡大図、第5
図はアームとカセットとを示す説明図、第6図はカセッ
ト搬送手段を示す斜視図である。 10・・・カセットローディング室、 12・・・洗浄室、 14・・・カセットハンドリング手段、16・・・カセ
ット搬送手段。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)不活性ガスが封入されウェハがカセット単位で搬
    入される密閉状のカセットローディング室と、密閉状の
    内槽と外槽とから成り、内槽には希フッ酸と純水とが給
    排水される給排水管とが接続され、外槽には不活性ガス
    の給気管と真空タンクとが接続された洗浄室と、 洗浄後のウェハを不活性ガス雰囲気中で次工程処理部に
    向けて搬送するカセット搬送手段と、不活性ガスが封入
    された容器内に配置されカセットローディング室のカセ
    ットを保持して洗浄室の内槽内にカセットを搬入し、ウ
    ェハ洗浄後内槽内のカセットを保持してカセット搬送手
    段に搬出するカセットハンドリング手段と、 から成るウェハのクリーニングシステム。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997024760A1 (fr) * 1995-12-28 1997-07-10 Nippon Sanso Corporation Procede et dispositif de transfert de substrats en plaques minces
JP2000264438A (ja) * 1999-03-16 2000-09-26 Ribaaberu:Kk ウエーハ搬送装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997024760A1 (fr) * 1995-12-28 1997-07-10 Nippon Sanso Corporation Procede et dispositif de transfert de substrats en plaques minces
US5953591A (en) * 1995-12-28 1999-09-14 Nippon Sanso Corporation Process for laser detection of gas and contaminants in a wafer transport gas tunnel
US6240610B1 (en) * 1995-12-28 2001-06-05 Nippon Sanso Corporation Wafer and transport system
JP2000264438A (ja) * 1999-03-16 2000-09-26 Ribaaberu:Kk ウエーハ搬送装置

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