JPH04182329A - 熱線遮蔽ガラス - Google Patents
熱線遮蔽ガラスInfo
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 61
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 30
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 24
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 48
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 46
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 27
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 24
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 10
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- -1 silicon carbide nitride Chemical class 0.000 claims description 7
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 28
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 25
- 229910007948 ZrB2 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N boron;zirconium Chemical compound B#[Zr]#B VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 16
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 10
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 235000019646 color tone Nutrition 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N oxidoboron Chemical class O=[B] MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、透明なガラス板上に化学的耐久性が強くかつ
耐摩耗強度が大きく、さらに表面の平滑性が良好な保護
膜が最外層に被覆された熱線遮蔽ガラスに関する。
耐摩耗強度が大きく、さらに表面の平滑性が良好な保護
膜が最外層に被覆された熱線遮蔽ガラスに関する。
「従来技術」
窓ガラスを通して建物や車両の室内に流入する太陽エネ
ルギーを遮蔽して室内の温度上昇を抑えるために、ガラ
ス板表面に可視光線の一部を透過し、太陽エネルギーの
一部を遮蔽する熱線遮蔽膜を被覆した熱線遮蔽ガラスが
窓ガラスに用いられている。このようなガラスとしては
、特開平1−314183号公報に開示されているよう
に、硼化ジルコニウム(ZrB2)ターゲットを減圧し
た酸素雰囲気中で反応性スパッタリングして被覆したジ
ルコニウムと硼素の酸化膜を保護膜とする熱線遮蔽ガラ
スや、硼化ジルコニウムと炭化珪素(SiC)の混合物
のターゲットを減圧した酸素雰囲気中で反応性スパッタ
リングして被覆した保護膜を有する熱線遮蔽ガラスがあ
る。
ルギーを遮蔽して室内の温度上昇を抑えるために、ガラ
ス板表面に可視光線の一部を透過し、太陽エネルギーの
一部を遮蔽する熱線遮蔽膜を被覆した熱線遮蔽ガラスが
窓ガラスに用いられている。このようなガラスとしては
、特開平1−314183号公報に開示されているよう
に、硼化ジルコニウム(ZrB2)ターゲットを減圧し
た酸素雰囲気中で反応性スパッタリングして被覆したジ
ルコニウムと硼素の酸化膜を保護膜とする熱線遮蔽ガラ
スや、硼化ジルコニウムと炭化珪素(SiC)の混合物
のターゲットを減圧した酸素雰囲気中で反応性スパッタ
リングして被覆した保護膜を有する熱線遮蔽ガラスがあ
る。
また、上記の硼化ジルコニウムを酸化して得られるジル
コニウムと硼素の酸化膜は、非晶質化して膜表面の平滑
性を良くすることにより膜表面の摩擦抵抗が減少し、そ
れにより膜の耐摩耗性が大きくなることが、特開平2−
901号公報に開示されている。
コニウムと硼素の酸化膜は、非晶質化して膜表面の平滑
性を良くすることにより膜表面の摩擦抵抗が減少し、そ
れにより膜の耐摩耗性が大きくなることが、特開平2−
901号公報に開示されている。
「発明が解決しようとする課題」
建築物や車両用の窓ガラスの如き、ガラス板上に被覆さ
れた被膜が直接大気に触れる状態で用いられる場合、被
膜は実用上耐え得る機械的強度および化学的耐久性を必
要とするが、とりわけ耐摩耗性が大きいことが要求され
る。そして、基体の上に被覆された被膜の耐摩耗性を太
き(するには、被膜が複数の層から構成されているとき
は、最外層の膜の耐摩耗強度を向上させることが重要な
課題となる。そのために、最外層の保護膜については膜
物質およびその膜の被覆方法の研究が盛んにおこなわれ
ている。
れた被膜が直接大気に触れる状態で用いられる場合、被
膜は実用上耐え得る機械的強度および化学的耐久性を必
要とするが、とりわけ耐摩耗性が大きいことが要求され
る。そして、基体の上に被覆された被膜の耐摩耗性を太
き(するには、被膜が複数の層から構成されているとき
は、最外層の膜の耐摩耗強度を向上させることが重要な
課題となる。そのために、最外層の保護膜については膜
物質およびその膜の被覆方法の研究が盛んにおこなわれ
ている。
しかしながら、上記の従来技術では、保護膜のジルコニ
ウムと硼素の酸化膜は、導電性が小さい硼化ジルコニウ
ムターゲットをアルゴンと酸素の混合ガスで反応性スパ
ッタリングするため、ターゲト表面に酸化物の不良導体
が被膜形成中に生成し、これにより保WIMを被覆する
ときのグロー放電にアーキング(アーク放電)が発生し
易く、保護膜にターゲット物質が粒の状態で付着する粒
子付着の欠点が生じやすいという問題点があった。
ウムと硼素の酸化膜は、導電性が小さい硼化ジルコニウ
ムターゲットをアルゴンと酸素の混合ガスで反応性スパ
ッタリングするため、ターゲト表面に酸化物の不良導体
が被膜形成中に生成し、これにより保WIMを被覆する
ときのグロー放電にアーキング(アーク放電)が発生し
易く、保護膜にターゲット物質が粒の状態で付着する粒
子付着の欠点が生じやすいという問題点があった。
この粒子付着は被膜自体が平滑であっても被膜表面より
突起しているため、布などで膜表面をクリーニングする
に際しては剥離脱落などが生じ被膜が劣化し易いという
問題点があった。また、この粒子付着の発生を被膜製造
時に抑制するには、被膜の被覆速度を遅くしなければな
らないという問題点があった。
突起しているため、布などで膜表面をクリーニングする
に際しては剥離脱落などが生じ被膜が劣化し易いという
問題点があった。また、この粒子付着の発生を被膜製造
時に抑制するには、被膜の被覆速度を遅くしなければな
らないという問題点があった。
本発明の目的は、」1記の問題点を解決するためになさ
れたものであって、粒子付着がない平滑な表面ををし、
優れた耐摩耗性と化学的耐久性を有する保護膜が最上層
に設けられた熱線遮蔽ガラスを提供するにある。
れたものであって、粒子付着がない平滑な表面ををし、
優れた耐摩耗性と化学的耐久性を有する保護膜が最上層
に設けられた熱線遮蔽ガラスを提供するにある。
「課題を解決するための手段」
本発明は、透明なガラス板上に熱線遮蔽膜が被覆され、
前記熱線遮蔽膜の上にチタニウム、スズおよびクロムの
いずれかの金属の酸化物と硼化ジルコニウムの酸化物と
の混合物、あるいはチタニウム、スズおよびクロムのい
ずれかの金属の酸窒化物と硼化ジルコニウムの酸窒化物
との混合物からなる保護膜が被覆された熱線遮蔽ガラス
である。
前記熱線遮蔽膜の上にチタニウム、スズおよびクロムの
いずれかの金属の酸化物と硼化ジルコニウムの酸化物と
の混合物、あるいはチタニウム、スズおよびクロムのい
ずれかの金属の酸窒化物と硼化ジルコニウムの酸窒化物
との混合物からなる保護膜が被覆された熱線遮蔽ガラス
である。
本発明の熱線遮蔽ガラスの空気と接する最外層に設けら
れる保護膜には、ジルコニウムと硼素の酸化物が主成分
として含まれ、チタニウム、スズおよびクロムのいずれ
かの金属の酸化物が少量成分として含まれるか、ジルコ
ニウムと硼素の酸窒化物が主成分として含まれ、チタニ
ウム、スズおよびクロムのいずれかの金属の酸窒化物が
少量成分として含まれる。前記金属の酸化物または酸窒
化物を2以上含ませることもできる。
れる保護膜には、ジルコニウムと硼素の酸化物が主成分
として含まれ、チタニウム、スズおよびクロムのいずれ
かの金属の酸化物が少量成分として含まれるか、ジルコ
ニウムと硼素の酸窒化物が主成分として含まれ、チタニ
ウム、スズおよびクロムのいずれかの金属の酸窒化物が
少量成分として含まれる。前記金属の酸化物または酸窒
化物を2以上含ませることもできる。
本発明の保護膜の厚みは、熱線遮蔽膜を保護するに必要
な厚みに被覆される。実用上必要な耐摩耗性および化学
的安定性を確保するためには、保護膜の厚みは10nm
以上が好ましく、15nm以上がより好ましく、さらに
は20nm以上とするのが最も好ましい。また、保護膜
の厚みの上限としては、膜の耐久性を確保する上ではと
くに限定されるものでないが、被覆に長時間を必要とし
ないという観点から1100nを越えないことが好まし
い。
な厚みに被覆される。実用上必要な耐摩耗性および化学
的安定性を確保するためには、保護膜の厚みは10nm
以上が好ましく、15nm以上がより好ましく、さらに
は20nm以上とするのが最も好ましい。また、保護膜
の厚みの上限としては、膜の耐久性を確保する上ではと
くに限定されるものでないが、被覆に長時間を必要とし
ないという観点から1100nを越えないことが好まし
い。
本発明の前記ガラス板と前記保護膜の間に介在するよう
に設けられる熱線遮蔽膜としては、可視光線の一部を透
過し、近赤外線の一部を反射することにより太陽光線の
一部が透過しないようにした被膜であれば特に限定され
るものでない。たとえば、ガラス板の上に、より小さい
屈折率を存する透明誘電体膜と前記透明誘電体膜より大
きい屈折率を有する透明誘電体膜とを積層した熱線遮蔽
膜が用いられる。上記のより小さい屈折率の透明誘電体
膜とより大きい屈折率の透明誘電体膜の組み合わせとし
ては、酸化第2錫膜と酸化第2チタン膜、酸化ジルコニ
ウム膜と酸化第2チタン膜、酸化第2珪素膜と酸化第2
チタン膜、酸化アルミニウム膜と酸化第2チタン膜、五
酸化タンタル膜と酸化第2チタン膜が例示できる。また
チタニウム、ジルコニウム、ハフニウムなどの金属窒化
物膜やこれらの金属窒化物膜を酸化第2錫膜、酸化第2
チタン膜などの透明誘電体膜で挟んだ熱線遮蔽膜が例示
できる。
に設けられる熱線遮蔽膜としては、可視光線の一部を透
過し、近赤外線の一部を反射することにより太陽光線の
一部が透過しないようにした被膜であれば特に限定され
るものでない。たとえば、ガラス板の上に、より小さい
屈折率を存する透明誘電体膜と前記透明誘電体膜より大
きい屈折率を有する透明誘電体膜とを積層した熱線遮蔽
膜が用いられる。上記のより小さい屈折率の透明誘電体
膜とより大きい屈折率の透明誘電体膜の組み合わせとし
ては、酸化第2錫膜と酸化第2チタン膜、酸化ジルコニ
ウム膜と酸化第2チタン膜、酸化第2珪素膜と酸化第2
チタン膜、酸化アルミニウム膜と酸化第2チタン膜、五
酸化タンタル膜と酸化第2チタン膜が例示できる。また
チタニウム、ジルコニウム、ハフニウムなどの金属窒化
物膜やこれらの金属窒化物膜を酸化第2錫膜、酸化第2
チタン膜などの透明誘電体膜で挟んだ熱線遮蔽膜が例示
できる。
また、本発明の熱線遮蔽ガラスに用いられるガフ−
ラス板としては、たとえばフロート法で製造された着色
剤を含まない透明ガラス板や着色剤を含む熱線吸収ガラ
ス板、さらにプラスチック板を用いることができる。
剤を含まない透明ガラス板や着色剤を含む熱線吸収ガラ
ス板、さらにプラスチック板を用いることができる。
そして、被覆する上記の膜の厚みを選ぶことにより可視
光線透過率が70%以上、可視光線反射率が15%以下
、さらに用いるガラス板との色差が透過光、反射光とも
肉眼で見て大きく感じられない値である色度座標(X%
y)で表したXの絶対値及びyの絶対値が共に0.02
以下で、用いたガラスよりも日射透過率が5%以上小さ
いガラスとすることができる。
光線透過率が70%以上、可視光線反射率が15%以下
、さらに用いるガラス板との色差が透過光、反射光とも
肉眼で見て大きく感じられない値である色度座標(X%
y)で表したXの絶対値及びyの絶対値が共に0.02
以下で、用いたガラスよりも日射透過率が5%以上小さ
いガラスとすることができる。
本発明の熱線遮蔽膜の保護膜は、チタニウム、スズおよ
びクロムのいずれかの金属を1〜10重量%含む導電性
の硼化ジルコニウムをターゲットとし、減圧した酸素ま
たは酸素と窒素とを含む雰囲気ガス中で、前記ターゲッ
トを直流グロー放電によりスパッタリングすることによ
り被覆されたことが好ましい。上記により表面が平滑な
ジルコニウムと硼素の酸化物(化学式でZrBxOvで
表される)または酸窒化物(化学式でZ r BxOy
N2で表される)を主成分とする保護膜を粒子付着を保
護膜中に生じさせることな(被膜することができる。
びクロムのいずれかの金属を1〜10重量%含む導電性
の硼化ジルコニウムをターゲットとし、減圧した酸素ま
たは酸素と窒素とを含む雰囲気ガス中で、前記ターゲッ
トを直流グロー放電によりスパッタリングすることによ
り被覆されたことが好ましい。上記により表面が平滑な
ジルコニウムと硼素の酸化物(化学式でZrBxOvで
表される)または酸窒化物(化学式でZ r BxOy
N2で表される)を主成分とする保護膜を粒子付着を保
護膜中に生じさせることな(被膜することができる。
本発明に用いられるターゲットは、チタニウム、スズお
よびクロムのいずれかの金属を1〜10重量%含む導電
性の硼化ジルコニウム(ZrB2)であることが好まし
い。硼化ジルコニウムの粉末を焼結して得られる硼化ジ
ルコニウムターゲットは導電性が小さく、直流スパッタ
リングではグロー放電が安定して得られないが、前記金
属を硼化ジルコニウム中に含ませることによりターゲッ
トの導電性を大きくすることができる。
よびクロムのいずれかの金属を1〜10重量%含む導電
性の硼化ジルコニウム(ZrB2)であることが好まし
い。硼化ジルコニウムの粉末を焼結して得られる硼化ジ
ルコニウムターゲットは導電性が小さく、直流スパッタ
リングではグロー放電が安定して得られないが、前記金
属を硼化ジルコニウム中に含ませることによりターゲッ
トの導電性を大きくすることができる。
上記金属の含有量が1重量%より少ないと、大きい被覆
速度で保護膜を被覆する、たとえばターゲットに印加す
る電力をターゲットの面積当たりで表して2w/cm’
の大電流を印加するとき、ターゲット表面に電荷がチャ
ージアップして、ターゲット表面でアーキングが発生し
易くなり、それによりターゲット材料が局部的に粒状に
スパッタリングされ、保護膜に粒子付着が生ず易くなる
。
速度で保護膜を被覆する、たとえばターゲットに印加す
る電力をターゲットの面積当たりで表して2w/cm’
の大電流を印加するとき、ターゲット表面に電荷がチャ
ージアップして、ターゲット表面でアーキングが発生し
易くなり、それによりターゲット材料が局部的に粒状に
スパッタリングされ、保護膜に粒子付着が生ず易くなる
。
一方、前記金属の含有量が10重量%を越えると、得ら
れる被膜の化学的耐久性が低下するので、前記金属の量
は10重量%を越えないことが好ましい。スパッタリン
グするときの放電の安定性と得られる膜の耐久性から、
前記金属のターゲット中の含を量は2〜5重量%が好ま
しい。
れる被膜の化学的耐久性が低下するので、前記金属の量
は10重量%を越えないことが好ましい。スパッタリン
グするときの放電の安定性と得られる膜の耐久性から、
前記金属のターゲット中の含を量は2〜5重量%が好ま
しい。
スパッタリングするとき、反応性ガスとして外部より酸
素を導入することより酸化物の膜とすることができ、反
応性ガスとして外部より酸素と窒素とを導入することに
より酸窒化物の膜とすることができる。そして、外部よ
り導入する酸素および窒素の量は、得られる被膜が可視
光線の領域でほぼ透明になるように定められる。
素を導入することより酸化物の膜とすることができ、反
応性ガスとして外部より酸素と窒素とを導入することに
より酸窒化物の膜とすることができる。そして、外部よ
り導入する酸素および窒素の量は、得られる被膜が可視
光線の領域でほぼ透明になるように定められる。
また、本発明においては、グロー放電を生起させる放電
は、直流スパッタリングによりおこなうことが好ましい
。これにより大きな面積のガラス板に均一に被膜を被覆
することができる。
は、直流スパッタリングによりおこなうことが好ましい
。これにより大きな面積のガラス板に均一に被膜を被覆
することができる。
本発明の第2は、透明なガラス板の上に熱線遮蔽膜が被
覆され、前記熱線遮蔽膜の上にチタニウIO− ム、スズおよびクロムのいずれかの金属の窒化物と炭化
珪素の窒化物との混合物、あるいはチタニウム、スズお
よびクロムのいずれかの金属の酸窒化物と炭化珪素の酸
窒化物との混合物からなる保護膜が被覆された熱線遮蔽
ガラスである。
覆され、前記熱線遮蔽膜の上にチタニウIO− ム、スズおよびクロムのいずれかの金属の窒化物と炭化
珪素の窒化物との混合物、あるいはチタニウム、スズお
よびクロムのいずれかの金属の酸窒化物と炭化珪素の酸
窒化物との混合物からなる保護膜が被覆された熱線遮蔽
ガラスである。
本発明の第2の熱線遮蔽ガラスの空気と接する最外層に
設けられる保護膜には、炭化珪素の窒化物が主成分とし
て含まれ、チタニウム、スズおよびクロムのいずれかの
金属の窒化物が少量成分として含まれているか、あるい
は炭化珪素の酸窒化物が主成分として含まれ、チタニウ
ム、スズおよびクロムのいずれかの金属の酸窒化物が少
量成分として含まれている。
設けられる保護膜には、炭化珪素の窒化物が主成分とし
て含まれ、チタニウム、スズおよびクロムのいずれかの
金属の窒化物が少量成分として含まれているか、あるい
は炭化珪素の酸窒化物が主成分として含まれ、チタニウ
ム、スズおよびクロムのいずれかの金属の酸窒化物が少
量成分として含まれている。
本発明の第2の熱線遮蔽ガラスの保護膜の厚みは、熱線
遮蔽膜を保護するに必要な厚みに被覆される。実用上必
要な耐摩耗性および化学的安定性を確保するためには、
前記保護膜の厚みはIonm以上が好ましく、15nm
以上がより好ましく、さらに20nm以上とするのが最
も好ましい。また保護膜の厚みの上限としては、膜の耐
久性を確保する上ではとくに限定されるものでないが、
保護膜の被覆に長時間を必要としないという観点から1
100nを越えないことが好ましい。
遮蔽膜を保護するに必要な厚みに被覆される。実用上必
要な耐摩耗性および化学的安定性を確保するためには、
前記保護膜の厚みはIonm以上が好ましく、15nm
以上がより好ましく、さらに20nm以上とするのが最
も好ましい。また保護膜の厚みの上限としては、膜の耐
久性を確保する上ではとくに限定されるものでないが、
保護膜の被覆に長時間を必要としないという観点から1
100nを越えないことが好ましい。
本発明の前記ガラス板と前記保護膜との間に介在するよ
うに設けられる熱線遮蔽膜としては、可視光線の一部を
透過し、近赤外線の一部を反射することにより太陽光線
の一部を透過しないようにした被膜であれば特に限定さ
れるものでない。たとえば、ガラス板の上に、より小さ
い屈折率を有する透明誘電体膜と前記透明誘電体膜より
大きい屈折率を有する透明誘電体膜とを積層した熱線遮
蔽膜が用いられる。上記のより小さい屈折率の透明誘電
体膜とより大きい屈折率の透明誘電体膜の組み合わせと
しては、酸化第2錫膜と酸化第2チタン膜、酸化ジルコ
ニウム膜と酸化第2チタン膜、酸化第2珪素膜と酸化第
2チタン膜、酸化アルミニウム膜と酸化第2チタン膜、
五酸化タンタル膜と酸化第2チタン膜が例示できる。ま
たチタニウム、ジルコニウム、ハフニウムなどの金属窒
化物膜やこれらの金属窒化物膜を酸化第2錫膜、酸化第
2チタン膜などの透明誘電体膜で挾んだ熱線遮蔽膜が例
示できる。
うに設けられる熱線遮蔽膜としては、可視光線の一部を
透過し、近赤外線の一部を反射することにより太陽光線
の一部を透過しないようにした被膜であれば特に限定さ
れるものでない。たとえば、ガラス板の上に、より小さ
い屈折率を有する透明誘電体膜と前記透明誘電体膜より
大きい屈折率を有する透明誘電体膜とを積層した熱線遮
蔽膜が用いられる。上記のより小さい屈折率の透明誘電
体膜とより大きい屈折率の透明誘電体膜の組み合わせと
しては、酸化第2錫膜と酸化第2チタン膜、酸化ジルコ
ニウム膜と酸化第2チタン膜、酸化第2珪素膜と酸化第
2チタン膜、酸化アルミニウム膜と酸化第2チタン膜、
五酸化タンタル膜と酸化第2チタン膜が例示できる。ま
たチタニウム、ジルコニウム、ハフニウムなどの金属窒
化物膜やこれらの金属窒化物膜を酸化第2錫膜、酸化第
2チタン膜などの透明誘電体膜で挾んだ熱線遮蔽膜が例
示できる。
また、本発明の熱線遮蔽ガラスに用いられるガラス板と
しては、たとえばフロート法で製造された着色剤を含ま
ない透明ガラス板や着色剤を含む熱線吸収ガラス板、さ
らにプラスチック板を用いることができる。
しては、たとえばフロート法で製造された着色剤を含ま
ない透明ガラス板や着色剤を含む熱線吸収ガラス板、さ
らにプラスチック板を用いることができる。
そして、被覆する上記の膜の厚みを選ぶことにより可視
光線透過率が70%以上、可視光線反射率が15%以下
、さらに用いるガラス板との色差が透過光、反射光とも
肉眼で見て大きく感じられない値である色度座標(X%
y)で表したXの絶対値及びyの絶対値が共に0.02
以下で、用いたガラスよりも日射透過率が5%以上小さ
いガラスとすることができる。
光線透過率が70%以上、可視光線反射率が15%以下
、さらに用いるガラス板との色差が透過光、反射光とも
肉眼で見て大きく感じられない値である色度座標(X%
y)で表したXの絶対値及びyの絶対値が共に0.02
以下で、用いたガラスよりも日射透過率が5%以上小さ
いガラスとすることができる。
本発明の第2の熱線遮蔽膜の保護膜は、チタニウム、ス
ズおよびクロムのいずれかの金属を1〜10重量%含む
導電性の炭化珪素(S i C)をターゲットとし、減
圧した窒素または窒素と酸素とを含む雰囲気ガス中で、
前記ターゲットを直流グロー放電によりスパッタリング
することにより被覆されたことが好ましい。上記により
表面が平滑な炭化珪素の窒化物(化学式でS i CX
NYで表される)または酸窒化物(化学式でS i C
x0yNzで表される)を主成分とする保護膜を粒子付
着を保護膜に生じさせることなく被膜することができる
。
ズおよびクロムのいずれかの金属を1〜10重量%含む
導電性の炭化珪素(S i C)をターゲットとし、減
圧した窒素または窒素と酸素とを含む雰囲気ガス中で、
前記ターゲットを直流グロー放電によりスパッタリング
することにより被覆されたことが好ましい。上記により
表面が平滑な炭化珪素の窒化物(化学式でS i CX
NYで表される)または酸窒化物(化学式でS i C
x0yNzで表される)を主成分とする保護膜を粒子付
着を保護膜に生じさせることなく被膜することができる
。
本発明に用いられるターゲットは、チタニウム、スズお
よびクロムのいずれかの金属を1〜10重量%含む導電
性の硼化ジルコニウム(ZrB2)であることが好まし
い。硼化ジルコニウムの粉末を焼結して得られる硼化ジ
ルコニウムターゲットは導電性が小さ(、直流スパッタ
リングではグロー放電が安定して得られないが、前記金
属を硼化ジルコニウム中に含ませることによりターゲッ
トの導電性を大きくすることができる。
よびクロムのいずれかの金属を1〜10重量%含む導電
性の硼化ジルコニウム(ZrB2)であることが好まし
い。硼化ジルコニウムの粉末を焼結して得られる硼化ジ
ルコニウムターゲットは導電性が小さ(、直流スパッタ
リングではグロー放電が安定して得られないが、前記金
属を硼化ジルコニウム中に含ませることによりターゲッ
トの導電性を大きくすることができる。
上記金属の含有量が1重皿%より少ないと、大きい被覆
速度で保護膜を被覆する、たとえばターゲットに印加す
る電力をターゲットの面積当たりで表して2w/cm2
の大電流を印加するとき、ターゲット表面に電荷がチャ
ージアップして、夕一ゲット表面でアーキングが発生し
易くなり、それによりターゲラl−U料が局部的に粒状
にスバノタリソグされ、保護膜に粒子(=1若が生ず易
くなる。
速度で保護膜を被覆する、たとえばターゲットに印加す
る電力をターゲットの面積当たりで表して2w/cm2
の大電流を印加するとき、ターゲット表面に電荷がチャ
ージアップして、夕一ゲット表面でアーキングが発生し
易くなり、それによりターゲラl−U料が局部的に粒状
にスバノタリソグされ、保護膜に粒子(=1若が生ず易
くなる。
一方、前記金属の含有量が10重H1%を越えると、得
られる被膜の化学的耐久性が低下するので、前記金属の
量は10重量%を越えないことが好ましい。スパッタリ
ングするときの放電の安定性と得られる膜の耐久性から
、前記金属のターゲット中の含有量は2〜5重量%が好
ましい。
られる被膜の化学的耐久性が低下するので、前記金属の
量は10重量%を越えないことが好ましい。スパッタリ
ングするときの放電の安定性と得られる膜の耐久性から
、前記金属のターゲット中の含有量は2〜5重量%が好
ましい。
スパッタリングするとき、反応性ガスとして外部より窒
素を導入することより窒物の膜とすることができ、反応
性ガスとして外部より窒素と酸素とを導入することによ
り酸窒化物の膜とすることができる。そして、外部より
導入する窒素および酸素の量は、得られる被膜が可視光
線の領域でほぼ透明になるように定められる。
素を導入することより窒物の膜とすることができ、反応
性ガスとして外部より窒素と酸素とを導入することによ
り酸窒化物の膜とすることができる。そして、外部より
導入する窒素および酸素の量は、得られる被膜が可視光
線の領域でほぼ透明になるように定められる。
また、本発明においては、グロー放電を生起させる放電
は、直流スパッタリングによりおこなうことが好ましい
。これにより大きな面積のガラス板に均一に被膜を被覆
することができる。
は、直流スパッタリングによりおこなうことが好ましい
。これにより大きな面積のガラス板に均一に被膜を被覆
することができる。
「作用」
チタニウム、スズおよびクロムのいずれかの金属の酸化
物と硼化ジルコニウムの酸化物との混合物、あるいはチ
タニウム、スズおよびクロムのいずれかの金属の酸窒化
物と硼化ジルコニウムの酸窒化物との混合物からなる本
発明にかかる保護膜は、ガラス板上に被覆された熱線遮
蔽膜を摩耗および化学的侵食から保護する。また、チタ
ニウム、スズおよびクロムのいずれかの金属の窒化物と
炭化珪素の窒化物との混合物、あるいはチタニウム、ス
ズおよびクロムのいずれかの金属の酸窒化物と炭化珪素
の酸窒化物との混合物からなる本発明にかかる保護膜は
、ガラス板上に被覆された熱線遮蔽膜を摩耗および化学
的侵食から保護する。
物と硼化ジルコニウムの酸化物との混合物、あるいはチ
タニウム、スズおよびクロムのいずれかの金属の酸窒化
物と硼化ジルコニウムの酸窒化物との混合物からなる本
発明にかかる保護膜は、ガラス板上に被覆された熱線遮
蔽膜を摩耗および化学的侵食から保護する。また、チタ
ニウム、スズおよびクロムのいずれかの金属の窒化物と
炭化珪素の窒化物との混合物、あるいはチタニウム、ス
ズおよびクロムのいずれかの金属の酸窒化物と炭化珪素
の酸窒化物との混合物からなる本発明にかかる保護膜は
、ガラス板上に被覆された熱線遮蔽膜を摩耗および化学
的侵食から保護する。
また、ターゲットに含まれるチタニウム、スズ、及びク
ロムの金属は、ターゲットの導電性を向上させ、ターゲ
ットを直流スパッタリングして被膜を被覆するときにア
ーク放電が発生するのを抑制する。これにより粒子付着
が生じることなく大きい被覆速度で保護膜を被覆するこ
とができる。
ロムの金属は、ターゲットの導電性を向上させ、ターゲ
ットを直流スパッタリングして被膜を被覆するときにア
ーク放電が発生するのを抑制する。これにより粒子付着
が生じることなく大きい被覆速度で保護膜を被覆するこ
とができる。
「実施例」
以下に本発明を実施例に基づいて説明する。
第1図は、本発明を実施するのに用いたスパッタリング
装置の概略断面図である。第2図は本発明の熱線遮蔽ガ
ラスの一部断面図で、熱線遮蔽がラス21は、透明な基
体24の」二に熱線遮蔽膜23が被覆され、熱線遮蔽膜
23の」二に保護膜22が被覆されている。
装置の概略断面図である。第2図は本発明の熱線遮蔽ガ
ラスの一部断面図で、熱線遮蔽がラス21は、透明な基
体24の」二に熱線遮蔽膜23が被覆され、熱線遮蔽膜
23の」二に保護膜22が被覆されている。
実施例1
第1図に示すように20インチ×5インチサイズのマグ
ネトロンカソード3が1台づつ設置されたスパッタリン
グ室8が開閉可能なゲートパルプ2により接続されてい
るインライン式スパッタリング装置を用いた。それぞれ
のマグネトロンカソード3は、真空槽1とは電気的に絶
縁されて専用の直流電源4に接続され、各マグネトロン
カソードには独立して電力を印加できるようになってい
る。また、ガス導入管5が各スパッタリング室8に設置
られコントロールバルブ6により、3種のガスを任意の
割合で各スパッタリング室8内に導入できるようになっ
ている。基体7への被膜の被覆は、第1図のスパッタリ
ング装置の左端から右端へコンベア(図示されない)に
より基体を搬送しながら、カソード上面に取り付けたタ
ーゲットに直流電源4から電力をカソード3に印加して
おこなった。錫のターゲットとチタニウムのターゲット
とチタニウムを3重量%含有する硼化ジルコニウムのタ
ーゲットをこの順序で左端から3つのカソードまでに
設置した。表面を洗浄した300mmX300mmの大
きさで厚みが3. 5mmの着色ガラス(日本板硝子■
製画品名ブロンズベーン)をスパッタリング装置の真空
槽内の基板ホルダ(図示されない)にセットし、タライ
オボンプ(図示されない)で真空槽内を7X10−4P
a(パスカル)まで排気した。アルボッ60体積%、酸
素40体積%の混合ガスを左端のスパッタリング室内に
導入し、圧力を0.33 P aに調節した。
ネトロンカソード3が1台づつ設置されたスパッタリン
グ室8が開閉可能なゲートパルプ2により接続されてい
るインライン式スパッタリング装置を用いた。それぞれ
のマグネトロンカソード3は、真空槽1とは電気的に絶
縁されて専用の直流電源4に接続され、各マグネトロン
カソードには独立して電力を印加できるようになってい
る。また、ガス導入管5が各スパッタリング室8に設置
られコントロールバルブ6により、3種のガスを任意の
割合で各スパッタリング室8内に導入できるようになっ
ている。基体7への被膜の被覆は、第1図のスパッタリ
ング装置の左端から右端へコンベア(図示されない)に
より基体を搬送しながら、カソード上面に取り付けたタ
ーゲットに直流電源4から電力をカソード3に印加して
おこなった。錫のターゲットとチタニウムのターゲット
とチタニウムを3重量%含有する硼化ジルコニウムのタ
ーゲットをこの順序で左端から3つのカソードまでに
設置した。表面を洗浄した300mmX300mmの大
きさで厚みが3. 5mmの着色ガラス(日本板硝子■
製画品名ブロンズベーン)をスパッタリング装置の真空
槽内の基板ホルダ(図示されない)にセットし、タライ
オボンプ(図示されない)で真空槽内を7X10−4P
a(パスカル)まで排気した。アルボッ60体積%、酸
素40体積%の混合ガスを左端のスパッタリング室内に
導入し、圧力を0.33 P aに調節した。
錫のターゲットに直流電源からターゲットの電力密度で
3W/cm2を印加し、前記のガラス板を搬送させなが
らスパッタリングをおこないガラス板上に6!5nmの
酸化第2錫膜を被覆した。ゲートパルプの開閉操作によ
りガラス板を左から2番目のスパッタリング室に移動さ
せ、このスパッタリング室内の雰囲気をアルボッ50体
積%、酸素50体体積の混合ガスで圧力を0.4Paに
調整し、チタニウムターゲットに直流電源からターゲッ
トの電力密度で5W/cm2を印加し、ガラス板を搬送
させながら酸化第2錫膜の上に45nmの酸化第2チタ
ン膜を被覆した。つぎに左より3番目のスパッタリング
室内の雰囲気をアルボ260体積%、酸素40体積%の
混合ガスで圧力を0.40Paに調整し、チタニウムを
3重M%含有する硼化ジルコニウムを主成分とするター
ゲットに直流電源からターゲット電力密度で6 W /
c m 2を印加し、ガラス板を搬送させながら酸化
第2チタン膜の」二に60nmのZ rBxOyと酸化
第2チタンの混合物からなる保護膜を被覆した。
3W/cm2を印加し、前記のガラス板を搬送させなが
らスパッタリングをおこないガラス板上に6!5nmの
酸化第2錫膜を被覆した。ゲートパルプの開閉操作によ
りガラス板を左から2番目のスパッタリング室に移動さ
せ、このスパッタリング室内の雰囲気をアルボッ50体
積%、酸素50体体積の混合ガスで圧力を0.4Paに
調整し、チタニウムターゲットに直流電源からターゲッ
トの電力密度で5W/cm2を印加し、ガラス板を搬送
させながら酸化第2錫膜の上に45nmの酸化第2チタ
ン膜を被覆した。つぎに左より3番目のスパッタリング
室内の雰囲気をアルボ260体積%、酸素40体積%の
混合ガスで圧力を0.40Paに調整し、チタニウムを
3重M%含有する硼化ジルコニウムを主成分とするター
ゲットに直流電源からターゲット電力密度で6 W /
c m 2を印加し、ガラス板を搬送させながら酸化
第2チタン膜の」二に60nmのZ rBxOyと酸化
第2チタンの混合物からなる保護膜を被覆した。
得られたサンプル1の膜構成を第1表に、被膜の耐久性
能と保護膜を被覆したときに発生した10分間に発生し
たアーキング回数を第2表に、光−:2−/− −ン入− 学特性を第3表に示した。
能と保護膜を被覆したときに発生した10分間に発生し
たアーキング回数を第2表に、光−:2−/− −ン入− 学特性を第3表に示した。
実施例2
実施例1で用いた装置のカソードの左端から錫、チタニ
ウム、チタニウム、3重量%のクロムを含有する炭化珪
素のターゲットをこの順番で取り付けた。基板ホルダに
、300mmX300mmのサイズで厚さ3.5mmの
着色ガラス(日本板硝子■製画品名ブロンズベーン)を
セットシ、酸化第2錫膜と酸化第2チタン膜については
、実施例1と同様の方法で被覆した。窒化チタニウムの
膜の被覆は、導入ガスをアルゴン50体積%窒素50体
積%の混合ガスにより、炭化珪素の窒化物と窒化クロム
の混合物からなる保護膜の被覆は、導入ガスをアルゴン
10体積%窒素90体積%の混合ガとし、それぞれ圧力
を0.33Paに調整して、第1表に示す膜構成のサン
プル2を得た。
ウム、チタニウム、3重量%のクロムを含有する炭化珪
素のターゲットをこの順番で取り付けた。基板ホルダに
、300mmX300mmのサイズで厚さ3.5mmの
着色ガラス(日本板硝子■製画品名ブロンズベーン)を
セットシ、酸化第2錫膜と酸化第2チタン膜については
、実施例1と同様の方法で被覆した。窒化チタニウムの
膜の被覆は、導入ガスをアルゴン50体積%窒素50体
積%の混合ガスにより、炭化珪素の窒化物と窒化クロム
の混合物からなる保護膜の被覆は、導入ガスをアルゴン
10体積%窒素90体積%の混合ガとし、それぞれ圧力
を0.33Paに調整して、第1表に示す膜構成のサン
プル2を得た。
得られたサンプル2の膜構成を第1表に、耐久性能と前
記保護膜を被覆するときに10分間に発生したアーキン
グ回数を第2表に、光学特性を第3表に示した。
記保護膜を被覆するときに10分間に発生したアーキン
グ回数を第2表に、光学特性を第3表に示した。
実施例3
実施例1で用いた装置のカソードの左端から錫、チタニ
ウム、チタニウム、錫、3重量%のチタニウムを含有す
る炭化珪素のターゲットをこの順番で取り付けた。基板
ホルダに、300mmX300mmのサイズで厚さ3.
5mmの着色ガラス(白木板硝子■製商品名ブロンズベ
ーン)をセットシ、酸化第2錫膜、酸化第2チタン膜お
よび硼化ジルコニウムの酸化物と酸化チタンの混合物か
らなる保護膜については、実施例1と同様の方法で被覆
し、窒化チタニウム膜の被覆は、導入ガスをアルゴン5
0体積%窒素50体積%の混合ガスとし、圧力を0.3
3Paに調整して、第1表に示す膜構成のサンプル3を
得た。
ウム、チタニウム、錫、3重量%のチタニウムを含有す
る炭化珪素のターゲットをこの順番で取り付けた。基板
ホルダに、300mmX300mmのサイズで厚さ3.
5mmの着色ガラス(白木板硝子■製商品名ブロンズベ
ーン)をセットシ、酸化第2錫膜、酸化第2チタン膜お
よび硼化ジルコニウムの酸化物と酸化チタンの混合物か
らなる保護膜については、実施例1と同様の方法で被覆
し、窒化チタニウム膜の被覆は、導入ガスをアルゴン5
0体積%窒素50体積%の混合ガスとし、圧力を0.3
3Paに調整して、第1表に示す膜構成のサンプル3を
得た。
得られたサンプル3の耐久性能とその保護膜を被覆した
ときの10分間のアーキング回数を第2表に、光学特性
を第3表に示した。
ときの10分間のアーキング回数を第2表に、光学特性
を第3表に示した。
実施例4
実施例1で用いた装置のカソードの左端から、ジルコニ
ウムと5重量%の錫を含有する硼化ジルコニウムのター
ゲットをこの順番で取り付けた。
ウムと5重量%の錫を含有する硼化ジルコニウムのター
ゲットをこの順番で取り付けた。
基板ホルダに、300mmX300mmのサイズで厚さ
3.5mmの着色ガラス(日本板硝子■製画品名ブロン
ズベーン)をセットし、窒化ジルコニウム膜は実施例2
の窒化チタン膜の被覆とは同じガス条件で被覆し、硼化
ジルコニウムの酸化物と酸化第2錫の混合物からなる保
護膜の被覆は、錫を3重量%含有する硼化ジルコニウム
のターゲットに直流電源からターゲット電力密度で8W
/cm2を印加し、導入ガスはアルゴン50体積%酸素
50体積%として被覆し、第1表に示す膜構成のサンプ
ル4を得た。
3.5mmの着色ガラス(日本板硝子■製画品名ブロン
ズベーン)をセットし、窒化ジルコニウム膜は実施例2
の窒化チタン膜の被覆とは同じガス条件で被覆し、硼化
ジルコニウムの酸化物と酸化第2錫の混合物からなる保
護膜の被覆は、錫を3重量%含有する硼化ジルコニウム
のターゲットに直流電源からターゲット電力密度で8W
/cm2を印加し、導入ガスはアルゴン50体積%酸素
50体積%として被覆し、第1表に示す膜構成のサンプ
ル4を得た。
得られたサンプル4の耐久性能とその保護膜を被覆した
ときの10分間のアーキング回数を第2表に、光学特性
を第3表に示した。
ときの10分間のアーキング回数を第2表に、光学特性
を第3表に示した。
実施例5
実施例1で用いた装置のカソードの左端がら、チタニウ
ム、ジルコニウム、チタニウム1.3重量%のチタニウ
ムを含有する硼化ジルコニウムターゲットをこの順番で
取り付けた。基板ホルダに、300mmX300mmの
サイズで厚さ3.5mmの着色ガラス(日本板硝子■製
画品名ブロンズベーン)をセットし、酸化チタン膜およ
び硼化ジルコニウムの酸化物を酸化チタンとの混合物か
らなる保護膜の被覆は、実施例1と同様の方法でおこな
い、窒化ジルコニウムの膜の被覆は、導入ガスをアルゴ
ン50体積%窒素50体積%の混合ガスとし、圧力を0
.33Paに調整して、第1表に示す膜構成のサンプル
5を得た。
ム、ジルコニウム、チタニウム1.3重量%のチタニウ
ムを含有する硼化ジルコニウムターゲットをこの順番で
取り付けた。基板ホルダに、300mmX300mmの
サイズで厚さ3.5mmの着色ガラス(日本板硝子■製
画品名ブロンズベーン)をセットし、酸化チタン膜およ
び硼化ジルコニウムの酸化物を酸化チタンとの混合物か
らなる保護膜の被覆は、実施例1と同様の方法でおこな
い、窒化ジルコニウムの膜の被覆は、導入ガスをアルゴ
ン50体積%窒素50体積%の混合ガスとし、圧力を0
.33Paに調整して、第1表に示す膜構成のサンプル
5を得た。
得られたサンプル5の耐久性能とその保護膜を被覆した
ときの10分間のアーキング回数を第2表に、光学特性
を第3表に示した。
ときの10分間のアーキング回数を第2表に、光学特性
を第3表に示した。
実施例6
実施例1で用いた装置のカソードの左端から、 ′
錫、チタニウム、チタニウム、チタニウム、錫、3重量
%のチタニウムが添加された硼化ジルコニウムターゲッ
トをこの順番で取り付けた。基板ホルダに、300mm
X300mmのサイズで厚さ3.5mmの着色ガラス(
日本板硝子■製画品名ブロンズベーン)をセットし、酸
化第2錫膜、酸化チタン膜、窒化チタン膜については実
施例2と同様の方法で被覆し、硼化ジルコニウムの酸窒
化物とチタンの酸窒化物の混合物からなる保護膜は、導
入ガスをアルボッ40体積%酸素40体積%窒素20体
積%の混合ガスとし、圧力を0.33Paに調整し、第
1表に示す膜構成のサンプル6を得た。
錫、チタニウム、チタニウム、チタニウム、錫、3重量
%のチタニウムが添加された硼化ジルコニウムターゲッ
トをこの順番で取り付けた。基板ホルダに、300mm
X300mmのサイズで厚さ3.5mmの着色ガラス(
日本板硝子■製画品名ブロンズベーン)をセットし、酸
化第2錫膜、酸化チタン膜、窒化チタン膜については実
施例2と同様の方法で被覆し、硼化ジルコニウムの酸窒
化物とチタンの酸窒化物の混合物からなる保護膜は、導
入ガスをアルボッ40体積%酸素40体積%窒素20体
積%の混合ガスとし、圧力を0.33Paに調整し、第
1表に示す膜構成のサンプル6を得た。
得られたサンプル6の耐久性能とその保護膜を被覆した
ときの10分間のアーキング回数を第2表に、光学特性
を第3表に示した。
ときの10分間のアーキング回数を第2表に、光学特性
を第3表に示した。
実施例7
実施例1で用いた装置のカソードの左端から、錫、チタ
ニウム、ジルコニウム、チタニウム、3重量%のクロム
を含有する硼化ジルコニウムターゲットをこの順番で取
り付けた。基板ホルダに、300mmX300mmのサ
イズで厚さ3.5mmの着色ガラス(日本板硝子■製部
品名ブロンズベーン)をセットし、酸化第2錫膜、酸化
第2チタン膜、窒化ジルコニウム膜については実施例5
と同様の方法で被覆し、硼化ジルコニウムの酸化物と酸
化クロムの混合物からなる保護膜は、導入ガスをアルボ
ッ40体積%酸素60体積%の混合ガスとし、圧力を0
.33Paに調整して、第1表に示す膜構成のサンプル
7を得た。
ニウム、ジルコニウム、チタニウム、3重量%のクロム
を含有する硼化ジルコニウムターゲットをこの順番で取
り付けた。基板ホルダに、300mmX300mmのサ
イズで厚さ3.5mmの着色ガラス(日本板硝子■製部
品名ブロンズベーン)をセットし、酸化第2錫膜、酸化
第2チタン膜、窒化ジルコニウム膜については実施例5
と同様の方法で被覆し、硼化ジルコニウムの酸化物と酸
化クロムの混合物からなる保護膜は、導入ガスをアルボ
ッ40体積%酸素60体積%の混合ガスとし、圧力を0
.33Paに調整して、第1表に示す膜構成のサンプル
7を得た。
得られたサンプル7の耐久性能とその保護膜を被覆した
ときの10分間のアーキング回数を第2表に、光学特性
を第3表に示した。
ときの10分間のアーキング回数を第2表に、光学特性
を第3表に示した。
実施例8
実施例1で用いた装置のカソードの左端から、チタニウ
ム、シリコン、チタニウム、/リコン、3重量%のチタ
ニウムを被覆した硼化ジルコニウムターゲットをこの順
番で取りイ=1けた。基板ホルダに、300mmX30
0mmのサイズで厚さ3゜5mmの着色ガラス(日本板
硝子■製部品名ブロンズベーン)をセットシ、酸化第2
チタン膜および硼化ジルコニウムの酸化物と酸化第2チ
タンとの混合物からなる保護膜の被覆は、実施例Iと同
様の方法で被覆し、酸化第2珪素の被覆は、導入ガスを
アルボッ50体積%酸素50体積%の混合ガスとし、圧
力を0.33Paに調整して第1表に示す膜構成のサン
プル8を得た。
ム、シリコン、チタニウム、/リコン、3重量%のチタ
ニウムを被覆した硼化ジルコニウムターゲットをこの順
番で取りイ=1けた。基板ホルダに、300mmX30
0mmのサイズで厚さ3゜5mmの着色ガラス(日本板
硝子■製部品名ブロンズベーン)をセットシ、酸化第2
チタン膜および硼化ジルコニウムの酸化物と酸化第2チ
タンとの混合物からなる保護膜の被覆は、実施例Iと同
様の方法で被覆し、酸化第2珪素の被覆は、導入ガスを
アルボッ50体積%酸素50体積%の混合ガスとし、圧
力を0.33Paに調整して第1表に示す膜構成のサン
プル8を得た。
得られたサンプル8の耐久性能とその保護膜を10回繰
り返し被覆したときのアーキング回数を第2表に、光学
特性を第3表に示した。
り返し被覆したときのアーキング回数を第2表に、光学
特性を第3表に示した。
実施例1〜8で得られたサンプル1〜8はいずれも、第
2表から保護膜を被覆するときに発生したアーキングは
10分間当り5〜15回であった。
2表から保護膜を被覆するときに発生したアーキングは
10分間当り5〜15回であった。
そして、得られた膜の表面にはサンプル1〜8の各10
枚についてすべて粒子付着は肉眼検査で認められず、表
面は平滑であった。
枚についてすべて粒子付着は肉眼検査で認められず、表
面は平滑であった。
また、サンプル1〜8の硫酸とカセイソーダによる耐久
テスト(得られたサンプルをそれぞれ1規定の濃度の室
温の液に漬け、漬ける前後の可視光線透過率、反射率の
変化で表す)では、1%以内の小さな値であった。また
、テーバ摩耗試験では3%以下の可視光線透過率の増加
が認められたにすぎなかった。また、これらサンプル1
〜8の初期光学特性を第3表に示す。第3表からこれら
のサンプルは、可視光線透過率が70%以上の熱線遮蔽
性を有するガラスであることがわかる。また得られた熱
線遮蔽ガラスの性能を有するサンプルとそのサンプルを
つくるのに用いたガラス板との色差△X、△yは、いず
れも0.03以下の小さい値であり、両者の色調がほぼ
同じであることが分かる。
テスト(得られたサンプルをそれぞれ1規定の濃度の室
温の液に漬け、漬ける前後の可視光線透過率、反射率の
変化で表す)では、1%以内の小さな値であった。また
、テーバ摩耗試験では3%以下の可視光線透過率の増加
が認められたにすぎなかった。また、これらサンプル1
〜8の初期光学特性を第3表に示す。第3表からこれら
のサンプルは、可視光線透過率が70%以上の熱線遮蔽
性を有するガラスであることがわかる。また得られた熱
線遮蔽ガラスの性能を有するサンプルとそのサンプルを
つくるのに用いたガラス板との色差△X、△yは、いず
れも0.03以下の小さい値であり、両者の色調がほぼ
同じであることが分かる。
比較例1〜4
実施例1で用いた装置により、第1表に示す硼化ジルコ
ニウムの酸化物からなる保護膜ををする比較サンプル1
〜4を製作した。硼化ジルコニウムの酸化物からなる保
護膜の被覆は、硼化ジルコニウムのターゲットに直流電
源からターゲット電力密度で6W/Cm2を印加し、ガ
ラスを搬送させながら、アルボ230体積%、酸素70
体積%の混合ガスで圧力を0.33Paに調整して被覆
した。
ニウムの酸化物からなる保護膜ををする比較サンプル1
〜4を製作した。硼化ジルコニウムの酸化物からなる保
護膜の被覆は、硼化ジルコニウムのターゲットに直流電
源からターゲット電力密度で6W/Cm2を印加し、ガ
ラスを搬送させながら、アルボ230体積%、酸素70
体積%の混合ガスで圧力を0.33Paに調整して被覆
した。
また、第1表の比較サンプル1〜4の熱線遮蔽膜の酸化
第2錫膜および酸化第2チタン膜は、実施例1と同じ方
法で、窒化ジルコニウム膜は実施例4と同じ方法で、酸
化第2珪素膜は実施例8と同じ方法で被覆した。
第2錫膜および酸化第2チタン膜は、実施例1と同じ方
法で、窒化ジルコニウム膜は実施例4と同じ方法で、酸
化第2珪素膜は実施例8と同じ方法で被覆した。
得られた比較サンプル1〜4の膜構成を第1表に、耐久
性能とそれぞれの保護膜を被覆したときに認められた1
0分間当りのアーキング回数を第2表に、光学特性を第
3表に示した。
性能とそれぞれの保護膜を被覆したときに認められた1
0分間当りのアーキング回数を第2表に、光学特性を第
3表に示した。
保護膜を設けない比較サンプル1は、第2表から耐久試
験前後の光学特性の変化が大きく、化学的耐久性が良く
ないことが分かる。一方、硼化ジルコニウムの酸化物を
保護膜とする比較サンプル2〜4はいずれも、保護膜を
被覆するときに発生したアーキング回数は、第2表に示
すように60〜70回(10分間当り)と多かった。そ
して、比較サンプル2〜4の各10枚についてすべて膜
表面に約1個の〜0.5mm直径の粒子付着が認められ
た。この付着物は膜表面から突起しており、乾布で膜表
面を拭いたときに引っかかり、その部分で膜から脱離し
ピンホールとなった。
験前後の光学特性の変化が大きく、化学的耐久性が良く
ないことが分かる。一方、硼化ジルコニウムの酸化物を
保護膜とする比較サンプル2〜4はいずれも、保護膜を
被覆するときに発生したアーキング回数は、第2表に示
すように60〜70回(10分間当り)と多かった。そ
して、比較サンプル2〜4の各10枚についてすべて膜
表面に約1個の〜0.5mm直径の粒子付着が認められ
た。この付着物は膜表面から突起しており、乾布で膜表
面を拭いたときに引っかかり、その部分で膜から脱離し
ピンホールとなった。
[発明の効果]
本発明によれば、耐摩耗性と化学的耐久性を並ね備えた
保護膜を存する熱線遮蔽膜を、高い被覆速度で、かつ、
保護膜表面に粒子付着を生じることなく被覆することが
できる。
保護膜を存する熱線遮蔽膜を、高い被覆速度で、かつ、
保護膜表面に粒子付着を生じることなく被覆することが
できる。
また、得られた熱線遮蔽ガラスは、耐摩耗性と化学的耐
久性が大きいので、合わせガラスや複層ガラスにするこ
となく単板で窓ガラスに使用することができる。さらに
本発明の熱線遮蔽膜の上に被覆されている保護膜は、突
起異物がなく平滑であるため被膜を拭いて清掃するとき
には膜の損傷が生じにくい。
久性が大きいので、合わせガラスや複層ガラスにするこ
となく単板で窓ガラスに使用することができる。さらに
本発明の熱線遮蔽膜の上に被覆されている保護膜は、突
起異物がなく平滑であるため被膜を拭いて清掃するとき
には膜の損傷が生じにくい。
第1図は、本発明の熱線遮蔽ガラスを製造するのに用い
た装置の概略断面図、第2図は本発明の熱線遮蔽ガラス
の一部断面図である。 1壷・・真空槽、2・・−ゲートバルブ、3・・−カソ
ード、4・・φ直流電源、5命命・ガス導入管、6・・
・コントロールバルブ、7・・・甚体、スパッタリング
室8.21@・Φ熱線遮蔽ガラス、22・・・保護膜、
23@・・熱線遮蔽膜、2411・・透明な基体
た装置の概略断面図、第2図は本発明の熱線遮蔽ガラス
の一部断面図である。 1壷・・真空槽、2・・−ゲートバルブ、3・・−カソ
ード、4・・φ直流電源、5命命・ガス導入管、6・・
・コントロールバルブ、7・・・甚体、スパッタリング
室8.21@・Φ熱線遮蔽ガラス、22・・・保護膜、
23@・・熱線遮蔽膜、2411・・透明な基体
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)透明なガラス板の上に熱線遮蔽膜が被覆され、前記
熱線遮蔽膜の上にチタニウム、スズおよびクロムのいず
れかの金属の酸化物と硼化ジルコニウムの酸化物との混
合物、あるいはチタニウム、スズおよびクロムのいずれ
かの金属の酸窒化物と硼化ジルコニウムの酸窒化物との
混合物からなる保護膜が被覆された熱線遮蔽ガラス。 2)前記保護膜が、チタニウム、スズおよびクロムのい
ずれかの金属を1〜10重量%含む導電性の硼化ジルコ
ニウムをターゲットとし、減圧した酸素または酸素と窒
素とを含む雰囲気ガス中で、前記ターゲットを直流グロ
ー放電によりスパッタリングすることにより、被覆され
たことを特徴とする特許請求の範囲の第1項に記載の熱
線遮蔽ガラス。 3)透明なガラス板の上に熱線遮蔽膜が被覆され、前記
熱線遮蔽膜の上にチタニウム、スズおよびクロムのいず
れかの金属の窒化物と炭化珪素の窒化物との混合物、あ
るいはチタニウム、スズおよびクロムのいずれかの金属
の酸窒化物と炭化珪素の酸窒化物との混合物からなる保
護膜が被覆された熱線遮蔽ガラス。 4)前記保護が、チタニウム、スズおよびクロムのいず
れかの金属を1〜10重量%含む導電性の炭化珪素をタ
ーゲットとし、減圧した窒素または酸素と窒素とを含む
雰囲気ガス中で、前記ターゲットを直流グロー放電によ
りスパッタリングすることにより、被覆されたことを特
徴とする特許請求の範囲の第3項に記載の熱線遮蔽ガラ
ス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31075990A JPH04182329A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 熱線遮蔽ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31075990A JPH04182329A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 熱線遮蔽ガラス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04182329A true JPH04182329A (ja) | 1992-06-29 |
Family
ID=18009135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31075990A Pending JPH04182329A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 熱線遮蔽ガラス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04182329A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0738694A1 (en) * | 1995-04-18 | 1996-10-23 | SOCIETA' ITALIANA VETRO - SIV - S.p.A. | Process for the improvement of the abrasion resistance features and the chemical inertia of transparent thin coatings |
WO2007049478A1 (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-03 | Central Glass Company, Limited | 近赤外線反射基板およびその基板を用いた近赤外線反射合わせガラス、近赤外線反射複層ガラス |
JP2007145689A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-06-14 | Central Glass Co Ltd | 近赤外線反射基板およびその基板を用いた近赤外線反射合わせガラス、近赤外線反射複層ガラス |
JP2007148330A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-06-14 | Central Glass Co Ltd | 近赤外線反射基板およびそれを用いた近赤外線反射合わせガラス |
EP1923362A1 (en) * | 2005-08-16 | 2008-05-21 | Asahi Glass Company Ltd. | Infrared reflective glass plate and laminated glass for vehicle window |
JP5076896B2 (ja) * | 2005-08-16 | 2012-11-21 | 旭硝子株式会社 | 車両窓用合わせガラス |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP31075990A patent/JPH04182329A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0738694A1 (en) * | 1995-04-18 | 1996-10-23 | SOCIETA' ITALIANA VETRO - SIV - S.p.A. | Process for the improvement of the abrasion resistance features and the chemical inertia of transparent thin coatings |
US5800684A (en) * | 1995-04-18 | 1998-09-01 | Societa Italiana Vetro - Siv - S.P.A. | Process for the improvement of the abrasion resistance features and of the chemical inertia of transparent thin coatings |
EP1923362A1 (en) * | 2005-08-16 | 2008-05-21 | Asahi Glass Company Ltd. | Infrared reflective glass plate and laminated glass for vehicle window |
EP1923362A4 (en) * | 2005-08-16 | 2010-06-09 | Asahi Glass Co Ltd | INFRARED REFLECTING GLASS PLATE AND VERTICAL GLASS FOR VEHICLE WINDOWS |
JP5076897B2 (ja) * | 2005-08-16 | 2012-11-21 | 旭硝子株式会社 | 赤外線反射ガラス板および車両窓用合わせガラス |
JP5076896B2 (ja) * | 2005-08-16 | 2012-11-21 | 旭硝子株式会社 | 車両窓用合わせガラス |
WO2007049478A1 (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-03 | Central Glass Company, Limited | 近赤外線反射基板およびその基板を用いた近赤外線反射合わせガラス、近赤外線反射複層ガラス |
JP2007145689A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-06-14 | Central Glass Co Ltd | 近赤外線反射基板およびその基板を用いた近赤外線反射合わせガラス、近赤外線反射複層ガラス |
JP2007148330A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-06-14 | Central Glass Co Ltd | 近赤外線反射基板およびそれを用いた近赤外線反射合わせガラス |
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