JPH04182067A

JPH04182067A - 半導体素子のフラックス塗布方法

Info

Publication number: JPH04182067A
Application number: JP30787290A
Authority: JP
Inventors: Hideyuki Fukazawa; 秀幸深澤; Masanori Seitou; 生頭　正則
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1990-11-14
Filing date: 1990-11-14
Publication date: 1992-06-29
Anticipated expiration: 2010-05-01
Also published as: JPH0739034B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、ＬＳＩ等の半導体素子の接続パッド面にフラ
ックスを塗布する方法に関する。

〔従来の技術］大型汎用コンピュータの高密度論理モジュール等におい
ては、ＬＳＩ等の半導体素子を配線基板に直接、はんだ
接続することが多い。この場合、予め半導体素子の接続
パット面にフラックスを塗布し乾燥してから、はんだバ
ンブを接続パットに形成する。

従来、このようなフラックス塗布は一般に人手作業に頼
っているが、処理量に限界があるとともに、一定の膜厚
で均一に塗布することが難しく、その改善が望まれる。

その解決策の一つとして、作業の機械化が考えられる。

かかる機械化に関する従来技術の例として特公昭６４−
８１９号公報に述べられた装置を第２図により説明する
。

第２図において、１７はフラックス分配装置であり、こ
れを用いてセラミック基板１１に植設された接続ビン１
５の頭部にフラックス１８の小滴を自動供給する。

フラックス１８はステンレス鋼のシリンダ１９ａに装着
されたタンク１９に蓄えられ、シリンダ１９ａの底部は
取り外し可能なワイヤ・クロス類のフラックス供給マス
ク２０となっている。マスク２０の孔２１は、接続ビン
１５に対応したパタ−ンに配置されている。タング１９
内の圧力は、制御回路またはプロセッサ（図示せず）に
よって制御される真空装置２２によって設定される。セ
ラミック基板１１は、位置決めビン（図示せず）を持っ
た支持体２３に位置決め保持されており、これから真空
装置２２より供給される空気パルスによって放出される
。フラックス分配装置１７が外された後、各接続ビン１
５の頭部にフラックスの小滴が供給（塗布）される。

［発明が解決しようとする課題］しかし、上記従来技術は、半導体素子の接続パッド面へ
のフラックス塗布に適用した場合、フラックス塗布量の
コントロールが難しく、特に微少量（１ｍｇ単位前後）
の塗布が困難であること、フラックス塗布量を管理する
には、フラックス供給マスクのパターン形状やフラッグ
収容タンクの真空内の条件を相当厳密にコントロールす
る必要があり、そのためＬＳＩの接続パット等に対する
フラックスの均一塗布が難しいこと、といった問題点が
ある。また、設備もしくは作業の面でも、フラックス供
給マスクと塗布物との位置決めが必要であり、フラック
ス供給マスクを長時間放置するとフラックスの乾燥によ
りフラックス塗布が不可能になる等の問題点がある。

本発明の主たる目的は、複雑で管理が面倒な設備を必要
とせずに、半導体素子の接続パッド面にフラックスを一
定量、均一に塗布する方法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］上記目的を達成するため、半導体素子を、その接続パッ
ド面をほぼ上向きに水平に保持しつつ制御された回転数
で回転させ、該回転の開始前または開始後に該接続パッ
ド面にフラックスを供給するものであり、さらに該半導
体素子の回転中に、該接続パッド面上のフラックスを加
熱するものである。

〔作　用１半導体素子の回転により、接続パッド面に供給されたフ
ラックスに遠心力が作用し、フラックスは外側へ飛ばさ
れる結果、フラックスはその粘度と半導体素子の回転数
によって主に決まる厚さで、接続パット面全体に均一に
塗布できる。また、半導体素子の回転数やフラックス供
給後の回転時間を制御することによって、フラックスの
塗布量を精密に制御できる。

さらに、粘度の高いフラックスを用いる場合であっても
、加熱によりフラックスの粘度を下げ、短時間に一定量
、均一にフラックスを塗布できる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。

第１図において、スピンコーター１はほぼ中心部に水平
の回転円盤２を有し、この回転円盤２の中心部は図示さ
れていないモーターにより駆動される回転軸３の上端と
固着されている。回転軸３は内部に空気路（図示されて
いない）を有し、この空気路の下端は真空ポンプ４と接
続し、上端は回転円盤２の上面の空気孔あるいは溝（図
示されていない）と接触している。５はフラックスを供
給するためのデイスペンサー、６はフラックス加熱のた
めのハロゲンランプである。

フラックス塗布は次のようにして行われる。まず、フラ
ックス塗布を行うための半導体素子（ＬＳＩ等）７を、
その接続パッド面７ａを上にして回転円盤２上に置く。

この際、半導体素子７の中心と回転円盤２の中心をほぼ
一致させる。

真空ポンプ４を作動させると、半導体素子７と回転円盤
２との間の空気が抜かれて半導体素子７は回転円盤２に
負圧によって保持される。この状態で、デイスペンサー
５によってフラックスを一定量、接続パッド面７ａに滴
下させる。

そして、スピンコーター１の操作パネルを操作　　　・
することによりモーターを始動させ、一定回転数で一定
時間、回転させる。同時にハロゲンランプ６を点灯させ
る。

回転円盤２が回転し、その上の半導体素子７も一定時間
、一定回転で回転する。二の回転中心は回転円盤２の中
心と一致し、また接続パッド面７ａの中心とほぼ一致す
る。この回転による遠心力の作用によって、接続パット
面７ａ上に供給されたフラックスは外側へ飛ばされる結
果、接続パッド面７ａの全面にフラックスが均一に塗布
される。

このフラックスの塗布量もしくは塗布厚は、フラックス
の粘度と、回転数及び回転時間によってほぼ決める。換
言すれば、半導体素子７の回転数と回転時間の増減によ
り、塗布量を精度よく制御できる。したがって、フラッ
クスの微少量塗布も容易である。

また、このようなフラックス塗布過程において、ハロゲ
ンランプ６からの光ビームの照射によってフラックスは
加熱されるため、その粘度が低下して外側に拡がりやす
くなる。したがって、加熱しない場合に比ベフラックス
塗布に必要な時間を短縮できる。

一定時間後、モーターを停止させ、同時にハロゲンラン
プ６を消灯させることにより、接続パッド面７ａに塗布
されたフラッフを自然冷却させ乾燥させる。

真空ポンプ４は塗布終了と同時に停止させてよい。そう
すれば、半導体素子７と回転円盤２との間の負圧が解除
され、半導体素子１は取り外し可能である。

なお、フラックスの加熱は、熱風の吹き付けなとの方法
によって行ってもよい。また、光ビームにより加熱する
場合、フラックスによる吸収率の良い波長の光源を用い
ることが好ましい。

また、フラックス塗布時に加熱すると、塗布・乾燥に必
要な時間が短くなるが、加熱をしないでフラックスの塗
布を行ってもよい。

接続パッド面７ａへのフラックスの供給を、半導体素子
１の回転中に行うことも可能である。また、デイスペン
サー５以外の手段によってフラックスを供給してもよい
。

［発明の効果］以上の説明から明らかなように、本発明によれば以下に
示す効果がある。

（１）半導体素子の接続パッド面上に供給したフラック
スを遠心力によって拡げることにより、接続パッド面全
体にフラックスを一定量、均一に塗布することができ、
また半導体素子の回転数及び回転時間の制御によってフ
ラックスの塗布量を精密に制御することができ、微少量
の塗布も容易である。

（２）フラックスの塗布中にフラックスを加熱すること
によって、粘度の高いフラックスも短時間で均一に塗布
することが可能である。

（３）前記実施例に示すように、フラックス塗布の・た
めの設備は、精密な位置決めや複雑な制御、面倒な管理
が不要な簡単なもので間に合う。

【図面の簡単な説明】第１図は本発明の一実施例に係るフラックス塗布設備の
概略斜視図、第２図は従来のフラックス塗布装置の概略
断面図である。１・・・スピンコーター、　　２・・・回転円盤、３・
・・回転軸、　４・・・真空ポンプ、５・・・ディスス
ペンサー、６・・・ハロゲンランプ、７・・・半導体素
子、　　７ａ・・・接続パッド面。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体素子を、その接続パット面をほぼ上向きに
水平に保持しつつ制御された回転数で回転させ、該回転
の開始前または開始後に該接続パッド面にフラックスを
供給することを特徴とする半導体素子のフラックス塗布
方法。
（２）半導体素子の回転中に接続パッド面上のフラック
スを加熱することを特徴とする請求項（１）記載の半導
体素子のフラックス塗布方法。