JPH04179290A - Magnetic sensor - Google Patents

Magnetic sensor

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JPH04179290A
JPH04179290A JP2307774A JP30777490A JPH04179290A JP H04179290 A JPH04179290 A JP H04179290A JP 2307774 A JP2307774 A JP 2307774A JP 30777490 A JP30777490 A JP 30777490A JP H04179290 A JPH04179290 A JP H04179290A
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JP
Japan
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sensor
glazed
line
pattern
magnetic
Prior art date
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JP2307774A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshihiko Miyakoshi
宮越 俊彦
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Nidec Sankyo Corp
Original Assignee
Nidec Sankyo Corp
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Abstract

PURPOSE:To make the size of a sensor smaller and to reduce the production cost of the sensor by giving a line glazed treatment to an insulation substrate such as ceramic, giving right angle or a predetermined tilt with the line glazed direction and arranging a sensor pattern for magnetic field detection. CONSTITUTION:After giving a line glazed treatment on an insulation substrate such as alumina substrate, a sensor pattern 63 for detecting magnetic field and an electrode 62 made of an Ni alloy magnetic film are formed on the line glazed 61. Also, respective sensor patterns 63 are so arranged in parallel that the magnetic sensor is positioned almost at the center of the line glazed 61 and almost at right angle with the line direction of the line glazed 61. By doing this, when forming the sensor patterns by a photolithographic technique, the distance from a photomask becomes uniform within a sensor pattern, so that each pattern width is uniformly patterned and the impedance of each pattern within a sensor becomes uniform.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気抵抗素子やホール素子をセンサ部に用いた
磁気センサに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a magnetic sensor using a magnetoresistive element or a Hall element in a sensor portion.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

セラミック等の絶縁性基板の表面に部分的にグレーズド
部を設け、該グレーズド部にNi合金磁性薄膜等からな
るセンサ部をフォトリソグラフィ技術等により形成して
成る磁気センサが知られている(例えば、特開昭63−
34.987号等)。
A magnetic sensor is known in which a glazed portion is partially provided on the surface of an insulating substrate made of ceramic or the like, and a sensor portion made of a Ni alloy magnetic thin film is formed on the glazed portion by photolithography or the like (for example, Unexamined Japanese Patent Publication 1986-
34.987 etc.).

上記公開公報には、第7図(a)、(b)に示すように
、アルミナ基台81に部分的にグレーズド部82を設け
、アルミナ基台面に導電ペーストを印刷焼成した端子8
3を設けるとともに、グレーズド部82に磁界検知部8
4と電極を設け、かつ個々の端子間が各々グレーズド部
で分離したことを特徴とする磁気センサが開示されてお
り、この磁気センサは、磁界検知部84と電極とを同一
材料で構成し、同時にエツチングしても、端子間が短絡
してしまうことはなく、これにより製造工程を大幅に簡
略化することができるという利点を有している。
In the above publication, as shown in FIGS. 7(a) and 7(b), a terminal 8 in which a glazed portion 82 is partially provided on an alumina base 81 and a conductive paste is printed and fired on the surface of the alumina base.
3, and a magnetic field detection section 8 is provided in the glazed section 82.
A magnetic sensor is disclosed which is characterized by having a magnetic field detection part 84 and an electrode, and each terminal being separated by a glazed part, and in which the magnetic field detection part 84 and the electrode are made of the same material, Even if etched at the same time, there will be no short circuit between the terminals, which has the advantage that the manufacturing process can be greatly simplified.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところで、絶縁性基板であるセラミック基板は表面粗度
が悪いため、Ni合金磁性薄膜等からなるセンサ部を形
成するためには上記従来技術のように基板表面にグレー
ズド処理(表面をガラス層で被覆する処理)を行う必要
がある。
By the way, since the ceramic substrate, which is an insulating substrate, has poor surface roughness, in order to form a sensor section made of a Ni alloy magnetic thin film, etc., the substrate surface must be subjected to glazing treatment (the surface is covered with a glass layer) as in the above-mentioned conventional technology. process).

すなわち、このグレーズド処理に求められる薄膜センサ
用基板表面としての要素は、a)表面粗度の改善、b)
表面平坦性の2つである。
In other words, the elements required for this glazed treatment as a substrate surface for a thin film sensor are a) improvement of surface roughness, b)
The two are surface flatness.

ここで、aの表面粗度に関しては、Ni合金磁性薄膜の
膜厚が300〜1000人と薄いため、基板の表面粗度
が良くないと、ブリッジ回路からなるセンサ回路の断線
や、インピーダンスばらつきが大きくなるためである。
Regarding the surface roughness of a, the thickness of the Ni alloy magnetic thin film is 300 to 1,000 times thinner, so if the surface roughness of the substrate is not good, the sensor circuit consisting of a bridge circuit may break or impedance variations may occur. This is because it becomes bigger.

またbの平坦性に関しては、一般にグレーズド処理は、
セラミック基板上にガラスペーストを塗布して所望のク
ツーズドパターンを形成する処理であるが、ガラスペー
ストは流体であるため、塗布した際にグレーズド部の端
部でガラスペーストが盛り上がり、その盛り上がり分が
パターン中心部に向かって戻され、パターン中心部が盛
り」二がるため、グレーズド部の断面形状は一般に蒲鉾
型となってしまう。このため、第7図に示すような部分
グレーズドパターンでは、実際には、センサ本体を形成
するグレーズド中心部が半球状になってしまう。
Regarding the flatness of b, glazed treatment generally
This is a process in which glass paste is applied onto a ceramic substrate to form a desired glazed pattern, but since glass paste is a fluid, when it is applied, the glass paste bulges at the edges of the glazed area, and the bulge increases. Since it is returned toward the center of the pattern and the center of the pattern bulges out, the cross-sectional shape of the glazed portion generally becomes a semi-cylindrical shape. For this reason, in the partially glazed pattern shown in FIG. 7, the glazed center portion forming the sensor body actually becomes hemispherical.

従って、Ni合金磁性薄膜等からなる磁気抵抗素子等の
、ブリッジ回路からなるセンサパターンをフォトリソグ
ラフィ技術で形成する際には、第8図に示すように、グ
レーズド部の表面に対してフォトマスクからの距離が不
均一となり、センサパターンの各パターン部でのインピ
ーダンスをばらつかせる原因となる。
Therefore, when forming a sensor pattern consisting of a bridge circuit such as a magnetoresistive element made of a Ni alloy magnetic thin film using photolithography, as shown in FIG. The distances between the sensor patterns become uneven, which causes the impedance at each pattern part of the sensor pattern to vary.

また、部分グレーズドの場合、グレーズドの中心部は、
第8図に示すようにどの方向に対しても半球状であるた
め、この様な部分グレーズドパターンでは、特にセンサ
回路のインピーダンスばらつきを生し易いというセンサ
特性上の欠点がある。
In addition, in the case of partially glazed, the center of the glazed
As shown in FIG. 8, since it is hemispherical in all directions, such a partially glazed pattern has a disadvantage in terms of sensor characteristics, particularly in that impedance variation in the sensor circuit is likely to occur.

この部分グレーズドの中心部の平坦性を向上するために
は、部分グレーズドのパターンを大きくすることにより
達成することができるが、この場合はセンサの大型化に
つながり、且つ製造コストの増加といった問題を生じる
In order to improve the flatness of the center of this partially glazed area, it can be achieved by enlarging the pattern of the partially glazed area, but in this case, the problem of increasing the size of the sensor and increasing the manufacturing cost occurs. arise.

以上のように、前記従来技術の場合、部分グレーズドで
あるため基板表面の平坦性が悪<、 Ni合金磁性薄膜
等からなるセンサ部分をフォトリングラフィ技術により
形成する場合に、ブリッジ回路からなるセンサ回路のイ
ンピーダンスがばらつき易いという不具合をかあった。
As described above, in the case of the prior art, the flatness of the substrate surface is poor because it is partially glazed. This caused the problem that the impedance of the circuit was likely to vary.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、従来
の部分グレーズド処理さ九た磁気センサに比べて、ブリ
ッジ回路からなる磁気センサ回路のインピーダンスばら
つきが少なく、且つセンサの小型化や製造コストの低減
をも達成することができる磁気センサを提供することを
目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances.Compared to conventional partially glazed magnetic sensors, the impedance variation of a magnetic sensor circuit consisting of a bridge circuit is small, and the sensor can be miniaturized and manufacturing costs can be reduced. It is an object of the present invention to provide a magnetic sensor that can also achieve a reduction in .

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的を達成するため、本発明の磁気センサは、絶縁
性基板にライン状にグレーズド処理を施してライングレ
ーズドパターンを設け、該ライングレーズド上に、その
ライングレーズド方向に対して略直角もしくは所定の傾
きをつけて各センサパターンが並置されるように磁界検
知用のセンサパターン部を配置してなることを特徴とす
る。
In order to achieve the above object, the magnetic sensor of the present invention provides a line glazed pattern by subjecting an insulating substrate to a line glazed process, and a line glazed pattern is formed on the line glazed at approximately right angles to the line glazed direction or at a predetermined direction. It is characterized in that the sensor pattern portions for magnetic field detection are arranged so that the sensor patterns are arranged side by side with an inclination.

〔作  用〕[For production]

前述の従来技術の欠点は、部分グレーズドにより生しる
問題であるが、セラミック等の絶縁性基板を使用するに
はグレーズド処理は必要である。
The disadvantage of the prior art described above is the problem caused by partial glazing, but glazing is necessary when using insulating substrates such as ceramic.

そこで、本発明では、上述のようにライングレーズドパ
ターンを用いる。
Therefore, in the present invention, a line glazed pattern is used as described above.

このライングレーズドとは、基板上にグレーズドパター
ンをライン状に形成することである。第1図にその概略
を示す。また第2図(a)、(b)にグレーズド部のx
−x’力方向ライン方向)、Y−Y′方向(ライン垂直
方向)の断面を夫々示す。
Line glazing refers to forming a glazed pattern in a line shape on a substrate. Figure 1 shows its outline. Also, in Fig. 2 (a) and (b), the x of the glazed part is
-x' force direction line direction) and YY' direction (line perpendicular direction) are shown.

第1図、第2図において、1はアルミナ等からなる絶縁
性基板、2はライングレーズドパターンであり、図のx
−x’力方向一つのセンサのパターンに比べてグレーズ
ドパターンの長さが十分長いので、平坦性は部分グレー
ズドに対して大きく向上する。またY−Y’力方向長さ
が部分グレーズドと同等か1倍程度であるならば、平坦
性は部分グレーズドと同程度である。
In Figures 1 and 2, 1 is an insulating substrate made of alumina, etc., 2 is a line glazed pattern, and x in the figure is
-x' force direction Since the length of the glazed pattern is sufficiently long compared to the pattern of one sensor, the flatness is greatly improved compared to the partially glazed pattern. Further, if the length in the Y-Y' force direction is equal to or about one time that of the partially glazed, the flatness is about the same as that of the partially glazed.

従って、ライングレーズド上に、ライングレーズド方向
に対してlll8直角もしくは所定の傾きをつけて各セ
ンサパターンが並置されるように磁界検知用のセンサパ
ターン部を形成することにより、第3図に示すように、
フォトマスクからライングレーズド部表面までの距離は
均一になるようにバターンR1〜R4を配置できるので
、各センサパターン間のインピーダンスばらつきの少な
いセンサを形成することができる。
Therefore, by forming a sensor pattern section for magnetic field detection on the line glazed so that each sensor pattern is juxtaposed at right angles to the line glazed direction or at a predetermined inclination, as shown in FIG. To,
Since the patterns R1 to R4 can be arranged so that the distance from the photomask to the surface of the line glazed portion is uniform, it is possible to form a sensor with little variation in impedance between the sensor patterns.

また、ライングレーズド2を用いることにより、部分グ
レーズドに対してセンサを小型化することができる。す
なわち部分グレーズドでは、すでに述べたようにグレー
ズド部の中心部の平坦化のために一つのグレーズドパタ
ーンの面積を大きくする必要がある。一方ライングレー
ズドではライン方向の平坦性が良いために部分グレーズ
ドのように平坦化のためのデッドスペースを取る必要が
ないので、一つのライングレーズド上にセンサパターン
を近接させて形成することができる。このため、ライン
グレーズドの方がセンサの小型化に適している。
Further, by using the line glazed sensor 2, the sensor can be made smaller than the partially glazed sensor. That is, in partial glazing, as described above, it is necessary to increase the area of one glazed pattern in order to flatten the center of the glazed portion. On the other hand, since line glazed has good flatness in the line direction, there is no need to take dead space for flattening as is the case with partial glazed, so sensor patterns can be formed close to each other on one line glazed. For this reason, line glazed is more suitable for downsizing the sensor.

また、グレーズド部の厚さを厚くした場合でも、ライン
グレーズド方向に対して略直角もしくは所定の傾きをつ
けて各センサパターンが並置されるように磁界検知用の
センサパターン部を配置することにより、センサのイン
ピーダンスのばらつきは、同一厚の部分グレーズドに対
して小さくすることができる。
Furthermore, even when the thickness of the glazed part is increased, by arranging the sensor pattern part for magnetic field detection so that each sensor pattern is juxtaposed at approximately right angles to the line glazed direction or with a predetermined inclination, The variation in sensor impedance can be reduced for partial glazes of the same thickness.

〔実 施 例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第4図は本発明の一実施例を示す図であって、アルミナ
基板等のa縁性基板上に第1図に示すと同様にライング
レーズド処理を施した後、各ライングレーズトロ1の上
にNi合金磁性薄膜等からなる磁界検知用のセンサパタ
ーン63及び信号出力用の電極62を形成してなる磁気
センサの拡大図である。
FIG. 4 is a diagram showing an embodiment of the present invention, in which line glazing treatment is performed on an a-edge substrate such as an alumina substrate in the same manner as shown in FIG. FIG. 3 is an enlarged view of a magnetic sensor in which a sensor pattern 63 for detecting a magnetic field and an electrode 62 for outputting a signal are formed of a Ni alloy magnetic thin film or the like.

この磁気センサでは、ライングレーズド61のほぼ中央
部に、ライングレーズド61のライン方向に対してほぼ
直角に並置されるように各センサパターン63を形成す
る。このように各センサパターン63の向きを配置する
ことにより、フォトリソグラフィ技術によりセンサパタ
ーン部を形成する際に、先の第3図に示したように、フ
ォトマスクからの距離は一つのセンサパターン部内では
均一になる一7= ため、各パターン幅を均一にパターン配置グでき −る
ので、センサ内の各パターンのインピーダンスが均一と
なる。
In this magnetic sensor, each sensor pattern 63 is formed approximately at the center of the line glazed 61 so as to be juxtaposed at substantially right angles to the line direction of the line glazed 61. By arranging the orientation of each sensor pattern 63 in this way, when forming a sensor pattern part using photolithography technology, the distance from the photomask can be adjusted within one sensor pattern part, as shown in FIG. Therefore, each pattern width can be arranged uniformly, so that the impedance of each pattern in the sensor becomes uniform.

次に、第5図はライングレーズドに対するセンサ部のパ
ターン配置の一実施例を示す図であり、同図において、
符号64はライングレーズド、65はセンサパターン部
、66は電極である。
Next, FIG. 5 is a diagram showing an example of the pattern arrangement of the sensor section for line glazed, and in the same figure,
Reference numeral 64 is a line glaze, 65 is a sensor pattern section, and 66 is an electrode.

図から容易に類推できるように、電極66の取り出し方
向は、図示のように全ての電極を同一方向に取り出すこ
とも、ライングレーズド64に対して別々の方向に取り
出しても、性能上の問題はない。
As can be easily inferred from the figure, there are no performance problems whether the electrodes 66 are taken out in the same direction as shown in the figure or in different directions relative to the line glazed 64. do not have.

次に、第6図は、ライングレーズドに対するセンサ部の
パターン配置の別の実施例を示す図であり、同図におい
て符号67はライングレーズド、68はセンサパターン
部、69は電極である。
Next, FIG. 6 is a diagram showing another example of the pattern arrangement of the sensor part with respect to the line glazed, in which reference numeral 67 is the line glazed, 68 is the sensor pattern, and 69 is the electrode.

この実施例では、ライングレーズド部67の幅を大きく
することにより幅方向の平坦性が向上するため、一つの
ライングレーズド67に図のような配置で複数のセンサ
部の形成を行うことができ、複数の磁気センサを同時に
形成することが容易に可能となる。
In this embodiment, flatness in the width direction is improved by increasing the width of the line glazed portion 67, so a plurality of sensor portions can be formed on one line glazed portion 67 in the arrangement shown in the figure. It becomes easily possible to form a plurality of magnetic sensors at the same time.

次に、第9図は本発明の別の実施例を示す図であって、
アルミナ基板等の絶縁性基板上に第1図に示すと同様に
ライングレーズド処理を施した後、各ライングレーズド
91の上にNi合金磁性薄膜等からなる磁界検知用のセ
ンサパターン93及び信号出力用の電極92を形成して
なる磁気センサの拡大図である。
Next, FIG. 9 is a diagram showing another embodiment of the present invention,
After performing line glazing treatment on an insulating substrate such as an alumina substrate in the same manner as shown in FIG. FIG. 2 is an enlarged view of a magnetic sensor formed with electrodes 92 of FIG.

第9図に示す実施例は、ライングレーズド91方向の中
心線(X−X’)に対して、所定の傾きをつけて各セン
サパターン93を並置して形成したものであるが、この
場合も各センサパターン93はライングレーズド方向に
並置されているため、第4図に示した実施例と同様に、
ブリッジ回路からなるセンサの各センサパターン93間
のインピーダンスばらつきの少ない磁気センサを構成で
きる。
In the embodiment shown in FIG. 9, the sensor patterns 93 are arranged side by side at a predetermined inclination with respect to the center line (X-X') of the line glazed 91 direction. Since the sensor patterns 93 are arranged side by side in the line glazed direction, similar to the embodiment shown in FIG.
It is possible to configure a magnetic sensor with less variation in impedance between the sensor patterns 93 of the sensor consisting of a bridge circuit.

また、第9図に示す構成の磁気センサも、第4図の磁気
センサと同様に第5図や第6図に示すセンサパターン部
に用いることができる。
Further, the magnetic sensor having the configuration shown in FIG. 9 can also be used in the sensor pattern portion shown in FIGS. 5 and 6 similarly to the magnetic sensor shown in FIG. 4.

尚、以上の各実施例では、Ni合金磁性薄膜等からなる
磁気抵抗素子を磁界検知用のセンサ部に用いた磁気セン
サについて説明したが、本発明はホール素子をセンサ部
に用いた磁気センサについても同様に適用することがで
きる。
In each of the above embodiments, a magnetic sensor in which a magnetoresistive element made of a Ni alloy magnetic thin film or the like is used in the sensor section for detecting a magnetic field has been described, but the present invention relates to a magnetic sensor in which a Hall element is used in the sensor section. can be similarly applied.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明の磁気センサでは、セラミ
ック等の絶縁性基板にライングレーズド処理を行うこと
により、従来の部分グレーズドに比べて、ライングレー
ズド方向の平坦性を向上することができる。また、ライ
ングレーズド方向に対して直角にもしくは所定の傾きを
付けて各センサパターンが並置されるように磁界検知用
のセンサパターンを配置したことにより、フォトマスク
からの距離は一つのセンサパターン内では均一となるた
めセンサパターン中冨を均一にできるので、インピーダ
ンスばらつきの少ないセンサを形成することができる。
As described above, in the magnetic sensor of the present invention, by performing line glazing treatment on an insulating substrate such as ceramic, it is possible to improve the flatness in the line glazing direction compared to conventional partial glazing. In addition, by arranging the sensor patterns for magnetic field detection so that each sensor pattern is juxtaposed at right angles to the line glazed direction or at a predetermined inclination, the distance from the photomask can be reduced within a single sensor pattern. Since the sensor pattern is uniform, the thickness of the sensor pattern can be made uniform, and a sensor with less variation in impedance can be formed.

また、ライングレーズド方向の平坦性が良いため、その
方向にはセンサを近接させて形成することができるので
、従来の部分グレーズドに対してセンサを小型化できる
Furthermore, since the flatness in the line glazed direction is good, the sensor can be formed close to that direction, so the sensor can be made smaller compared to the conventional partial glazed.

また、本発明によれば、一つのライングレード上に複数
のセンサ部を同時に形成することができるため、磁気セ
ンサの量産化と製造コストの低減を容易に図ることがで
きる。
Further, according to the present invention, since a plurality of sensor parts can be formed simultaneously on one line grade, it is possible to easily mass-produce magnetic sensors and reduce manufacturing costs.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はライングレーズドパターンの形成例を示す平面
図、第2図(a)、(b)は第1図に示すライングレー
ズド部のx−x’力方向ライン方向)、y−y″方向ラ
イン垂直方向)の断面図、第3図はライングレーズド部
にフォトリソグラフィ技術によりセンサパターンを形成
する場合のマスクの配置状態を示す図、第4図は本発明
の一実施例を示す磁気センサの要部拡大図、第5図はラ
イングレーズドに対するセンサ部のパターン配置の一実
施例を示す図、第6図はライングレーズドに対するセン
サ部のパターン配置の別の実施例を示す図、第7図(a
)、(b)は従来の磁気センサの平面図及び側面図、第
8図は従来の部分グレーズド部にフォトリソグラフィ技
術によりセンサパターンを形成する場合のマスクの配置
状態を示=11− す回、第9図は本発明の別の実施例を示す磁気センサの
要部拡大図である。 1・・・・絶縁性基板、2.61.64.67、91・
・・・ライングレーズド部、63.65.68.93・
・・・センサパターン、62.66、69.92・・・
・電極。 1.、−一
Figure 1 is a plan view showing an example of forming a line glazed pattern, Figures 2 (a) and (b) are the x-x' force direction (line direction) and y-y'' direction of the line glazed part shown in Figure 1. 3 is a diagram showing the arrangement of a mask when a sensor pattern is formed on a line glazed part by photolithography technology, and FIG. 4 is a cross-sectional view of a magnetic sensor showing an embodiment of the present invention. An enlarged view of the main parts, FIG. 5 is a diagram showing one example of the pattern arrangement of the sensor part for line glazed, FIG. 6 is a diagram showing another example of the pattern arrangement of the sensor part for line glazed, and FIG. a
), (b) are a plan view and a side view of a conventional magnetic sensor, and FIG. 8 shows the arrangement of a mask when a sensor pattern is formed on a conventional partially glazed part by photolithography technology. FIG. 9 is an enlarged view of a main part of a magnetic sensor showing another embodiment of the present invention. 1... Insulating substrate, 2.61.64.67, 91.
... Line glazed part, 63.65.68.93.
...sensor pattern, 62.66, 69.92...
·electrode. 1. , -1

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  絶縁性基板にライン状にグレーズド処理を施してライ
ングレーズドパターンを設け、該ライングレーズド上に
、そのライングレーズド方向に対して略直角もしくは所
定の傾きをつけて各センサパターンが並置されるように
磁界検知用のセンサパターン部を配置してなることを特
徴とする磁気センサ。
A line glazed pattern is provided by performing a line glazed process on an insulating substrate, and a magnetic field is applied on the line glazed so that each sensor pattern is arranged in parallel at a substantially right angle or at a predetermined inclination to the line glazed direction. A magnetic sensor comprising a sensor pattern section for detection.
JP2307774A 1990-11-14 1990-11-14 Magnetic sensor Pending JPH04179290A (en)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6217163B2 (en) * 1981-02-13 1987-04-16 Motoda Kenro

Patent Citations (1)

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JPS6217163B2 (en) * 1981-02-13 1987-04-16 Motoda Kenro

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