JPH04178630A - 液晶パネル装置 - Google Patents
液晶パネル装置Info
- Publication number
- JPH04178630A JPH04178630A JP30769990A JP30769990A JPH04178630A JP H04178630 A JPH04178630 A JP H04178630A JP 30769990 A JP30769990 A JP 30769990A JP 30769990 A JP30769990 A JP 30769990A JP H04178630 A JPH04178630 A JP H04178630A
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- sealant
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- thin film
- film transistor
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- Pending
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶パネル装置に関し、特にパネル装置を構
成する薄膜トランジスタアレイ基板の周辺シール部の改
良に関する。
成する薄膜トランジスタアレイ基板の周辺シール部の改
良に関する。
液晶パネル装置は、薄膜トランジスタをマトリクス状に
配列した薄膜トランジスタアレイ基板にフィルタ基板を
対向させて配置し、その間隙に液晶を充填して構成され
る。従来、充填した液晶の保持のためのシール剤は、薄
膜トランジスタ基板の周縁部にシール剤を塗布後、フィ
ルタ基板を圧着、加熱処理することにより形成されてい
た。
配列した薄膜トランジスタアレイ基板にフィルタ基板を
対向させて配置し、その間隙に液晶を充填して構成され
る。従来、充填した液晶の保持のためのシール剤は、薄
膜トランジスタ基板の周縁部にシール剤を塗布後、フィ
ルタ基板を圧着、加熱処理することにより形成されてい
た。
上述した従来の液晶パネル装置において、周縁シール部
と、表示部との距離は基板の利用効率を上げるために、
例えば１１程度以下に設計される。このため周縁シール
剤を加熱処理する際、シール剤の一部が電極端子部に沿
って薄膜トランジスタ部に侵入してしまい、シール剤が
侵入した薄膜トランジスタ部上の液晶が配向しなくなる
場合があるという欠点がある。
と、表示部との距離は基板の利用効率を上げるために、
例えば１１程度以下に設計される。このため周縁シール
剤を加熱処理する際、シール剤の一部が電極端子部に沿
って薄膜トランジスタ部に侵入してしまい、シール剤が
侵入した薄膜トランジスタ部上の液晶が配向しなくなる
場合があるという欠点がある。
本発明は、複数個の薄膜トランジスタをマトリクス状に
配列した薄膜トランジスタアレイ基板とカラーフィルタ
基板とを対向させ両基板間に液晶を充填して周辺をシー
ル剤で気密に封止した液晶パネル装置において、薄膜ト
ランジスタアレイ基板周縁部に設置される外部接続電極
端子と薄膜トランジスタ部とを接続する導入配線の、周
辺シール剤と薄膜トランジスタ部との間の部分に薄膜ト
ランジスタの構成要素であるａ−８ｉ層からなるシール
剤ストップを設けたことを特徴とする。
配列した薄膜トランジスタアレイ基板とカラーフィルタ
基板とを対向させ両基板間に液晶を充填して周辺をシー
ル剤で気密に封止した液晶パネル装置において、薄膜ト
ランジスタアレイ基板周縁部に設置される外部接続電極
端子と薄膜トランジスタ部とを接続する導入配線の、周
辺シール剤と薄膜トランジスタ部との間の部分に薄膜ト
ランジスタの構成要素であるａ−８ｉ層からなるシール
剤ストップを設けたことを特徴とする。
次に本発明について、図面を参照して説明する。第１図
は本発明の第１の実施例を示す一部破断平面図である。
は本発明の第１の実施例を示す一部破断平面図である。
薄膜トランジスタアレイ基板１上に、薄膜トランジスタ
部７と外部回路との電気的接続のための電極端子５が設
置され、電極端子５は基板１の周辺部に、例えばピッチ
０．３ｍｍで各辺に２５０個並べられている。電極端子
５の周辺シール剤３と薄膜トランジスタ部７の間の部分
に薄膜トランジスタの構成要素であるアモルファス・シ
リコン（ａ−３ｉ ）からなるシール剤スｌ〜ツブ４を
形成した。第２図は、第１図のＡ−Ａ断面図である。
部７と外部回路との電気的接続のための電極端子５が設
置され、電極端子５は基板１の周辺部に、例えばピッチ
０．３ｍｍで各辺に２５０個並べられている。電極端子
５の周辺シール剤３と薄膜トランジスタ部７の間の部分
に薄膜トランジスタの構成要素であるアモルファス・シ
リコン（ａ−３ｉ ）からなるシール剤スｌ〜ツブ４を
形成した。第２図は、第１図のＡ−Ａ断面図である。
第３図は、薄膜トランジスタ部７の一部分の断面模式図
である。ガラス基板５上にケート電極９、絶縁層１０．
ａ−８ｌ層１１．ｎ″−ａ−３ｉ層１２を形成し、ソー
ス電極１４とｌ・レイン電極１５を設け、ソース電極１
４に接続された表示画素電極１３を形成して製作される
。シール剤ストップ４は薄膜トランジスタ部７のａ−３
ｉ層］］のバタン形成のさい同時に加工できるので、本
発明の実施により工程は増加しない。
である。ガラス基板５上にケート電極９、絶縁層１０．
ａ−８ｌ層１１．ｎ″−ａ−３ｉ層１２を形成し、ソー
ス電極１４とｌ・レイン電極１５を設け、ソース電極１
４に接続された表示画素電極１３を形成して製作される
。シール剤ストップ４は薄膜トランジスタ部７のａ−３
ｉ層］］のバタン形成のさい同時に加工できるので、本
発明の実施により工程は増加しない。
液晶パネル装置は、薄膜トランジスタ基板１をカラーフ
ィルタ基板２に対向させて重ね合せ周辺シール剤３を加
熱硬化させた後液晶を充填して完成する。本構造の液晶
パネル装置においては、周辺シール剤３の薄膜トランジ
スタ部７への侵入は、基板１とカラーフィルタ基板２と
を重ね合せ後、シール剤３を熱処理硬化させるさいに発
生ずる。通常シール剤３にはエポキシ樹脂を使用するが
、硬化温度例えば１５０℃で処理する場合、硬化温度に
達する前例えば８０°Ｃ前後で粘度が小さくなる。
ィルタ基板２に対向させて重ね合せ周辺シール剤３を加
熱硬化させた後液晶を充填して完成する。本構造の液晶
パネル装置においては、周辺シール剤３の薄膜トランジ
スタ部７への侵入は、基板１とカラーフィルタ基板２と
を重ね合せ後、シール剤３を熱処理硬化させるさいに発
生ずる。通常シール剤３にはエポキシ樹脂を使用するが
、硬化温度例えば１５０℃で処理する場合、硬化温度に
達する前例えば８０°Ｃ前後で粘度が小さくなる。
このためシール剤３の一部が電極端子５の段差部に沿っ
て、薄膜トランジスタ部７に侵入してしまう場合があっ
た。しかるに本実施例の構造によれば、薄膜トランジス
タ部７へのシール剤３の侵入はシール剤ストップ４によ
って阻止される。ここでａ−８ｉ層自体は絶ｉ性である
ため隣接電極端子間が導通することはない。
て、薄膜トランジスタ部７に侵入してしまう場合があっ
た。しかるに本実施例の構造によれば、薄膜トランジス
タ部７へのシール剤３の侵入はシール剤ストップ４によ
って阻止される。ここでａ−８ｉ層自体は絶ｉ性である
ため隣接電極端子間が導通することはない。
以上のように本実施例の構成によれば、薄膜トランジス
タ部７へのシール剤３の侵入を防止できるため、液晶セ
ルの配向不良が生じず、高品質の液晶パネル装置を得る
ことができる。
タ部７へのシール剤３の侵入を防止できるため、液晶セ
ルの配向不良が生じず、高品質の液晶パネル装置を得る
ことができる。
第４図は本発明の第２の実施例の一部破断平面図である
０本実施例ではシール剤ストップ４′は電極端子５を避
けて配置しであるため、電極端子５のシール剤ストップ
４′での段差が生じないという利点がある。
０本実施例ではシール剤ストップ４′は電極端子５を避
けて配置しであるため、電極端子５のシール剤ストップ
４′での段差が生じないという利点がある。
以上説明したように、本発明は端子電極の薄膜トランジ
スタ部に接続する導入部の一部にシール剤ストップ設け
たことにより、表示部へのシール剤の侵入を防ぎ表示性
能の優れた液晶パネル装置を製作できる効果がある。
スタ部に接続する導入部の一部にシール剤ストップ設け
たことにより、表示部へのシール剤の侵入を防ぎ表示性
能の優れた液晶パネル装置を製作できる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す一部破断平面図、
第２図は第１図のＡ−Ａ′線断面図、第３図は薄膜トラ
ンジスタ部の一部の断面図、第４図は本発明の第２の実
施例の一部破断平面図である。 １・・・薄膜トランジスタアレイ基板、２・・・カラー
フィルタ基板、３・・・周辺シール剤、４，４′・・シ
ール剤ストップ、５・・・電極端子、７・・薄膜トラン
ジスタ部、８・・・ガラス基板、９・・・ゲート１ｉ極
、１、０−・・絶縁層、１ｌ−＝ａ−８ｉ層、１．２−
・−ｎ”−ａ−８ｉ層、１３・・・表示画素電極、１４
・・ソース電極、】５・・ドレイン電極。
第２図は第１図のＡ−Ａ′線断面図、第３図は薄膜トラ
ンジスタ部の一部の断面図、第４図は本発明の第２の実
施例の一部破断平面図である。 １・・・薄膜トランジスタアレイ基板、２・・・カラー
フィルタ基板、３・・・周辺シール剤、４，４′・・シ
ール剤ストップ、５・・・電極端子、７・・薄膜トラン
ジスタ部、８・・・ガラス基板、９・・・ゲート１ｉ極
、１、０−・・絶縁層、１ｌ−＝ａ−８ｉ層、１．２−
・−ｎ”−ａ−８ｉ層、１３・・・表示画素電極、１４
・・ソース電極、】５・・ドレイン電極。
Claims (1)
- 複数個の薄膜トランジスタをマトリクス状に配列した薄
膜トランジスタアレイ基板とカラーフィルタ基板とを対
向させ両基板間に液晶を充填して周辺をシール剤により
気密に封止した液晶パネル装置において、前記薄膜トラ
ンジスタアレイ基板上に設置される外部接続電極端子と
前記薄膜トランジスタ部を接続する導入配線の、前記周
辺シール剤と前記薄膜トランジスタ部との間の部分に、
シール剤ストップを配置したことを特徴とする液晶パネ
ル装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30769990A JPH04178630A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 液晶パネル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30769990A JPH04178630A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 液晶パネル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04178630A true JPH04178630A (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=17972169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30769990A Pending JPH04178630A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 液晶パネル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04178630A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5684555A (en) * | 1994-12-19 | 1997-11-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display panel |
| JP2014071400A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、波長可変干渉フィルターの製造方法、光学装置および光学部品 |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP30769990A patent/JPH04178630A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5684555A (en) * | 1994-12-19 | 1997-11-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display panel |
| JP2014071400A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、波長可変干渉フィルターの製造方法、光学装置および光学部品 |
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