JPH04175394A - 電界発光素子 - Google Patents

電界発光素子

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JPH04175394A
JPH04175394A JP2258967A JP25896790A JPH04175394A JP H04175394 A JPH04175394 A JP H04175394A JP 2258967 A JP2258967 A JP 2258967A JP 25896790 A JP25896790 A JP 25896790A JP H04175394 A JPH04175394 A JP H04175394A
Authority
JP
Japan
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tetrakis
bis
group
ethynyl
electroluminescent device
Prior art date
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Pending
Application number
JP2258967A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumio Kawamura
史生 河村
Masabumi Ota
正文 太田
Teruyuki Onuma
大沼 照行
Toshihiko Takahashi
俊彦 高橋
Hirota Sakon
洋太 左近
Hiroshi Goto
寛 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は発光性物質からなる発光層を有し、電界を印加
することにより電気エネルギーを直接光エネルギーに変
換でき、従来の自然灯、蛍光灯あるいは発光ダイオード
等とは異なる大面積の面状発光体の実現を可能にする電
界発光素子に関する。
〔従来の技術〕
電界発光素子はその発光励起機構の違いから、(1)発
光層内での電子や正孔の局所的な移動により発光体を励
起し、交流電界でのみ発光する電界発光素子と、(2)
電極からの電子と正孔の注入とその発光層内での再結合
により発光体を励起し、直流電界で作動するキャリア注
入型電界発光素子のてつに分けられる。
(1)の真性電界発光型の発光素子は一般にZnSにM
n、 Cu等を添加した無機化合物を発光体とするもの
であるが、記動に200V以上の高い一交流電界を必要
とすること、製造コストが高いこと、輝度コストが高い
こと、輝度が耐久性も不十分である等の多くの問題点を
有する。
(2)のキャリア注入型電界発光素子は発光層として薄
膜状有機化合物を用いるようになってから高輝度のもの
が得られるようになった。たとえば特開昭59−197
393号、及び米国特許4,720,432号には緑色
発光素子が、またJapanese 、Journal
 of Applied Physics第27巻、7
13ページ、 1988年には黄色発光素子が開示され
ており、これらは通常、100v以下の直流電界下で高
輝度の発光をする。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、キャリア注入型電界発光素子は上記の公
知技術を含め1発光輝度1発光効率、シェルフライフ、
素子の発光寿命、発光波長の選択性等多くの問題をかか
えているのが実情であり、これまで実用化された例は知
られていない。
本発明は上記の実情に鑑みてなされたものであり、その
目的は発光輝度、発光効率、シェルライフ、発光寿命及
び発光波長の選択性に優れた電界発光素子を提供するこ
とである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者は上記課題を解決するため、新規材料構成の電
界発光素子について鋭意検討した往来、陽極および陰極
と、これらの間に挟持された一層または複数層の有機化
合物層より構成される電界発光素子において前記有機化
合物層のうち少なくとも一層に下記一般式(I)又は下
記一般式(11)で示される有機化合物を含有させるこ
とが上記課題に対して有効であることを見出し本発明を
完成するに至った。
一般式 〔式中、R,、R2,R,及びR9は低a 7 /L/
キル基を、Xは水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基又はハロゲン原子を、YはR,−Z−5o2NH
−1R5及びR6は水素原子、低級アルキル基又はハロ
ゲン原子を、R7及びR,は水素原子(但し双方が水素
原子である場合を除く)、シアノ基又は−C0R9を、
並びにR1はアルキル基、アルコキシ基、置換されてい
てもよいフェニル基又は置換されていてもよいナフチル
基を夫々表わす。〕〔式中+ R1xtR1□、R13
1R141R4!; JRlG +L□及びR11は低
級アルキル基を、R1,及びR211は水素原子(但し
双方が水素原子である場合を除く)、−CN又は−CO
R2zを、並びにR2xは置換されていてもよいフェニ
ル基、置換されていてもよいナフチル基。
アルキル基又はアルコキシ基を、夫々表わす。〕以下に
本発明によりなる電界発光素子を詳細に説明する。
本発明に使用される前記一般式(1)で表わされる化合
物は大気中で安定なほぼ無色の化合物であって、例えば
特開平2−70484号公報に示される方法によって製
造される。
前記一般式(I)で表わされる化合物の具体例としては
、表1に示されるものが挙げられるが、本発明はこれら
に限定されるものではない。
また、本発明に使用される前記一般式(n)で表わされ
る化合物は大気中で安定なほぼ無色な化合物であって、
例えば特開平1−237192号に示される方法によっ
て製造される。
前記一般式(II)で表わされる化合物の具体例を示す
と、次のようなものが挙げられるが、本発明はこれらに
限定されるものではない。
EM−011,1−ビス−[2’ 、 2’ 、 2”
、 2”−テトラキス−(P−ジメチルアミノフェニル
)〜エチニル)−2,2−ジニトリルエタン、E’M−
021,1−ビス−(2’ 、 2’ 、 2”、 2
″−テトラキス−(ρ−ジエチルアミノフェニル)〜エ
チニル)−2,2−ジニトリルエタン、ロピルアミノフ
ェニル)−エチニル)−2,2−ジニトリルエタン、 ブチルアミノフェニル)−エチニル]−2,2−ジニト
リルエタン、 EM−053,3−ビス−[2’ 、 2’ 、 2″
、 2″−テトラキス−(P−ジメチルアミノフェニル
)−エチニル]−2−ニトリループロピオン酸エチルエ
ステル、 EM−063,3−ビス−(2’ 、 2’ 、 2”
、 2”−テトラキス−(P−ジエチルアミノフェニル
)−エチニル〕−2−二トリループロピオン酸エチルエ
ステル、 EM−073,3−ビス−(2’ 、 2’ 、 2”
、 2”−テトラキス−(p−ジプロピルアミノフェニ
ル)−エチニル〕−2−二トリループロピオン酸エチル
エステル、 EM−083,3−ビス−[2’ 、 2’ 、 2″
、 2”−テトラキス−(P−ジ−n−ブチルアミノフ
ェニル)−エチニルツー2〜ニトリループロピオン酸エ
チルエステル、 EM−091,1−ビス−[2’ 、 2’ 、 2″
、 2”−テトラキス−(P−ジメチルアミノフェニル
)−エチニルツー2−ベンゾイルエタン、EM−101
,1−ビス−(2’ 、 2’ 、 2”、 2”−テ
トラキス−(P−ジエチルアミノフェニル)−エチニル
ツー2−ベンゾイルエタン、EM−121,1−ビス−
[2’ 、 2’ 、 2″、 2″−テトラキス−(
P−ジプロピルアミノフェニル)−エチニルツー2−ベ
ンゾイルエタン、EM−121,1−ビス−[2’ 、
 2’ 、 2”、 2”−テトラキス−(P−ジ−n
−ブチルアミノフェニル)−エチニルツー2−ベンゾイ
ルエタン、EM−131,1−ビス−(2’ 、 2’
 、 2”、 2”−テトラキス−(ρ−ジメチルアミ
ノフェニル)−エチニル)−2−p−クロロベンゾイル
エタン、 EM−141,1−ビス−C2’ 、 2’ 、 2”
、 2”−テトラキス−(P−ジエチルアミノフェニル
)〜エチニル)−2−p−クロロベンゾイルエタン、 EM−151,1−ビス−[2’ 、 2’ 、 2″
、 2”−テトラキス−(P−ジプロピルアミノフェニ
ル)−エチニル)−2−p−クロロベンゾイルエタン、 EM−161,1−ビス−(2’ 、 2’ 、 2″
、 2″−テトラキス−(P−ジ−n−ブチルアミノフ
ェニル)−エチニル)−2−p−クロロベンゾイルエタ
ン、 EM−171,1−ビス−(2’ 、 2’ 、 2”
、 2″−テトラキス−(P−ジメチルアミノフェニル
)−エチニルツー2−β−ナフトイルエタン、 EM−181,1−ビス−(2’ 、 2’ 、 2”
、 2”−テトラキス−(p−ジエチルアミノフェニル
)−エチニルツー2−β−ナフトイルエタン、 EM−191,1−ビス−C2’ 、 2’ 、 2”
、 2”−テトラキス−(p−ジプロピルアミノフェニ
ル)−エチニルツー2−β−ナフトイルエタン、 EM−201,1−ビス−[2’ 、 2’ 、 2”
、 2″−テトラキス=(P−ジ−n−ブチルアミノフ
ェニル)−エチニルツー2−β−ナフトイルエタン、 EM−211,1−ビス−(2’ 、 2’ 、 2″
、 2”−テトラキス=(P−ジメチルアミノフェニル
)−エチニル)−2,2−ジアセチルエタン、EM−2
21,1−ビス−[2’ 、 2’ 、 2″、 2”
−テトラキス−(P−ジエチルアミノフェニル)−エチ
ニル)−2,2−ジアセチルエタン、EX−231,1
−ビス−[2’ 、 2’ 、 2”、 2”−テトラ
キス−(p−ジプロピルアミノフェニル)−エチニル)
−2,2−ジアセチルエタン、 EM−241,1−ビス−[2’ 、 2’ 、 2″
、 2”−テトラキス−(P−ジ−n−ブチルアミノフ
ェニル)−エチニル)−2,2−ジアセチルエタン、 EM−251,1−ビス−[2’ 、 2’ 、 2”
、 2″−テトラキス−(P−ジメチルアミノフェニル
)−エチニル)−2,2−ジベンゾイルエタン、 EM−261,1−ビス−[2’ 、 2’ 、 2”
、 2”−テトラキス〜(P−ジエチルアミノフェニル
)−エチニル)−2,2−ジベンゾイルエタン、 EM−271,1−ビス−(2’ 、 2’ 、 2”
、 2″−テトラキス−(P−ジプロピルアミノフェニ
ル)−エチニル)−2,2−ジベンゾイルエタン、 EM−281,1−ビス−[2’ 、 2’ 、 2”
、 2″−テトラキス−(P−ジ−n−ブチルアミノフ
ェニル)−エチニル)−2,2−ジベンゾイルエタン、 Eト29  ビス−[2,′2,2’ 、2’−テトラ
キス−(p−ジメチルアミノフェニル)−エチニルツー
メチルマロン酸ジメチルエステル、 Eト30  ビス−(2,2,2’、2’−テトラキス
−(p−ジエチルアミノフェニル)−エチニルツーメチ
ルマロン酸ジメチルエステル、 Eト31  ビス−(2,2,2’、2’−テトラキス
−(P−ジプロピルアミノフェニル)−エチニルツーメ
チルマロン酸ジメチルエステル、 EM−32ビス−[2,2,2’、2’−テトラキス−
CP−ジ−n−ブチルアミノフェニル)−エチニルツー
メチルマロン酸ジメチルエステル、 Eト33  ビス−C2,2,2’、2’−テトラキス
−(p−ジメチルアミノフェニル)−エチニルツーメチ
ルマロン酸ジメチルエステル、 Eトコ4  ビス−[2,2,2’ 、2’−テトラキ
ス−(ρ−ジエチルアミノフェニル)−エチニルツーメ
チルマロン酸ジメチルエステル、 EM−35ビス−[2,2,2’、2’−テトラキス−
(p〜ジプロピルアミノフェニル)−エチニルクーメチ
ルマロン酸ジメチルエステル、 Eト36  ビス−(2,2,2’、2’−テトラキス
−(p−ジ−n−ブチルアミノフェニル)−エチニルツ
ーメチルマロン酸ジメチルエステル、 Eト37  ビス−[2,2,2’、2’−テトラキス
−(p−ジメチルアミノフェニル)−エチニル〕−メチ
ルマロン酸ジーイソプロピルエステル、 Eト38  ビス−(2,2,2’ 、2’−テトラキ
ス−(P−ジエチルアミノフェニル)−エチニル〕−メ
チルマロン酸ジーイソプロピルエステル、 Eト39  ビス−[2,2,2’ 、2’−テトラキ
ス−(p−ジプロピルアミノフェニル)−エチニル〕−
メチルマロン酸ジーイソプロピルエステル、 Eト40  ビス−[2,2,2’、2’−テトラキス
−(p−ジ−n−ブチルアミノフェニル)−エチニル〕
〜メチルマロン酸ジーイソプロピルエステル、 Eト41  ビス−[2,2,2’、2’−テトラキス
−(p−ジメチルアミノフェニル)−エチニルツーメチ
ルマロン酸ジーn−ブチルエステル、 Eト42  ビス−[2,2,2’、2’−テトラキス
=(P−ジエチルアミノフェニル)−エチニルツーメチ
ルマロン酸ジーn−ブチルエステル。
EM−43ビス−〔2,2,2’、2’−テトラキス−
(p−ジプロピルアミノフェニル)−エチニルツーメチ
ルマロン酸ジーn−ブチルエステル、 EM−44ビス−(2,2,2’、2’−テトラキス−
(p−ジ−n−ブチルアミノフェニル)−エチニルツー
メチルマロン酸ジーn−ブチルエステル等。
本発明の電界発光素子は種々の層構成をとることができ
る。例えば第1図の構成においては陽極1と陰極2の間
に本発明の一般式(I)又は一般式(II)で示される
化合物を含む層(以下「発光層」と称することがある)
3が設けられる。第2図の構成においては陽極1と発光
N3の間に、陽極から発光層への正孔の注入性を上げる
ことを目的に、正孔輸送物質を含む正孔輸送層4が設け
られる。第3図の構成においては陰極2と発光層3の間
に、陰極から発光層への電子の注入性を上げることを目
的に電子輸送物質を含む電子輸送層5が設けられる。第
4図の構成においては陽極1と発光層3の間に正孔輸送
層4が、陰極2と発光層3の間に電子輸送層5が設けら
れる。上記したいずれの層構成においても本発明の一般
式(1)又は一般式(II)で表わされる有機化合物は
発光層3に含有される。
次に前記構成の正孔輸送層および電子輸送層の形成に使
用可能な材料について述べる。
正孔輸送物質としては、種々のものたとえば従来公知の
化合物等が使用できる。本発明に適用可能な正孔輸送性
化合物の具体例を以下に示す。
化合物層           構  造  式また電
子輸送物質としては、種々のものたとえば従来公知の化
合物等が使用できる。
本発明に適用可能な電子輸送性化合物の具体例を以下に
示す。
化合物Nn         構   造   式次に
電極材料について述べる。本発明では導電性を有する各
種無機物質および有機物質を電極材料として用いること
ができる。
陽極用の材料としては、陽極から有機化合物層への正孔
の注入性を上げるべく仕事関数の大きな材料を用いるこ
とが望ましく、その具体例としては、金、ベリリウム、
コバルト、クロム、イリジウム、モリブデン、ニッケル
、パラジウム、白金、ロジウム、タングステン、酸化ス
ズ、酸化スズ−酸化インジウム(ITO)、酸化亜鉛、
酸化カドミウム−酸化スズ(CdSnO3、CdSn4
)、酸化カドミウム−酸化インジウム(CdIn2o4
)、ヨウ化網、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピ
ロール、ポリアニリン等を挙げることができる。
また陰極用の材料としては陰極から有機化合物層への電
子の注入性を上げるべく仕事関数の小さな材料を用いる
ことが望ましく、その具体例としては銀、アルミニウム
、ビスマス、ガリウム、インジウム、リチウム、マグネ
シウム、マンガン、ニオブ、釦、ストロンチウム、亜鉛
等を挙げることができる。
本発明において発光層3および必要に応じて正孔輸送層
4あるいはおよび電子輸送層5を形成する方法としては
、従来公知の成膜技術を用いることができる。成膜技術
の具体例として真空蒸着法等の乾式法、スピン塗工法、
浸漬塗工法等の湿式法を挙げることができる。
発光層の厚さとしては約50人〜約2 、000人の範
囲、好ましくは約100人〜約1,000人の範囲であ
る。
電極の形成方法としては真空蒸着法、スパッタ法、有機
金属CVD法等の成膜技術が適用可能である。なお、一
対の電極の内、少なくとも一方は素子の発光波長領域に
おいて十分透明であることが望ましく、具体的には80
%以上の光透過率を有することが好ましい。
〔実施例〕
次に実施例によって本発明を詳述するが、本発明はこれ
に限定されるものではない。
実施例1 長さ1.1m/mのパイレックスガラスを中性洗剤、イ
オン交換水、熱エタノールの順に超音波洗浄し、クリー
ンベンチ内で加熱乾燥させた。次にこのパイレックスガ
ラス上にマグネトロンスパッタ装置を用いてITO(酸
化スズ含有量5重量%)をスパッタ蒸着し、厚さ約80
0人の透光性陽極を設けた、次に前記表1中No16で
表わされる本発明の例示化合物を抵抗加熱法によって上
記ITO陽極上に真空蒸着し、厚さ約500人の発光層
を設けた。最後に真空蒸着法によって上記発光層の上に
厚さ約1 、500人のマグネシウムよりなる陰極を設
け、本発明の電界発光素子を作製した。この素子にIT
O側が正、マグネシウム側が負となるように直流電圧を
印加したところ、30Vの電圧が211A/a(の電流
が流れ、鮮明な青紫色発光が認められた。
実施例2 実施例]において、&16の代りにNQIで表わされる
例示化合物を用いる他は実施例1と同様の手順で電界発
光素子を作製し、発光特性を調べた。そ    ゛の結
果、実施例1と同様に鮮明な青紫色の発光が認められた
実施例3 実施例1において、Nα16の代りにNα13で表わさ
れる例示化合物を用いる他は実施例1と同様の手順で電
界発光素子を作製し、発光特性を調べた。
その結果、実施例1と同様に鮮明な青紫色の発光が認め
られた。
実施例4 実施例1において、Nα16の代りにEト01で表わさ
れる例示化合物を用いる他は実施例1と同様の手順で電
界発光素子を作製し、発光特性を調べた。
その結果、実施例1と同様に鮮明な青紫色の発光球めら
れた。
実施例5 実施例1において、Nα16の代りにEト13で表わさ
れる例示化合物を用いる他は実施例1と同様の手順で電
界発光素子を作製し、発光特性を調べた。
その結果、実施例1と同様に鮮明な青紫色の発光が認め
られた。
実施例6 実施例1において、Nα16の代りにEト17で表わさ
れる例示化合物を用いる他は実施例1と同様の手順で電
界発光素子を作製し、発光特性を調べた。
その結果、実施例1と同様に鮮明な青色の発光が認めら
れた。
実施例7 実施例1で用いたものを同様のITO陽極上にHT−0
1で表わされる正孔輸送物質を真空蒸着し、厚さ約60
0人の正孔輸送層を設けた。次に、この正孔輸送層上に
抵抗加熱法によりNα19で表わされる本発明の例示化
合物を真空蒸着して厚さ約300人の発光層を設けた。
最後にこの発光層上に厚さ約】500人のマグネシウム
よりなる陰極を真空蒸着法により設け、本発明の電界発
光素子を作製した。この素子に実施例1と同様に直流電
圧を印加したところ、35Vの電圧印加で7mA/af
の電流が流れ、輝度30cd/ rdの青紫光発光が認
められた。
実施例8 実施例1で用いたものと同様にITO陽極上にNo4で
表わされる本発明の例示化合物を抵抗加熱法により真空
蒸着し、厚さ約300人の発光層を設けた。
次にこの発光層上にET−07で表わされる電子輸送物
質を真空蒸着して厚さ約500人の電子輸送層を設けた
。最後にこの電子輸送層の上に厚さ約1,500人のマ
グネシウムよりなる陰極を真空蒸着法により設け、本発
明の電界発光素子を作製した。この素子に実施例1と同
様の手順で直流電圧を印加したところ35Vの電圧印加
で10mA/allの電流が流れ輝度30cd/mの青
色発光が認められた。
実施例9 実施例1で用いたものと同様のITO陽極上にHT−0
1で表わされる正孔輸送物質を真空蒸着し、厚さ約60
(1人の正孔輸送層を設けた。次にこの正孔輸送層上に
EM−02で表わされる本発明の例示化合物を真空蒸着
して厚さ約300人の発光層を設け、最後に厚さ約1 
、500人のマグネシウム陰極を真空蒸着して本発明の
電界発光素子を作製した。この素子に実施例1と同様に
直流電圧を印加したところ、35Vの電圧で8mA/a
m2の電流が流れ、輝度20cd/m”の鮮明な青紫色
の発光が認められた。
実施例10 実施例1で用いたものと同様のITO陽極上にEM−1
8で表わされる本発明の例示化合物を真空蒸着し、厚さ
約300人の発光層を設けた。次にこの発光層上にET
−07で表わされる電子輸送物質を真空蒸着して厚さ約
500人の電子輸送層を設け、最後に厚さ約1 、50
0人のマグネシウム陰極を真空蒸着して本発明の電界発
光素子を作製した。この素子に実施例1に同様に直流電
圧を印加したところ、35Vの電圧で10mA/cm”
の電流が流れ、輝度20cd/n2の鮮明な青色発光が
認められた。
〔発明の作用効果〕
本発明の電界発光素子は前記した新規材料構成よりなる
ものであって、発光輝度1発光効率、シェルライフ、発
光寿命等の発光特性の優れたものである。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第4図は本発明に係る電界発光素子の模式断面
図である。 1・・・陽極 2・・・陰極 3・・・発光層 4・・・正孔輸送層 5・・・電子輸送層 特許出願人 株式会社 リ  コ −

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)陽極および陰極と、これらの間に挟持された一層
    または複数層の有機化合物層より構成される電界発光素
    子において、前記有機化合物層のうち少なくとも一層が
    、下記一般式(I)で表わされる有機化合物を含有する
    層であることを特徴とする電界発光素子。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1,R_2,R_3及びR_4は低級アル
    キル基を、Xは水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
    キシ基又はハロゲン原子を、YはR_5−Z−SO_2
    NH−、R_6−Z−CONH−又は▲数式、化学式、
    表等があります▼を、Zは▲数式、化学式、表等があり
    ます▼又は▲数式、化学式、表等があります▼をR_5
    及びR_6は水素原子、低級アルキル基又はハロゲン原
    子を、R_7及びR_8は水素原子(但し双方が水素原
    子である場合を除く)、シアノ基又は−COR_9を、
    並びにR_9はアルキル基、アルコキシ基、置換されて
    いてもよいフェニル基又は置換されていてもよいナフチ
    ル基を夫々表わす。〕
  2. (2)陽極および陰極と、これらの間に狭持された一層
    または複数層の有機化合物層より構成される電界発光素
    子において前記有機化合物層のうち少なくとも一層が下
    記一般式(II)で表わされる有機化合物を含有する層で
    あることを特徴とする電界発光素子。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1_1,R_1_2,R_1_3,R_1
    _4,R_1_5,R_1_6,R_1_7及びR_1
    _8は低級アルキル基を、R_1_9及びR_2_0は
    水素原子(但し双方が水素原子である場合を除く)、−
    CN又は−COR_2_1を、並びにR_2_1は置換
    されていてもよいフェニル基、置換されていてもよいナ
    フチル基、アルキル基又はアルコキシ基を、夫々表わす
    。〕
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05302081A (ja) * 1992-04-28 1993-11-16 Canon Inc 電界発光素子
JPH06256759A (ja) * 1992-04-28 1994-09-13 Canon Inc 電界発光素子
JPH11297478A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

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