JPH04175290A - 液相エピタキシャル成長方法 - Google Patents
液相エピタキシャル成長方法Info
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- JPH04175290A JPH04175290A JP30432790A JP30432790A JPH04175290A JP H04175290 A JPH04175290 A JP H04175290A JP 30432790 A JP30432790 A JP 30432790A JP 30432790 A JP30432790 A JP 30432790A JP H04175290 A JPH04175290 A JP H04175290A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光フアイバー通信や光情報処理等の分野に必要
な高性能の多重量子井戸構造を有する半導体装置の製造
方法およびそのエピタキシャル成長方法に関するもので
あも 従来の技術 半導体レーザ（以下、ＬＤと記す。）は光ファイバー通
信に必要不可欠なものである力（光フアイバー通信の高
度化とともにさらなる特性向上がのぞまれていも この
ためへ 近年ＬＤの活性層を多重量子井戸構造とした多
重量子井戸（ｍｕｌｔｉｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ：以
下、ＭＱＷと記ｔ、）ＬＤに関する研究が活発におこな
われていも 量子井戸活性層を有するＬＤは量子サイズ
効果により、通常のバルク型活性層にない良好な特性が
期待できも例えば微分ゲインの増大・ＴＭ光発光低減等
により低しきい値で高効率・大出力動作が可能となり、
緩和振動周波数の増大・線幅増大係数の減少により高速
応答・低チャーピング・狭スペクトル幅化が得られも ところでこのようなＭＱＷ構造の多層超薄膜を得るのは
主に成長速度の小さい有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ
）や分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ）が用いられてい
るカミ 装置コストや混晶組成の制御性さらに結晶に対
する信頼性の立場から液相成長法によってＭＱＷ層を作
製することは非常に重要であム 往復スライド成長手法
を採用することにより液相成長における薄膜の膜厚制御
性の難しさを克服し良好なＭＱＷ構造を得るとともにＭ
ＱＷレーザにおいて通常のバルク型し−サにない良好な
特性を得てきた（例えばＹ、５ａｓａｉ ｅｔ ａｌ、
ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックスＪ、Ａｐ
ｐ１． Ｐｈｙｓ、 ５９． ｐ２８．１９８６）。第
５図にこのスライドＬＰＥ成長に用いる成長ボートの断
面構造を示も ここではｌはボート基台、 ２はスライ
ダー、３はメルトホルダー、 ４はＩｎＰ基板、 ５は
基板を熱損傷から保護するカバーである。メルトホルダ
ー３内のメルト溜２１から２４にはそれぞれｎ−１ｎＧ
ａＡｓＰ光導波層（λｇ＝１．１μｍ）形成に必要な成
長メルト１１、アンドープのＩｎＧａＡｓＰ井戸層（λ
ｇ＝ １．３ｐ ｎ＋）形成に必要な成長メルト１２．
アンドープのＩｎＧａＡｓＰ障壁層（λｇ＝１．１μｍ
）形成に必要な成長メルトｌａ、 ｐ−ＩｎＰクラッ
ド層形成に必要な成長メルトであ４ この成長ボートを
Ｈ２気流中で６１０℃で６０分溶かし込みを行なった後
毎分０．６８℃で降温し５９０℃で成長をおこなった
ＭＱＷ層の成長はスライダー２を操作して基板４をＡ−
８間で毎秒５０ｍｍの速さで１往復半スライドすること
により形成されも この操作により１５０人の井戸層と
２５０人の障壁層３対から成るＭＱＷ層が得られも 各
井戸層は同一メルトから形成されるので組成の均一性も
良好であも発明が解決しようとする課題 しかしながら前述の製造方法により形成されたＭＱＷ層
においては井戸鳩尾 障壁層厚はスライドスピードによ
り一義的に決定され各層厚を独立に制御することができ
ないという問題点かあも量子井戸デバイスにおいては井
戸層厚と障壁層厚の比は重要なパラメータの一つであり
、最適構造を得るには両層の厚みを独立に制御する必要
があム 特に半導体レーザにおいては低しきい値発振を
得るには活性層となる井戸層への光の閉じ込め係数を大
きくする必要があり障壁層はより薄くすることか望まれ
ａ 図５に示した成長方法では往復スライド時に井戸層
−回に対して障壁層に２回接触するため障壁層厚を井戸
層厚より薄くすることは困難であａ 課題を解決するための手段 本発明Ｇ１ 成長メルトと基板の接触する底面積が異
なる複数のメルト溜内の成長メルトに基板を前記複数の
メルト滴量で停止することなくスライドして順次接触さ
せ層厚の異なる半導体層を連続して形成することを特徴
とする液相エピタキシャル成長方法であり、厚みの異な
る複数の２相融液成長メルトに基板を前記複数のメルト
滴量で停止することなくスライドして順次接触させ層厚
の異なる半導体層を連続して形成することを特徴とする
液相エピタキシャル成長方法であム さらに第１のメルト溜に収納された半導体量子井戸層成
長に必要な液相組成の第１の成長メルトａ その両側に
位置し基板と接触する底面の基板スライド方向に対する
幅が第１のメルト溜より狭い第２第３のメルト溜に収納
された半導体障壁層成長に必要な液相組成の第２第３の
成長メルトを用い、 半導体基板を前記第２第３のメル
ト溜の両外側に位置する第１第２の点を折返し点として
停止することなく往復スライドし前記第１第２第３の成
長メルトに停止することなく接触し 多重量子井戸層を
形成することを特徴とする半導体装置の製造方法であり
、半導体量子井戸層成長に必要な液相組成の第１の２相
融液成長メルトと、その両側に位置する半導体障壁層成
長に必要な液相組成で第１の成長メルトよりも厚みの薄
い第２第３の２相融液成長メルトでかつ前記構成され
半導体基板を前記第２第３のメルト溜の両外側に位置す
る第１第２の点を折返し点として停止することなく往復
スライドし前記第１第２第３の成長メルトに停止するこ
となく接触し 多重量子井戸層を形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法であも 作用 本発明は前記したエピタキシャル成長方法により井戸層
厚と障壁層厚を独立に制御せしめるものであり、さらに
前記した半導体装置の製造方法により障壁層厚が相対的
に薄いＭＱＷ構造を有する高性能の光半導体素子を得る
ことができも実施例 第１図は発明可算１の実施例におけるＬＰＥ成長に用い
る成長ボートの断面構造を示す。ここで従来例と同じく
ｌはボート基台、 ２はスライダー、３はメルトホルダ
ー、 ４はＩｎＰ基板 ５は基板を熱損傷から保護する
カバーであも メルトホルダー３内のメルト溜２１から
２４にはそれぞれｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波層（２μｍ
１．１μｍ）形成に必要な成長メルト１１、アンドープ
のＩｎＧａＡｓＰ井戸層（２μｍ１．３ｐｍ）形成に必
要な成長メルト１′１．アンドープのＩｎＧａＡｓＰ障
壁層（２μｍ １．１ μｍ）形成に必要な成長メルト
１３． ｐ−ＩｎＰクラッド層形成に必要な成長メル
トであａ この成長ボートをＨ２気流中で６１０℃で６
０分溶かし込みを行なった後毎分０．６８℃で降温し５
９０℃で成長をおこなっ九 ＭＱＷ層の成長はスライダ
ー２を操作して基板４をＡ−Ｂ間で毎秒５０ｍｍの速さ
で１往復半スライドすることにより形成されも ここで
従来例との違いは障壁層用メルト１３を収納するメルト
溜２３の基板４と接触する底面のスライド方向に対する
幅Ｗ１は２ｍｍと井戸層用メルト溜の輻Ｗ２＝６１１Ｉ
のよりも小さい点であａ 第２図に底面幅Ｗに対するＩｎＧａＡｓＰ層（２μｍ１
．１μｍおよび２μｍ１．３μｍ）の厚みの関係を示す
。各層厚はＷに対して比例関係にあり、メルト溜底面の
幅を変化させることにより各層の厚みを制御できること
がわかａ これはメルトと基板の実効接触時間がＷに比
例するためであム 従って第１図に示すＷ＋ ＝ ６
ｍｍ、 Ｗ２＝ ２ ｍｍの場合井戸層厚は１５０人、
障壁層厚は２回接触したにもかかわらず１００人と小さ
い値が得られていも このＭＱＷ構造を用いた半導体レ
ーザは各井戸層への充分な光の閉じ込めが得られるため
しきい値電流１０ｍＡ以下の低しきい値発振が得られて
いも 本第１の実施例においてＭＱＷ層は液相中に固相
のフローティングソースを浮かべた２相融液法により形
成したが過飽和融液法等の他の方法でも同様の効果が得
られも 第３図は発明可算２の実施例におけるＬＰＥ成
長に用いる成長ボートの断面構造を示も ボートの基本
構成は第１図と同じであるパ 本実施例では井戸層用メ
ルト１２と障壁層用メルト１３の高さＨが異な也 第４
図にこのメルト高さとＩｎＧａＡｓＰ層（３μｍ１．１
μｍおよび２μｍ１．３μｍ）の厚みの関係を示も各層
厚はＨに対して比例関係にあり、メルトの高さを変化さ
せることにより各層の厚みを制御できることがわかも
メルト上に過剰のＩｎＰフローティングソース１５を浮
かせる２相融液成長法においては降温時に過飽和になっ
たソースがフローティングソース上への析出によりメル
トの上下で実効的過飽和度の分布が生よ フローティン
グソースから離れる程析出の影響が小さくなり過飽和度
が太きｔ〜 従ってＨを小さくしてフローティングソー
スとメルトと基板との距離を近づけると過飽和度が小さ
くなり成長速度は小さくなるためであム第３図の実施の
場合Ｈ１は３１！１ＩＬＨ麿は６＋ａｍであり、このメ
ルトから往復スライド法で成長したＭＱＷ層は井戸層厚
１５０人障壁層厚１５０人が得られ第１の実施例と同様
の効果が得られていも 発明可算１および第２の実施例においてＩｎＧａＡｓＰ
／ＩｎＰ系１．３μｍμｍ−ザについて述べたがデバイ
入素子構逸 材料はこれに限定されるものではなｔ、Ｘ
。
な高性能の多重量子井戸構造を有する半導体装置の製造
方法およびそのエピタキシャル成長方法に関するもので
あも 従来の技術 半導体レーザ（以下、ＬＤと記す。）は光ファイバー通
信に必要不可欠なものである力（光フアイバー通信の高
度化とともにさらなる特性向上がのぞまれていも この
ためへ 近年ＬＤの活性層を多重量子井戸構造とした多
重量子井戸（ｍｕｌｔｉｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ：以
下、ＭＱＷと記ｔ、）ＬＤに関する研究が活発におこな
われていも 量子井戸活性層を有するＬＤは量子サイズ
効果により、通常のバルク型活性層にない良好な特性が
期待できも例えば微分ゲインの増大・ＴＭ光発光低減等
により低しきい値で高効率・大出力動作が可能となり、
緩和振動周波数の増大・線幅増大係数の減少により高速
応答・低チャーピング・狭スペクトル幅化が得られも ところでこのようなＭＱＷ構造の多層超薄膜を得るのは
主に成長速度の小さい有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ
）や分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ）が用いられてい
るカミ 装置コストや混晶組成の制御性さらに結晶に対
する信頼性の立場から液相成長法によってＭＱＷ層を作
製することは非常に重要であム 往復スライド成長手法
を採用することにより液相成長における薄膜の膜厚制御
性の難しさを克服し良好なＭＱＷ構造を得るとともにＭ
ＱＷレーザにおいて通常のバルク型し−サにない良好な
特性を得てきた（例えばＹ、５ａｓａｉ ｅｔ ａｌ、
ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックスＪ、Ａｐ
ｐ１． Ｐｈｙｓ、 ５９． ｐ２８．１９８６）。第
５図にこのスライドＬＰＥ成長に用いる成長ボートの断
面構造を示も ここではｌはボート基台、 ２はスライ
ダー、３はメルトホルダー、 ４はＩｎＰ基板、 ５は
基板を熱損傷から保護するカバーである。メルトホルダ
ー３内のメルト溜２１から２４にはそれぞれｎ−１ｎＧ
ａＡｓＰ光導波層（λｇ＝１．１μｍ）形成に必要な成
長メルト１１、アンドープのＩｎＧａＡｓＰ井戸層（λ
ｇ＝ １．３ｐ ｎ＋）形成に必要な成長メルト１２．
アンドープのＩｎＧａＡｓＰ障壁層（λｇ＝１．１μｍ
）形成に必要な成長メルトｌａ、 ｐ−ＩｎＰクラッ
ド層形成に必要な成長メルトであ４ この成長ボートを
Ｈ２気流中で６１０℃で６０分溶かし込みを行なった後
毎分０．６８℃で降温し５９０℃で成長をおこなった
ＭＱＷ層の成長はスライダー２を操作して基板４をＡ−
８間で毎秒５０ｍｍの速さで１往復半スライドすること
により形成されも この操作により１５０人の井戸層と
２５０人の障壁層３対から成るＭＱＷ層が得られも 各
井戸層は同一メルトから形成されるので組成の均一性も
良好であも発明が解決しようとする課題 しかしながら前述の製造方法により形成されたＭＱＷ層
においては井戸鳩尾 障壁層厚はスライドスピードによ
り一義的に決定され各層厚を独立に制御することができ
ないという問題点かあも量子井戸デバイスにおいては井
戸層厚と障壁層厚の比は重要なパラメータの一つであり
、最適構造を得るには両層の厚みを独立に制御する必要
があム 特に半導体レーザにおいては低しきい値発振を
得るには活性層となる井戸層への光の閉じ込め係数を大
きくする必要があり障壁層はより薄くすることか望まれ
ａ 図５に示した成長方法では往復スライド時に井戸層
−回に対して障壁層に２回接触するため障壁層厚を井戸
層厚より薄くすることは困難であａ 課題を解決するための手段 本発明Ｇ１ 成長メルトと基板の接触する底面積が異
なる複数のメルト溜内の成長メルトに基板を前記複数の
メルト滴量で停止することなくスライドして順次接触さ
せ層厚の異なる半導体層を連続して形成することを特徴
とする液相エピタキシャル成長方法であり、厚みの異な
る複数の２相融液成長メルトに基板を前記複数のメルト
滴量で停止することなくスライドして順次接触させ層厚
の異なる半導体層を連続して形成することを特徴とする
液相エピタキシャル成長方法であム さらに第１のメルト溜に収納された半導体量子井戸層成
長に必要な液相組成の第１の成長メルトａ その両側に
位置し基板と接触する底面の基板スライド方向に対する
幅が第１のメルト溜より狭い第２第３のメルト溜に収納
された半導体障壁層成長に必要な液相組成の第２第３の
成長メルトを用い、 半導体基板を前記第２第３のメル
ト溜の両外側に位置する第１第２の点を折返し点として
停止することなく往復スライドし前記第１第２第３の成
長メルトに停止することなく接触し 多重量子井戸層を
形成することを特徴とする半導体装置の製造方法であり
、半導体量子井戸層成長に必要な液相組成の第１の２相
融液成長メルトと、その両側に位置する半導体障壁層成
長に必要な液相組成で第１の成長メルトよりも厚みの薄
い第２第３の２相融液成長メルトでかつ前記構成され
半導体基板を前記第２第３のメルト溜の両外側に位置す
る第１第２の点を折返し点として停止することなく往復
スライドし前記第１第２第３の成長メルトに停止するこ
となく接触し 多重量子井戸層を形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法であも 作用 本発明は前記したエピタキシャル成長方法により井戸層
厚と障壁層厚を独立に制御せしめるものであり、さらに
前記した半導体装置の製造方法により障壁層厚が相対的
に薄いＭＱＷ構造を有する高性能の光半導体素子を得る
ことができも実施例 第１図は発明可算１の実施例におけるＬＰＥ成長に用い
る成長ボートの断面構造を示す。ここで従来例と同じく
ｌはボート基台、 ２はスライダー、３はメルトホルダ
ー、 ４はＩｎＰ基板 ５は基板を熱損傷から保護する
カバーであも メルトホルダー３内のメルト溜２１から
２４にはそれぞれｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波層（２μｍ
１．１μｍ）形成に必要な成長メルト１１、アンドープ
のＩｎＧａＡｓＰ井戸層（２μｍ１．３ｐｍ）形成に必
要な成長メルト１′１．アンドープのＩｎＧａＡｓＰ障
壁層（２μｍ １．１ μｍ）形成に必要な成長メルト
１３． ｐ−ＩｎＰクラッド層形成に必要な成長メル
トであａ この成長ボートをＨ２気流中で６１０℃で６
０分溶かし込みを行なった後毎分０．６８℃で降温し５
９０℃で成長をおこなっ九 ＭＱＷ層の成長はスライダ
ー２を操作して基板４をＡ−Ｂ間で毎秒５０ｍｍの速さ
で１往復半スライドすることにより形成されも ここで
従来例との違いは障壁層用メルト１３を収納するメルト
溜２３の基板４と接触する底面のスライド方向に対する
幅Ｗ１は２ｍｍと井戸層用メルト溜の輻Ｗ２＝６１１Ｉ
のよりも小さい点であａ 第２図に底面幅Ｗに対するＩｎＧａＡｓＰ層（２μｍ１
．１μｍおよび２μｍ１．３μｍ）の厚みの関係を示す
。各層厚はＷに対して比例関係にあり、メルト溜底面の
幅を変化させることにより各層の厚みを制御できること
がわかａ これはメルトと基板の実効接触時間がＷに比
例するためであム 従って第１図に示すＷ＋ ＝ ６
ｍｍ、 Ｗ２＝ ２ ｍｍの場合井戸層厚は１５０人、
障壁層厚は２回接触したにもかかわらず１００人と小さ
い値が得られていも このＭＱＷ構造を用いた半導体レ
ーザは各井戸層への充分な光の閉じ込めが得られるため
しきい値電流１０ｍＡ以下の低しきい値発振が得られて
いも 本第１の実施例においてＭＱＷ層は液相中に固相
のフローティングソースを浮かべた２相融液法により形
成したが過飽和融液法等の他の方法でも同様の効果が得
られも 第３図は発明可算２の実施例におけるＬＰＥ成
長に用いる成長ボートの断面構造を示も ボートの基本
構成は第１図と同じであるパ 本実施例では井戸層用メ
ルト１２と障壁層用メルト１３の高さＨが異な也 第４
図にこのメルト高さとＩｎＧａＡｓＰ層（３μｍ１．１
μｍおよび２μｍ１．３μｍ）の厚みの関係を示も各層
厚はＨに対して比例関係にあり、メルトの高さを変化さ
せることにより各層の厚みを制御できることがわかも
メルト上に過剰のＩｎＰフローティングソース１５を浮
かせる２相融液成長法においては降温時に過飽和になっ
たソースがフローティングソース上への析出によりメル
トの上下で実効的過飽和度の分布が生よ フローティン
グソースから離れる程析出の影響が小さくなり過飽和度
が太きｔ〜 従ってＨを小さくしてフローティングソー
スとメルトと基板との距離を近づけると過飽和度が小さ
くなり成長速度は小さくなるためであム第３図の実施の
場合Ｈ１は３１！１ＩＬＨ麿は６＋ａｍであり、このメ
ルトから往復スライド法で成長したＭＱＷ層は井戸層厚
１５０人障壁層厚１５０人が得られ第１の実施例と同様
の効果が得られていも 発明可算１および第２の実施例においてＩｎＧａＡｓＰ
／ＩｎＰ系１．３μｍμｍ−ザについて述べたがデバイ
入素子構逸 材料はこれに限定されるものではなｔ、Ｘ
。
発明の効果
以上のようへ 本発明は成長メルトと基板の接触する底
面積が異なる複数のメルト溜内の成長メルトに基板を前
記複数のメルト滴量で停止することなくスライドして順
次接触させ層厚の異なる半導体層を連絡して形成するこ
とを特徴とする液相エピタキシャル成長方法であり、厚
みの異なる複数の２相融液成長メルトに基板を前記複数
のメルト滴量で停止することなくスライドして順次接触
させ層厚の異なる半導体層を連続して形成することを特
徴とする液相エピタキシャル成長方法により井戸層厚と
障壁層厚を独立に制御せしめることを可能とするもので
あり、さらに第１のメルト溜、 に収納された半導体量
子井戸層成長に必要な液相組成の第１の成長メルトと、
その両側に位置し基板と接触する底面の基板スライド方
向に対する幅が第１のメルト溜より狭い第２第３のメル
ト溜に収納された半導体障壁層成長に必要な液相組成の
第２第３の成長メルトを用１．Ｘ、半導体基板を前記第
２第３のメルト溜の両外側に位置する第１第２の点を折
返し点として停止することなく往復スライドし前記第１
ｉ２第３の成長メルトに停止することなく接触上 多重
量子井戸層を形成することを特徴とする半導体装置の製
造方法であり、半導体量子井戸層成長に必要な液相組成
の第１の２相融液成長メルトと、その両側に位置する半
導体障壁層成長に必要な液相組成で第１の成長メルトよ
りも厚みの薄い第２第３の２相融液成長メルトでかつ前
記構成され 半導体基板を前記第２第３のメルト溜の両
外側に位置する第１第２の点を折返し点として停止する
ことなく往復スライドし前記第１第２第３の成長メルト
に停止することなく接触し 多重量子井戸層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法により障壁層厚
が相対的に薄いＭＱＷ構造を有する高性能の光半導体素
子を得ることができその実用的価値は大きｌ、％
面積が異なる複数のメルト溜内の成長メルトに基板を前
記複数のメルト滴量で停止することなくスライドして順
次接触させ層厚の異なる半導体層を連絡して形成するこ
とを特徴とする液相エピタキシャル成長方法であり、厚
みの異なる複数の２相融液成長メルトに基板を前記複数
のメルト滴量で停止することなくスライドして順次接触
させ層厚の異なる半導体層を連続して形成することを特
徴とする液相エピタキシャル成長方法により井戸層厚と
障壁層厚を独立に制御せしめることを可能とするもので
あり、さらに第１のメルト溜、 に収納された半導体量
子井戸層成長に必要な液相組成の第１の成長メルトと、
その両側に位置し基板と接触する底面の基板スライド方
向に対する幅が第１のメルト溜より狭い第２第３のメル
ト溜に収納された半導体障壁層成長に必要な液相組成の
第２第３の成長メルトを用１．Ｘ、半導体基板を前記第
２第３のメルト溜の両外側に位置する第１第２の点を折
返し点として停止することなく往復スライドし前記第１
ｉ２第３の成長メルトに停止することなく接触上 多重
量子井戸層を形成することを特徴とする半導体装置の製
造方法であり、半導体量子井戸層成長に必要な液相組成
の第１の２相融液成長メルトと、その両側に位置する半
導体障壁層成長に必要な液相組成で第１の成長メルトよ
りも厚みの薄い第２第３の２相融液成長メルトでかつ前
記構成され 半導体基板を前記第２第３のメルト溜の両
外側に位置する第１第２の点を折返し点として停止する
ことなく往復スライドし前記第１第２第３の成長メルト
に停止することなく接触し 多重量子井戸層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法により障壁層厚
が相対的に薄いＭＱＷ構造を有する高性能の光半導体素
子を得ることができその実用的価値は大きｌ、％
第１図は本発明の第１の実施例における成長ボートの断
面構造図 第２図は本発明の第１の実施例におけるメル
ト溜輻と層厚の関係医 第３図は第２の実施例における
成長ボートの断面構造医第４図は第２の実施例における
メルト高さと層厚の関係医 第５図は従来の成長ボート
の断面構造図であも １・・・・ボート基台 ２・・・・スライダー、 ３・
・・・メルトホルダー、 ４・・・・ＩｎＰ基Ｋ １
１〜１４・・・・成長メルト、 ２１〜２４・・・・メ
ルト胤代理人の氏名 弁理士 小蝦冶 明 ほか２名第
２ 図 ｗ （”′ 第４図 ２ ４ ｂ Ｂ
ｔ。
面構造図 第２図は本発明の第１の実施例におけるメル
ト溜輻と層厚の関係医 第３図は第２の実施例における
成長ボートの断面構造医第４図は第２の実施例における
メルト高さと層厚の関係医 第５図は従来の成長ボート
の断面構造図であも １・・・・ボート基台 ２・・・・スライダー、 ３・
・・・メルトホルダー、 ４・・・・ＩｎＰ基Ｋ １
１〜１４・・・・成長メルト、 ２１〜２４・・・・メ
ルト胤代理人の氏名 弁理士 小蝦冶 明 ほか２名第
２ 図 ｗ （”′ 第４図 ２ ４ ｂ Ｂ
ｔ。
Claims (4)
- （１）成長メルトと基板の接触する底面積が異なる複数
のメルト溜内の成長メルトに基板を前記複数のメルト溜
間で停止することなくスライドして順次接触させ層厚の
異なる半導体層を連続して形成することを特徴とする液
相エピタキシャル成長方法。 - （２）厚みの異なる複数の２相融液成長メルトに基板を
前記複数のメルト溜間で停止することなくスライドして
順次接触させ層厚の異なる半導体層を連続して形成する
ことを特徴とする液相エピタキシャル成長方法。 - （３）第１のメルト溜に収納された半導体量子井戸層成
長に必要な液相組成の第１の成長メルトと、その両側に
位置し基板と接触する底面の基板スライド方向に対する
幅が第１のメルト溜より狭い第２第３のメルト溜に収納
された半導体障壁層成長に必要な液相組成の第２第３の
成長メルトを用い、半導体基板を前記第２第３のメルト
溜の両外側に位置する第１第２の点を折返し点として停
止することなく往復スライドし前記第１第２第３の成長
メルトに停止することなく接触し、多重量子井戸層を形
成することを特徴とする液相エピタキシャル成長方法。 - （４）半導体量子井戸層成長に必要な液相組成の第１の
２相融液成長メルトと、その両側に位置する半導体障壁
層成長に必要な液相組成で第１の成長メルトよりも厚み
の薄い第２第３の２相融液成長メルトでかつ前記構成さ
れ 半導体基板を前記第２第３のメルト溜の両外側に位
置する第１第２の点を折返し点として停止することなく
往復スライドし前記第１第２第３の成長メルトに停止す
ることなく接触し、多重量子井戸層を形成することを特
徴とする液相エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30432790A JPH04175290A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30432790A JPH04175290A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04175290A true JPH04175290A (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=17931680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30432790A Pending JPH04175290A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04175290A (ja) |
-
1990
- 1990-11-08 JP JP30432790A patent/JPH04175290A/ja active Pending
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