JPH0417347A - プローブ装置 - Google Patents
プローブ装置Info
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- JPH0417347A JPH0417347A JP2120679A JP12067990A JPH0417347A JP H0417347 A JPH0417347 A JP H0417347A JP 2120679 A JP2120679 A JP 2120679A JP 12067990 A JP12067990 A JP 12067990A JP H0417347 A JPH0417347 A JP H0417347A
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- Japan
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- measurement
- stages
- wafer
- stage
- probe device
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Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 100
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明はプローブ装置に関する。
集積回路（ＩＣ）等の半導体製造工程における測定の１
つとしてプローブ測定がある。このプローブ測定は、被
測定体例えば半導体ウエーノ＼上でのパターン形成によ
り完成された半導体チ・ツブをブロー式の探針即ちプロ
ーブ針を用いて測定器等からなる測定回路（テスタ）と
電気的に接続し、電気的特性を測定するものである。 従来、−船釣にはプローブ装置は、１個の測定ステージ
と、この測定ステージに対しウェーハを搬入、搬出する
ローダとて構成されている。 また、最近は、高価なりリーンルームの空間を有効に使
用でき、且つ、測定工程のスループットの向上か可能な
ように、１台のプローブ装置の内部に１個のローダと、
複数、少なくとも２個の測定ステージを設けたものか提
案されている（例えば特開昭６２−３５２１２号公報等
）。このプローブ装置は、ローダ部を中央に設置し、左
右に測定ステージを配するもので、ローダ部から半導体
ウェーノ＼を左右の測定ステージに振り分けることによ
り、２個の測定ステージを有効に使用するようにして、
スループットの向上を図っている。
つとしてプローブ測定がある。このプローブ測定は、被
測定体例えば半導体ウエーノ＼上でのパターン形成によ
り完成された半導体チ・ツブをブロー式の探針即ちプロ
ーブ針を用いて測定器等からなる測定回路（テスタ）と
電気的に接続し、電気的特性を測定するものである。 従来、−船釣にはプローブ装置は、１個の測定ステージ
と、この測定ステージに対しウェーハを搬入、搬出する
ローダとて構成されている。 また、最近は、高価なりリーンルームの空間を有効に使
用でき、且つ、測定工程のスループットの向上か可能な
ように、１台のプローブ装置の内部に１個のローダと、
複数、少なくとも２個の測定ステージを設けたものか提
案されている（例えば特開昭６２−３５２１２号公報等
）。このプローブ装置は、ローダ部を中央に設置し、左
右に測定ステージを配するもので、ローダ部から半導体
ウェーノ＼を左右の測定ステージに振り分けることによ
り、２個の測定ステージを有効に使用するようにして、
スループットの向上を図っている。
ところで、測定工程には、同一品種のウェーハに対して
異なる測定モードでの測定を行いたい場合がある。従来
、このように測定モードか異なる測定をする場合には、
異なるプローブ装置を用いるようにしている。 ところか、複数台のプローブ装置をクリーンル−ム内に
設けるときは、広いスペースのクリーンルームを必要と
し、より高価格になってしまう欠点かある。 また、前記の複数の測定ステージを有するプローブ装置
は、カセット内に収納されたウエーノ＼を左右の測定ス
テージに振り分けて測定することにより、スループット
の向上を図るものであり、各測定ステージで異なる測定
モードの測定をすることは考慮されていなかった。 この発明は、以上の点に鑑み、複数の測定ステジを有効
に使用できるようにしたプローブ装置を提供することを
目的とする。
異なる測定モードでの測定を行いたい場合がある。従来
、このように測定モードか異なる測定をする場合には、
異なるプローブ装置を用いるようにしている。 ところか、複数台のプローブ装置をクリーンル−ム内に
設けるときは、広いスペースのクリーンルームを必要と
し、より高価格になってしまう欠点かある。 また、前記の複数の測定ステージを有するプローブ装置
は、カセット内に収納されたウエーノ＼を左右の測定ス
テージに振り分けて測定することにより、スループット
の向上を図るものであり、各測定ステージで異なる測定
モードの測定をすることは考慮されていなかった。 この発明は、以上の点に鑑み、複数の測定ステジを有効
に使用できるようにしたプローブ装置を提供することを
目的とする。
この発明は、少なくとも２つの測定ステージを備えたプ
ローブ装置において、被測定体の測定内容に応じて各測
定ステージをフルに活用できるようにプログラマブルに
（７たことを特徴とする。
ローブ装置において、被測定体の測定内容に応じて各測
定ステージをフルに活用できるようにプログラマブルに
（７たことを特徴とする。
【作用］
入力手段から各測定ステージの動作制御のためのパラメ
ータがそれぞれ入力され、各測定ステジはそのパラメー
タにより設定された動作を行う。 例えば、ローダに設置されたキャリア内のつ工−ハを測
定する際に、２つの測定ステージのとちらて測定するか
、あるいは両方の測定ステージで測定するか等の選択か
、前記パラメータにより設定されて、複数の測定ステー
ジが効率よく使用される。 【実施例】 以下、この発明を２個の測定ステージを有するウェーハ
プローバに適用した場合の一実施例について、図を参照
しながら説明する。 このウェーハプローバは、第１図に示すように中央にロ
ーダ部１を有し、このローダ部１の左側に第１の測定ス
テージ２が、右側に第２の測定ステージ３が配置される
。 この例では、ローダ部１には、２個のウェーハカセット
１１が収納できるようになっており、これらウェーハカ
セット１１は、それぞれ第２図に示すようにカセット載
置台１２に載置され、カセット載置台１２がモータ１３
により上下動させられるように構成されている。そして
、ウェーハカセット１］に対向するようにピンセット１
４が設けられ、ウェーハＷは、このピンセット１４によ
りカセット１１の所望の高さ位置より取り出され、ある
いは、カセット１１に収納されるように構成されている
。 第１及び第２の測定ステージ２，３は、同様の構成を有
し、ローダ部１との間でウェー／％Ｗの受は渡しを行う
回転アーム２１．．３１と、ウェーハＷの載置台２２，
３２とを備えている。載置台２２．３２は、ウェーハＷ
を仮固定、例えば真空吸着により仮固定する。また、載
置台２２，３２はＸ−Ｙステージ２３．３３の、水平方
向の互いに直交する２方向Ｘ及びＹ方向に移動可能なス
テージにより、測定位置に移動されるとともに、上下方
向Ｚ及び回転方向θにも移動可能となるように構成され
ている。 測定ステージ２，３の測定位置にはウェーハＷの半導体
チップの電極パッド列に当接するプローブ針列２４．３
４を備えるプローブカード２５゜３５が設けられている
。 ローダ部１の筐体上方の後面側には、支柱４］が設置さ
れ、この支柱４１を軸とし、ローダ部１の中心を中心と
して左／右に５０°回転可能なアム４２が支柱４１に取
り付けられている。このアーム４２の先端には、ウェー
ハＷの半導体チップを拡大して観測することが可能なマ
イクロスコープ４３が取り付けられている。マイクロス
コブ４３は、垂直方向に上下動可能な状態で取り（＝ｊ
けられている。このマイクロスコープ４３は、測定ステ
ージ２．３に共通に使用されるものである。 また、第３図に示すように、ローダ部１．第１及び第２
の測定ステージ２．３のそれぞれには、その動作を制御
するためのＣＰＵ５１，５２．５３か内蔵されている。 そして、第１の測定ステージ２には、マスターＣＰＵ５
０か設けられ、これにはシステムプログランやパラメー
タの入力手段として使用されるフロッピーディスクのフ
ロッピーディスクコントローラ５４が接続されている。 そして、測定しようトスる品種のウェーハＷに応じて設
定される測定モード、搬送モード、測定結果のプリント
アウトモード等かパラメータとして書き込まれているフ
ロッピーディスク５５か、このフロッピーディスクコン
トローラ５４にてローディングされて、マスターＣＰＵ
５０にて測定ステージ２及び３並びにローダ１のシステ
ムプログラムが設定されると共に上記パラメータの設定
がなされる。 この場合、測定モードのパラメータの１つとして、ウェ
ーハＷをどちらのステージで測定するか、両方のステー
ジ−て測定するか等が含まれる。搬送モードは、測定モ
ードに合わせて設定される。 なお、プローブカード２５．３５のプローブ針２４．３
４の針先は、適宜、研磨する必要があるが、この研磨の
タイミンクをフロッピーディスク５５の中にパラメータ
として予め設定しておくことにより、自動的に針先の研
磨を行うことができる。また、プローブ針先の研磨板の
交換タイミングもパラメータとして設定しておくことも
てきる。 次に、フロッピーディスク５５に入力されたパラメータ
によって設定された測定モードか、第１の測定ステージ
２て第１の測定を行った後、第２の測定ステージ３て、
第１の測定とは異なる第２の測定を行なうようにするも
のである場合の動作について説明する。 先ず、カセット１１からウェーハＷかピンセット１４に
よって取り出される。このウェーハＷは、そのオリエン
テーションフラットを基準にしてプリアライメントされ
た後、第１の測定ステージ２の回転アーム２１を介して
載置台２２に載置される。そして、ファインアライメン
ト位置においてアライメントされたウェーハＷについて
、マイクロスコープ４１，４２．４３を用いてウェーハ
上のスクライブラインやパターン等を参照して正確にア
ライメントが行なわれたことを確認することかできる。 その後、載置台２２がＸ−Ｙステージ２３により移動さ
れることにより、ウェーハＷはプローブカード２５の真
下の測定位置に移動させられる。そして、載置台２２が
所定距離たけ上昇することにより、プローブカードのプ
ローブ針列とウェーハＷ上の各半導体チップの電極パッ
ド列とが接触させられて、この接触状態でテスタ（図示
せず）により半導体チップの電気的特性の測定かなされ
る。そして、１つのチップまたは同時に複数個のチップ
の測定が終了したら、順次半導体チップ間隔たけ移動し
、前記接触測定動作を繰り返し実行して、ウェーハＷ上
の全半導体チップの測定を行う。 ウェーハＷの測定が終了したら、載置台２２は下降し、
Ｘ−Ｙステージ２３によりアンロード位置まで戻され、
回転アーム２１によりローダ１のピンセット１４に受は
渡される。ピンセット１４は、受は取ったウェーハＷを
オリエンテーションフラットを基準にした予備アライメ
ントを行った後、回転アーム３１を介して第２の測定ス
テージ３の載置台３２上に載置される。そして、この第
２の測定ステージ３において、前記第１の測定ステージ
２での測定と同様にして、第１の測定ステージ２での測
定とは別個の内容の測定が行われる。 一方、第２の測定ステージ３の載置台３２にウェーハＷ
の受は渡しを行った後、ローダ１のピンセット１４は、
カセット１１から次のウェーハＷか取り出され、予備ア
ライメントを行った後、第１の測定ステージ２にそのウ
ェーハＷを受は渡し、前記のように測定を行う。 フロッピーディスク５５で入力されたパラメタによって
、測定モートか第１及び第２の測定ステージ２及び３に
よって同し測定を行うように設定されたときは、ローダ
１は、ウェーハＷを第１及び第２の測定ステージ２及び
３に交互に振り分けるように動作する。 以上のようにしてプローブ装置は、１つのフロッピーデ
ィスクコントローラからの１枚のフロッピーディスクに
よるシステムパラメータの入力により、２つの測定ステ
ージ２及び３の、それぞれの測定モードが設定され、２
つの測定ステージ２及び３でそれぞれ異なる測定を行う
ことができる。 なお、この例のプローブ装置は、欠けた非円形ウェーハ
の測定が可能なように考慮されている。 即ち、プローブ装置のデイスプレィには、ＣＰＵ５２ま
たは５３に円形／非円形ウェー７１の区別を教えるため
の選択表示、例えば「欠けたウェハの測定をおこないま
すか？」及び「ノ＼イ」 「イイエ」の表示を行い、測
定者か「ノ入イ」を選択し、「プロファイラを使用しま
すか？」及び「ノ１イ」「イイエ」の表示を行い、「ハ
イ」を選択したときは、プロファイラを用いて欠はウエ
ーノ＼の測定か行ワれる。即ち、センサによって、非円
形ウェハの測定方向の最初のチップを自動認識して検出
しながら、測定か行われる。 プロファイラを用いない測定を選択したときは、ウェー
ハＷで測定する領域をデイスプレィにおいて設定するこ
とにより、欠はウェーＩＸＷの測定を行う。 また、通常、ウェーハＷに焼き付けられている半導体チ
ップは全部測定を行うか、ステッパー等で焼き付けられ
たチップパターンで測定をしたくない部分が発生するこ
とがある。このように測定をしたくない部分がある時は
、前記と同様にして、ＣＲＴデイスプレィやマイクロス
コープにおいて、ウェーハＷに対して測定したくないチ
ップを避は測定したいチップの指定を行うことにより、
測定領域を任意に指定することができる。 なお、以上の例では、２つの測定ステージをプローブ装
置に設けた場合であるか、この発明は、３以上の測定ス
テージを有するプローブ装置の場合にも、適用できるこ
とはいうまでもない。 また、この発明は、ウェーハプローバに限らす、デバイ
スプローバその他のプローブ装置に適用することができ
ることは勿論である。
ータがそれぞれ入力され、各測定ステジはそのパラメー
タにより設定された動作を行う。 例えば、ローダに設置されたキャリア内のつ工−ハを測
定する際に、２つの測定ステージのとちらて測定するか
、あるいは両方の測定ステージで測定するか等の選択か
、前記パラメータにより設定されて、複数の測定ステー
ジが効率よく使用される。 【実施例】 以下、この発明を２個の測定ステージを有するウェーハ
プローバに適用した場合の一実施例について、図を参照
しながら説明する。 このウェーハプローバは、第１図に示すように中央にロ
ーダ部１を有し、このローダ部１の左側に第１の測定ス
テージ２が、右側に第２の測定ステージ３が配置される
。 この例では、ローダ部１には、２個のウェーハカセット
１１が収納できるようになっており、これらウェーハカ
セット１１は、それぞれ第２図に示すようにカセット載
置台１２に載置され、カセット載置台１２がモータ１３
により上下動させられるように構成されている。そして
、ウェーハカセット１］に対向するようにピンセット１
４が設けられ、ウェーハＷは、このピンセット１４によ
りカセット１１の所望の高さ位置より取り出され、ある
いは、カセット１１に収納されるように構成されている
。 第１及び第２の測定ステージ２，３は、同様の構成を有
し、ローダ部１との間でウェー／％Ｗの受は渡しを行う
回転アーム２１．．３１と、ウェーハＷの載置台２２，
３２とを備えている。載置台２２．３２は、ウェーハＷ
を仮固定、例えば真空吸着により仮固定する。また、載
置台２２，３２はＸ−Ｙステージ２３．３３の、水平方
向の互いに直交する２方向Ｘ及びＹ方向に移動可能なス
テージにより、測定位置に移動されるとともに、上下方
向Ｚ及び回転方向θにも移動可能となるように構成され
ている。 測定ステージ２，３の測定位置にはウェーハＷの半導体
チップの電極パッド列に当接するプローブ針列２４．３
４を備えるプローブカード２５゜３５が設けられている
。 ローダ部１の筐体上方の後面側には、支柱４］が設置さ
れ、この支柱４１を軸とし、ローダ部１の中心を中心と
して左／右に５０°回転可能なアム４２が支柱４１に取
り付けられている。このアーム４２の先端には、ウェー
ハＷの半導体チップを拡大して観測することが可能なマ
イクロスコープ４３が取り付けられている。マイクロス
コブ４３は、垂直方向に上下動可能な状態で取り（＝ｊ
けられている。このマイクロスコープ４３は、測定ステ
ージ２．３に共通に使用されるものである。 また、第３図に示すように、ローダ部１．第１及び第２
の測定ステージ２．３のそれぞれには、その動作を制御
するためのＣＰＵ５１，５２．５３か内蔵されている。 そして、第１の測定ステージ２には、マスターＣＰＵ５
０か設けられ、これにはシステムプログランやパラメー
タの入力手段として使用されるフロッピーディスクのフ
ロッピーディスクコントローラ５４が接続されている。 そして、測定しようトスる品種のウェーハＷに応じて設
定される測定モード、搬送モード、測定結果のプリント
アウトモード等かパラメータとして書き込まれているフ
ロッピーディスク５５か、このフロッピーディスクコン
トローラ５４にてローディングされて、マスターＣＰＵ
５０にて測定ステージ２及び３並びにローダ１のシステ
ムプログラムが設定されると共に上記パラメータの設定
がなされる。 この場合、測定モードのパラメータの１つとして、ウェ
ーハＷをどちらのステージで測定するか、両方のステー
ジ−て測定するか等が含まれる。搬送モードは、測定モ
ードに合わせて設定される。 なお、プローブカード２５．３５のプローブ針２４．３
４の針先は、適宜、研磨する必要があるが、この研磨の
タイミンクをフロッピーディスク５５の中にパラメータ
として予め設定しておくことにより、自動的に針先の研
磨を行うことができる。また、プローブ針先の研磨板の
交換タイミングもパラメータとして設定しておくことも
てきる。 次に、フロッピーディスク５５に入力されたパラメータ
によって設定された測定モードか、第１の測定ステージ
２て第１の測定を行った後、第２の測定ステージ３て、
第１の測定とは異なる第２の測定を行なうようにするも
のである場合の動作について説明する。 先ず、カセット１１からウェーハＷかピンセット１４に
よって取り出される。このウェーハＷは、そのオリエン
テーションフラットを基準にしてプリアライメントされ
た後、第１の測定ステージ２の回転アーム２１を介して
載置台２２に載置される。そして、ファインアライメン
ト位置においてアライメントされたウェーハＷについて
、マイクロスコープ４１，４２．４３を用いてウェーハ
上のスクライブラインやパターン等を参照して正確にア
ライメントが行なわれたことを確認することかできる。 その後、載置台２２がＸ−Ｙステージ２３により移動さ
れることにより、ウェーハＷはプローブカード２５の真
下の測定位置に移動させられる。そして、載置台２２が
所定距離たけ上昇することにより、プローブカードのプ
ローブ針列とウェーハＷ上の各半導体チップの電極パッ
ド列とが接触させられて、この接触状態でテスタ（図示
せず）により半導体チップの電気的特性の測定かなされ
る。そして、１つのチップまたは同時に複数個のチップ
の測定が終了したら、順次半導体チップ間隔たけ移動し
、前記接触測定動作を繰り返し実行して、ウェーハＷ上
の全半導体チップの測定を行う。 ウェーハＷの測定が終了したら、載置台２２は下降し、
Ｘ−Ｙステージ２３によりアンロード位置まで戻され、
回転アーム２１によりローダ１のピンセット１４に受は
渡される。ピンセット１４は、受は取ったウェーハＷを
オリエンテーションフラットを基準にした予備アライメ
ントを行った後、回転アーム３１を介して第２の測定ス
テージ３の載置台３２上に載置される。そして、この第
２の測定ステージ３において、前記第１の測定ステージ
２での測定と同様にして、第１の測定ステージ２での測
定とは別個の内容の測定が行われる。 一方、第２の測定ステージ３の載置台３２にウェーハＷ
の受は渡しを行った後、ローダ１のピンセット１４は、
カセット１１から次のウェーハＷか取り出され、予備ア
ライメントを行った後、第１の測定ステージ２にそのウ
ェーハＷを受は渡し、前記のように測定を行う。 フロッピーディスク５５で入力されたパラメタによって
、測定モートか第１及び第２の測定ステージ２及び３に
よって同し測定を行うように設定されたときは、ローダ
１は、ウェーハＷを第１及び第２の測定ステージ２及び
３に交互に振り分けるように動作する。 以上のようにしてプローブ装置は、１つのフロッピーデ
ィスクコントローラからの１枚のフロッピーディスクに
よるシステムパラメータの入力により、２つの測定ステ
ージ２及び３の、それぞれの測定モードが設定され、２
つの測定ステージ２及び３でそれぞれ異なる測定を行う
ことができる。 なお、この例のプローブ装置は、欠けた非円形ウェーハ
の測定が可能なように考慮されている。 即ち、プローブ装置のデイスプレィには、ＣＰＵ５２ま
たは５３に円形／非円形ウェー７１の区別を教えるため
の選択表示、例えば「欠けたウェハの測定をおこないま
すか？」及び「ノ＼イ」 「イイエ」の表示を行い、測
定者か「ノ入イ」を選択し、「プロファイラを使用しま
すか？」及び「ノ１イ」「イイエ」の表示を行い、「ハ
イ」を選択したときは、プロファイラを用いて欠はウエ
ーノ＼の測定か行ワれる。即ち、センサによって、非円
形ウェハの測定方向の最初のチップを自動認識して検出
しながら、測定か行われる。 プロファイラを用いない測定を選択したときは、ウェー
ハＷで測定する領域をデイスプレィにおいて設定するこ
とにより、欠はウェーＩＸＷの測定を行う。 また、通常、ウェーハＷに焼き付けられている半導体チ
ップは全部測定を行うか、ステッパー等で焼き付けられ
たチップパターンで測定をしたくない部分が発生するこ
とがある。このように測定をしたくない部分がある時は
、前記と同様にして、ＣＲＴデイスプレィやマイクロス
コープにおいて、ウェーハＷに対して測定したくないチ
ップを避は測定したいチップの指定を行うことにより、
測定領域を任意に指定することができる。 なお、以上の例では、２つの測定ステージをプローブ装
置に設けた場合であるか、この発明は、３以上の測定ス
テージを有するプローブ装置の場合にも、適用できるこ
とはいうまでもない。 また、この発明は、ウェーハプローバに限らす、デバイ
スプローバその他のプローブ装置に適用することができ
ることは勿論である。
以上説明したように、この発明によれば、複数の測定ス
テージを有するプローブ装置において、１つの入力手段
により、それぞれの測定ステージに対するパラメータを
設定可能にしているので、例えば測定しようとする被測
定体をどの測定ステージで測定するか、あるいは複数の
測定ステージで測定するかを設定することができ、複数
の測定ステージを有効に使用することができる。
テージを有するプローブ装置において、１つの入力手段
により、それぞれの測定ステージに対するパラメータを
設定可能にしているので、例えば測定しようとする被測
定体をどの測定ステージで測定するか、あるいは複数の
測定ステージで測定するかを設定することができ、複数
の測定ステージを有効に使用することができる。
第１図は、この発明によるプローブ装置の一実施例の上
面図、第２図は、その側面図、第３図は、その制御部の
構成を示す図である。 １、ローダ ２、第１の測定ステージ ３；第２の測定ステージ ２２．３２；載置台 ２３．３３ Ｘ−Ｙステージ ５０；マスタＣＰＵ ５１．５２，５３．ＣＰＵ ５４；フロッピーディスクコントローラ５５；フロッピ
ーディスク 上面図 第１図 代理人 弁理士 佐 藤 正 美 イａ１＋ ５わ し？］ 第２図
面図、第２図は、その側面図、第３図は、その制御部の
構成を示す図である。 １、ローダ ２、第１の測定ステージ ３；第２の測定ステージ ２２．３２；載置台 ２３．３３ Ｘ−Ｙステージ ５０；マスタＣＰＵ ５１．５２，５３．ＣＰＵ ５４；フロッピーディスクコントローラ５５；フロッピ
ーディスク 上面図 第１図 代理人 弁理士 佐 藤 正 美 イａ１＋ ５わ し？］ 第２図
Claims (1)
- 少なくとも２つの測定ステージを備えたプローブ装置
において、被測定体の測定内容に応じて各測定ステージ
をフルに活用できるようにプログラマブルにしたことを
特徴とするプローブ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120679A JPH0417347A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | プローブ装置 |
| US07/696,930 US5166603A (en) | 1990-05-10 | 1991-05-08 | Probe method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120679A JPH0417347A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | プローブ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0417347A true JPH0417347A (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=14792261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2120679A Pending JPH0417347A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | プローブ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5166603A (ja) |
| JP (1) | JPH0417347A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008091098A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Toshiba Corp | 開閉装置および開閉装置操作機構 |
| JP2008182061A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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