JPH04171849A - ウェファ冷却方式 - Google Patents

ウェファ冷却方式

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JPH04171849A
JPH04171849A JP29887790A JP29887790A JPH04171849A JP H04171849 A JPH04171849 A JP H04171849A JP 29887790 A JP29887790 A JP 29887790A JP 29887790 A JP29887790 A JP 29887790A JP H04171849 A JPH04171849 A JP H04171849A
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JP
Japan
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wafer
holes
cooling
wafers
fluid
Prior art date
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Pending
Application number
JP29887790A
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English (en)
Inventor
Noboru Tanabe
昇 田邊
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、ウェファの冷却方式に関し、特にウェファス
ケールインチグレイジョン(WSI)等を用いて半導体
システムが実装されるウェファにおけるウェファ冷却方
式に関する。
(従来の技術) 従来、一つのシステムとして構成する際には、1枚のウ
ェファ上に多数の半導体システムを集積し、この集積さ
れた多数の半導体システムを個々の半導体システム毎に
微細なチップに切断し、このチップをパッケージに入れ
、さらにこのパッケージを他の半導体システムが集積さ
れたチップ等を組み入れたパッケージと組み合わせるよ
うにしていた。
一方、近年において半導体技術及びフォールトトレラン
ト技術の進歩による高集積化、実装密度及び半導体に対
する信頼度の向上によって、ウェファスケールインテグ
レーション、すなわち1枚のウェファ上に集積された多
数の半導体システムを個々の半導体システム毎に切断す
ることなくシステムとして構成し、動作させることがで
きるようになってきた。
このウェファスケールインテグレーションの採用により
、パッケージによる配線上の制約を回避でき、実装密度
の向上をはかる事ができる。
しかしながら、このようなウェファスケールインテグレ
ーションにおいても、現状ではウェファ間を接続するた
めには、従来のチップとパッケージ間の接続と同様のボ
ンディング方式をとっているため、ウェファ間の配線に
おいては従来のチップとパッケージ間の配線密度と同等
、またはそれ以下しか得られていない。
同様に、例えば格子結合される並列システムを構築する
場合、ウェファ上でプロセッサを2次元格子状にウェフ
ァスケールインテグレーションにより実装して実装密度
を向上することができても、従来のチップとパッケージ
間と同様のボンディング方式をとる制約から、ウェファ
間に及ぶ3次元格子は実質的には実装できないというよ
うなことが十分起こり得る。
そこで、より密度の高いウェファ間結合を実現するため
に、ウェファを積み重ね、その間を光学的に結合すると
いう提案が既になされている。
しかしながら、ウェファを積み重ねて実装密度を向上さ
せようとすると、ウェファの中央部付近においては各プ
ロセッサ等で発生した熱の逃げ場が無くなってしまう。
そのためこの蓄積された熱によってウェファ及びプロセ
ッサ等が容易に加熱されてしまい、該プロセッサ等の正
常な動作を期待できなくなる。このためウェファを積み
重ねたシステムは、現時点では存在し得ないものとなっ
ている。
(発明が解決しようとする課題) 上述したように、従来のウェファスケールインテグレー
ションを用いたシステムでは、ウェファ間の配線を多く
できない事から、システム全体としての実装密度は向上
しないという問題があり、またウェファを積み重ね実装
密度を向上させようとすると、ウェファの中央部付近は
熱の逃げ場か無いことから加熱してしまい当該プロセッ
サ等が正常に動作できなくなる。そのためウェファを積
み重ねたシステムを構築することはできなかった。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) 上記課題を解決するために、本願箱1の発明は、ウェフ
ァに該ウェファの一側面から他側面に貫通する孔を設け
たことを要旨とする。
また、本願箱2の発明は上記請求項1に記載のウェファ
冷却方式において、複数のウェファに設けた孔がそれぞ
れ対向して配設されることを要旨とする。
さらに、本願箱3の発明は上記請求項1.2に記載のウ
ェファ冷却方式において、前記ウェファに設けた孔を通
して配管される管体を設け、当該管体内に流体を流して
当該ウェファを冷却することを要旨とする。
(作用) 本願箱1の発明は、ウェファに該ウェファの一側面から
他側面に貫通する孔を設け、この孔の内壁という新たな
冷却面を作ることにより冷却効果を高めたことを特徴と
する。
また、本願箱2の発明は複数のウェファに設けた孔がそ
れぞれ対向して配設されることから該複数のウェファを
貫通するバイブ状の空間が形成される。このバイブ状の
空間はウェファの中央部付近にも作る事が可能なので、
このバイブ状の空間を流れる流体によってウェファ等に
蓄積される熱が奪われ、ウェファの中央部付近も冷却す
る事ができる。また複数のウェファを密着して配設する
ことができるため極めて高密度の実装ができる。
さらに、本願箱3の発明は前記ウェファに設けた孔を嵌
通して配管される管体を設け、当該管体内に流体を流す
ようにしたので、ウェファをそれほど密着させなくても
流体はスムースに流れる。
このためウェファに応力をかける事なくウェファの中央
部付近を冷却する事ができる。またウェファ表面に凹凸
があったり、密着度が足りなかったりした場合でも、ウ
ェファ間の隙間を伝って外周部に流体が滲み出して来る
危険性が無い。
(実施例) 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。なお、
図面は本発明の技術的思想を説明するためのもので、構
成等の概略を説明するものである。
第1図は、本願第1の発明にかかるウェファ冷却法を用
いたウェファ1の形状をしめずために、ウェファ1の一
部を切り欠いて示す斜視図である。
この第1図に示される切断面から明らかなように、孔5
はウェファ1上にマトリクス状に、ウェファ1の一側面
から他側面に貫通して穿設され、またウェファ1が有す
る厚みによって、孔5の内壁という新たな冷却面をウェ
ファlの任意の領域に確保することができる。
各ウェファ1には、プロセッサとしての論理回路3が構
成されているチップ領域と孔5の領域とが形成される。
さらに、この孔5はチップ領域の角に当たる位置等に配
置されるので、チップ間の配線を行う配線領域が該チッ
プ間に確保され、そのためチップ間の配線7をウェファ
スケールインテグレーションによって行うことができる
上述したように、本実施例によれば、ウェファ1に孔5
を穿設し、この孔5の内壁という新たな冷却面を作るこ
とにより冷却効果を高める事ができる。
とくに複数のウェファ1を積み重ねた場合に、冷えに<
<、蓄熱されやすいウェファ1の中央部付近にも容易に
冷却面を設ける事かでき、非常に優れた冷却方式とする
ことができる。また論理回路3での発熱量に応じて孔5
の大きさ、個数、配置、分布などを適宜選択する事によ
り冷却むらを防いだり、流体の循環速度や冷却能力を調
整できる。
次に、第2図の構成図を参照して、本願第2の発明にか
かるウェファ冷却装置を説明する。
本実施例のウェファ冷却装置11は、積層される複数の
ウェファ1と、冷却用媒体としての流体を循環する一対
の循環ポンプ13A、13Bと、この循環ポンプ13A
、13Bによって循環される流体がウェファ1を通過す
る際に該ウェファ1で発生する熱を奪って上昇した温度
を冷却する冷凍装置15とで構成される。
積層される複数のウェファ1に穿設される孔5の位置は
、全てのウェファ1で一致するように配置される。この
ように一致させることにより、各ウェファスタックを一
直線状に貫くパイプ状の空間を作る事ができる。
また、ウェファ1には通常0.5mm程度の厚みがある
ため、例えば積層される200枚のウェファ1を密着さ
せても、全体の厚みは10cm程度にしか過ぎない。従
って、例えばウェファ1単体にそれぞれ100チツプを
搭載した場合には、1チツプに1プロセツサを組み込む
ものとしても10cm角の中に2万個もの並列計算機が
実装できる事になる。
しかも、ウェファ1間の配線はウェファ1の周辺部に限
られず、ウェファ1面に垂直な方向に、面発光する半導
体レーザと受光素子を用いて光学的に結合されるため、
多くの信号線により各ウェファ1を結合できる。
このため3次元格子のようなウェファ1間の配線が多く
なるような結合方式も実現可能となる。
さらに、各ウェファ1が密着しているため、ウェファ1
間の配線は必ずしも光のように非接触的結合が必要とさ
れないため、電気的な接触による結合を採用する事もで
きる。
なお、ウェファlを密着して積層すると単位体積当たり
のプロセッサ等の発熱体の数が増加することから、単位
体積当たりの消費エネルギー、すなわち発熱量が増加す
る。例えば1チツプあたり0、IWに抑えたとしても2
0000チツプのシステムならば10cmX10cmX
10cm角内で2KWもの熱が発生することになる。そ
ればかりではなく全体としての表面積が減るために、特
に中央部付近の熱の発散が困難になることが、容易に推
測される。
しかしながら、本実施例で示したように、ウェファ1を
貫くように孔5が開口していると、この孔5を流れる流
体が孔5の内壁から熱を奪い、ウェファスタックの外部
に熱を逃がす事が可能になる。また、孔5の大きさは適
宜大きくできるので、気体に比べ冷却効率は高いものの
粘性が高い液体を用いることができ、さらに流体の循環
速度をウェファ1の厚みによらず速くする事も可能であ
る。
さらに孔5の大きさ、個数、配置、分布を適宜選択する
事により効率的な冷却をすることができるのは、いうま
でもないことである。
なお、流体が孔5に効率良く流入するように、ウェファ
l全体及び各孔5毎に、ロート状の整流板を適宜設ける
ようにしても良い。
さらに、第2図では冷凍装置15を用いて循環ポンプ1
3A、13Bにより冷却用の液体若しくは気体をウェフ
ァスタックのバイブ状の空間を通り抜けるように循環さ
せているが、単に空気等による強制空冷で足りる場合は
、冷凍装置15を介して空気等を循環させずに、送風機
を用いてウェファの片面から風を吹き付け、もう片面か
ら風を吹き抜くようにしても良い。
次に、第3図を参照して本願節3の発明にががるウェフ
ァ冷却法を用いたシステムについて説明する。
第3図に示すウェファ冷却システムは、積層さtLル複
数(1)flエファ1と、冷却用媒体としての流体を循
環する一対の循環ポンプ23A、23Bと、ウェファ1
を通過する際に該ウェファ1で発生する熱を奪って温度
の上昇した流体を冷却する冷凍装置25と、前記積層さ
れる複数のウェファ1を一直線状に貫くパイプ状の空間
を貫通して配設される複数のバイブ27と、各ウェファ
1間に間隙を設けて積層されるウェファ1面に平行な方
向から冷却用の気体、例えば空気を吹き付ける一対の送
風機29A、29Bとで構成される。
すなわち、積層されるウェファ1を貫くパイプ状の空間
に熱伝導率の高いバイブ27を孔5の内壁に密着するよ
うに通すことにより、各ウェファ1間に間隙を設けても
流体をスムースに流すことができる。このためウェファ
1にそれほど応力をかけることなしにウェファ1の中央
部付近を冷却することができる。
またウェファ1上に形成される論理回路等によってウェ
ファ1の表面に凹凸か生じていたり、或いはウェファ1
の密着度が足りなかったりした場合でも、本実施例のよ
うに冷却用の流体がバイブの中に閉じこめられているな
らば、ウェファ1間の隙間を伝って外周部に流体が滲み
出して来る虞が無い。
例えば、ウェファ1間の接続を光で行っている場合に、
冷却用の流体がウェファ1間の隙間に流れ出したときに
は、流体の性質によっては屈折率や反射率などが変化し
て、好まし、くない場合が考えられる。また、ウェファ
1上に凹凸があっても良いので、チップ間配線用のウェ
ファ1にチップを張り付けたシステムにも適用できる。
次に、本実施例における作用を14図を参照して説明す
る。
第4図は、ウェファlに穿設される孔5を貫通するバイ
ブ27と、ウェファ1間を通過する空気によって、ウェ
ファ1上に形成される論理回路等で発生される熱を速や
かに、かつ効率的にウェファスタックの外部に廃熱する
様子を示すものである。
まず、第4図を参照して構成を説明する。
積層される複数のウェファIA、IB、IC。
LD、IE間に、それぞれリング状のスペーサ31をウ
ェファ1の孔とスペーサ31リングの孔とを一致させて
介装し、このスペーサ31の孔にバイブ27を通すこと
により、各ウェファ1間に隙間を設ける。これにより、
第3図のようにウェファ1面に平行に空気Acを流して
冷却を補助することができる。
すなわち、送風機29AによってウェファIA。
1B間に吹き込まれた冷風Acは、ウニフッ1B面に沿
って流れるウニフッ1B表面から発散される熱AHを奪
い暖かい気流Awとなってバイブ27に到達する。バイ
ブ27内を流れる極低温の流体27wがリング状のスペ
ーサ31を介してウェファIA、IB間を流れる気流A
wの熱の一部を奪う。このようにして気流Awは何回が
バイブ27により冷却能力を再生されながらバイブ27
がら離れたウニフッ1B表面の熱を効率的にウェファス
タックの外部に逃がす。
また、バイブ27を流す冷却用流体とウェファ1表面を
流す冷却用流体の種類をそれぞれ変えることができる。
すなわち、バイブ27の中は透明度や屈折率などに優先
させて冷却効率が高い液体を用い、ウェファ1表面を流
す冷却用流体は冷却効率に優先させて透明度や屈折率に
優れた、例えば空気を用いるなどして、ウェファ1間の
光による結合への悪影響を防ぐことができる。
次に、第5図を参照して他のウェファ冷却法を用いたシ
ステムについて説明する。
第5図に示すウェファ冷却システムは、図中右側と左側
の2つのグループに分けられ、それぞれ路間−の構成で
あるので、以下左側のシステムについて説明する。
本実施例のウェファ冷却システムは、積層される複数の
ウェファ1と、冷却用媒体としての流体を循環する一対
の循環ポンプ43A、43Bと、ウェファ1を通過する
際に該ウェファ1で発生する熱を奪って温度の上昇した
流体を冷却する冷凍装置45と、前記積層される複数の
ウェファ1を一直線状に貫くパイプ状の空間を貫通して
配設される複数のパイプ27A、27Bとで構成される
なお、ここで右側と左側の2つのシステムは共に図中反
時計回りに流体が循環されることから積層される複数の
ウェファ1部分においては、それぞれ反対方向に流体が
流れることはいうまでもないことである。
従って、パイプ27A、27Bにおいては下から上に向
かって流体が流れ、他方パイプ27C127Dにおいて
は上から下に流体が流れる。
このようにするとウェファ1の冷え具合にむらが少なく
なる。すなわち、前述した第3図のように全てのパイプ
27を同じ方向に流体が流れる用に構成するとウェファ
1を通り抜けるたびに流体が熱せられ、上□流から下流
に向かって、除々に冷却能力が落ちていくためである。
しかしながら、本実施例に示すように流れる方向を交互
に異ならせると一側は温まっていても他側は冷えている
という状態になるので、上流側にあるウェファ1でも下
流側にあるウェファ1でも冷却能力が平均化されるため
、冷却むらが少なくなる。
すなわち、冷却むらが生じることによってシステムに熱
膨張の違いによる反りが生じ、内部応力が発生する虞、
或いはこの変形による位置ズレからくるウェファ間結合
への悪影響が考えられるが、本実施例によればそのよう
な問題を回避できる。
また、前述した第3の実施例を併用するとパイプから離
れたウェファ表面の熱を効率的に外部に逃がすことがで
きる。
〔発明の効果〕
上述したように、本発明によれば、ウェファに孔を穿設
し、この孔を介して該孔内を流れる流体に、ウェファ上
のプロセッサ等で発生する熱を伝導してウェファ外部へ
、該熱を放熱する事ができる。従って、特にウェファを
近接して若しくは密着させて積層した場合に、熱が蓄積
されやすいウェファの中央部付近においても効率よく冷
却することができる等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は第1の発明にかかるウェファ冷却法を用いたウ
ェファの一実施例の形状を表す図、第2図は第2の発明
にかかるウェファ冷却法を用いたシステムの一実施例を
示す図、 第3図は第3の発明にががるウェファ冷却法を用いたシ
ステムの一実施例を示す図、 第4図はシステムのパイプ周辺の断面の一例を示す図、 第5図はウェファ冷却方式を用いたシステムの一実施例
を示す図である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ウェファに該ウェファの一側面から他側面に貫通
    する孔を設けたことを特徴とするウェファ冷却方式。
  2. (2)複数のウェファに設けた孔がそれぞれ対向して配
    設されることを特徴とする請求項1に記載のウェファ冷
    却方式。
  3. (3)前記ウェファに設けた孔を嵌通して配管される管
    体を設け、当該管体内に流体を流して当該ウェファを冷
    却することを特徴とする特許請求項1及び2に記載のウ
    ェファ冷却方式。
JP29887790A 1990-11-06 1990-11-06 ウェファ冷却方式 Pending JPH04171849A (ja)

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JP29887790A JPH04171849A (ja) 1990-11-06 1990-11-06 ウェファ冷却方式

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JP29887790A JPH04171849A (ja) 1990-11-06 1990-11-06 ウェファ冷却方式

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JPH04171849A true JPH04171849A (ja) 1992-06-19

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JP29887790A Pending JPH04171849A (ja) 1990-11-06 1990-11-06 ウェファ冷却方式

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JP (1) JPH04171849A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013152952A (ja) * 2011-09-21 2013-08-08 Institute Of Energy Engineering Inc 半導体デバイス

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013152952A (ja) * 2011-09-21 2013-08-08 Institute Of Energy Engineering Inc 半導体デバイス

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