JPH04168420A - 表示素子 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は液晶を担体で固定した表示素子の構成に関する
。
。
［従来の技術］
従来の液晶を担体で固定した表示素子はアメリカ特許４
，７２８，５４７および４，６８８，９００等に開示さ
れており、表示を書き込む際は電界を変調し印加して光
散乱状態と透３８状態を選択していた。
，７２８，５４７および４，６８８，９００等に開示さ
れており、表示を書き込む際は電界を変調し印加して光
散乱状態と透３８状態を選択していた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、従来の液晶を担体で固定した表示素子に於いて
は電界を取り除いた後、表示状態が保持されない、すな
わちメモリー性がない。そのためコントラストの良い大
容量表示が困難である（アクティブ素子との組み合わせ
が必要）などの課ｕがあった。そこで本発明では、用い
る高分子を選択することによってメモリー性を有する表
示素子を提供することを目的とするものである。
は電界を取り除いた後、表示状態が保持されない、すな
わちメモリー性がない。そのためコントラストの良い大
容量表示が困難である（アクティブ素子との組み合わせ
が必要）などの課ｕがあった。そこで本発明では、用い
る高分子を選択することによってメモリー性を有する表
示素子を提供することを目的とするものである。
口課題を解決するための手段］
本発明の表示素子は、
■電極間にネマチック液晶あるいはコレステリック液晶
を担体で固定した表示素子に於て、表示書き込み時には
電界を部分的に印加して液晶の配向状態を変化させ、電
界を取り除いた後もその配向状態が保持され、表示状態
を消去する際は熱を加え透明状態とし、冷却により初期
の相分離状態とすることを特徴とする。
を担体で固定した表示素子に於て、表示書き込み時には
電界を部分的に印加して液晶の配向状態を変化させ、電
界を取り除いた後もその配向状態が保持され、表示状態
を消去する際は熱を加え透明状態とし、冷却により初期
の相分離状態とすることを特徴とする。
■前記担体が熱可塑性高分子であることを特徴とする。
■前記担体が紫外線硬化型高分子であることを特徴とす
る。
る。
■前記熱可塑性高分子がエチルセルロース、セルロース
プロピオネート、ポリビニルアセテート、ポリアミドレ
ジン等の有機高分子からなることを特徴とする。
プロピオネート、ポリビニルアセテート、ポリアミドレ
ジン等の有機高分子からなることを特徴とする。
［作用コ
本発明の上記の構成によれば、液晶担体として液晶と組
み合わせた場合にメモリー性を発現する高分子を用いる
ため、１度表示状態を書き込んだ後、その表示状態が保
持される。そのためちらつきのない安定した表示が得ら
れ、省電力化が図られる。
み合わせた場合にメモリー性を発現する高分子を用いる
ため、１度表示状態を書き込んだ後、その表示状態が保
持される。そのためちらつきのない安定した表示が得ら
れ、省電力化が図られる。
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
実施例１
本実施例では担体高分子として熱可塑性高分子を用いた
例を示した。第１図は本発明の１実施例を示す表示素子
の断面図である。基板１および基板６上に透明電極ＩＴ
Ｏ２および透明電極ＩＴＯ５を形成しこれらの基板間に
液晶３及び有機熱可塑性高分子４の混合物を挟み込んだ
。液晶及び高分子の調合及び素子作製法について述べる
。用いる高分子は、エチルセルロース、セルロースプロ
ピオネート、ポリアミドレジン、ポリビニルアセテート
などを用いることができる。用いた液晶はメルク社製の
ＺＬＩ−３９２６であるがこれに限らない。まずここに
あげた高分子に液晶を６７％混ぜ合わせ、１８０°Ｃ程
度に加熱して均一に相溶させる。相溶した状態で電極付
基板上に展開し、相分離しないように電極付対向基板で
挟み込んだ。あらかじめ上下基板を一定の液晶層厚にな
るように組み合わせて固定したパネルに相溶させた液晶
と高分子の混合物を封入しても良い。液晶の含有量は３
０〜９０％であれば表示は可能である。液晶層の厚さは
１０μｍとしたがこの限りでない。厚くすれば表示素子
としてのコントラストを向上させることはできるが駆動
電圧が高くなる課題があり、薄くすると駆動電圧を低下
させることはできるがコントラストが取れない課題を有
する。本実施例では第２図の上側の図に示したように駆
動電圧±４０ｖ（駆動周波数については素子に電界が十
分印加される程度の周波数、ここではＩＫＨｚ）とした
。この駆動電界を表示を所望する画素に該当する電極に
１秒（選択期間Ｔｓ）印加した。この時の電気光学特性
を第２図の下側の図に示した。表１に示したどの高分子
を用いても同様の表示状態を得ることができた。コント
ラストはプロジェクション用のシュリーレン光学系に組
み込んで１００：１、透過率５０％であった。１力月後
の電気光学特性に於けるメモリー状態の経時変化はほと
んど無かった。
例を示した。第１図は本発明の１実施例を示す表示素子
の断面図である。基板１および基板６上に透明電極ＩＴ
Ｏ２および透明電極ＩＴＯ５を形成しこれらの基板間に
液晶３及び有機熱可塑性高分子４の混合物を挟み込んだ
。液晶及び高分子の調合及び素子作製法について述べる
。用いる高分子は、エチルセルロース、セルロースプロ
ピオネート、ポリアミドレジン、ポリビニルアセテート
などを用いることができる。用いた液晶はメルク社製の
ＺＬＩ−３９２６であるがこれに限らない。まずここに
あげた高分子に液晶を６７％混ぜ合わせ、１８０°Ｃ程
度に加熱して均一に相溶させる。相溶した状態で電極付
基板上に展開し、相分離しないように電極付対向基板で
挟み込んだ。あらかじめ上下基板を一定の液晶層厚にな
るように組み合わせて固定したパネルに相溶させた液晶
と高分子の混合物を封入しても良い。液晶の含有量は３
０〜９０％であれば表示は可能である。液晶層の厚さは
１０μｍとしたがこの限りでない。厚くすれば表示素子
としてのコントラストを向上させることはできるが駆動
電圧が高くなる課題があり、薄くすると駆動電圧を低下
させることはできるがコントラストが取れない課題を有
する。本実施例では第２図の上側の図に示したように駆
動電圧±４０ｖ（駆動周波数については素子に電界が十
分印加される程度の周波数、ここではＩＫＨｚ）とした
。この駆動電界を表示を所望する画素に該当する電極に
１秒（選択期間Ｔｓ）印加した。この時の電気光学特性
を第２図の下側の図に示した。表１に示したどの高分子
を用いても同様の表示状態を得ることができた。コント
ラストはプロジェクション用のシュリーレン光学系に組
み込んで１００：１、透過率５０％であった。１力月後
の電気光学特性に於けるメモリー状態の経時変化はほと
んど無かった。
表示状態を消去したいときには基板６に設けたヒーター
７に電界を印加して表示素子の温度を液晶の相転移温度
以上あるいは液晶と高分子の相溶温度以上に設定して表
示画面を等労相とし、その後冷却して相分離あるいは相
転移を生じさせる。この操作により全画面を均一に消去
することができる。
７に電界を印加して表示素子の温度を液晶の相転移温度
以上あるいは液晶と高分子の相溶温度以上に設定して表
示画面を等労相とし、その後冷却して相分離あるいは相
転移を生じさせる。この操作により全画面を均一に消去
することができる。
素子を加熱する手段はここに示したもの以外でも同様の
効果を発現するものであれば何でも良い。
効果を発現するものであれば何でも良い。
メモリー性を有するため、原理的には無限数の走査線を
単純マトリックス時分割駆動法によって駆動することが
できるが、走査線数が増えると全画面の駆動に時間がか
かる。
単純マトリックス時分割駆動法によって駆動することが
できるが、走査線数が増えると全画面の駆動に時間がか
かる。
ここで用いた液晶は高分子との組み合わせにおいて良好
なメモリー性を示したものであり、少々屈折率が合わな
くてもメモリー性さえ発現されれば他の液晶を用いるこ
とができる。また高分子自身も液晶と組み合わせたとき
メモリー性を有するものであれば用いることができる。
なメモリー性を示したものであり、少々屈折率が合わな
くてもメモリー性さえ発現されれば他の液晶を用いるこ
とができる。また高分子自身も液晶と組み合わせたとき
メモリー性を有するものであれば用いることができる。
特に低重合度のものがメモリー性発現に対して効果的で
ある。
ある。
用いる高分子は１成分である必要はなく、多成分系とし
て液晶と高分子マトリックスの屈折率や誘電率などの合
わせ込みを行っても良い。高分子に対する液晶の割合は
、３０％以下であると十分な光学変化が得られず、９０
％以上であると十分な光散乱及び素子としての強度が得
られない。
て液晶と高分子マトリックスの屈折率や誘電率などの合
わせ込みを行っても良い。高分子に対する液晶の割合は
、３０％以下であると十分な光学変化が得られず、９０
％以上であると十分な光散乱及び素子としての強度が得
られない。
実施例２
本実施例では液晶担体として紫外線硬化型高分子を用い
た例を示す。表１に用いた高分子組成について示した。
た例を示す。表１に用いた高分子組成について示した。
表１
用いた液晶はロデック株式会社製ＰＮＯＯＩである。
平坦な電極パターン付き基板２枚を１０μｍのセル厚に
組んで固定化した。この間隙に相溶させた液晶（６７Ｘ
）／高分子原料混合物を封入し、紫外線を照射し、液晶
と高分子を相分離させた。液晶の含有量は３０〜９０％
であれば表示は可能である。
組んで固定化した。この間隙に相溶させた液晶（６７Ｘ
）／高分子原料混合物を封入し、紫外線を照射し、液晶
と高分子を相分離させた。液晶の含有量は３０〜９０％
であれば表示は可能である。
液晶層の厚さは１０μｍとしたがこの限りでない。
厚くすれば表示素子としてのコントラストを向上させる
ことはできるが駆動電圧が高くなる課題があり、薄くす
ると駆動電圧を低下させることはできるがコントラスト
が取れない課題を有する。本実施例では第２図の上側の
図に示したように駆動電圧±４０ｖ（駆動周波数につい
ては素子に電界が十分印加される程度の周波数、ここで
はＩＫＨ２）とした。この駆動電界を表示を所望する画
素に該当する電極に１秒（選択期間Ｔｓ）印加した。
ことはできるが駆動電圧が高くなる課題があり、薄くす
ると駆動電圧を低下させることはできるがコントラスト
が取れない課題を有する。本実施例では第２図の上側の
図に示したように駆動電圧±４０ｖ（駆動周波数につい
ては素子に電界が十分印加される程度の周波数、ここで
はＩＫＨ２）とした。この駆動電界を表示を所望する画
素に該当する電極に１秒（選択期間Ｔｓ）印加した。
この時の電気光学特性を第２図の下側の図に示した。プ
ロジェクション用のシュリーレン光学系に組み込んでコ
ントラスト１００：１、透過率４０％であった。表１に
示したどの高分子原料を用いても同様の表示状態を得る
ことができた。１力月後の電気光学特性に於けるメモリ
ー状態の経時変化はほとんど無かった。表示状態を消去
したいときには基板６に設けたヒーター７に電界を印加
して表示素子の温度を液晶の相転移温度以上あるいは液
晶と高分子の相溶温度以上に設定して表示画面を等吉相
とし、その後冷却して相分離あるいは相転移を生じさせ
る。この操作により全画面を均一に消去することができ
る。素子を加熱する手段はここに示したもの以外でも同
様の効果を発現するものであれば何でも良い。メモリー
性を有するため、原理的には無限数の走査線を単純マト
リックス時分割駆動法によって駆動することができるが
、走査線数が増えると全画面の駆動に時間がかかる。
ロジェクション用のシュリーレン光学系に組み込んでコ
ントラスト１００：１、透過率４０％であった。表１に
示したどの高分子原料を用いても同様の表示状態を得る
ことができた。１力月後の電気光学特性に於けるメモリ
ー状態の経時変化はほとんど無かった。表示状態を消去
したいときには基板６に設けたヒーター７に電界を印加
して表示素子の温度を液晶の相転移温度以上あるいは液
晶と高分子の相溶温度以上に設定して表示画面を等吉相
とし、その後冷却して相分離あるいは相転移を生じさせ
る。この操作により全画面を均一に消去することができ
る。素子を加熱する手段はここに示したもの以外でも同
様の効果を発現するものであれば何でも良い。メモリー
性を有するため、原理的には無限数の走査線を単純マト
リックス時分割駆動法によって駆動することができるが
、走査線数が増えると全画面の駆動に時間がかかる。
ここで用いた液晶は高分子との組み合わせにおいて良好
なメモリー性を示したものであり、少々屈折率が合わな
くてもメモリー性さえ発現されれば他の液晶を用いるこ
とができる。また高分子自身も、ここで用いた紫外線硬
化型高分子材料は東亜合成化学（株）製であるが、液晶
と組み合わせたときメモリー性を有するものであれば用
いることができる。高分子に対する液晶の割合は、３０
％以下であると十分な光学変化が得られず、９０％以上
であると十分な光散乱及び素子としての強度が得られな
い。
なメモリー性を示したものであり、少々屈折率が合わな
くてもメモリー性さえ発現されれば他の液晶を用いるこ
とができる。また高分子自身も、ここで用いた紫外線硬
化型高分子材料は東亜合成化学（株）製であるが、液晶
と組み合わせたときメモリー性を有するものであれば用
いることができる。高分子に対する液晶の割合は、３０
％以下であると十分な光学変化が得られず、９０％以上
であると十分な光散乱及び素子としての強度が得られな
い。
実施例３
本実施例ではフレキシブルな表示素子を作成する実施例
を示した。用いた高分子及び液晶は実施例１と同様であ
る。これらの高分子及び液晶を用いたフィルムの作成法
を説明する。基板上に高分子／液晶混合物を相溶した状
態のまま展開し、レベリングした後、急冷した。こうし
て得られた基板からフィルムを剥し液晶が分散した高分
子フィルムを得た。次にこのフィルムに透明電極をつけ
る方法について述べる。導電性透明塗料を両面に塗布す
る方法がある。更に導電性透明膜をパターン形成したフ
ィルムを液晶を分散した高分子フィルムの両面から張り
合わせる方法がある。何れの方法によっても電極を形成
することができ、そのときの電気光学特性は実施例１に
同じである。ここでは基板上に形成した液晶を分散した
高分子フィルムを基板から剥したが、基板に電極を形成
しておき、その上に液晶を分散した高分子フィルムを形
成し、その上にパターン電極付きフィルムを張り付けて
も良い。これにより、フレキシブルではないが素子基板
を１枚減らすことができ、素子の軽量化を達成できる。
を示した。用いた高分子及び液晶は実施例１と同様であ
る。これらの高分子及び液晶を用いたフィルムの作成法
を説明する。基板上に高分子／液晶混合物を相溶した状
態のまま展開し、レベリングした後、急冷した。こうし
て得られた基板からフィルムを剥し液晶が分散した高分
子フィルムを得た。次にこのフィルムに透明電極をつけ
る方法について述べる。導電性透明塗料を両面に塗布す
る方法がある。更に導電性透明膜をパターン形成したフ
ィルムを液晶を分散した高分子フィルムの両面から張り
合わせる方法がある。何れの方法によっても電極を形成
することができ、そのときの電気光学特性は実施例１に
同じである。ここでは基板上に形成した液晶を分散した
高分子フィルムを基板から剥したが、基板に電極を形成
しておき、その上に液晶を分散した高分子フィルムを形
成し、その上にパターン電極付きフィルムを張り付けて
も良い。これにより、フレキシブルではないが素子基板
を１枚減らすことができ、素子の軽量化を達成できる。
以上実施例を述べたが、本発明は以上の実施例のみなら
す、広く表示素子、直視型デイスプレィ、プロジェクタ
−、メモリー、調光素子などに応用が可能である。
す、広く表示素子、直視型デイスプレィ、プロジェクタ
−、メモリー、調光素子などに応用が可能である。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、用いる高分子を選択
することによってメモ＋７−性を有する表示素子を作製
することが可能となった。本発明を用いると、大容量ペ
ージデイスプレィ、大容量プロジェクタ−、ライタプル
○ＨＰシートを実現することが可能となる。
することによってメモ＋７−性を有する表示素子を作製
することが可能となった。本発明を用いると、大容量ペ
ージデイスプレィ、大容量プロジェクタ−、ライタプル
○ＨＰシートを実現することが可能となる。
第１図は、本発明の表示素子の断面図を表す図である。
第２図は、本発明に用いた駆動波形図および駆動波形印
加時の本表示素子の応答を示す図である。 １、・・・ガラス基板 ２、・・・ＩＴＯ透明電極 ３、・・・液晶 ４、・・・高分子 ５、・・・ＩＴ○透明電極 ６、・・・ガラス基板 ７、・・・ヒーター 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
加時の本表示素子の応答を示す図である。 １、・・・ガラス基板 ２、・・・ＩＴＯ透明電極 ３、・・・液晶 ４、・・・高分子 ５、・・・ＩＴ○透明電極 ６、・・・ガラス基板 ７、・・・ヒーター 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (3)
- （１）電極間にネマチック液晶あるいはコレステリック
液晶を担体で固定した表示素子に於て、表示書き込み時
には電界を部分的に印加して液晶の配向状態を変化させ
、電界を取り除いた後もその配向状態が保持され、表示
状態を消去する際は熱を加え透明状態とし、冷却により
初期の相分離状態とすることを特徴とする表示素子。 - （２）前記担体が熱可塑性高分子であることを特徴とす
る請求項１記載の表示素子。 - （３）前記担体が紫外線硬化型高分子であることを特徴
とする請求項１記載の表示素子。（４）前記熱可塑性高
分子がエチルセルロース、セルロースプロピオネート、
ポリビニルアセテート、ポリアミドレジン等の有機高分
子からなることを特徴とする請求項１記載の表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29598590A JPH04168420A (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29598590A JPH04168420A (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04168420A true JPH04168420A (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=17827646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29598590A Pending JPH04168420A (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04168420A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0578467A2 (en) * | 1992-07-06 | 1994-01-12 | Chisso Corporation | Polymer dispersed liquid crystal film |
| CN103325415A (zh) * | 2013-06-14 | 2013-09-25 | 广东工业大学 | 基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器及存储方法 |
-
1990
- 1990-11-01 JP JP29598590A patent/JPH04168420A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0578467A2 (en) * | 1992-07-06 | 1994-01-12 | Chisso Corporation | Polymer dispersed liquid crystal film |
| EP0578467A3 (en) * | 1992-07-06 | 1994-08-17 | Chisso Corp | Polymer dispersed liquid crystal film |
| CN103325415A (zh) * | 2013-06-14 | 2013-09-25 | 广东工业大学 | 基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器及存储方法 |
| CN103325415B (zh) * | 2013-06-14 | 2016-08-17 | 广东工业大学 | 基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器及存储方法 |
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