JPH04167470A - 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法及び駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、２次元像情報を時系列電気信号に変換する固
体撮像素子、固体撮像素子の製造方法及び駆動方法に関
する。

（従来の技術） 従来、２次元像情報を時系列電気信号に変換す固体撮像
素子においては、垂直電荷結合素子のチャネルの不純物
濃度と、水平電荷結合素子の少なくとも蓄積領域となる
チャネルの不純物濃度とが同一になっていた。

（発明が解決しようとする課題） 電荷結合素子の単位面積当たりの最大電荷蓄積容量はチ
ャネルの不純物濃度に依存し、高濃度になるほど大きく
なる。一方、添加不純物のイオン化が１００％と見なせ
なくなる温度では転送効率の劣化現象が生しるが、この
劣化現像はチャネルの不＃ｔＡ物濃度が高濃度になるほ
ど、また電荷結合素子の駆動周波数が高くなるほど類著
となる。

二次元固体撮像素子にはダイナミックレンジが大きいこ
とが要求されるから、扱い得る信号量が多いことが望ま
れる。また二次元固体撮像素子における垂直電荷結合素
子には面積的制約があるから、単位面積当たりの最大電
荷蓄積容量が大きいことが要求される６垂直電荷結合素
子においては、上述した転送効率の劣化現象が検知され
るほどその駆動周波数が高くないがら、チャネルの不純
物濃度を高濃度にした方が高性能となる。

一方、水平電荷結合素子は、垂直電荷結合素子のような
面積的制約がないうえ、水平電荷結合素子全段の転送期
間が垂直電荷結合素子１段の転送期間に相当するほどそ
の駆動周波数が高く、転送効率の劣化現象が生じゃすい
から、チャネルの不純物濃度を低濃度にし、チャネル幅
を大きく取った方が有利である。

このように、垂直電荷結合素子と水平電荷結合素子とで
はチャネルの不純物濃度の適正量が興なるにもかかわら
ず、従来の固体撮像素子では垂直電荷結合素子と水平電
荷結合素子のチャネル不純物濃度が同一であるから、チ
ャネル不純物濃度を高くした場合にはダイナミックレン
ジを大きくできるが冷却したときに水平電荷結合素子に
おいて信号転送不良が生じるという問題があり、逆にチ
ャネル不純物濃度を低くした場合には冷却しても水平電
荷結合素子における信号転送不良は生じないがダイナミ
ックレンジを大きくできないという間趙があった。

（課題を解決するための手段） 本発明の第１の固体撮像素子は、垂直電荷結合素子と水
平電荷結合素子の組み合わせにより、二次元情報の光信
号電荷を時系列信号として出力する固体撮像索子であっ
て、前記垂直電荷結合素子のチャネルの不純物濃度が、
前記水平電荷結合素子の少なくとも蓄積領域となるチャ
ネルの不純物濃度より高いことを特徴とする。

本発明の第２の固体撮像素子は、前述の第１の固体撮像
索子であって、前記垂直電荷結合素子には、前記水平電
荷結合素子との結合部に前記水平電荷結合素子との間の
ゲート電極とは別に、独立に電圧を印加することができ
る転送電極が１つ設けてあり、該独立した転送電極下の
チャネルの不純物濃度は前記水平電荷結合素子のチャネ
ルの不純物濃度と同一であることを特徴とする。

本発明の第１の固体撮像索子のｌ！！造方法は、前述の
第２の固体撮像素子の製造方法であって、前記垂直電荷
結合素子及び水平電荷結合素子のチャネルに前記水平電
荷結合素子に適した量の不純物を添加し、前記垂直電荷
結合素子に独立した転送電極を形成した後、前記独立し
た転送電極をイオン注入マスクの一部として前記垂直電
荷結合素子のチャネルに不純物をその総量が前記垂直電
荷結合素子に適した量となるように添加することを特徴
とする。

本発明の第１の固体撮像素子の駆動方法は、前述の第２
の固体撮像素子の駆動方法であって、前記垂直電荷結合
素子の独立した転送電極下のチャネルを障壁領域として
働がせる場合には、前記独立した転送電極下のチャネル
電位深さが前記垂直電荷結合素子の他の転送電極下のチ
ャネルを障壁領域として働かせる場合のチャネル電位深
さより少なくとも浅くならないレベルの電圧を前記独立
した転送電極に印加することを特徴とする。

本発明の第３の固体撮像素子は、前述の第１の固体撮像
素子であって、前記垂直電荷結合素子には、前記水平電
荷結合素子との結合部に前記水平電荷結合素子との間の
ゲート電極とは別に、独立に電圧を印加することができ
る転送電極が２つ設けてあり、該２つの独立した転送電
極のうちの前記水平電荷結合素子側の転送を極上のチャ
ネルの不純物濃度は前記水平電荷結合素子のチャネルの
不純物濃度と同一であることを特徴とする。

本発明の第２の固体撮像素子の製造方法は、前述の第３
の固体撮像素子の製造方法であって、前記垂直電荷結合
素子及び水平電荷結合素子のチャネルに前記水平電荷結
合素子に適した量の不純物を添加し、前記独立した２つ
の転送電極が形成される領域の独立した２つの転送電極
の境となる位置にエツジを有し前記水平電荷結合素子の
チャネルと水平電荷結合素子側の独立した転送電極下の
チャネルを覆うイオン注入マスクを用いて、前記垂直電
荷結合素子のチャネルに不純物をその総量が前記垂直電
荷結合素子に適した量となるように添加し、その後前記
垂直電荷結合素子及び前記水平電荷結合素子に転送！極
をそれぞれ形成することを特徴とする。

本発明の第２の固体撮像素子の駆動方法は、前述の第３
の固体撮像素子の駆動方法であって、前記垂直電荷結合
素子の独立した２つの転送電極下のチャネル電位がどち
らも深い状態から前記水平電荷結合素子から遠い側の前
記独立した転送電極下のチャネル電位のみが浅い状態に
なる際には、少なくとも前記独立した２つの転送電極下
のどちらのチャネル電位にも電位のピークまたはディッ
プが生じないだけの印加電圧差を前記独立した２つの転
送電極間に与え、前記水平電荷結合素子から遠い側の前
記独立した転送電極下のチャネル電位が浅く前記水平電
荷結合素子側の前記独立した転送！極上のチャネル電位
が深い状態から前記水平電荷結合素子側の独立した転送
電極下のチャネル電位が浅くなる際には、少なくとも前
記水平電荷結合素子側の独立した転送電極下のチャネル
電位にディップが生じないだけの印加電圧差を前記独立
した２つの転送電極間に保持することを特徴とする。

（作用） 本発明の第１の固体撮像素子では、垂直電荷結合素子と
水平電荷結合素子のチャネルの不純物濃度が事なり、垂
直電荷結合素子のチャネルの不純物濃度が水平電荷結合
素子のチャネルの不純物濃度より高くなっているから、
垂直電荷結合素子において単位面積当たりの最大電荷蓄
積容量を大きくできると同時に、水平電荷結合素子にお
ける冷却時の転送効率劣化の問題を取り除くことができ
る。

ただし、第８図に示すようにチャネル電位は任意のゲー
ト電圧に対してチャネル不純物濃度が高いほど深くなる
特性を有するから、垂直電荷結合素子のチャネルの不純
物濃度が水平電荷結合素子のチャネルの不純物濃度より
高くなっている場合、垂直電荷結合素子と水平電荷結合
素子との接続部分に電位のバリアが発生し易く、転送不
良を招く危険がある。また、チャネル不純物濃度が変化
する境界線とその上の電極との相対位置に起因して電位
のピークまたはディップが生ずることもある。

従って、本発明はこれら新たに発生する問題の解決を図
った固体撮像素子の構造、製造方法及び駆動方法を提供
するのである。

本発明の第２の固体撮像素子は、垂直電荷結合素子の水
平電荷結合素子との結合部に、水平電荷結合素子との間
のゲート電極とは別に、独立に電圧を印加することがで
きる転送電極が１つ設けてあり、その独立した転送電極
下のチャネルの不純物濃度が水平電荷結合素子のチャネ
ルの不純物濃度と同一になっている。従って、独立した
転送電極には、その下のチャネル電位が垂直電荷結合素
子における他の独立でない転送電極下のチャネル電位と
同程度になるような電圧を加えることもできる。

本発明の第１の固体撮像素子の製造方法は、垂直電荷結
合素子及び水平電荷結合素子のチャネルに水平電荷結合
素子に適した量の不純物を添加し、垂直電荷結合素子に
独立した転送電極を形成した後、その独立した転送電極
をイオン注入マスクの一部として垂直電荷結合素子のチ
ャネルに不純物をその総量が垂直電荷結合素子に適した
量となるように添加する。従って、この製造方法では、
チャネルの不純物！＋１が高い領域と低い領域とを完全
に隣り合わせに形成できると同時に、チャネルの不純物
濃度が変化する境界線を独立した転送電極の端と完全に
一致させることができ、電位のピークやディップの発生
を防ぐことができる。

本発明の第１の固体撮像素子の駆動方法は、垂直電荷結
合素子の独立した転送電極下のチャネル電位が、その独
立した転送電極下のチャネルを障壁領域として働かせる
場合及び蓄積領域として働かせる場合に、それぞれ垂直
電荷結合素子の他の転送電極下のチャネルを障壁領域及
び蓄積領域として働かせる場合のチャネル電位深さより
少なくとも浅くならないレベルの電圧をその独立した転
送電極に印加するから、信号電荷の逆戻し現象が発生す
ることはなく、良好な電荷転送ができる。

本発明の第３の固体撮像素子は、垂直電荷結合素子の水
平電荷結合素子との結合部に、水平電荷結合素子との間
のゲート電極とは別に、独立に電圧を印加することがで
きる２つの転送電極が設けてあり、その２つの独立した
転送電極のうち水平電荷結合素子側の独立した転送電極
下のチャネルの不純物濃度が水平電荷結合素子のチャネ
ルの不純物濃度と同一になっており、本発明の第２の固
体撮像素子と同様に、水平電荷結合素子側に設けである
独立した転送電極には、その下のチャネル電位が垂直電
荷結合素子における他の独立でない転送ｔＳ下のチャネ
ル電位と同程度になるような電圧を加えることができる
。さらに、もう一つの独立した転送電極に転送がスムー
スとなるような補助的動作をさせることができる。

本発明の第２の固体撮像素子の製造方法は、垂直電荷結
合素子及び水平電荷結合素子のチャネルに、水平電荷結
合素子に適した量の不純物を添加し、独立した２つの転
送電極が形成される領域の独立した２つの転送電極の境
となる位置にエツジを有し水平電荷結合素子のチャネル
と水平電荷結合素子側の独立した転送電極下のチャネル
を覆うイオン注入マスクを用いて、垂直電荷結合素子の
チャネルに不純物をその総量が垂直電荷結合素子に適し
た量となるように添加し、その後垂直電荷結合素子及び
水平電荷結合素子の転送電極を形成するから、チャネル
の不純物濃度が高い領域と低い領域とを完全に隣り合わ
せに形成することができ、本発明の第１の固体撮像素子
の製造方法と比較すると、マスク工程を一回少なくする
ことができる利点がある。反面、チャネルの不純物濃度
が変化する境界線を独立した２つの転送電極の隣接位置
と厳密に一致させることができないが、このズレに起因
する電位のピークまたはディップは独立した２つの転送
電極の操作で消滅させることが可能である。

前述の電位のピークまたはディップが問題になるのは、
垂直電荷結合素子の独立した２つの転送電極下のチャネ
ル電位がどちらも深い状態から水平電荷結合素子から遠
い側の独立した転送電極下のみ浅い状態になる際、及び
水平電荷結合素子から遠い側の独立した転送電極下のチ
ャネル電位が浅く水平電荷結合素子側の独立した転送電
極下のチャネル電位が深い状態から水平電荷結合素子側
の独立した転送電極下のチャネル電位が浅い状態になる
際であるが、本発明の第２の固体撮像素子の駆動方法で
は、前者のタイミングにおいては少なくとも独立した２
つの転送電極下のどちらのチャネル電位にも電位のピー
クまたはディップが生じないだけの印加電圧差をその独
立した２つの転送電極に与え、後者のタイミングにおい
ては少なくとも水平電荷結合素子側の独立した転送電極
下のチャネル電位にディップが生じないだけの印加電圧
差をその独立した２つの転送を極間に保持するから、転
送不良を防ぐことができる。

（実施例） 次に本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明す
る。

第１図は本発明の第１の固体撮像素子の一実施例の模式
的構成図である０本実施例は、インターライン転送方式
の電荷結合素子型固体撮像素子である。

半導体チップ上に光電変換素子１が二次元に配置されて
おり、それぞれの列にチャネル不純物濃度が高い垂直電
荷結合素子２が１本ずつ対応して設けられている。これ
ら二次元に配置された光電変換素子１と列に並べられた
垂直電荷結合素子２とからイメージ領域が構成され、そ
の下にチャネル不純物濃度が低い水平電荷結合素子３が
設けられている。水平電荷結合素子３の出力端に引き続
いて出力部４が設けられている。

この第１図の実施例はインターライン転送方式であるが
、本発明はフレーム転送方式の電荷結合素子型固体撮像
素子にも適用できる。

第２図は本発明の第２の固体撮像素子の一実施例の模式
的断面図である。垂直電荷結合素子は４相駆動力式で描
かれている。

Ｐ型Ｓ１基板５の表面に不純物濃度が高いｎ型チャネル
６及び不純物濃度が低いｎ型チャネル７が設けられてい
る。それらのチャネルと対向する形で、５ｉ０２ＷＡ８
を介して垂直電荷結合素子の転送電極９ａ〜９ｋ、ゲー
ト電極１０及び水平電荷結合素子の転送電極１１が設け
られている。独立した転送電極φＶ４’９ｋが、独立し
ていない転送電極φＶｓ９Ｊとゲート電極φＶｉ、１０
との間に設けられている。不純物濃度が高いｎ型チャネ
ル６と不純物濃度が低いｎ型チャネル７との境が、独立
していない転送電極φＶｓ９Ｊと独立した転送電極φＶ
、’９にとの境の位置と一致している。

第３図は本発明の第１の固体撮像素子の製造方法の一実
施例を説明する製造工程図である。この製造方法は、第
２図の実施例をより高精度に製造するためのものである
。

下地形成工程によりｐ型Ｓｔ基板５にｐ＋型チャネル阻
止領域１２や厚いＳ　ｉ　０２膜を介してすンイオン１
３を注入して不純物濃度が低いｎ型チャネル７を形成す
る（第３図（ａ））。垂直電荷結合素子に独立した転送
電極９ｋを、水平電荷結合素子に一層目の転送電極１１
をそれぞれ形成し、その独立した転送電極９にの途中ま
でをフォトレジストマスク１４で覆う、ここで、さらに
リンイオン１５を注入して不純物濃度が高いｎ型チャネ
ル７を形成する（第３図（ｂ））。その後、垂直電荷結
合素子に、垂直電荷結合素子の独立した転送電極９ｋ及
び水平電荷結合素子の一層目の転送電極１１と同じ層と
なる独立していない転送電極９ａ、９ｃ、９ｅ、９ｇ、
９ｉを形成する（第３図（Ｃ））。次に、垂直電荷結合
素子に、二層目の独立していない転送電！！９ｂ、９ｄ
、９ｆ、９ｈ、９ｊ及びゲート電極１０を、水平電荷結
合素子に二層目の転送電極（第３図には記述されていな
い）をそれぞれ形成することにより垂直・水平電荷結合
素子の電極が全て形成される（第３図（ｄ））。

第４図は本発明の第１の固体撮像素子の駆動方法の一実
施例を説明する電位井戸図である。本図には対応する模
式的段面構造図を合わせて示しである。

電荷の蓄積は常に２つの転送電極を１単位として行う。

電荷の転送は、電荷を蓄積している２つの転送電極のう
ちの水平電荷結合素子側（右側）のバリアとして動作し
ている転送電極下のチャネル電位を深くすると同時に、
水平電荷結合素子から違い側（左側）の電荷を蓄積して
いる転送電極下のチャネル電位を浅くすることにより順
次に行う。独立した転送電［ｉＱｋ下のチャネル電位は
、チャネル不純物濃度が低いから、他の転送電極と同じ
電圧を印加したのでは第８図に示すＢの特性のようにチ
ャネル電位が浅く、蓄積容量が低かったり、または転送
の際に電荷が逆流する危険がある。そこで本実施例では
、独立した転送電極９ｋが第４図（ｅ）のように蓄積領
域として動作するときには、独立した転送電極９に下の
チャネル電位が独立していない転送電極９ｊ下のものよ
り深くなる電圧を独立した転送電極９ｋに印加し、第４
（ｇ）〜（ｉ）のようにチャネル電位を浅くしていって
電荷を転送する際には、独立した転送電極９にの印加電
圧の変化は独立していない転送電極９ｊ下のチャネル電
位と同レベルとなる電圧までにとどめる。

第８図を用いて例を示すと、例えば独立していない転送
電極をａ−ｂｒＷｌで駆動するならば、独立した転送電
極はｃ−ｄ間で駆動する。

第５図は本発明の第３の固体撮像素子の一実施例の模式
的断面図である。垂直電荷結合素子は４相駆動力式で描
かれている。

ｐ型Ｓｉ基板１７の表面に不純物濃度が高いｎ型チャネ
ル１８及び不純物濃度が低いｎ型チャネル１９が設けら
れている。それらのチャネルと対向する形で、Ｓ　ｉ　
Ｏ２Ｍ２０を介して垂直電荷結合素子の転送を極２１ａ
　〜２１ｋ、ゲート電［！２２及び水平電荷結合素子の
転送電極２３が設けられている。独立した転送ｔｆ！φ
Ｖｉ’２１ｊ及びφＶ４°２１ｋが、独立していない転
送で電極φＶ、２１ｆとゲートを極φＶ、２２との間に
設けられている。不純物濃度が高いｎ型チャネル１８と
不純物濃度が低いｎ型チャネル１９との境が、独立な転
送電極φＶ）’２１ＪとφＶ４’２１にとの境の位置と
一致している。

第６図は本発明の第２の固体撮像素子の製造方法の一実
施例を説明する製造工程図である。この製造方法は、第
５図の実施例を効率良く製造するためのものである。下
地形成工程によりＰ型Ｓｉ基板１７にＰ′″型チャネル
阻止領域２４や厚いＳ　ｉ　Ｏ２膜などを形成した後、
薄いＳｉｎ、膜を介してリンイオン２５を注入して不純
物濃度が低いｎ型チャネル１９を形成する（第６図（ａ
））。

垂直電荷結合素子に形成する独立した転送電極のうちの
φｖ、°電極２１に下に当たるチャネルまでをフォトレ
ジストマスク２６で覆い、再びリンイオン２７を注入し
て不純物濃度が高いｎ型チャネル１８を形成する（第６
図（ｂ））、その後、垂直電荷結合素子に一層目の転送
電極２１ａ、２１ｃ、２１ｅ、２１ｇ、２１１．２１ｋ
を水平電荷結合素子に一層目の転送電極２３をそれぞれ
形成しく第６図（Ｃ））、それから垂直電荷結合素子に
二層目の転送電極２１ｂ、２１ｄ、２１ｆ。

２１ｈ、２１ｊとゲート電極２２とを、水平電荷結合素
子に二層目の転送電極（第６図には記述されていない）
をそれぞれ形成することにより垂直・水平電荷結合素子
の電極が全て形成される（第６図（ｄ））。

第７図は本発明の第２の固体撮像素子の駆動方法の一実
施例を説明する電位井戸図である。本図には対応する模
式的段面構造図を合わせて示しである。

電荷の蓄積及び転送については第４図の実施例と同様に
行う。電荷の蓄積は常に２つの転送電極を１単位として
行い、電荷転送は電荷を蓄積している２つの転送電極の
うちの水平電荷結合素子側（右ｒｓ＞のバリアとして動
作している転送電極下のチャネル電位を深くすると同時
に、水平電荷結合素子から遠い側（左側）の電荷を蓄積
している転送電極下のチャネル電位を浅くすることによ
り順次に行う。独立した転送電極φ□Ｖｉ’２１ｊ及び
φＶ＜’２１にの隣接位置とチャネルの不純物濃度が変
化する境界線とが厳密に一致していないことに起因する
電位のピークまたはディップは、転送不良の原因となる
から、第７図（ｇ）〜（ｉ）に示すように独立した転送
電極φＶ＜’２１に下のチャネル電位を浅くしていって
蓄積されている電荷を転送する際にも電位のピークまた
はディップが消失するだけの電位差がφＶ４’２１ｊと
φＶ４’２１にの下のチャネルに残るように、独立した
転送電極φｖ、’２１ｊ及びφＶ４’２１ｋを駆動する
。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、垂直電荷結合素
子において単位面積当たりの最大電荷蓄積容量を大きく
できると同時に、水平電荷結合素子における冷却時の転
送効率劣化の問題を取り除くことができ、さらには垂直
電荷結合素子のチャネル不純物濃度を水平電荷結合素子
のチャネル不純物濃度より高くしたことに起因する垂直
電荷結合素子と水平電荷結合素子との接続部分における
電位のバリアや、チャネル不純物濃度が変化する境界線
とその上の電極との相対位置に起因する電位のピークま
たはディップを抑制できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の固体撮像素子の一実施例の模式
的構成図、第２図は本発明の第２の固体撮像素子の一実
施例の模式的断面図、第３図は本発明の第１の固体撮像
素子の製造方法の一実施例を説明する製造工程図、第４
図は本発明の第１の固体撮像素子の駆動方法の一実施例
を説明する電位井戸図、第５図は本発明の第３の固体撮
像素子の一実施例の模式的断面図、第６図は本発明の第
２の固体撮像素子の製造方法の一実施例を説明する製造
工程図、第７図は本発明の第２の固体撮像素子の駆動方
法の一実施例を説明する電位井戸図、第８図は埋め込み
チャネル型電荷結合素子のチャネル電位特性図である。 １・・・光電変換素子、２・・・チャネル不純物濃度が
高い垂直電荷結合素子、３・・・チャネル不純物濃度が
低い水平電荷結合素子、４・・・出力部、５，１７・・
・Ｐ型Ｓｉ基板、６，１８・・・不純物濃度が高いｎ型
チャネル、７，１９・・・不純物濃度が低いｎ型チャネ
ル、８，２０・＝Ｓ　ｉ　０２１！Ｒ５９ａ、９ｂ、９
ｃ、９ｄ、９ｅ、９ｆ、９ｇ、９ｈ、９ｉ、９Ｊ＋２１
ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｃｉ、２１ｅ、２１ｆ、２１
ｇ、２１ｈ、２１ｉ・・・垂直電荷結合素子の独立して
いない転送電極、９に、２１ｋ・・・垂直電荷結合素子
の独立した転送電極φＶ４　’　、　１０゜２２・・・
ゲート電極、１１．２３・・・水平電荷結合素子の転送
電極、１２．２４・・・ｐ＋型チャネル阻止領域、１３
．１５，２５．２７・・・リンイオン、１４．２６・・
・フォトレジストマスク、１６．２８・・・信号電荷、
２１ｊ・・・垂直電荷結合素子の独立した転送電極φＶ
３′。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）垂直電荷結合素子と水平電荷結合素子の組み合わ
   せにより、二次元情報の光信号電荷を時系列信号として
   出力する固体撮像素子において、前記垂直電荷結合素子
   のチャネルの不純物濃度が、前記水平電荷結合素子の少
   なくとも蓄積領域となるチャネルの不純物濃度より高い
   ことを特徴とする固体撮像素子。
2. （２）前記垂直電荷結合素子には、前記水平電荷結合素
   子との結合部に前記水平電荷結合素子との間のゲート電
   極とは別に、独立に電圧を印加することができる転送電
   極が１つ設けてあり、該独立した転送電極下のチャネル
   の不純物濃度は前記水平電荷結合素子のチャネルの不純
   物濃度と同一であることを特徴とする請求項１に記載の
   固体撮像素子。
3. （３）請求項２に記載の固体撮像素子を製造する方法で
   あって、前記垂直電荷結合素子及び水平電荷結合素子の
   チャネルに前記水平電荷結合素子に適した量の不純物を
   添加し、前記垂直電荷結合素子に独立した転送電極を形
   成した後、前記独立した転送電極をイオン注入マスクの
   一部として前記垂直電荷結合素子のチャネルに不純物を
   その総量が前記垂直電荷結合素子に適した量となるよう
   に添加することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
4. （４）請求項２に記載の固体撮像素子を駆動する方法で
   あって、前記垂直電荷結合素子の独立した転送電極下の
   チャネルを障壁領域として働かせる場合には、前記独立
   した転送電極下のチャネル電位深さが前記垂直電荷結合
   素子の他の転送電極下のチャネルを障壁領域として働か
   せる場合のチャネル電位深さより少なくとも浅くならな
   いレベルの電圧を前記独立した転送電極に印加すること
   を特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
5. （５）前記垂直電荷結合素子には、前記水平電荷結合素
   子との結合部に前記水平電荷結合素子との間のゲート電
   極とは別に、独立に電圧を印加することができる転送電
   極が２つ設けてあり、該２つの独立した転送電極のうち
   の前記水平電荷結合素子側の転送電極下のチャネルの不
   純物濃度は前記水平電荷結合素子のチャネルの不純物濃
   度と同一であることを特徴とする請求項１に記載の固体
   撮像素子。
6. （６）請求項５に記載の固体撮像素子を製造する方法で
   あつて、前記垂直電荷結合素子及び水平電荷結合素子の
   チャネルに前記水平電荷結合素子に適した量の不純物を
   添加し、前記独立した２つの転送電極が形成される領域
   の独立した２つの転送電極の境となる位置にエッジを有
   し前記水平電荷結合素子のチャネルと水平電荷結合素子
   側の独立した転送電極下のチャネルを覆うイオン注入マ
   スクを用いて、前記垂直電荷結合素子のチャネルに不純
   物をその総量が前記垂直電荷結合素子に適した量となる
   ように添加し、その後前記垂直電荷結合素子及び前記水
   平電荷結合素子に転送電極をそれぞれ形成することを特
   徴とする固体撮像素子の製造方法。
7. （７）請求項５に記載の固体撮像素子を駆動する方法で
   あつて、前記垂直電荷結合素子の独立した２つの転送電
   極下のチャネル電位がどちらも深い状態から前記水平電
   荷結合素子から遠い側の前記独立した転送電極下のチャ
   ネル電位のみが浅い状態になる際には、少なくとも前記
   独立した２つの転送電極下のどちらのチャネル電位にも
   電位のピークまたはディップが生じないだけの印加電圧
   差を前記独立した２つの転送電極間に与え、前記水平電
   荷結合素子から遠い側の前記独立した転送電極下のチャ
   ネル電位が浅く前記水平電荷結合素子側の前記独立した
   転送電極下のチャネル電位が深い状態から前記水平電荷
   結合素子側の独立した転送電極下のチャネル電位が浅く
   なる際には、少なくとも前記水平電荷結合素子側の独立
   した転送電極下のチャネル電位にディップが生じないだ
   けの印加電圧差を前記独立した２つの転送電極間に保持
   することを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。