JPH0416432Y2 - - Google Patents

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JPH0416432Y2
JPH0416432Y2 JP7118286U JP7118286U JPH0416432Y2 JP H0416432 Y2 JPH0416432 Y2 JP H0416432Y2 JP 7118286 U JP7118286 U JP 7118286U JP 7118286 U JP7118286 U JP 7118286U JP H0416432 Y2 JPH0416432 Y2 JP H0416432Y2
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semiconductor
tank
sulfuric acid
chip
locking device
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この考案はプラスチツクで封止された半導体の
チツプを露出させて不良解析時の検査あるいは品
質チエツクに使用できるようにする半導体のオー
プナー装置において、作動時に半導体をカバーす
る上蓋ロツク装置に関するものである。
[Detailed description of the invention] [Field of industrial application] This invention is a semiconductor opener device that exposes a semiconductor chip sealed with plastic and can be used for inspection during failure analysis or quality check. This invention relates to a top cover locking device that covers a semiconductor during operation.

[従来の技術] プラスチツクで封止された半導体のチエツクを
行なうオープナー装置は、エツチプレートに載置
セツトされた半導体のパツケージに溶解液を噴射
して開封しチツプを露出させる構造となつてい
る。
[Prior Art] An opener device for checking a semiconductor sealed in plastic has a structure in which a dissolving solution is sprayed onto a semiconductor package placed on an etch plate to open the package and expose the chip.

[考案が解決しようとする問題点] 前記した如く半導体のパツケージは溶解液によ
つて開封され、溶解液には加熱した熱硫酸が使用
される。
[Problems to be Solved by the Invention] As described above, a semiconductor package is opened using a dissolving liquid, and heated hot sulfuric acid is used as the dissolving liquid.

このため、溶解時にあつては、安全を確保する
ために半導体は上蓋によつてカバーされると共に
上蓋はロツク装置によつて作動中は開かないよう
に拘束制御されている。
For this reason, during melting, the semiconductor is covered by a top cover to ensure safety, and the top cover is restrained and controlled by a locking device so as not to open during operation.

ところで、半導体のパツケージはエポキシ樹脂
等の材質のため開封時に熱硫酸によつて焼付けを
起して外観が黒く汚れる。この汚れは酸と反応し
て時間経過と共に強くなるもので場合によつては
解析に支障をきたす恐れがあつた。
By the way, semiconductor packages are made of epoxy resin or the like, so when they are opened, they are burned by hot sulfuric acid, resulting in a black and dirty appearance. This stain reacts with acid and becomes stronger over time, and in some cases there was a risk that it would interfere with analysis.

また、酸によつて腐蝕が進行するため開封後、
チツプが露出すると同時にすばやく洗浄すること
が望まれる。ところが、前記上蓋は、仕事を終え
た熱硫酸の排液工程終了後にロツク解除される制
御となるため半導体の取出しに時間がかかる問題
があつた。
In addition, since corrosion progresses due to acid, after opening,
It is desirable to quickly clean the chips as soon as they are exposed. However, since the upper lid is controlled to be unlocked after the hot sulfuric acid draining process is completed, there is a problem in that it takes a long time to take out the semiconductors.

そこで、この考案は半導体の開封後チツプが露
出すると上蓋のロツク解除が行なわれ、半導体取
出しの迅速化が図れるようにしたオープナー装置
の上蓋ロツク装置を提供することを目的としてい
る。
Therefore, the object of this invention is to provide a top lid locking device for an opener device, which unlocks the top lid when the chip is exposed after opening the semiconductor package, thereby speeding up the removal of the semiconductor.

[問題点を解決するための手段] 前記目的を達成するためにこの考案にあつて
は、上蓋によつてカバーされると共にエツチプレ
ートに載置セツトされた半導体のパツケージに溶
解液を噴射してチツプを露出させる半導体開口部
と、半導体のチツプ露出時を検出する検出手段と
を備えたオープナー装置において、前記半導体開
口部の上蓋をロツク装置によつてロツクすると共
にロツク装置は前記検出手段からのチツプ露出信
号でロツク解除となる。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above-mentioned object, in this invention, a dissolving solution is injected onto a semiconductor package covered by an upper lid and placed on an etch plate. In an opener device comprising a semiconductor opening for exposing a chip and a detection means for detecting when the semiconductor chip is exposed, the top cover of the semiconductor opening is locked by a locking device, and the locking device is configured to lock the top cover of the semiconductor opening by a locking device. The lock is released by the chip exposure signal.

[作用] かかる装置において、ロツク状態にあるロツク
装置は、半導体のパツケージが開封し、チツプが
露出すると検出手段は、チツプ露出信号を出力
し、該信号によつてロツク解除されるようにな
る。このため、半導体の取出し時間が早くなり、
迅速な洗浄が可能となる。この結果、解析に支障
をきたすことがなくなる。
[Operation] In this device, when the semiconductor package is opened and the chip is exposed, the lock device in the locked state outputs a chip exposure signal, and the lock is released by the signal. For this reason, the time to take out the semiconductor is faster,
Quick cleaning becomes possible. As a result, the analysis will not be hindered.

[実施例] 以下、第1図乃至第3図の図面を参照しながら
この考案の一実施例を詳細に説明する。
[Embodiment] Hereinafter, an embodiment of this invention will be described in detail with reference to the drawings of FIGS. 1 to 3.

図面は装置全体の概要図を示しており、該装置
は、貯蔵タンク部1と、予熱ヒータ部3と、半導
体開口部5と、排液冷却部7と、排液貯留タンク
部9とを備えており、これらは機体10内に収納
配置されている。
The drawing shows a schematic diagram of the entire device, which includes a storage tank section 1, a preheater section 3, a semiconductor opening section 5, a waste liquid cooling section 7, and a waste liquid storage tank section 9. These are housed within the fuselage 10.

貯蔵タンク部1のタンク7本体11は耐酸性の
合成樹脂材で形成され、上部に常時閉状態の第1
電磁弁13が設けられている。また、タンク本体
11は常時閉状態の第2電磁弁15を介して予熱
ヒータ部3のヒータタンク17と連通し、ヒータ
タンク17は前記タンク本体11より低い位置に
配置されている。これにより、タンク本体11内
の硫酸が落差でヒータタンク17内に送り込まれ
るようになつている。
The tank 7 main body 11 of the storage tank section 1 is made of acid-resistant synthetic resin material, and has a normally closed first tank at the top.
A solenoid valve 13 is provided. Further, the tank body 11 communicates with a heater tank 17 of the preheating heater section 3 via a second solenoid valve 15 which is normally closed, and the heater tank 17 is arranged at a lower position than the tank body 11. Thereby, the sulfuric acid in the tank body 11 is sent into the heater tank 17 by a drop.

ヒータタンク17は後述するエアーポンプ25
からの空気圧が作用することで該タンク17内の
硫酸が強制的に送り出される。ヒータータンク1
7には温度センサ19によつてタンク17内の硫
酸が約250℃に管理制御されるニクロム線等の熱
源部21が設けられている。
The heater tank 17 is connected to an air pump 25 which will be described later.
The sulfuric acid in the tank 17 is forced out by the air pressure from the tank 17. heater tank 1
7 is provided with a heat source section 21 such as a nichrome wire, which controls the sulfuric acid in the tank 17 to about 250.degree. C. by means of a temperature sensor 19.

第1、第2電磁弁13,15はヒータタンク1
7内に設けられ硫酸の有無を検知する液面センサ
23によつて開閉自在に制御され、ヒータタンク
17内の硫酸が空になつたことを前記液面センサ
23が検知すると開となる。これにより、タンク
本体11は大気に開放される一方、タンク本体内
の硫酸が落差でヒータタンク17内に流れ込むよ
うになる。
The first and second solenoid valves 13 and 15 are the heater tank 1
It is controlled to open and close freely by a liquid level sensor 23 provided in the heater tank 17 that detects the presence or absence of sulfuric acid, and opens when the liquid level sensor 23 detects that the sulfuric acid in the heater tank 17 is empty. As a result, the tank body 11 is opened to the atmosphere, while the sulfuric acid inside the tank body flows into the heater tank 17 by a drop.

エアーポンプ25は所望の駆動手段によつて駆
動され、該ポンプ25の吐出側に常時は閉の第3
電磁弁27と、該電磁弁27と直列に第4電磁弁
29が設けられている。第4電磁弁29は第3電
磁弁27と連通のポートPの外に、ノーマルクロ
ーズのポートP1とノーマルオープンのポートP2
を有する3方弁となつていてポートP1はヒータ
タンク17に、ポートP2は半導体開口部5とそ
れぞれ連通している。
The air pump 25 is driven by a desired driving means, and a normally closed third air pump is provided on the discharge side of the pump 25.
A solenoid valve 27 and a fourth solenoid valve 29 are provided in series with the solenoid valve 27 . The fourth solenoid valve 29 has a normally closed port P1 and a normally open port P2 in addition to the port P communicating with the third solenoid valve 27.
The port P1 is in communication with the heater tank 17, and the port P2 is in communication with the semiconductor opening 5.

第3電磁弁27は、図外のスタートスイツチと
前記液面センサ23からの信号によつて開になる
と同時に第4電磁弁29のポートP1はポートP
と連通し、常時開の第5電磁弁31は閉に制御さ
れる。第5電磁弁31は蒸気を逃がすものでヒー
タタンク17に設けられている。
The third solenoid valve 27 is opened by a signal from a start switch (not shown) and the liquid level sensor 23, and at the same time port P1 of the fourth solenoid valve 29 is opened by a signal from the liquid level sensor 23.
The normally open fifth solenoid valve 31 is controlled to be closed. The fifth electromagnetic valve 31 is provided in the heater tank 17 to release steam.

なお、前記温度センサ19は硫酸が約250℃以
下の場合はスタートスイツチを作動してもスター
トの指令信号が出力するのを抑える機能を備えて
いる。
The temperature sensor 19 has a function of suppressing the output of a start command signal even if the start switch is operated when the temperature of the sulfuric acid is about 250° C. or lower.

一方、半導体開口部5は、DIPタイプの半導体
Wをセツトするエツチプレート33と、該エツチ
プレート33の下位に配置された溶解槽35と、
前記半導体Wのパツケージに硫酸を噴射するポン
プ37とから成り、溶解槽35は前記ヒータタン
ク17と連通している。
On the other hand, the semiconductor opening 5 includes an etch plate 33 for setting a DIP type semiconductor W, and a dissolution tank 35 disposed below the etch plate 33.
The dissolving tank 35 is in communication with the heater tank 17.

溶解槽35内の硫酸は溶解槽35内に空気圧が
作用することで排液冷却部7側へ強制的に送り出
されるようになる。溶解槽35には液面センサ3
9と、温度センサ41と電極センサ43がそれぞ
れ設けられている。液面センサ39は溶解槽35
内の硫酸の有無を検知する。
The sulfuric acid in the dissolution tank 35 is forcibly sent to the drain cooling unit 7 side by the air pressure acting inside the dissolution tank 35. A liquid level sensor 3 is installed in the dissolution tank 35.
9, a temperature sensor 41, and an electrode sensor 43, respectively. The liquid level sensor 39 is connected to the dissolving tank 35
Detects the presence or absence of sulfuric acid in the liquid.

温度センサ41は溶解槽35内の硫酸の温度を
約290℃前後にニクロム線等の熱源部45を管理
制御する機能を有し、約290℃に達したことを検
知するとポンプ37をオンに駆動する。また、電
極センサ43は、半導体Wのパツケージが開封し
て内部のチツプが露出した時に硫酸を介して流れ
る電流を検知する検出手段となつており、検知後
に作動するタイマーにより一定時間経過後ポンプ
37の駆動を停止させる一方、後述するロツク装
置47をロツク解除する機能を有する。なお、電
極センサ43と半導体Wのチツプ端子は該半導体
Wを保持するホルダー49と電気的に接続し硫酸
を介して電気回路が形成されるようになつてい
る。
The temperature sensor 41 has a function of controlling the heat source section 45 such as a nichrome wire to maintain the temperature of the sulfuric acid in the dissolution tank 35 at around 290°C, and turns on the pump 37 when it detects that the temperature has reached about 290°C. do. Further, the electrode sensor 43 serves as a detection means for detecting the current flowing through the sulfuric acid when the package of the semiconductor W is opened and the internal chip is exposed. It has a function of stopping the driving of the motor and unlocking a locking device 47, which will be described later. Note that the electrode sensor 43 and the chip terminal of the semiconductor W are electrically connected to a holder 49 that holds the semiconductor W, so that an electric circuit is formed via sulfuric acid.

溶解槽35には、蒸気の凝縮時に該凝縮液を溶
解槽35へ還元するトラツプ51が設けられてお
り、該トラツプ51は蒸気を排液貯留タンク部9
へ逃がす常時開の第6電磁弁53へ続いている。
The dissolving tank 35 is provided with a trap 51 that returns the condensed liquid to the dissolving tank 35 when the vapor is condensed.
It continues to a normally open sixth solenoid valve 53 that allows the air to escape.

一方、機体10には半導体Wをカバーする上蓋
55が設けられている。
On the other hand, the body 10 is provided with an upper lid 55 that covers the semiconductor W.

上蓋55にはヒンジ57を支点として回転可能
となつており、内側には上蓋55の閉時において
前記ホルダー49を保持する押えばね59が設け
られている。上蓋55は、ロツク装置47によつ
てロツクされている。
The upper lid 55 is rotatable about a hinge 57, and is provided inside with a press spring 59 that holds the holder 49 when the upper lid 55 is closed. The top lid 55 is locked by a locking device 47.

ロツク装置47の作動アーム61は機体10に
回転自在に枢支61aされている。作動アーム6
1の上端に連結されたロツクピン63は、上蓋5
5に設けられた係合孔65に係脱自在に挿入され
ている。また、作動アーム61の下端はソレノイ
ド67によつて伸縮する作動ロツド69に連結さ
れ、ソレノイド67のオフで前記ロツクピン63
は該ピン63に設けられたばね68の作用で後退
し係合孔65より外れたロツク解除状態となる。
An operating arm 61 of the locking device 47 is rotatably supported on the body 10 by a pivot 61a. Actuation arm 6
A lock pin 63 connected to the upper end of the upper lid 5
It is detachably inserted into an engagement hole 65 provided in 5. The lower end of the actuating arm 61 is connected to an actuating rod 69 that expands and contracts by a solenoid 67, and when the solenoid 67 is turned off, the lock pin 63 is closed.
is retracted by the action of a spring 68 provided on the pin 63, and is released from the engagement hole 65, resulting in an unlocked state.

また、ソレノイド67のオンでロツクピン63
は前進し係合孔65と係合し合うロツク状態とな
る。ソレノイド67は前記電極センサ43からの
チツプ露出信号によつてオフに制御されると共に
図外のスタートスイツチによつてオン制御され
る。
Also, when the solenoid 67 is turned on, the lock pin 63
moves forward and engages with the engagement hole 65, resulting in a locked state. The solenoid 67 is turned off by a chip exposure signal from the electrode sensor 43 and turned on by a start switch (not shown).

排液冷却部7は前記溶解槽35と連通する冷却
トラツプ69と該トラツプ69に冷却風を送風す
る冷却フアン71とからなり、冷却フアン71に
よつてトラツプ69内の排液は約100℃前後まで
冷却されるようになる。
The drained liquid cooling section 7 consists of a cooling trap 69 that communicates with the dissolving tank 35 and a cooling fan 71 that blows cooling air to the trap 69. The cooling fan 71 cools the drained liquid in the trap 69 to about 100°C. It will be cooled down to.

排液貯留タンク部9は前記冷却トラツプ69と
連通しフツ素樹脂(テフロン)の合成樹脂材で形
成され、タンク本体73に設けられた一対の液面
センサ75が液面に触れることで排液を介して電
流が流れ、満杯になつたことがわかるようになつ
ている。これにより、スタートスイツチをオンと
しても機能停止状態のままとなる。
The drained liquid storage tank section 9 communicates with the cooling trap 69 and is made of a synthetic resin material such as fluororesin (Teflon), and drains when a pair of liquid level sensors 75 provided on the tank body 73 touch the liquid surface. A current flows through it, allowing you to know when it's full. As a result, even if the start switch is turned on, the function remains in a stopped state.

なお、満杯になつたタンク本体73は蛇腹75
に対し離脱自在で、新しいタンク本体と交換可能
となつている。
In addition, when the tank body 73 is full, the bellows 75
It can be detached and replaced with a new tank body.

このように構成されたオープナー装置におい
て、エツチプレート33に半導体Wをセツトした
後、上蓋55を閉じてスタートスイツチをオンに
する。これにより、タンク本体11内の硫酸は第
1、第2電磁弁13,15の開でヒータタンク1
7内に送り込まれる。ヒータタンク17の内の硫
酸は熱源部21によつて約250℃前後に加温され
る。硫酸が約250℃に達すると、第3電磁弁27
は開、第4電磁弁29のポートP1はポートPと
連通し空気圧がヒータタンク17に作用する。こ
れによりヒータタンク17内の熱硫酸が溶解槽3
5内に送り込まれる。
In the opener device configured as described above, after the semiconductor W is set on the etching plate 33, the upper lid 55 is closed and the start switch is turned on. As a result, the sulfuric acid in the tank body 11 is released from the heater tank 1 by opening the first and second solenoid valves 13 and 15.
Sent into 7. The sulfuric acid in the heater tank 17 is heated to about 250° C. by the heat source 21. When the sulfuric acid reaches approximately 250℃, the third solenoid valve 27
is open, port P 1 of the fourth solenoid valve 29 communicates with port P, and air pressure acts on the heater tank 17 . As a result, the hot sulfuric acid in the heater tank 17 is transferred to the melting tank 3.
Sent into 5.

溶解槽35内の熱硫酸は熱源部45によつて約
290℃に高められる。そして約290℃に達したこと
を温度センサ41が検知するとポンプ37がオン
となり熱硫酸を半導体Wのパツケージに噴射す
る。以下、パツケージが溶解してチツプが露出す
るまで噴射が続けられる。チツプが露出すると硫
酸を介して流れる電流を電極センサ43が検知し
該センサ45が働く。これにより検知後一定時間
経過後にポンプ37は停止すると共にソレノイド
67にチツプ露出信号が流れてソレノイド67は
オフとなる。これにより、ロツク装置47はロツ
ク解除状態となるから上蓋55を開放し、半導体
Wの取外しが行なえるようになると共に迅速な洗
浄が可能となる。
The hot sulfuric acid in the dissolution tank 35 is heated by the heat source 45 to approximately
Raised to 290℃. When the temperature sensor 41 detects that the temperature has reached approximately 290°C, the pump 37 is turned on and hot sulfuric acid is injected into the semiconductor W package. Thereafter, the injection continues until the package melts and the chip is exposed. When the chip is exposed, the electrode sensor 43 detects the current flowing through the sulfuric acid, and the sensor 45 is activated. As a result, the pump 37 is stopped after a certain period of time has elapsed after the detection, and a chip exposure signal is passed to the solenoid 67, so that the solenoid 67 is turned off. As a result, the locking device 47 becomes unlocked, so that the upper lid 55 can be opened and the semiconductor W can be removed and quickly cleaned.

次に、新たに半導体Wをエツチプレート33に
載置セツト後、上蓋55を閉めるとロツクピン6
3は係合孔65と係合し合うロツク状態となる。
次に図外のスタートスイツチのオンにする。これ
により、溶解槽35内にエアポンプ25からの空
気圧が作用して、仕事を終えた排液は冷却トラツ
プ69に送り出される。同時に予熱ヒーター部3
から新たな硫酸が送り込まれ、その後、ポンプ3
7の作動により前記した半導体の開封動作が繰返
えされるようになる。
Next, after placing and setting a new semiconductor W on the etching plate 33, the top cover 55 is closed and the lock pin 6 is closed.
3 is in a locked state in which it engages with the engagement hole 65.
Next, turn on the start switch (not shown). As a result, air pressure from the air pump 25 acts within the dissolution tank 35, and the drained liquid that has finished its work is sent to the cooling trap 69. At the same time, preheating heater section 3
fresh sulfuric acid is pumped in, then pump 3
By the operation 7, the above-described semiconductor unsealing operation is repeated.

[考案の効果] 以上、説明したようにこの考案のオープナー装
置の上蓋ロツク装置によれば、半導体が開封しチ
ツプが露出すると、検出手段からのチツプ露出信
号によつてロツク装置のロツク解除ができるた
め、開封後速やかに半導体を取り出した後、迅速
な洗浄が行なえるようになる。したがつて、焼付
き等の汚れは最少に抑えられ正しい解析結果が得
られるようになる。
[Effect of the invention] As explained above, according to the top cover locking device of the opener device of this invention, when the semiconductor is opened and the chip is exposed, the locking device can be unlocked by the chip exposure signal from the detection means. Therefore, after opening the package, the semiconductor can be quickly taken out and then quickly cleaned. Therefore, contamination such as burn-in is minimized and accurate analysis results can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この考案のオープナー装置の一部切
断側面図、第2図は同上の平面図、第3図は全体
の連繋状態を示した概要説明図である。 主要な図面符号の説明、5……半導体開口部、
33……エツチプレート、43……検出手段(電
極センサ)、47……ロツク装置。
FIG. 1 is a partially cutaway side view of the opener device of this invention, FIG. 2 is a plan view of the same, and FIG. 3 is a schematic explanatory diagram showing the overall connected state. Explanation of main drawing symbols, 5...Semiconductor opening,
33...etch plate, 43...detection means (electrode sensor), 47...lock device.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 上蓋によつてカバーされると共にエツチプレー
トに載置セツトされた半導体のパツケージに溶解
液を噴射してチツプを露出させる半導体開口部
と、半導体のチツプ露出時を検出する検出手段と
を備えたオープナー装置において、前記半導体開
口部の上蓋をロツク装置によつてロツクすると共
にロツク装置は前記検出手段からのチツプ露出信
号でロツク解除となることを特徴とするオープナ
ー装置の上蓋ロツク装置。
An opener equipped with a semiconductor opening that is covered by an upper lid and that injects a solution into a semiconductor package set on an etch plate to expose the chip, and a detection means that detects when the semiconductor chip is exposed. A top lid locking device for an opener device, wherein the top lid of the semiconductor opening is locked by a locking device, and the locking device is unlocked by a chip exposure signal from the detection means.
JP7118286U 1986-05-14 1986-05-14 Expired JPH0416432Y2 (en)

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