JPH0128674Y2 - - Google Patents

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JPH0128674Y2
JPH0128674Y2 JP771686U JP771686U JPH0128674Y2 JP H0128674 Y2 JPH0128674 Y2 JP H0128674Y2 JP 771686 U JP771686 U JP 771686U JP 771686 U JP771686 U JP 771686U JP H0128674 Y2 JPH0128674 Y2 JP H0128674Y2
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sulfuric acid
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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この考案は、プラスチツクで封止された半導体
のチツプを露出させて不良解析時の検査あるいは
品質チエツクに使用できるようにする半導体のオ
ープナ装置に関するものである。
[Detailed description of the invention] [Industrial application field] This invention relates to a semiconductor opener device that exposes a semiconductor chip sealed in plastic so that it can be used for inspection during failure analysis or quality check. It is something.

[従来技術] 従来、半導体のパツケージを溶解する溶解液に
は一般に硫酸が使用され、該硫酸は効率よく溶解
するために約290℃まで高めて使用する。
[Prior Art] Conventionally, sulfuric acid is generally used as a solution for dissolving semiconductor packages, and the sulfuric acid is heated to about 290° C. in order to dissolve efficiently.

このため、半導体開口工程部には加温時に発生
する蒸気を大気中へ逃がす電磁式の制御弁が設け
られた構造となつている。
For this reason, the semiconductor opening process section is provided with an electromagnetic control valve that releases steam generated during heating into the atmosphere.

[考案が解決しようとする問題点] かかる装置において、半導体開口工程部の熱硫
酸は、一回仕事を終えると排出し、新しい硫酸と
交換する。この時、新しい硫酸を約290℃まで高
めるようになるが、この時、常温から約290℃ま
で高めるには時間がかかり能率の面で望ましくな
かつた。
[Problems to be solved by the invention] In such an apparatus, the hot sulfuric acid in the semiconductor opening process section is discharged once the work is completed and replaced with fresh sulfuric acid. At this time, the new sulfuric acid was heated to about 290°C, but raising the temperature from room temperature to about 290°C took a long time and was not desirable from an efficiency standpoint.

そこで、この考案は待機状態にある硫酸を約
250℃まで高めた温度に管理できるようにし、か
つ、待機時に発生する蒸気を簡単な手段で処理が
行えるようにした半導体のオープナ装置を提供す
ることを目的としている。
Therefore, this idea was developed to remove the sulfuric acid from the standby state by approximately
The object of the present invention is to provide a semiconductor opener device that can control the temperature up to 250 degrees Celsius and can easily process the steam generated during standby.

[問題点を解決するための手段] 前記目的を達成するために、この考案にあつて
は、溶解用の液体を所定量確保しておく貯蔵タン
ク部と、該タンク部と連通すると共に蒸気を大気
中へ逃がす制御弁を有し溶解用の液体を半導体の
パツケージに噴きつける半導体開口工程部と、該
半導体開口工程部で仕事を終えた排液を排出する
排出手段と、該手段によつて排出された排液を一
時貯留する排液貯留タンク部とを備えたオープナ
装置において、前記半導体開口工程部と連通し溶
解用の液体を所定の温度まで高める予熱ヒータ部
を設け、予熱ヒータ部のヒータタンクに該ヒータ
タンク内の蒸気を前記半導体開口工程部側へ逃が
すバイパス通路を設けてある。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above-mentioned object, this invention includes a storage tank portion for securing a predetermined amount of liquid for dissolution, and a storage tank portion communicating with the tank portion and supplying steam. a semiconductor opening process section that has a control valve that releases it into the atmosphere and sprays a dissolving liquid onto a semiconductor package; a discharge means that discharges the liquid that has finished its work in the semiconductor opening process section; In an opener device equipped with a drain liquid storage tank section for temporarily storing discharged drain liquid, a preheating heater section is provided which communicates with the semiconductor opening process section and raises the melting liquid to a predetermined temperature. A bypass passage is provided in the heater tank to allow vapor in the heater tank to escape to the semiconductor opening process section side.

[作用] かかる半導体開口工程部において、蒸気は制御
弁より排出される。一方熱硫酸は半導体のパツケ
ージに噴射され、以下、チツプが露出するまで噴
射が続けられる。この時、待機状態にある硫酸は
予熱ヒータ部によつて所定の温度まで高められ
る。加温時に発生する予熱ヒータ部の蒸気はバイ
パス通路を介して半導体開口工程部側へ流れ、該
工程部より発生する蒸気と一緒に大気中へ逃げる
ようになる。
[Operation] In the semiconductor opening process section, steam is discharged from the control valve. Meanwhile, hot sulfuric acid is injected onto the semiconductor package, and the injection is continued until the chip is exposed. At this time, the sulfuric acid in the standby state is heated to a predetermined temperature by the preheater section. The steam generated in the preheater section during heating flows through the bypass passage toward the semiconductor opening process section, and escapes into the atmosphere together with the steam generated from the process section.

[実施例] 以下、添付図面に基づきこの考案の一実施例を
詳細に説明する。
[Example] Hereinafter, an example of this invention will be described in detail based on the accompanying drawings.

図面は装置全体の概要図を示しており、該装置
は、貯蔵タンク部1と、予熱ヒータ部3と、半導
体開口工程部5と、排液冷却部7と、排液貯蔵タ
ンク部9とを備えており、これらは本体ケース
(図示していない)内に収納配置されている。
The drawing shows a schematic diagram of the entire device, which includes a storage tank section 1, a preheater section 3, a semiconductor opening process section 5, a waste liquid cooling section 7, and a waste liquid storage tank section 9. These are housed in a main body case (not shown).

貯蔵タンク部1のタンク7の本体11は耐酸性
の合成樹脂材で形成され、上部に常時閉状態の第
1電磁弁13が設けられている。また、タンク本
体11は常時閉状態の第2電磁弁15を介して予
熱ヒータ部3のヒータタンク17と連通し、ヒー
タタンク17は前記タンク本体11より低い位置
に配置されている。これにより、タンク本体11
内の硫酸が落差でヒータタンク17内に送り込ま
れるようになつている。
The main body 11 of the tank 7 of the storage tank section 1 is made of an acid-resistant synthetic resin material, and a first electromagnetic valve 13 that is normally closed is provided at the top. Further, the tank body 11 communicates with a heater tank 17 of the preheating heater section 3 via a second solenoid valve 15 which is normally closed, and the heater tank 17 is arranged at a lower position than the tank body 11. As a result, the tank body 11
The sulfuric acid inside is fed into the heater tank 17 by a drop.

ヒータタンク11は送液パイプ18を介して半
導体開口工程部5と連通している。送液パイプ1
8にはヒータタンク17より延長されたバイパス
通路19が接続し、ヒータタンク17内の蒸気が
バイパス通路19を介して送液パイプ18に逃げ
るようになつている。
The heater tank 11 communicates with the semiconductor opening process section 5 via a liquid feeding pipe 18. Liquid sending pipe 1
A bypass passage 19 extending from the heater tank 17 is connected to the heater tank 8 , so that the steam in the heater tank 17 escapes to the liquid sending pipe 18 via the bypass passage 19 .

また、ヒータタンク17には、温度センサS1
よつてヒータタンク17内の硫酸が約250℃に管
理されるニクロム線等の熱源部21が設けられてい
る。
Further, the heater tank 17 is provided with a heat source section 21 such as a nichrome wire, in which the temperature of sulfuric acid in the heater tank 17 is controlled at approximately 250° C. by a temperature sensor S1 .

第1、第2電磁弁13,15はヒータタンク1
7内に設けられた硫酸の有無を検知する液面セン
サ23によつて開閉自在に制御され、ヒータタン
ク17内の硫酸が空になつたことを前記液面にセ
ンサ23が検知すると開となる。これにより、タ
ンク本体11は大気中に開放される一方、タンク
本体11内の硫酸が落差でヒータタンク17内に
流れ込むようになる。
The first and second solenoid valves 13 and 15 are the heater tank 1
It is controlled to open and close freely by a liquid level sensor 23 provided in heater tank 17 that detects the presence or absence of sulfuric acid, and opens when sensor 23 detects on the liquid level that the sulfuric acid in heater tank 17 is empty. . As a result, the tank body 11 is opened to the atmosphere, while the sulfuric acid in the tank body 11 flows into the heater tank 17 by a drop.

エアーポンプ25は所望の駆動手段によつて駆
動され、該ポンプ25の吐出側に常時は閉の第3
電磁弁27と、該電磁弁27と直列に第4電磁弁
29が設けられている。第4電磁弁29はポート
P,P1,P2を有する3方弁となつていてポート
P1はヒータタンク17に、ポートP2は半導体開
口工程部5にそれぞれ連通し、前記第3電磁弁2
7と連通のポートPは、ノーマルオープンとなる
ポートP2と連通している。
The air pump 25 is driven by a desired driving means, and a normally closed third air pump is provided on the discharge side of the pump 25.
A solenoid valve 27 and a fourth solenoid valve 29 are provided in series with the solenoid valve 27 . The fourth solenoid valve 29 is a three-way valve having ports P, P1 , and P2 .
P1 communicates with the heater tank 17, port P2 communicates with the semiconductor opening process section 5, and the third solenoid valve 2
Port P communicating with port P 7 communicates with port P 2 which is normally open.

第3電磁弁27は、図外のスタートスイツチと
前記液面センサ23からの信号によつて開になる
と同時に第4電磁弁29のポートP1はポートP
と連通している。
The third solenoid valve 27 is opened by a signal from a start switch (not shown) and the liquid level sensor 23, and at the same time port P1 of the fourth solenoid valve 29 is opened by a signal from the liquid level sensor 23.
It communicates with

また、第3電磁弁27は後述する電極センサ4
3からの指令信号によつて開に制御される。な
お、前記温度センサS1は硫酸が約250℃以下の場
合はスタートスイツチを作動してもスタートの指
令信号が出力するのを抑える機能を備えている。
Further, the third solenoid valve 27 is connected to an electrode sensor 4 which will be described later.
It is controlled to open by a command signal from 3. The temperature sensor S1 has a function of suppressing the output of a start command signal even if the start switch is operated when the temperature of the sulfuric acid is about 250°C or lower.

一方、前記ヒータタンク17と送液パイプ18
を介して連通の半導体開口工程部5は、DIPタイ
プの半導体31をセツトする作業台33と、該作
業台33の下位に配置された溶解槽35と、前記
半導体31のパツケージ31aに硫酸を噴射する
ポンプ37とから成り、溶解槽35は作業台33
を介して前記ヒータタンク17と連通し、作業台
33は、本体ケース(図示していない)より露出
している。
On the other hand, the heater tank 17 and the liquid sending pipe 18
The semiconductor opening process section 5 communicates with a workbench 33 on which a DIP type semiconductor 31 is set, a dissolution tank 35 disposed below the workbench 33, and a package 31a of the semiconductor 31 in which sulfuric acid is injected. The dissolving tank 35 is connected to a workbench 33.
The workbench 33 is exposed from the main body case (not shown).

溶解槽35内の硫酸は溶解槽35内に空気圧が
作用することで排液冷却部7側へ強制的に送り出
されるようになる。溶解槽35には液面センサ3
9と、温度セン41と前記電極センサ43がそれ
ぞれ設けられている。液面センサ39は溶解槽3
5内の硫酸の有無を検知する。
The sulfuric acid in the dissolution tank 35 is forcibly sent to the drain cooling unit 7 side by the air pressure acting inside the dissolution tank 35. A liquid level sensor 3 is installed in the dissolution tank 35.
9, a temperature sensor 41, and the electrode sensor 43 are provided, respectively. The liquid level sensor 39 is connected to the dissolving tank 3
Detects the presence or absence of sulfuric acid in 5.

温度センサ41は溶解槽35内の硫酸の温度を
約290℃前後にニクロム線等の熱源部45を管理
制御する機能を有し、約290℃に達したことを検
知するとポンプ37をオンに駆動する。また、電
極センサ43は、パツケージ31aが開口して内
部のチツプが露出した時に硫酸を介して流れる電
流を検知する。そして、検知後に作動するタイマ
ーにより一定時間経過後ポンプ37の駆動を停止
する一方、第3電磁弁27を開とし、かつ、後述
する第5電磁弁47を閉とする。なお、電極セン
サ43と半導体31のチツプ端子は該半導体31
を保持するホルダー(図示していない)と電気的
に接続し硫酸を介して電気回路が形成されるよう
になつている。
The temperature sensor 41 has the function of controlling the heat source section 45 such as nichrome wire to maintain the temperature of the sulfuric acid in the dissolution tank 35 at around 290°C, and turns on the pump 37 when it detects that the temperature has reached about 290°C. do. Further, the electrode sensor 43 detects the current flowing through the sulfuric acid when the package 31a is opened and the internal chip is exposed. Then, a timer activated after the detection stops driving the pump 37 after a certain period of time has elapsed, while opening the third solenoid valve 27 and closing the fifth solenoid valve 47, which will be described later. Note that the electrode sensor 43 and the chip terminal of the semiconductor 31 are
It is designed to be electrically connected to a holder (not shown) that holds it, and an electric circuit is formed via sulfuric acid.

溶解槽35には、蒸気の凝縮時に該凝縮液を溶
解槽35へ還元するトラツプ49が設けられてお
り、該トラツプ49は蒸気を大気中へ逃がす常時
開の第5電磁弁47へ続いている。
The melting tank 35 is provided with a trap 49 that returns the condensate to the melting tank 35 when the steam condenses, and the trap 49 leads to a normally open fifth solenoid valve 47 that releases the steam to the atmosphere. .

排液冷却部7は前記溶解槽35と連通する冷却
トラツプ51と該トラツプ51に冷却風を送風す
る冷却フアン53とから成り、冷却フアン53に
よつてトラツプ51内の排液は約100℃前後まで
冷却れさるようになる。
The drained liquid cooling section 7 consists of a cooling trap 51 that communicates with the dissolving tank 35 and a cooling fan 53 that blows cooling air to the trap 51. The cooling fan 53 cools the drained liquid in the trap 51 to about 100°C. until it cools down.

排液貯留タンク部9は前記冷却トラツプ51と
連通し内面がフツ素樹脂(テフロン)で内面処理
された合成樹脂材で形成され、タンク部55に設
けられた一対の液面センサ56が液面に触れるこ
とで排液を介して電流が流れ、満杯になつたこと
がわかるようになつている。これにより、スター
トスイツチをオンとしても機能停止状態のままと
なる。
The drain liquid storage tank section 9 communicates with the cooling trap 51 and is made of a synthetic resin material whose inner surface is treated with fluororesin (Teflon). When you touch it, an electric current flows through the drain, letting you know when it's full. As a result, even if the start switch is turned on, the function remains in a stopped state.

なお、満杯になつたタンク部55は蛇腹57に
対し離脱自在で、新しいタンク部と交換可能とな
つている。
In addition, the full tank part 55 can be detached from the bellows 57 and can be replaced with a new tank part.

このように構成されたオープナ装置において、
作業台33に半導体31をセツトしスタートスイ
ツチをオンにする。これにより、タンク本体11
内の硫酸は第1、第2電磁弁13,15の開でヒ
ータタンク17内に送り込まれる。ヒータタンク
17内の硫酸は熱源部21によつて約250℃前後
に加温される。この時、発生する蒸気はバイパス
通路19より送液パイプ18に逃げるようにな
る。一方硫酸が約250℃に達すると、第3電磁弁
27は開、第4電磁弁29のポートP1はポート
Pと連通し空気圧がヒータタンク17に作用す
る。これによりヒータタンク17内の熱硫酸が溶
解槽35内に送り込まれる。
In the opener device configured in this way,
The semiconductor 31 is set on the workbench 33 and the start switch is turned on. As a result, the tank body 11
The sulfuric acid inside is sent into the heater tank 17 when the first and second solenoid valves 13 and 15 are opened. The sulfuric acid in the heater tank 17 is heated to about 250° C. by the heat source section 21. At this time, the generated steam escapes from the bypass passage 19 to the liquid sending pipe 18. On the other hand, when the sulfuric acid reaches about 250° C., the third solenoid valve 27 opens, and the port P 1 of the fourth solenoid valve 29 communicates with the port P, so that air pressure acts on the heater tank 17 . As a result, the hot sulfuric acid in the heater tank 17 is sent into the dissolution tank 35.

溶解槽35内の熱硫酸は熱源部45によつて約
290℃に高められる。この時発生する蒸気は前記
バイパス通路19から送られる蒸気と一緒に電磁
弁47を介して大気中に逃げるようになる。そし
て約290℃に達したことを温度センサ41が検知
するとポンプ37がオンとなり熱硫酸をパツケー
ジ31aに噴射する。以下、パツケージ31aが
溶解してチツプが露出するまで噴射が続けられ
る。チツプが露出すると硫酸を介して流れる電流
を電極センサ43が検知し、検知後一定時間経過
後にポンプ37を停止すると共に第3電磁弁27
を開とする。これにより、溶解槽35内に空気圧
が作用し冷却トラツプ51に送り出され、ここで
約100℃まで冷却された後、タンク部55へ排出
されるようになる。
The hot sulfuric acid in the dissolution tank 35 is heated by the heat source 45 to approximately
Raised to 290℃. The steam generated at this time escapes into the atmosphere through the electromagnetic valve 47 together with the steam sent from the bypass passage 19. When the temperature sensor 41 detects that the temperature has reached approximately 290°C, the pump 37 is turned on and hot sulfuric acid is injected into the package 31a. Thereafter, the injection is continued until the package 31a is dissolved and the chip is exposed. When the chip is exposed, the electrode sensor 43 detects the current flowing through the sulfuric acid, and after a certain period of time after detection, the pump 37 is stopped and the third solenoid valve 27
Let's open. As a result, air pressure acts on the inside of the melting tank 35, and the melt is sent to the cooling trap 51, where it is cooled to about 100° C. and then discharged to the tank section 55.

以下、半導体31をセツトしなおし、スタート
スイツチをオンとすることでパツケージ31aの
開口工程に入りパツケージ31aの開口が行なわ
れる。この時ヒータタンク17内の硫酸は約250
℃まで加温されているため溶解槽35内において
目的の温度約290℃まで迅速に高められ、作業が
能率よく行なえるようになる。
Thereafter, the semiconductor 31 is reset and the start switch is turned on to enter the step of opening the package 31a. At this time, the sulfuric acid in the heater tank 17 is approximately 250
℃, the target temperature can be quickly raised to about 290℃ in the dissolution tank 35, and the work can be carried out efficiently.

[考案の効果] 以上、説明したように、この考案のオープナ装
置によれば、予熱ヒータ部によつて待機状態にあ
る溶解用の液体を予め所定の温度まで高めること
ができるため、使用時において目的の温度まで高
める加温時間が大巾に短縮され、作業能率が向上
する。また、ヒータ部で発生した蒸気はバイパス
通路を設ける簡単な工夫によつて大気中に逃がす
ことができるようになり、構造の簡略化が図れ
る。
[Effects of the invention] As explained above, according to the opener device of this invention, the melting liquid in the standby state can be raised to a predetermined temperature in advance by the preheating heater section, so that The heating time to reach the target temperature is greatly shortened, improving work efficiency. Further, the steam generated in the heater section can be released into the atmosphere by simply providing a bypass passage, and the structure can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

添付図面はこの考案を実施した全体のオープナ
装置の概要説明図である。 主要な図面符号の説明、1……貯蔵タンク、3
……予熱ヒータ部、5……半導体開口工程部、9
……排液貯蔵タンク部、17……ヒータタンク、
19……バイパス通路、25……ポンプ(排出手
段)、31……半導体、47……第5電磁弁(制
御弁)。
The attached drawing is a schematic explanatory diagram of the entire opener device implementing this invention. Explanation of main drawing symbols, 1...Storage tank, 3
... Preheating heater section, 5 ... Semiconductor opening process section, 9
... Drainage storage tank section, 17 ... Heater tank,
19... Bypass passage, 25... Pump (discharge means), 31... Semiconductor, 47... Fifth solenoid valve (control valve).

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 溶解用の液体を所定量確保しておく貯蔵タンク
部と、該タンク部と連通すると共に蒸気を大気中
へ逃がす制御弁を有し溶解用の液体を半導体のパ
ツケージに噴きつける半導体開口工程部と、該半
導体開口工程部で仕事を終えた排液を排出する排
出手段と、該手段によつて排出された排液を一時
貯留する排液貯留タンク部とを備えたオープナ装
置において、前記半導体開口工程部と連通し溶解
用の液体を所定の温度まで高める予熱ヒータ部を
設け、予熱ヒータ部のヒータタンクに該ヒータタ
ンク内の蒸気を前記半導体開口工程部側へ逃がす
バイパス通路を設けたことを特徴とする半導体の
オープナ装置。
a storage tank section for securing a predetermined amount of a dissolving liquid; a semiconductor opening process section that communicates with the tank section and has a control valve for releasing vapor into the atmosphere and sprays the dissolving liquid onto a semiconductor package; , an opener device comprising: a discharge means for discharging the waste liquid that has finished work in the semiconductor opening process section; and a waste liquid storage tank section for temporarily storing the waste liquid discharged by the means; A preheating heater section that communicates with the process section and raises the melting liquid to a predetermined temperature is provided, and a bypass passage is provided in the heater tank of the preheating heater section to allow vapor in the heater tank to escape to the semiconductor opening process section side. Characteristic semiconductor opener device.
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JPS62120345U (en) 1987-07-30

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