JPH04164188A - 半導体製造装置排気用ターボ分子ポンプ

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(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、凝縮および凝固しやすいガスを使用する半導
体製造装置の排気系に用いるターボ分子ポンプにおいて
、それらのガスの付着低減を行なうのに好適な半導体製
造装置排気用ターボ分子ポンプに関するものである。

〔従来の技術〕

従来の半導体製造装置は、例えば、特開平１−３０６５
８０号公報に記載のように、排気装置に接続する圧力制
御バルブおよび真空系配管を加熱　　　　　′する手段
を設け、それらを加熱することによって、装置のメイン
テナンス性およびエプチング性の向上を図ったものであ
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

半導体製造装置には、種々のプロセスガスが用いられて
いる。中には、ターボ分子ポンプの常用圧力と常温によ
っては、凝縮および凝固するガスもある。従来技術にお
いては、これらプロセスガスの付着低減について、ター
ボ分子ポンプ単体として配慮がなされていなかった。

本発明の目的は、これらプロセスガスの付着低減を図り
、メインテナンス性を高めることのできる半導体製造装
置排気用ターボ分子ポンプを提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、ターボ分子ポンプ本体の温
度を、排気するガスの蒸気圧線図を考慮し、凝縮、凝固
させないよう約４０℃以上に制御する手段を設けたもの
である。

〔作　　用〕

ターボ分子ポンプの温度を上昇させることにより、排気
させるガスがターボ分子ポンプ本体内で凝縮および凝固
することな畷排出される。

そのため、ターボ分子ポンプ本体内に反応生成物が堆積
せず、ターボ分子ポンプのメインテナンス頻度を長４す
ることが可能となる。

〔実　施　例〕以下、本発明の一実施例を第１図および第２図により説
明する。

第１図にターボ分子ポンプの構造図を示す。ｌはターボ
分子ポンプ本体、２はヒータ、３は油、４は冷却水、５
は温調器、６は流量調節バルブ、７はベース、８は温度
センサである。

Ｍの工ヴチング装置の場合、反応生成物のＡＩ！０１３
が温度の低い部分に堆積し種々のメインテナンスビリテ
ィ−の向上のさまたげになる。

第２図に、ＡｌＣｌ３の蒸気圧線図を示す。

−数的にターボ分子ポンプ内のＡｌＣｌ３の分圧Ｐｌは
１．３　ＰＢであり、周囲温度４０℃以上では、蒸気圧
線図より、気体の状態のまま排出されることがわかる。

すなわち、ターボ分子ポンプで排気されるガス（ＡｒＯ
／ａ　）が接する部分を４０℃以上に温度制御すれば、
ｈｌ　Ｏ２ｓがターボ分子ポンプ内に付着することな畷
排気される。

ターボ分子ポンプ内で、反応生成物の最も付着しやすい
場所は、圧力が高くまた冷却水通路に近いターボ分子ポ
ンプのベース７でありこの箇所の温度を約４０℃以上に
制御することが重要となる。

そこで、ターボ分子ポンプのベース７の温度を温調器５
にとりこみ、ターボ分子ポンプ本体１の下部に取り付け
ているヒータ２および温度センサ８にてフィ、−ドパツ
ク制御させることにより、反応生成物の付着を低減でき
る。

また、油循環式のターボ分子ポンプの場合では、油タン
ク内の油３の冷却を通常冷却水４にて実施するが、ベー
ス７の温度を温調器５にとりこみ流量調節バルブ６にて
制御することによっても、反応生成物の付着を低減でき
る。

〔発明の効果〕

本発明によれば、ターボ分子ポンプ本体内に反応生成物
が堆積せず、ターボ分子ポンプのメンテナンス頻度を長
吸できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の半導体製造Ｉｋ置排気用タ
ーボ分子ポンプの構造図、第２図はＡｌＣｌ２の蒸気圧
線図である。