JPH04163936A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ウェハをキャリアから処理室に移して処理を行ない、処
理済のウェハをまた元のキャリアに戻してウェハの管理
を行なうシステムの半導体製造装置に関し、 キャリア内において、処理前のウエノ１と処理済のウェ
ハとを簡単に、しかも確実に識別することを目的とし、 処理済のウェハの向きを、処理前のウェハの向きに対し
て異ならせるウェハ向き可変手段を設けた構成とする。

この場合、ウェハ向き可変手段は、バッチ処理形の半導
体製造装置においては、ウェハキャリア内に収納されて
いる処理済のウェハの向き、又は処理済のウェハが収納
されているウェハキャリアそのものの向きを変える手段
であり、一方、枚葉処理形の半導体製造装置においては
、処理済のウェハの向きを変えてから元のウェハキャリ
アに収納する手段である。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、ウェハをキャリアから処理室に移して処理を
行ない、処理済のウェハをまた元のキャリアに戻してウ
ェハの管理を行なうシステムの半導体製造装置に関する
。

近年の半導体装置製造工場において自動化が進むなかで
、処理済のウェハをまた元のキャリアに戻してキャリア
の管理を行なうシステムの半導体装置が増加している。

例えばバッチ処理形の装置では、ウェハキャリアストッ
カ内には処理前のウェハのキャリアと処理済のウェハの
キャリアとが混在することになり、キャリア管理のため
に処理前のウェハのキャリアと処理済のウェハのキャリ
アとを識別する必要かあり、又、例えば枚葉処理形の装
置では、一つのウェハキャリア内には処理前のウェハと
処理済のウェハとか混在することになり、キャリア管理
のために処理前のウェハと処理済のウェハとを識別する
必要がある。

〔従来の技術〕

従来においては、バッチ処理形の装置及び枚葉処理形の
装置ともに、処理前のウェハと処理済のウェハとを識別
するのに、キャリアからウェハを引出してその外観を検
査するこさとによって行なっていた。

例えば、バッチ処理形の装置ではウェハキャリアストッ
カに複数のウェハキャリアを複数バッチ分待機させてお
き、その中の所定のバッチの複数のウェハキャリアを処
理室に移してウェハをキャリアから外して例えば酸化膜
形成処理を行ない、処理済みのウェハをまた元のキャリ
アに戻して元のウェハキャリアストッカに移す。この場
合、ウェハのキャリアを処理前と処理後とで同じにする
ことでキャリア管理を行ない易くする。このような装置
において、ウェハキャリアストッカには処理前のウェハ
のキャリアと処理済のウェハのキャリアとか混在するこ
とにより、通常は、コンピュータ等で両者のキャリアの
バッチは識別されているので問題ないが、例えば停電等
によって一時的にウェハキャリアストッカ内のキャリア
の状ｔＩｌ（処理前のウェハのキャリア及び処理済のウ
ェハのキャリアの区別）がコンピュータ等で識別できな
くなる。そこで、前述のように、キャリアからウェハを
引出してその外観を検査し、処理前のウェハと処理済の
ウェハとを識別する。

一方、枚葉処理形の装置では複数のウェハをウェハキャ
リアに収納しておき、その中の所定のウェハをウェハキ
ャリアから外して処理室に移して例えばレジストパター
ニング処理を行ない、処理済のウェハをまた元のキャリ
アに戻す。この場合も前述のバッチ処理形の装置と同様
に、ウェハのキャリアを処理前と処理後とで同じにする
ことでキャリア管理を行ない易くする。このような装置
において、複数のウェハを収納されたーっのキャリアか
ら所定のウェハを選んで処理を行なう場合、ウェハ処理
済の段階で所定のウェハが確実に処理されたか否かを監
視することが必要であり、前述のように、キャリアから
ウェハを引出してその外観を検査し、処理前のウェハと
処理済のウェハとを識別する。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来例は、バッチ処理形及び枚葉処理形いずれのものも
識別を必要とするたびにキャリアからウェハを引出して
検査しなければならないため、操作が非常に面倒であり
、しかも検査に長時間を要し、又、外観検査では識別で
きないような場合もあるため、確実性に欠ける、等の問
題点かあった。

本発明は、キャリア間において処理前のウェハと処理済
のウェハとを簡単に、しかも確実に識別できる半導体製
造装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明の原理図を示す。同図中、３０は処理済
のウェハであり、３１は処理済のウェハ３０の向きを、
処理前のウェハの向きに対して異ならせる（３０’）ウ
ェハ向き可変手段３１である。本発明ではこのウェハ向
き可変手段３１を、バッチ処理形の半導体製造装置にお
いては、ウェハキャリア内に収納されている処理済のウ
エノ１の向き、又は処理済のウェハが収納されているウ
ェハキャリアそのものの向きを変える構成とし、−方、
枚葉処理形の半導体製造装置においては、処理済のウェ
ハの向きを変えてから元のウェハキャリアに収納する構
成とする。

〔作用〕

本発明では、ウェハ向き可変手段３０により、酸化膜形
成やレジストパターニング等の処理を終了したウェハ３
０の向きを、処理前のウェハの向きと例えば１８０°異
ならせる。従って、処理前のウェハと処理済のウェハと
が混在してもその向きの違いから両者を容易に、しかも
確実に識別できる。

〔実施例〕

第２図は本発明の第１実施例の構成図を示す。

同図において、ウェハキャリアストッカｌには例えばウ
ェハキャリア２ａ〜２ｄ、３ａ〜３ｄが待機されており
、１つのウェハキャリアには例えば２５枚のウェハが収
納されている。ここで、処理を必要とする例えばウェハ
キャリア２ａ〜２ｄか移換え室４に移され、移換え器５
にてウェハキャリア２ａ〜２ｄの中のウェハ６か個々に
ウェハボート７に移換えられ、更に、ウェハは処理室（
拡散炉）８に移されて表面に例えば酸化膜を形成される
。処理が終了すると、ウェハ６は再び引き出される。ウ
ェハ６は、更に移換え器５によってウェハボート７から
元のウェハキャリア２ａ〜２ｄに移換えられ、ここで回
転機構（ローラ）９によてその向き変えられる。

回転機構９は例えば第３図（Ａ）に示す如く、ウェハキ
ャリア２ａ〜２ｄの下方に例えばウェハキャリア２ａ〜
２ｄ共通に設けられており、処理済のウェハ６がウェハ
キャリア２ａ〜２ｄ間に収納されると下方から上昇して
ウェハ６の下部に当接し、その回転によってウェハ６を
所定角度（例えば１８０°）回転させて第３図（Ｂ）に
示すような形状にする。即ち、ウェハ６はそのオリエン
テーションフラット６ａが通常第３図（Ａ）に示すよう
にウェハキャリア２ａ〜２ｄにおいて下向きとされてい
るが、処理済のウェハ６は回転機構９の回転によってそ
のオリエンテーションフラット　６ａを上向きにされる
。

ウェハキャリア２ａ〜２ｄ間においてその向きを変えら
れたウェハ６は、ウェハキャリア２ａ〜２ｄごと再びウ
ェハキャリアストッカ１に移される。次に、処理を必要
とするウェハキャリア３ａ〜３ｄが移換え室４に移され
、前述のウェハキャリア２ａ〜２ｄのものと同様の処理
を施され、以下のような動作が他のウェハキャリアのウ
ェハに対しても繰返される。

このように、処理済のウェハは移換え室４において回転
機構９によってその向きを変えられるため、ウェハキャ
リアストッカ１に戻されて処理前のウェハと一緒にされ
てもオリエンテーションフラットの向きの違いから処理
前のウェハと容易に識別でき、しかも、外観検査の場合
に比して確実に識別できる。従って、例えば停電等を生
じた場合にはコンピュータではウェハキャリアストッカ
ｌ内に混在している処理前のウェハ及び処理済のウェハ
を識別できないが、本発明によればこのような時でも容
易に、かつ、確実に識別できる。

なお、ウェハ６の向きを変える手段としては上記実施例
に示すものの他、第４図に示すものでもよい。第４図中
、１０は回転機構（回転ステージ）で、ウェハキャリア
２ａ〜２ｄを夫々載置し、ウェハキャリア２ａ〜２ｄそ
のものを所定角度（例えば９０°）回転させる。処理済
のウェハ６がウェハキャリア２ａ〜２ｄ間に収納される
と回転機構１０の回転によってウェハキャリア２ａ〜２
ｄが回転され、しかる後、ウエハキャリアストッカ１に
移される。この場合も、前述の実施例と同様に、処理済
のウェハ６はウェハキャリアストッカｌに待機されてい
る処理前のウェハとその向きを変えられているので、処
理前のウェハと容易に、しかも確実に識別できる。

第５図は本発明の第２実施例の構成図を示す。

同図において、キャリアステーション１５には例えばウ
ェハキャリア１６．１７か待機されており、１つのウェ
ハキャリアには例えば８枚のウェハか収納されている。

ここで、例えばウェハキャリア１６内のウェハ１８のう
ち例えばウェハ１８ｓ〜１８、のみ処理を必要とする場
合、ウェハ１８５〜１８７がウェハ分岐機構１９にてレ
ジストコータ室２０に移され、ここで表面にレジストバ
ターニングを施される。処理が終了すると、ウェハ１８
５〜１８７は露光室２１に移されて露光され、更に現像
室２２に移されて現像され、更にウェハ回転室２３に移
されてここで回転機構２４にてそのオリエンテーション
フラットを所定の向きに設定される。

回転機構２４は例えば第６図に示す如く、フォトセンサ
２５、真空チャック２６、モータ２７にて構成されてお
り、処理済の例えばウェハ１８゜を真空チャック２６上
に載置し、フォトセンサ２５によってオリエンテーショ
ンフラット１８、ａの検出時点からウェハ１８．を所定
角度（例えば１８０°）回転させる。この場合、レジス
トコータ室２０におけるレジストバターニング及び現像
室２２における現像では夫々ウェハが任意の向きに変え
られているのでウェハ回転室２３に移された時点では処
理済のウェハ１８５〜１８７の向きは一定していない。

そこで、ウェハ回転室２３に移されたウェハ１８５を真
空チャック２６上に載置してモータ２７によってウェハ
１８ｓを回転させ、この回転によってフォトセンサ２５
においてオリエンテーションフラットＩＬａを検出しく
発光素子からの光を受光素子が受光する）、この検出時
点からウェハｔ８ｓを１８０°回転させて第６図に示す
向き（処理を行なっていないオリエンチー　ジョンフラ
ットの向きと１８０°異なる向き）にする。ウェハ１８
ｇ、１８７もウェハｔ８ｓと同様の向きにする。

ウェハ回転室２３の回転機構２４にてオリエンテーショ
ンフラットの向きをある方向に設定された処理前のウェ
ハ１８　ｉ　”−１８？はウェハ分岐機構１９にて元の
ウェハキャリア１６内に移され、第７図に示すように所
定位置に収納される。処理済のウェハ１８ｓ〜１８？は
ウェハ回転室２３にてオリエンテーションフラットの向
きを所定の向きに変えられているので、元のウェハキャ
リア１６内に戻されて処理前のウェハと一緒にされても
オリエンテーションフラットの向きの違いから処理前の
ウェハと容易に、しかも確実に識別できる。従って、指
定した所定のウェハ１８ｓ〜ｔＬが確実にレジストバタ
ーニング処理を施されたか否かを識別できる。

一方、ウェハキャリア１７に収納されたウェハを処理す
る場合も前述のものと同様に、ウェハ分岐機構１９にて
レジストコータ室２０に移されて処理され、更に露光室
２１、現像室２２を介してウェハ回転室２３に移されて
その向きを変えられ、ウェハ分岐機構９にて元のウェハ
キャリア１７間に収納される。この場合も、処理済のウ
ェハと処理前のウェハとはオリエンテーションフラット
の向きで容易に、かつ、確実に識別できる。

なお、処理を行なっている最中にウェハの向きが変わら
ないようなものに対しては第６図に示すようなフォトセ
ンサ２５によるオリエンテーションフラット検出は不必
要であり、この場合は単に処理済のウェハに対してモー
タ２７にてその向きを変えるだけでよい。

〔発明の効果〕

以上説明した如く、本発明によれば、処理済のウェハの
向きを、処理前のウェハの向きに対して異ならせるウェ
ハ向き可変手段（３Ｉ）を設けたため、例えばバッチ処
理形の半導体製造装置において、処理前のウェハのキャ
リアと処理済のウェハのキャリアとが同じウェハキャリ
アストッカ間に収納されている場合、例えば停電等によ
ってコンピュータか両者を識別できなくなったようなと
きても両者を容易に、かつ、確実に識別でき、又は、枚
葉形の半導体製造装置において、処理前のウェハと処理
済のウェハとが一つのウェハキャリアに収納されている
場合、所定のウェハが処理されたことを容易に、かつ、
確実に識別できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理図、 第２図は本発明の第１実施例の構成図、第３図は第２図
におけるウェハ回転の様子を説明する図、 第４図は第２図におけるウェハキャリア回転の様子を説
明する図、 第５図は本発明の第２実施例の構成図、第６図は第５図
における回転機構の構成図、第７図は第５図におけるウ
ェハキャリア内のウェハの様子を示す図である。 図において、 １はウェハキャリアストッカ、 ２ａ　〜２ｄ、３ａ〜３ｄ、１６．１７はウェハキャリ
ア、 ４は移換え室、 ５は移換え器、 ６、　１８．　１８ｓ　〜１８７はウェハ、６ａ、ＩＬ
ａはオリエンテーションフラット、８は処理室、 ９．１０．２４は回転機構、 １５はキャリアステーション、 １９は分岐機構、 ２０はレジストコータ室、 ２１は露光室、 ２２は現像室、 ２３はウェハ回転室、 ２５はフォトセンサ、 ２６は真空チャック、 ２７はモータ、 ３０は処理済のウェハ、 ３０′は向きを変えられた処理済のウェハ、３１はウェ
ハ向き可変手段 を示す。 特許出願人　富　士　通　株式会社 ヰ晴シ明の原廁ｌ目 第１図 第２図 （Ａ）　　　　　　　　　（Ｂ） 蓼２ｍ２１にち中るシュシ＼回軸ｔキ蒙シト宮−υ用す
る貨ｄ第３図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）処理済のウェハ（３０）の向きを、処理前のウェ
   ハの向きに対して異ならせる（３０′）ウェハ向き可変
   手段（３１）を設けてなることを特徴とする半導体製造
   装置。
2. （２）上記ウェハ向き可変手段（３１）は、バッチ処理
   形の半導体製造装置において、 ウェハキャリア（２ａ〜２ｄ）内に収納されている処理
   済のウェハ（６）の向き、又は処理済のウェハ（６）が
   収納されているウェハキャリア（２ａ〜２ｄ）そのもの
   の向きを変える手段（９又は１０）であることを特徴と
   する請求項１記載の半導体製造装置。
3. （３）上記ウェハ向き可変手段（３１）は、枚葉処理形
   の半導体製造装置において、 処理済のウェハ（１８＿５〜１８＿７）の向きを変えて
   から元のウェハキャリア（１６）に収納する手段（２５
   、２６、２７）であることを特徴とする請求項１記載の
   半導体製造装置。