JPH04163461A - ２光束干渉露光装置 - Google Patents
２光束干渉露光装置Info
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- JPH04163461A JPH04163461A JP2290233A JP29023390A JPH04163461A JP H04163461 A JPH04163461 A JP H04163461A JP 2290233 A JP2290233 A JP 2290233A JP 29023390 A JP29023390 A JP 29023390A JP H04163461 A JPH04163461 A JP H04163461A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 12
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は水平面内の設置スペースを小さなものとするこ
とか可能な２光束干渉露光装置に関する。
とか可能な２光束干渉露光装置に関する。
２光束干渉露光装置は基板に複数の微細な等間隔の平行
状の干渉縞を露光することにより、回折格子の形成、精
密スケールの目盛りの形成等を行うために使用されてい
る。このため２光束干渉露光装置は従来より光源と、光
源からの光束を全反射させる反射ミラーと、反射ミラー
からの反射光の光束を拡大するビームエキスパンダとビ
ームエキスパンダからの光束を反射光と透過光との２光
束に分割するハーフミラ−と、これらの２光束をそれぞ
れ反射させて干渉させる反射ミラー対と、これらの反射
光の干渉領域内で進退移動するステージとを備え、ステ
ージに露光用の基板か装着されるようになっている。
状の干渉縞を露光することにより、回折格子の形成、精
密スケールの目盛りの形成等を行うために使用されてい
る。このため２光束干渉露光装置は従来より光源と、光
源からの光束を全反射させる反射ミラーと、反射ミラー
からの反射光の光束を拡大するビームエキスパンダとビ
ームエキスパンダからの光束を反射光と透過光との２光
束に分割するハーフミラ−と、これらの２光束をそれぞ
れ反射させて干渉させる反射ミラー対と、これらの反射
光の干渉領域内で進退移動するステージとを備え、ステ
ージに露光用の基板か装着されるようになっている。
この２光束干渉露光装置は、以上の構成部材か水平面内
に配設されており、光束は水平面内を走行して干渉する
ため、基板か装着されるステージは垂直状に設けられて
いる。
に配設されており、光束は水平面内を走行して干渉する
ため、基板か装着されるステージは垂直状に設けられて
いる。
しかしなから、従来の２光束干渉露光装置は、干渉縞を
形成するための光学部材か水平面内に配設されるため水
平方向の占有面積か大きく、大型となっていた。また、
ステージへの基板の着脱を垂直方向から行う必要かある
ため、その着脱操作を行いにくく、操作性か悪いものと
なっていた。
形成するための光学部材か水平面内に配設されるため水
平方向の占有面積か大きく、大型となっていた。また、
ステージへの基板の着脱を垂直方向から行う必要かある
ため、その着脱操作を行いにくく、操作性か悪いものと
なっていた。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、占有
面積か小さく基板の着脱も簡単に行うことかてきる２光
束干渉露光装置を提供することを目的とする。
面積か小さく基板の着脱も簡単に行うことかてきる２光
束干渉露光装置を提供することを目的とする。
第１図および第２図は上記目的を達成するための本発明
の基本構成を示す正面図および平面図である。
の基本構成を示す正面図および平面図である。
水平方向に光束を出射する光源１と、光源１からの光束
を上方に反射させる第１の反射ミラー２と、第１の反射
ミラー２の光軸と一致するように設けられて光束径を拡
大するビームエキスパンダ３と、ビームエキスパンダ３
からの光束を下方に反射する第２の反射ミラー４と、第
２の反射ミラー４からの反射光を反射光と透過光の２光
束に分割するハーフミラ−５と、反射光および透過光の
光路上に設けられ、これらの光束を干渉させるため下方
に反射するミラー６．７からなる反射ミラー対と、反射
ミラー対からの反射光の干渉領域を上下方向に移動する
ステージ８と、ステージ８の上面に着脱自在に装着され
る露光用の基板９とを備えている。
を上方に反射させる第１の反射ミラー２と、第１の反射
ミラー２の光軸と一致するように設けられて光束径を拡
大するビームエキスパンダ３と、ビームエキスパンダ３
からの光束を下方に反射する第２の反射ミラー４と、第
２の反射ミラー４からの反射光を反射光と透過光の２光
束に分割するハーフミラ−５と、反射光および透過光の
光路上に設けられ、これらの光束を干渉させるため下方
に反射するミラー６．７からなる反射ミラー対と、反射
ミラー対からの反射光の干渉領域を上下方向に移動する
ステージ８と、ステージ８の上面に着脱自在に装着され
る露光用の基板９とを備えている。
反射ミラー対の各ミラー６．７は同一高さとなるように
取り付けられることにより、ノ＼−フミラー５との間に
光路長か同一となっているとともに、同一の水平軸を中
心に相反するＡおよびＢ方向に同一角度て回転してＤ軸
を中心にした干渉を行う。
取り付けられることにより、ノ＼−フミラー５との間に
光路長か同一となっているとともに、同一の水平軸を中
心に相反するＡおよびＢ方向に同一角度て回転してＤ軸
を中心にした干渉を行う。
ステージ８はこのミラー６．７の回転に伴って移動する
干渉縞の中心に基板９か位置するように矢印Ｃて示す上
下方向に移動する。
干渉縞の中心に基板９か位置するように矢印Ｃて示す上
下方向に移動する。
このような構成では、光源ｌからの光束は第１の反射ミ
ラー２で上方に反射し、ビームエキスパンダ３を通過し
た後、第２の反射ミラー４て下方に反射し、ハーフミラ
−５て２光束に分割され、その後、反射ミラー対６．７
により折り曲げられて基板９に干渉縞を形成する。
ラー２で上方に反射し、ビームエキスパンダ３を通過し
た後、第２の反射ミラー４て下方に反射し、ハーフミラ
−５て２光束に分割され、その後、反射ミラー対６．７
により折り曲げられて基板９に干渉縞を形成する。
上記構成では、光束か垂直面内を走行するように各光学
部材か垂直面内に配設されるため、設置スペースか小さ
くなる。また、ステージが上下方向に移動し、このステ
ージ上に基板か装着されるため、基板の着脱操作か容易
となる。
部材か垂直面内に配設されるため、設置スペースか小さ
くなる。また、ステージが上下方向に移動し、このステ
ージ上に基板か装着されるため、基板の着脱操作か容易
となる。
以下、本発明を図示する実施例により具体的に説明する
。この場合、各実施例においての共通の要素および第１
図、第２図図示の基本構成と同一の要素は同一の符号を
付して対応させることにより重複する説明を省略する。
。この場合、各実施例においての共通の要素および第１
図、第２図図示の基本構成と同一の要素は同一の符号を
付して対応させることにより重複する説明を省略する。
（第１実施例）
第３図ないし第６図は本発明の第１実施例を示す。
第３図に示すように、水平、垂直方向の振動を除去する
除振台１１上に、全体架台としてのへ一ス１２か支持さ
れて、このベース１２上に各構成部材か配置されている
。光源ｌは、例えばレーザ光源か使用されており、ベー
ス１２上の光源用架台１３に取り付けられて、水平方向
に光束を出射する。
除振台１１上に、全体架台としてのへ一ス１２か支持さ
れて、このベース１２上に各構成部材か配置されている
。光源ｌは、例えばレーザ光源か使用されており、ベー
ス１２上の光源用架台１３に取り付けられて、水平方向
に光束を出射する。
この光源用架台１３上には第４図および第５図に示すよ
うに、基板９への露光のＯＮ、ＯＦＦを切り換えるシャ
ッタ１４と、光源ｌからの光束の数％を反射するガラス
板１５とか取り付けられて、光源１と第１の反射ミラー
２との間の光路内に挿入されている。また、ガラス板１
５からの反射光の光路上には反射光束の光量を測定する
光量モニタセンサ１６か設けられている。なお、この光
量モニタセンサ１６および第１の反射ミラー２は光源用
架台１３上の所定位置に取り付けられるものである。
うに、基板９への露光のＯＮ、ＯＦＦを切り換えるシャ
ッタ１４と、光源ｌからの光束の数％を反射するガラス
板１５とか取り付けられて、光源１と第１の反射ミラー
２との間の光路内に挿入されている。また、ガラス板１
５からの反射光の光路上には反射光束の光量を測定する
光量モニタセンサ１６か設けられている。なお、この光
量モニタセンサ１６および第１の反射ミラー２は光源用
架台１３上の所定位置に取り付けられるものである。
かかる光源用架台１３の隣設位置のベース１２上には高
減衰能低膨張性の鋳物により成形された定盤１７か設け
られている。定盤１７はベース１２上に垂直状に固定さ
れており、この定盤１７に第２の反射ミラー４と、ハー
フミラ−５と、反射ミラー対を構成するミラー６．７と
、ステージ８とか配設される。この場合、ビームエキス
パンダ３は定盤１７と光源用架台１３とに掛は渡し状に
取り付けられるものである。
減衰能低膨張性の鋳物により成形された定盤１７か設け
られている。定盤１７はベース１２上に垂直状に固定さ
れており、この定盤１７に第２の反射ミラー４と、ハー
フミラ−５と、反射ミラー対を構成するミラー６．７と
、ステージ８とか配設される。この場合、ビームエキス
パンダ３は定盤１７と光源用架台１３とに掛は渡し状に
取り付けられるものである。
また、反射ミラー対の内、透過光を反射するミラー７は
定盤１７に回転可能に取り付けられた回転テーブル１８
（第３図参照）に支持されてＢ方向に回転する一方、反
射光を反射するミラー６はこの回転テーブル１８との対
向位置の定盤１７に回転可能に取り付けられた回転テー
ブル（図示省略）に支持されて入方向に回転する。
定盤１７に回転可能に取り付けられた回転テーブル１８
（第３図参照）に支持されてＢ方向に回転する一方、反
射光を反射するミラー６はこの回転テーブル１８との対
向位置の定盤１７に回転可能に取り付けられた回転テー
ブル（図示省略）に支持されて入方向に回転する。
さらに、基板９か取り付けられるステージ８は定盤１７
に上下動可能に取り付けられたＺテーブル１９およびＺ
テーブル１９に取り付けられたアングル部材２０（共に
、第３図参照）によって支持された構造となっており、
このステージ８上方には光量むら測定手段２１か進退可
能に配設されている。光量むら測定手段２１は第６図に
示すように、アングル部材２０の側面に取り付けられた
ガイトレール２２と、ガイドレール２２に案内されてス
テージ８への進退方向（Ｅ方向）に移動するスライダ２
３と、このスライダ２３を進退移動させるシリンダ２４
と、スライダ２３に取り付けられたセンサベース２４と
、センサベース２４上の有効干渉範囲Ｆ内に位置するよ
うに配設された複数の光量むら測定センサ２５とを備え
ている。
に上下動可能に取り付けられたＺテーブル１９およびＺ
テーブル１９に取り付けられたアングル部材２０（共に
、第３図参照）によって支持された構造となっており、
このステージ８上方には光量むら測定手段２１か進退可
能に配設されている。光量むら測定手段２１は第６図に
示すように、アングル部材２０の側面に取り付けられた
ガイトレール２２と、ガイドレール２２に案内されてス
テージ８への進退方向（Ｅ方向）に移動するスライダ２
３と、このスライダ２３を進退移動させるシリンダ２４
と、スライダ２３に取り付けられたセンサベース２４と
、センサベース２４上の有効干渉範囲Ｆ内に位置するよ
うに配設された複数の光量むら測定センサ２５とを備え
ている。
このような構成の本実施例は干渉縞を形成するための第
１の反射ミラー２．ビームエキスパンダ３、第２の反射
ミラー４．ハーフミラ−５９反射ミラー対６，７か垂直
面内に配設されるため、水平方向かコンパクトとなり、
同方向占育面積を小さくすることかできるとともに、ス
テージ８か水平方向に位置するため、ステージ８への基
板９の着脱を容易に行うことかできる。
１の反射ミラー２．ビームエキスパンダ３、第２の反射
ミラー４．ハーフミラ−５９反射ミラー対６，７か垂直
面内に配設されるため、水平方向かコンパクトとなり、
同方向占育面積を小さくすることかできるとともに、ス
テージ８か水平方向に位置するため、ステージ８への基
板９の着脱を容易に行うことかできる。
また、本実施例では光源１からの光束の一部か光量モニ
タセンサ１６に導き出されるため、光源ｌの光量を監視
することかできる。さらに干渉縞形成領域には光量むら
測定手段２１か進退自在に挿入されるため、干渉のため
の光量むらの測定もでき、正確な露光か可能となる。な
お、光量むら測定手段２１は不要の場合には、干渉領域
から退避するものである。
タセンサ１６に導き出されるため、光源ｌの光量を監視
することかできる。さらに干渉縞形成領域には光量むら
測定手段２１か進退自在に挿入されるため、干渉のため
の光量むらの測定もでき、正確な露光か可能となる。な
お、光量むら測定手段２１は不要の場合には、干渉領域
から退避するものである。
第７図は本実施例の変形例を示し、ビームエキスパンダ
３の入射側に１／２波長板２６か取り付けられている。
３の入射側に１／２波長板２６か取り付けられている。
ハーフミラ−５はビームエキスパンダ３によって拡大さ
れた光束を２光束に分割するか、１／２波長板２６はビ
ームエキスパンダ３への入射光束の偏光方向をハーフミ
ラ−５の偏光特性に合わせるように作用する。これによ
りハーフミラ−５により反射光と透過光との比ＲＡＴを
１１に近似させることかでき、干渉縞の精度か向上する
。
れた光束を２光束に分割するか、１／２波長板２６はビ
ームエキスパンダ３への入射光束の偏光方向をハーフミ
ラ−５の偏光特性に合わせるように作用する。これによ
りハーフミラ−５により反射光と透過光との比ＲＡＴを
１１に近似させることかでき、干渉縞の精度か向上する
。
第８図は本実施例のさらに別の変形例を示している。こ
の変形例は基板のオートローダ装置３０を付加したもの
てあり、ベース１２上にオートローダベース３１か取り
付けられ、このオートローダペース３１上にストッカ３
２とオートローダアーム３３とか取り付けられている。
の変形例は基板のオートローダ装置３０を付加したもの
てあり、ベース１２上にオートローダベース３１か取り
付けられ、このオートローダペース３１上にストッカ３
２とオートローダアーム３３とか取り付けられている。
ストッカ３２に基板を複数枚、多段状にストックするも
のであり、オートローダアーム３３は真空吸着等により
基板を保持してストッカ３２とステージ８とを往復移動
する。また、このオートローダ装置３０はステージ８側
に上下動および旋回可能な受渡アーム３４を有している
。
のであり、オートローダアーム３３は真空吸着等により
基板を保持してストッカ３２とステージ８とを往復移動
する。また、このオートローダ装置３０はステージ８側
に上下動および旋回可能な受渡アーム３４を有している
。
このようなオートローダ装置３０はオートローダアーム
３３か未露光の基板をストッカ３２から取り出して保持
し、この保持状態て受渡アーム３４にまて移動する。こ
れにより、受渡アーム３４か上昇してオートローダアー
ム３３上の基板を持ち上げ、その後、１８０°旋回して
下降することにより基板をステージ８上に自動的に装填
する。
３３か未露光の基板をストッカ３２から取り出して保持
し、この保持状態て受渡アーム３４にまて移動する。こ
れにより、受渡アーム３４か上昇してオートローダアー
ム３３上の基板を持ち上げ、その後、１８０°旋回して
下降することにより基板をステージ８上に自動的に装填
する。
ステージ８から基板をストッカ３２に戻すためには、こ
の逆順て行われるものであり、これらのストッカ３２へ
の基板の出入れに対応するように、ストッカ３２は上下
に移動する。
の逆順て行われるものであり、これらのストッカ３２へ
の基板の出入れに対応するように、ストッカ３２は上下
に移動する。
従って、このオートローダ装置ｔ３０を付設することに
よりステージへの基板の着脱を自動化することかできる
ため、操作を省力化することかできる。
よりステージへの基板の着脱を自動化することかできる
ため、操作を省力化することかできる。
（第２実施例）
第９図ないし第１３図は本発明の第２実施例を示してい
る。
る。
この第２実施例はステージ８上への基板９の装填位置の
ずれを修正する機能か付加されたものであり、第９図に
示すように、定盤１７におけるステージ８との反対側に
はＨｅ−Ｎｅレーザ源なとの光源４１か設けられ、この
光源４１からのレーザ光束が反射ミラー４２．４３によ
ってステージＢ側に導かれるようになっている。
ずれを修正する機能か付加されたものであり、第９図に
示すように、定盤１７におけるステージ８との反対側に
はＨｅ−Ｎｅレーザ源なとの光源４１か設けられ、この
光源４１からのレーザ光束が反射ミラー４２．４３によ
ってステージＢ側に導かれるようになっている。
また、ステージ８は第１実施例と同様に、アングル部材
２０に取り付けられるか、アングル部材２０には回転テ
ーブル４４か取り付けられ（第１０図参照）、この回転
テーブル４４上にステージ８か取り付けられることによ
りステージ８およびステージ８上の基板９は矢印Ｇて示
すように水平面内で回転する。かかるアングル部材２０
におけるレーザ光束りの光路上には偏光ビームスプリッ
タ４５か設けられており、この偏光ヒームスブリッタ４
５と基板９との間に１／４波長板４６か設けられている
（第１Ｏ図、第１１図参照）。
２０に取り付けられるか、アングル部材２０には回転テ
ーブル４４か取り付けられ（第１０図参照）、この回転
テーブル４４上にステージ８か取り付けられることによ
りステージ８およびステージ８上の基板９は矢印Ｇて示
すように水平面内で回転する。かかるアングル部材２０
におけるレーザ光束りの光路上には偏光ビームスプリッ
タ４５か設けられており、この偏光ヒームスブリッタ４
５と基板９との間に１／４波長板４６か設けられている
（第１Ｏ図、第１１図参照）。
また、偏光ビームスプリッタ４５における１／４波長板
４６と反対側における等距離位置には反射プリズム４７
か設けられ、この反射プリズム４７からの反射光路上に
はポジションセンサ４８か設けられている。この場合、
レーザ光束りか基板９の側面を照射するように、偏光ビ
ームスプリッタ４５と１／４波長板４６との位置か設定
されるものである。
４６と反対側における等距離位置には反射プリズム４７
か設けられ、この反射プリズム４７からの反射光路上に
はポジションセンサ４８か設けられている。この場合、
レーザ光束りか基板９の側面を照射するように、偏光ビ
ームスプリッタ４５と１／４波長板４６との位置か設定
されるものである。
このような構成では、光源４１から出射したレーザ光束
りは反射ミラー４２．４３を介して偏光ヒームスブリッ
タ４５に入射する。偏光ヒームスブリッタ４５に入射し
たレーザ光束は同スプリッタ４５内部で反射し、直線偏
光となって１／４波長板４６方向に屈曲する。この１／
４波長板４６を通過した光束は円偏光となって回転状態
の基板９の側面に達し、その側面で反射する。この反射
光束は１／４波長板４６て往路の偏光方向と直角な直線
偏光となって偏光ビームスプリッタ４５を通過し、反射
プリズム４７からポジションセンサ４８の受光面に入射
する。
りは反射ミラー４２．４３を介して偏光ヒームスブリッ
タ４５に入射する。偏光ヒームスブリッタ４５に入射し
たレーザ光束は同スプリッタ４５内部で反射し、直線偏
光となって１／４波長板４６方向に屈曲する。この１／
４波長板４６を通過した光束は円偏光となって回転状態
の基板９の側面に達し、その側面で反射する。この反射
光束は１／４波長板４６て往路の偏光方向と直角な直線
偏光となって偏光ビームスプリッタ４５を通過し、反射
プリズム４７からポジションセンサ４８の受光面に入射
する。
第１２図および第１３図は以上の動作を示し、基板９か
矢印Ｇ方向に回転しているのに対して、ポジションセン
サ４８に入射する光束は矢印Ｈ方向に直線移動するため
、同センサ４８により光束りに対する基板９の相対位置
を検出することかできる。
矢印Ｇ方向に回転しているのに対して、ポジションセン
サ４８に入射する光束は矢印Ｈ方向に直線移動するため
、同センサ４８により光束りに対する基板９の相対位置
を検出することかできる。
従って、このような第２実施例では、干渉縞に対して、
基板９の側面を一定の傾きに合わせることかできるため
、基板９をラフにセットしても干渉縞の露光を行うこと
かできる。
基板９の側面を一定の傾きに合わせることかできるため
、基板９をラフにセットしても干渉縞の露光を行うこと
かできる。
以上説明したように本発明は、干渉縞を形成するための
光学部材を垂直方向に配置したため、水平方向の占有ス
ペースか小さなコンパクトな装置とすることかできると
ともに、基板の着脱を容易に行うことかできる。
光学部材を垂直方向に配置したため、水平方向の占有ス
ペースか小さなコンパクトな装置とすることかできると
ともに、基板の着脱を容易に行うことかできる。
第１図および第２図は本発明の基本構成を示す正面図お
よび平面図、第３図は本発明の一実施例を示す斜視図、
第４図および第５図はその要部の正面図および平面図、
第６図（ａ）および（ｂ）はそれぞれその光量むら測定
手段を示す平面図および正面図、第７図は第１実施例の
変形例を示す正面図、第８図はさらに別の変形例を示す
斜視図、第９図。 第１０図および第１１図は本発明の第２実施例を示す右
側面図、正面図および平面図、第１２図および第１３図
はその作動を示す正面図および平面図である。 １・・・光源 ２・・・第１の反射ミラー ３・・・ヒームエキスパンダ ４・・・第２の反射ミラー ５・・ハーフミラ− ６，７・・・反射ミラー対 ８・ステージ ９・・基板 ２６・・・１／２波長板 ４５・・・偏光ビームスプリッタ ４６・・１／４波長板 ４Ｂ・・・ポジションセンサ 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第２図 第３図 第４５！ｌ 第７図 第９図 第８図 第１１し 第１２図 第１３図
よび平面図、第３図は本発明の一実施例を示す斜視図、
第４図および第５図はその要部の正面図および平面図、
第６図（ａ）および（ｂ）はそれぞれその光量むら測定
手段を示す平面図および正面図、第７図は第１実施例の
変形例を示す正面図、第８図はさらに別の変形例を示す
斜視図、第９図。 第１０図および第１１図は本発明の第２実施例を示す右
側面図、正面図および平面図、第１２図および第１３図
はその作動を示す正面図および平面図である。 １・・・光源 ２・・・第１の反射ミラー ３・・・ヒームエキスパンダ ４・・・第２の反射ミラー ５・・ハーフミラ− ６，７・・・反射ミラー対 ８・ステージ ９・・基板 ２６・・・１／２波長板 ４５・・・偏光ビームスプリッタ ４６・・１／４波長板 ４Ｂ・・・ポジションセンサ 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第２図 第３図 第４５！ｌ 第７図 第９図 第８図 第１１し 第１２図 第１３図
Claims (3)
- （１）光源と、光源からの光束を上方に反射する第１の
反射ミラーと、第１の反射ミラーからの光束を拡大する
ビームエキスパンダと、ビームエキスパンダからの光束
を下方に反射する第２の反射ミラーと、第２の反射ミラ
ーからの光束を２光束に分割するハーフミラーと、ハー
フミラーで分割した２光束の光路上に位置し、２光束を
干渉させるため２光束を下方に反射させる反射角度調整
可能な反射ミラー対と、露光用の基板が着脱自在にセッ
トされ、当該基板を前記反射ミラー対からの反射光の干
渉位置の中心に位置させるため上下方向に移動するステ
ージとを備えていることを特徴とする２光束干渉露光装
置。 - （２）前記ビームエキスパンダの入射側に１／２波長板
が設けられていることを特徴とする請求項１記載の２光
束干渉露光装置。 - （３）前記ステージが水平面内で回転可能となっており
、このステージ上の基板の側面に光束を照射する光路が
形成され、この光路内に偏光ビームスプリッタおよび１
／４波長板が装入され、前記基板の側面から反射し、１
／４波長板を通過した光束を受光してステージに対する
基板の相対位置を検出するポジションセンサが設けられ
ていることを特徴とする２光束干渉露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2290233A JPH04163461A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | ２光束干渉露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2290233A JPH04163461A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | ２光束干渉露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04163461A true JPH04163461A (ja) | 1992-06-09 |
Family
ID=17753480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2290233A Pending JPH04163461A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | ２光束干渉露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04163461A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7161684B2 (en) | 2000-02-15 | 2007-01-09 | Asml Holding, N.V. | Apparatus for optical system coherence testing |
| US7242464B2 (en) | 1999-06-24 | 2007-07-10 | Asml Holdings N.V. | Method for characterizing optical systems using holographic reticles |
| US7440078B2 (en) | 2005-12-20 | 2008-10-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units |
| US7443514B2 (en) | 2006-10-02 | 2008-10-28 | Asml Holding N.V. | Diffractive null corrector employing a spatial light modulator |
| US7561252B2 (en) | 2005-12-29 | 2009-07-14 | Asml Holding N.V. | Interferometric lithography system and method used to generate equal path lengths of interfering beams |
| US7751030B2 (en) | 2005-02-01 | 2010-07-06 | Asml Holding N.V. | Interferometric lithographic projection apparatus |
| US8264667B2 (en) | 2006-05-04 | 2012-09-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and other exposure |
| US8934084B2 (en) | 2006-05-31 | 2015-01-13 | Asml Holding N.V. | System and method for printing interference patterns having a pitch in a lithography system |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP2290233A patent/JPH04163461A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7242464B2 (en) | 1999-06-24 | 2007-07-10 | Asml Holdings N.V. | Method for characterizing optical systems using holographic reticles |
| US7804601B2 (en) | 1999-06-24 | 2010-09-28 | Asml Holding N.V. | Methods for making holographic reticles for characterizing optical systems |
| US7161684B2 (en) | 2000-02-15 | 2007-01-09 | Asml Holding, N.V. | Apparatus for optical system coherence testing |
| US7751030B2 (en) | 2005-02-01 | 2010-07-06 | Asml Holding N.V. | Interferometric lithographic projection apparatus |
| US7440078B2 (en) | 2005-12-20 | 2008-10-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units |
| US7561252B2 (en) | 2005-12-29 | 2009-07-14 | Asml Holding N.V. | Interferometric lithography system and method used to generate equal path lengths of interfering beams |
| US8264667B2 (en) | 2006-05-04 | 2012-09-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and other exposure |
| US8934084B2 (en) | 2006-05-31 | 2015-01-13 | Asml Holding N.V. | System and method for printing interference patterns having a pitch in a lithography system |
| US7443514B2 (en) | 2006-10-02 | 2008-10-28 | Asml Holding N.V. | Diffractive null corrector employing a spatial light modulator |
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