JPH04162215A - 保磁力測定光学系の調整機構 - Google Patents
保磁力測定光学系の調整機構Info
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- JPH04162215A JPH04162215A JP28803390A JP28803390A JPH04162215A JP H04162215 A JPH04162215 A JP H04162215A JP 28803390 A JP28803390 A JP 28803390A JP 28803390 A JP28803390 A JP 28803390A JP H04162215 A JPH04162215 A JP H04162215A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 27
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 4
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、磁気ディスクの保磁力測定装置の光学系の
調整機構に関するものである。
調整機構に関するものである。
［従来の技術］
最近においては、磁気ディスクの記録密度はますます向
上し、これに対して磁気媒体の微細な磁区の保磁力を正
確に測定することが重要となっている。
上し、これに対して磁気媒体の微細な磁区の保磁力を正
確に測定することが重要となっている。
第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）により磁気ディスク保磁
力測定装置の概要を説明する。図（ａ）において、鉄心
２ａ、捲線２ｂ−１，２ｂ−２よりなる電磁石２と励磁
機３により磁化装置が構成され、捲線に交番電流Ｉを供
給して鉄心のギャップＧに交番磁界Ｈを発生する。電磁
石２の底面に適当な間隔をおいて被検査の磁気ディスク
１を装着し、ギャップＧに対応した測定点ｐが磁化され
、この磁化間が光学系４により測定される。光学系４に
おいて、レーザ光源４ａよりのレーザビームしは、ミラ
ー４ｂにより光軸が斜め４５° ド向きとされて偏光子
４Ｃに入力し、直線偏光の投射ビームＬＴが測定点ｐに
対して投射される。投射ビームＬＴは測定点ｐで正反射
して反射ビームＬＲとなるが、その偏光面は磁気的カー
効果により測定点ｐの硫化度に比例して、図（ｂ）に示
すように角度２δθを変化する。ただし、投射ビームＬ
Ｔと反射ビームＬＲの偏光面には角度ズレ、すなわちな
すオフセント角θがあるので、反射ビームＬＲの偏光面
の角度は（θ±δθ）である。これに対して検光子４ｄ
の偏光面を角度θの方向にオフセットし、検光子４ｄを
透過した反射ビームＬＲはミラー４ｅを経て受光器４ｆ
に受光され、その検出電流ｊの大きさにより偏光面の回
転角度δθ、従って測定点ｐの硫化度が測定される。図
（ｃ）は保磁力の求め方を説明するもので、励磁電流Ｉ
を制御して磁界Ｈを正負の方向に往復して段階的に変化
し、各段階ごとに１６記の硫化度測定を行って、磁界Ｈ
に対する硫化度Ｋ（または検出電流ｉ）のヒステリシス
Φループ曲線かえられる。この曲線と水平軸（Ｈ軸）の
交点が測定点ｐの保磁力士Ｈｅを表し、±Ｈｃは磁界Ｈ
と硫化度にのデータを用いてマイクロプロセッサにより
計算される。
力測定装置の概要を説明する。図（ａ）において、鉄心
２ａ、捲線２ｂ−１，２ｂ−２よりなる電磁石２と励磁
機３により磁化装置が構成され、捲線に交番電流Ｉを供
給して鉄心のギャップＧに交番磁界Ｈを発生する。電磁
石２の底面に適当な間隔をおいて被検査の磁気ディスク
１を装着し、ギャップＧに対応した測定点ｐが磁化され
、この磁化間が光学系４により測定される。光学系４に
おいて、レーザ光源４ａよりのレーザビームしは、ミラ
ー４ｂにより光軸が斜め４５° ド向きとされて偏光子
４Ｃに入力し、直線偏光の投射ビームＬＴが測定点ｐに
対して投射される。投射ビームＬＴは測定点ｐで正反射
して反射ビームＬＲとなるが、その偏光面は磁気的カー
効果により測定点ｐの硫化度に比例して、図（ｂ）に示
すように角度２δθを変化する。ただし、投射ビームＬ
Ｔと反射ビームＬＲの偏光面には角度ズレ、すなわちな
すオフセント角θがあるので、反射ビームＬＲの偏光面
の角度は（θ±δθ）である。これに対して検光子４ｄ
の偏光面を角度θの方向にオフセットし、検光子４ｄを
透過した反射ビームＬＲはミラー４ｅを経て受光器４ｆ
に受光され、その検出電流ｊの大きさにより偏光面の回
転角度δθ、従って測定点ｐの硫化度が測定される。図
（ｃ）は保磁力の求め方を説明するもので、励磁電流Ｉ
を制御して磁界Ｈを正負の方向に往復して段階的に変化
し、各段階ごとに１６記の硫化度測定を行って、磁界Ｈ
に対する硫化度Ｋ（または検出電流ｉ）のヒステリシス
Φループ曲線かえられる。この曲線と水平軸（Ｈ軸）の
交点が測定点ｐの保磁力士Ｈｅを表し、±Ｈｃは磁界Ｈ
と硫化度にのデータを用いてマイクロプロセッサにより
計算される。
さて、磁気ディスクの磁気媒体には各種の磁性材料が使
用され、ベースφディスクに対する塗布方法も各種があ
るが、最近においては、磁性材料として高記録密度が可
能なコバルト・ニッケル・鱗の合金（Ｇｏ−Ｎｉ−Ｐ）
が広く用いられ、これがアルミニュームディスクにメツ
キ処理されて磁気媒体が形成される。磁気媒体は、厚さ
が０゜１μｍ以下の薄膜であって傷つき易いので、これ
を保護するために適当な材料をコーティングして保１１
１１が形成される。保護膜の材料としては、２酸化シリ
コン（Ｓｉ０２）やカーボン系の樹脂などが用いられ、
その厚さは０．１μｍ以下とされている。
用され、ベースφディスクに対する塗布方法も各種があ
るが、最近においては、磁性材料として高記録密度が可
能なコバルト・ニッケル・鱗の合金（Ｇｏ−Ｎｉ−Ｐ）
が広く用いられ、これがアルミニュームディスクにメツ
キ処理されて磁気媒体が形成される。磁気媒体は、厚さ
が０゜１μｍ以下の薄膜であって傷つき易いので、これ
を保護するために適当な材料をコーティングして保１１
１１が形成される。保護膜の材料としては、２酸化シリ
コン（Ｓｉ０２）やカーボン系の樹脂などが用いられ、
その厚さは０．１μｍ以下とされている。
以上の保護膜が塗布された磁気ディスクにおいては、保
護膜により投射ビームの偏光面に変化を生ずる。従って
磁気媒体による偏光面の回転に対して、さらにこの変化
が加わって保磁力の測定に誤差を生ずるので、その対策
が必要である。
護膜により投射ビームの偏光面に変化を生ずる。従って
磁気媒体による偏光面の回転に対して、さらにこの変化
が加わって保磁力の測定に誤差を生ずるので、その対策
が必要である。
第３図（ａ）において一般的な透明誘電体５をとり、そ
の表面を５３裏面を５ｂとし、表面側より直線偏光ビー
ムＬＴを入射角φで投射するものとする。投射ビームＬ
Ｔは表面５ａにより外部反射されるとともに、裏面５ｂ
により内部反射されるが、偏光面の変化はこの内部反射
により生ずるもので、直線偏光の投射ビームＬＴは楕円
偏光の反射ビームＬＲ’に変化する。このように直線偏
光が楕円化される程度は、誘電体５の屈折率ｎと入射角
φに依存して変わり、例えばｎが〜１．５０の場合はφ
が５０″付近で最も強く楕円化され、φがＯｏまたは９
０°に近いほど楕円化が少ないことが知られている。（
Ｊｅｎｋｉｎｓ／Ｗｈｉｔｅ 、光学の基礎、■版、
ｐＩ）５３１−５３３． ｒ内部反射による楕円偏光
光」参照）。第２図（ａ）に示した光学系４の入射角は
ほぼ４５°であり、また保護膜は透明な誘電体であるか
ら、反射ビームＬＲ’が楕円偏光であることは明らかで
ある。これに対して検光子４ｄは直線偏光の反射ビーム
ＬＲを透過して、その偏光角の変化を検出するものであ
るから、反射ビームＬＲ’を予め直線偏光に変換するこ
とが必要である。一般に、直線偏光を楕円偏光に変換し
、またはその逆変換を行うにはλ／４板が使用される。
の表面を５３裏面を５ｂとし、表面側より直線偏光ビー
ムＬＴを入射角φで投射するものとする。投射ビームＬ
Ｔは表面５ａにより外部反射されるとともに、裏面５ｂ
により内部反射されるが、偏光面の変化はこの内部反射
により生ずるもので、直線偏光の投射ビームＬＴは楕円
偏光の反射ビームＬＲ’に変化する。このように直線偏
光が楕円化される程度は、誘電体５の屈折率ｎと入射角
φに依存して変わり、例えばｎが〜１．５０の場合はφ
が５０″付近で最も強く楕円化され、φがＯｏまたは９
０°に近いほど楕円化が少ないことが知られている。（
Ｊｅｎｋｉｎｓ／Ｗｈｉｔｅ 、光学の基礎、■版、
ｐＩ）５３１−５３３． ｒ内部反射による楕円偏光
光」参照）。第２図（ａ）に示した光学系４の入射角は
ほぼ４５°であり、また保護膜は透明な誘電体であるか
ら、反射ビームＬＲ’が楕円偏光であることは明らかで
ある。これに対して検光子４ｄは直線偏光の反射ビーム
ＬＲを透過して、その偏光角の変化を検出するものであ
るから、反射ビームＬＲ’を予め直線偏光に変換するこ
とが必要である。一般に、直線偏光を楕円偏光に変換し
、またはその逆変換を行うにはλ／４板が使用される。
そこで反射ビームＬＲ’をλ／４板を透過させて直線偏
光に変換すると、オフセット角をθ′とする第３図（ｂ
）に示す偏光角（θ′±δθ）の反射ビームＬｌ”かえ
られる。検光子４ｄ−の偏光角を角度θ′オフセットす
ることにより、保護膜の影響が排除されて磁気媒体によ
る偏光角の変化量土δθが測定される。なお上記のよう
に楕円偏光より直線偏光に変換する場合は、楕円の長袖
をλ／４板の光軸に一致させることが必要で、これがす
なわちλ／４板４ｇの調整作業である。
光に変換すると、オフセット角をθ′とする第３図（ｂ
）に示す偏光角（θ′±δθ）の反射ビームＬｌ”かえ
られる。検光子４ｄ−の偏光角を角度θ′オフセットす
ることにより、保護膜の影響が排除されて磁気媒体によ
る偏光角の変化量土δθが測定される。なお上記のよう
に楕円偏光より直線偏光に変換する場合は、楕円の長袖
をλ／４板の光軸に一致させることが必要で、これがす
なわちλ／４板４ｇの調整作業である。
第３図（ｃ）は以上の考察により構成された、反射ビー
ムＬＲ’を直線偏光に変換して保磁力を測定する光学系
４′を示すもので、前記の第２図（ａ）の光学系４の測
定点ｐと検光子４ｄの間に、λ／４板４ｇを追加したも
のである。
ムＬＲ’を直線偏光に変換して保磁力を測定する光学系
４′を示すもので、前記の第２図（ａ）の光学系４の測
定点ｐと検光子４ｄの間に、λ／４板４ｇを追加したも
のである。
［解決しようとする課題］
以上に述べたように、反射ビームＬＲ’の偏光面は磁気
媒体により角度（θ±６０）回転し、さらに保護膜によ
り楕円化するので、これをλ／４板４ｇにより直線化し
て角度（θ′±δθ）の偏光面の反射ビームＬＲ“をう
るのであるが、保磁力を正確に測定するためには保護膜
の種類ごとにλ／４板４ｇと検光子４ｄの角度調整を行
うことで十分な筈である。しかし、実際上では１枚の磁
気ディスクに対して複数の測定点の測定を行う場合に、
同一の保護膜であるにも拘らず、λ／４板４ｇと検光子
４ｄの再調整を必要することが経験されている。しかし
ながら、手作業による上記の調整作業では必ずしも正確
な調整が期待できす、また多数の磁気ディスクに対して
測定点ごとに、このような再調整を行うことは非能率で
測定装置の稼働率が低下する。なお、レーザ光源を交換
した場合などには、偏光子４Ｃの角度調整も必要であり
、これを含めて各要素の角度を効率的に調整できる機構
が望まれている。
媒体により角度（θ±６０）回転し、さらに保護膜によ
り楕円化するので、これをλ／４板４ｇにより直線化し
て角度（θ′±δθ）の偏光面の反射ビームＬＲ“をう
るのであるが、保磁力を正確に測定するためには保護膜
の種類ごとにλ／４板４ｇと検光子４ｄの角度調整を行
うことで十分な筈である。しかし、実際上では１枚の磁
気ディスクに対して複数の測定点の測定を行う場合に、
同一の保護膜であるにも拘らず、λ／４板４ｇと検光子
４ｄの再調整を必要することが経験されている。しかし
ながら、手作業による上記の調整作業では必ずしも正確
な調整が期待できす、また多数の磁気ディスクに対して
測定点ごとに、このような再調整を行うことは非能率で
測定装置の稼働率が低下する。なお、レーザ光源を交換
した場合などには、偏光子４Ｃの角度調整も必要であり
、これを含めて各要素の角度を効率的に調整できる機構
が望まれている。
この発明は、以上に鑑みてなされたもので、偏光子、λ
／４板および検光子の角度調整をマイクロプロセッサの
制御により自動化した調整機構を提供することを目的と
するものである。
／４板および検光子の角度調整をマイクロプロセッサの
制御により自動化した調整機構を提供することを目的と
するものである。
［課題を解決するための手段］
この発明は、磁気ディスクの磁気媒体の測定点を磁化す
る磁化装置を具備し、直線偏光ビームを出力するレーザ
光源と、直線偏光ビームを透過して投射ビームとして測
定点に投射する偏光子と、測定点により反射され、磁気
媒体のカー効果により偏光面が回転し、かつ磁気媒体に
塗布された保護膜により楕円偏光化された反射ビームを
直線化するλ／４板、およびλ／４板の出力する直線偏
光ビームに対する検光子と受光器とよりなる光学系をを
する保磁力測定装置の光学系の調整機構であって、偏光
子、λ／４板および検光子をそれぞれ装着する回転可能
な鏡筒と、各鏡筒をステップ回転するステップモータ、
および受光器の出力する検出電流を参照して各ステップ
モータの回転を制御し、偏光子、λ／４板および検光子
のそれぞれの回転角度を最適に調整するマイクロプロセ
ッサとにより構成される。
る磁化装置を具備し、直線偏光ビームを出力するレーザ
光源と、直線偏光ビームを透過して投射ビームとして測
定点に投射する偏光子と、測定点により反射され、磁気
媒体のカー効果により偏光面が回転し、かつ磁気媒体に
塗布された保護膜により楕円偏光化された反射ビームを
直線化するλ／４板、およびλ／４板の出力する直線偏
光ビームに対する検光子と受光器とよりなる光学系をを
する保磁力測定装置の光学系の調整機構であって、偏光
子、λ／４板および検光子をそれぞれ装着する回転可能
な鏡筒と、各鏡筒をステップ回転するステップモータ、
および受光器の出力する検出電流を参照して各ステップ
モータの回転を制御し、偏光子、λ／４板および検光子
のそれぞれの回転角度を最適に調整するマイクロプロセ
ッサとにより構成される。
［作用コ
以りの構成による調整機構においては、レーザ光源より
出力される直線偏光ビームを透過する偏光子と、保護膜
により楕円偏光とされた反射ビームを直線偏光に変換す
るλ／４板と、λ／４板の出力する直線偏光ビームを透
過する検光子は、それぞれ回転可能な鏡筒に装着され、
受光器の検出電流を参照して、マイクロプロセッサによ
り制御されたステップモータにより回転され、最適の角
度に自動的に調整されるもので、多数の磁気ディスクの
それぞれの複数の測定点に対する光学系の角度調整が容
易に行われ、光学特性が異なる保護膜の影響が排除され
、磁気媒体の保磁力測定が正確に行われるものである。
出力される直線偏光ビームを透過する偏光子と、保護膜
により楕円偏光とされた反射ビームを直線偏光に変換す
るλ／４板と、λ／４板の出力する直線偏光ビームを透
過する検光子は、それぞれ回転可能な鏡筒に装着され、
受光器の検出電流を参照して、マイクロプロセッサによ
り制御されたステップモータにより回転され、最適の角
度に自動的に調整されるもので、多数の磁気ディスクの
それぞれの複数の測定点に対する光学系の角度調整が容
易に行われ、光学特性が異なる保護膜の影響が排除され
、磁気媒体の保磁力測定が正確に行われるものである。
［実施例コ
第１図（ａ）〜（ｄ）は、この発明による保磁力測定光
学系の調整機構の実施例を示す。図（ａ）において、４
′はこの発明による調整機構を具備した光学系を示し、
レーデ光源４ａより出力される直線偏光のレーザビーム
しは、ミラー４ｂにより反射されてほぼ４５°の斜め下
向きに進み、回転機構ｅ−ｔに装着された偏光子４ｃを
透過し、投射ビームＬＴとして測定点ｐに投射される。
学系の調整機構の実施例を示す。図（ａ）において、４
′はこの発明による調整機構を具備した光学系を示し、
レーデ光源４ａより出力される直線偏光のレーザビーム
しは、ミラー４ｂにより反射されてほぼ４５°の斜め下
向きに進み、回転機構ｅ−ｔに装着された偏光子４ｃを
透過し、投射ビームＬＴとして測定点ｐに投射される。
測定点ｐにおける反射ビームＬＲ’は、回転機構６−２
に装着されたλ／４板４ｇにより直線化され、さらに回
転機構６−３に装着された検光子４ｄより偏光角の変化
に対応するビームが出力される。このビームはミラー４
ｅを経て受光器４ｆに受光され、偏光角の変化を示す検
出電流ｉが出力され、磁気媒体の硫化度が測定される。
に装着されたλ／４板４ｇにより直線化され、さらに回
転機構６−３に装着された検光子４ｄより偏光角の変化
に対応するビームが出力される。このビームはミラー４
ｅを経て受光器４ｆに受光され、偏光角の変化を示す検
出電流ｉが出力され、磁気媒体の硫化度が測定される。
ここで、各回転機構６−１，６−２．８−３の構造を図
（ｂ）、（ｃ）により説明する。回転機構６は、偏光子
４ ｃ ＋λ／４λ／４板または検光子４ｄを装着して
回転可能な鏡筒６ａと、鏡筒６ａを支持してベース６Ｃ
に固定される支持筒６ｂ１および鏡筒６ａを回転するス
テップモータ６ｄ、プーリ６ ｅ ＋ベルト６ｆよりな
る。
（ｂ）、（ｃ）により説明する。回転機構６は、偏光子
４ ｃ ＋λ／４λ／４板または検光子４ｄを装着して
回転可能な鏡筒６ａと、鏡筒６ａを支持してベース６Ｃ
に固定される支持筒６ｂ１および鏡筒６ａを回転するス
テップモータ６ｄ、プーリ６ ｅ ＋ベルト６ｆよりな
る。
第３図（ｄ）はＭＰＵ７ｂにより各回転機構のステップ
モータ６ｄ−１，８ｄ−２，６ｄ−３を制御して光学系
４′の調整を行う調整回路７のブロック系統図を示す。
モータ６ｄ−１，８ｄ−２，６ｄ−３を制御して光学系
４′の調整を行う調整回路７のブロック系統図を示す。
光学系４′の調整においては、励磁電流をＯとして磁気
ディスクの所定の測定点ｐを磁化せずにお（。この測定
点に投射ビームＬＴを投射して反射ビームＬＲ”を受光
器４ｆに受光し、その検出電流ｉをＡ／Ｄ変換器７ａに
よりデジタル化してＭＰＵ７ｂに取り込んで監視する。
ディスクの所定の測定点ｐを磁化せずにお（。この測定
点に投射ビームＬＴを投射して反射ビームＬＲ”を受光
器４ｆに受光し、その検出電流ｉをＡ／Ｄ変換器７ａに
よりデジタル化してＭＰＵ７ｂに取り込んで監視する。
入力部７ｃより、調整箇所としてまずステップモータ６
ｄ−１を指定し、ＭＰＵ７ｂと制御回路７ｅにより検出
電流ｉが最大となるように、ステップモータ６ｄ−１を
回転して偏光子４Ｃの角度を調整する。
ｄ−１を指定し、ＭＰＵ７ｂと制御回路７ｅにより検出
電流ｉが最大となるように、ステップモータ６ｄ−１を
回転して偏光子４Ｃの角度を調整する。
これにより偏光子４Ｃの偏光角がレーザビームＬの偏光
角に一致する。次に、ステップモータＥ３ｄ−２を指定
してほぼ同様な方法により、λ／４板４ｇの角度調整を
行って楕円偏光を直線偏光に変換し、最後にステップモ
ータ６ｄ−３を指定して検出電流ｊが最大となるように
検光子４ｄを回転すると、検光子４ｄの偏光面がオフセ
ット角θ′に調整される。なお、１−１記の調整ｆ順は
１例であって、調整箇所の指定順序や、それぞれの調整
方法が上記と多少異なる場合がありうるが、いずれにし
ても偏光子４ｃ＋ λ／４板４ｇおよび検光子４ｄの
それぞれの角度が、ＭＰＵ７ｂにより制御されて最適値
に自動的に調整される。以上の調整作業が終了後、その
測定点に対する保磁力測定を行い、以下の各測定点に対
しても上記と同様の調整と測定が逐次行われる。
角に一致する。次に、ステップモータＥ３ｄ−２を指定
してほぼ同様な方法により、λ／４板４ｇの角度調整を
行って楕円偏光を直線偏光に変換し、最後にステップモ
ータ６ｄ−３を指定して検出電流ｊが最大となるように
検光子４ｄを回転すると、検光子４ｄの偏光面がオフセ
ット角θ′に調整される。なお、１−１記の調整ｆ順は
１例であって、調整箇所の指定順序や、それぞれの調整
方法が上記と多少異なる場合がありうるが、いずれにし
ても偏光子４ｃ＋ λ／４板４ｇおよび検光子４ｄの
それぞれの角度が、ＭＰＵ７ｂにより制御されて最適値
に自動的に調整される。以上の調整作業が終了後、その
測定点に対する保磁力測定を行い、以下の各測定点に対
しても上記と同様の調整と測定が逐次行われる。
［発明の効果コ
以上の説明により明らかなように、この発明による保磁
力測定光学系の調整機構においては、レーザ光源よりの
直線偏光ビームを透過する偏光子と、保護膜により楕円
偏光とされた反射ビームを直線偏光に変換するλ／４板
と、λ／４板の出力する直線偏光ビームを透過する検光
子は、いずれも回転可能な鏡筒に装着され、受光器の検
出電流ヲ参照してマイクロプロセッサに制御されたステ
ップモータによりそれぞれ回転され、最適の角度に調整
されるもので、多数の磁気ディスクのそれぞれの複数の
測定点に対する光学系の角度調整と保磁力の測定が、と
もに迅速かつ正確に行われ、磁気ディスク保磁カー１定
装置の稼働率と測定データの信頼性の向トに寄与すると
ころには大きいものがある。
力測定光学系の調整機構においては、レーザ光源よりの
直線偏光ビームを透過する偏光子と、保護膜により楕円
偏光とされた反射ビームを直線偏光に変換するλ／４板
と、λ／４板の出力する直線偏光ビームを透過する検光
子は、いずれも回転可能な鏡筒に装着され、受光器の検
出電流ヲ参照してマイクロプロセッサに制御されたステ
ップモータによりそれぞれ回転され、最適の角度に調整
されるもので、多数の磁気ディスクのそれぞれの複数の
測定点に対する光学系の角度調整と保磁力の測定が、と
もに迅速かつ正確に行われ、磁気ディスク保磁カー１定
装置の稼働率と測定データの信頼性の向トに寄与すると
ころには大きいものがある。
第１図（ａ）、（ｂ） 、（ｃ）および（ｄ）は、この
発明による保磁力測定光学系の調整機構の実施例におけ
る光学系の構成図と、回転機構の構造図、および調整回
路のブロック図、第２図（ａ）、（ｂ〉および（ｃ）は
、磁気ディスク保磁力測定装置の構成図と磁気媒体の保
磁力の測定方法の説明図、第３図（ａ）。 （ｂ）および（Ｃ）は、磁気ディスクの保護膜の保磁力
測定に及ぼす影響の説明図と、これを排除する光学系の
構成図である。 １・・・磁気ディスク、 ２・・・電磁石、２ａ−−
−鉄心、 ２ｂ−１，２ｂ−２−”捲線、３・
・・励磁機、 ４，４′・・・光学系、４ａ・
・・レーザ光源Ｎ ４ ｂ ＋ ４ ｅ・・・ミ
ラー、４Ｃ・・・偏光子、 ４ｄ・・・検光子、
４ｆ・・・受光器、４ ｇ・・・λ／４板、５・・・透
明誘電体、 ５ａ・・・表面、 ５ｂ・・・裏面、６・
・・回転機構、 ６ａ・・・鏡筒、６ｂ・・・支
持筒、 ６Ｃ・・・ベース、８ｄ、６ｄ−１，６
ｄ−２，８ｄ−３・・・ステップモータ、６ｅ・・・プ
ーリ、 ６ｆ・・・ベルト、７・・・調整回路
、 ７ａ・・・Ａ／Ｄ変換器、７ｂ・・・マイク
ロプロセッサ（ＭＰＵ）、７ｃ・・・入力部、
７ｄ・・・出力部、７ｅ・・・制御回路。
発明による保磁力測定光学系の調整機構の実施例におけ
る光学系の構成図と、回転機構の構造図、および調整回
路のブロック図、第２図（ａ）、（ｂ〉および（ｃ）は
、磁気ディスク保磁力測定装置の構成図と磁気媒体の保
磁力の測定方法の説明図、第３図（ａ）。 （ｂ）および（Ｃ）は、磁気ディスクの保護膜の保磁力
測定に及ぼす影響の説明図と、これを排除する光学系の
構成図である。 １・・・磁気ディスク、 ２・・・電磁石、２ａ−−
−鉄心、 ２ｂ−１，２ｂ−２−”捲線、３・
・・励磁機、 ４，４′・・・光学系、４ａ・
・・レーザ光源Ｎ ４ ｂ ＋ ４ ｅ・・・ミ
ラー、４Ｃ・・・偏光子、 ４ｄ・・・検光子、
４ｆ・・・受光器、４ ｇ・・・λ／４板、５・・・透
明誘電体、 ５ａ・・・表面、 ５ｂ・・・裏面、６・
・・回転機構、 ６ａ・・・鏡筒、６ｂ・・・支
持筒、 ６Ｃ・・・ベース、８ｄ、６ｄ−１，６
ｄ−２，８ｄ−３・・・ステップモータ、６ｅ・・・プ
ーリ、 ６ｆ・・・ベルト、７・・・調整回路
、 ７ａ・・・Ａ／Ｄ変換器、７ｂ・・・マイク
ロプロセッサ（ＭＰＵ）、７ｃ・・・入力部、
７ｄ・・・出力部、７ｅ・・・制御回路。
Claims (1)
- （１）磁気ディスクの磁気媒体の測定点を磁化する磁化
装置を具備し、直線偏光ビームを出力するレーザ光源、
該直線偏光ビームを透過して投射ビームとして前記測定
点に投射する偏光子、前記測定点により反射され、前記
磁気媒体のカー効果により偏光面が回転し、かつ前記磁
気媒体に塗布された保護膜により楕円偏光化された反射
ビームを直線偏光化するλ／４板、および該λ／４板の
出力する直線偏光ビームに対する検光子と受光器よりな
る光学系を有する保磁力測定装置において、前記偏光子
、前記λ／４板、および前記検光子をそれぞれ装着する
回転可能な鏡筒と、各該鏡筒をステップ回転するステッ
プモータ、および前記受光器の出力する検出電流を参照
して、各該ステップモータの回転を制御し、前記偏光子
、前記λ／４板、および前記検光子のそれぞれの回転角
度を最適に調整するマイクロプロセッサとにより構成さ
れたことを特徴とする、保磁力測定光学系の調整機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28803390A JP2943995B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 保磁力測定光学系の調整機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28803390A JP2943995B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 保磁力測定光学系の調整機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162215A true JPH04162215A (ja) | 1992-06-05 |
| JP2943995B2 JP2943995B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=17724958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28803390A Expired - Lifetime JP2943995B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 保磁力測定光学系の調整機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2943995B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7061601B2 (en) | 1999-07-02 | 2006-06-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | System and method for double sided optical inspection of thin film disks or wafers |
| US7075630B2 (en) | 2001-03-26 | 2006-07-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Combined high speed optical profilometer and ellipsometer |
| US7075741B1 (en) | 2004-06-14 | 2006-07-11 | Kla Tencor Technologues Corporation | System and method for automatically determining magnetic eccentricity of a disk |
| US7113284B1 (en) | 2001-03-26 | 2006-09-26 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Material independent optical profilometer |
| US7123357B2 (en) | 1997-09-22 | 2006-10-17 | Candela Instruments | Method of detecting and classifying scratches and particles on thin film disks or wafers |
| US7201799B1 (en) | 2004-11-24 | 2007-04-10 | Kla-Tencor Technologies Corporation | System and method for classifying, detecting, and counting micropipes |
| US7396022B1 (en) | 2004-09-28 | 2008-07-08 | Kla-Tencor Technologies Corp. | System and method for optimizing wafer flatness at high rotational speeds |
| US7684032B1 (en) | 2005-01-06 | 2010-03-23 | Kla-Tencor Corporation | Multi-wavelength system and method for detecting epitaxial layer defects |
-
1990
- 1990-10-25 JP JP28803390A patent/JP2943995B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7123357B2 (en) | 1997-09-22 | 2006-10-17 | Candela Instruments | Method of detecting and classifying scratches and particles on thin film disks or wafers |
| US7061601B2 (en) | 1999-07-02 | 2006-06-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | System and method for double sided optical inspection of thin film disks or wafers |
| US7075630B2 (en) | 2001-03-26 | 2006-07-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Combined high speed optical profilometer and ellipsometer |
| US7113284B1 (en) | 2001-03-26 | 2006-09-26 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Material independent optical profilometer |
| US7075741B1 (en) | 2004-06-14 | 2006-07-11 | Kla Tencor Technologues Corporation | System and method for automatically determining magnetic eccentricity of a disk |
| US7396022B1 (en) | 2004-09-28 | 2008-07-08 | Kla-Tencor Technologies Corp. | System and method for optimizing wafer flatness at high rotational speeds |
| US7201799B1 (en) | 2004-11-24 | 2007-04-10 | Kla-Tencor Technologies Corporation | System and method for classifying, detecting, and counting micropipes |
| US7684032B1 (en) | 2005-01-06 | 2010-03-23 | Kla-Tencor Corporation | Multi-wavelength system and method for detecting epitaxial layer defects |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2943995B2 (ja) | 1999-08-30 |
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