JPH04162023A - 光波長変換装置およびレーザ光源 - Google Patents
光波長変換装置およびレーザ光源Info
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- JPH04162023A JPH04162023A JP28870090A JP28870090A JPH04162023A JP H04162023 A JPH04162023 A JP H04162023A JP 28870090 A JP28870090 A JP 28870090A JP 28870090 A JP28870090 A JP 28870090A JP H04162023 A JPH04162023 A JP H04162023A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明（よ コヒーレント光を利用する光情報処理分銀
あるいは光応用計測分野に使用する光波長変換装置お
よびレーザ光源に関するものであも従来の技術 第５図に従来の光導波路型の光波長変換装置の構成図を
示す。 ｌはＬｉＮｂ０ａ基板、 ２は非線形光導波路
３は分極反転領域である。分極反転領域３はＴｉのパ
ターンをリフトオフと蒸着により幅数μｍの周期で形成
Ｌ １１００度程度０温度で熱処理を行うことにより
形成すも 非線形光導波路２は基板１上にＴａのパター
ンを蒸着、フォトリソグラフィおよびドライエツチング
により形成し このＴａパターンをマスクとして２３０
度 −のピロ燐酸中で熱処理し さらに酸素中で熱処理
（３５０度）することによって形成すも以下にこの波長
変換装置の動作の説明を行う。
あるいは光応用計測分野に使用する光波長変換装置お
よびレーザ光源に関するものであも従来の技術 第５図に従来の光導波路型の光波長変換装置の構成図を
示す。 ｌはＬｉＮｂ０ａ基板、 ２は非線形光導波路
３は分極反転領域である。分極反転領域３はＴｉのパ
ターンをリフトオフと蒸着により幅数μｍの周期で形成
Ｌ １１００度程度０温度で熱処理を行うことにより
形成すも 非線形光導波路２は基板１上にＴａのパター
ンを蒸着、フォトリソグラフィおよびドライエツチング
により形成し このＴａパターンをマスクとして２３０
度 −のピロ燐酸中で熱処理し さらに酸素中で熱処理
（３５０度）することによって形成すも以下にこの波長
変換装置の動作の説明を行う。
半導体レーザ７ （波長８３０ ｎｍ）からの出射した
レーザ光はレンズ８により非線形光導波路２の端面へ集
光され非線形光導波路２を導波する基本波９となる。非
線形光導波路２を伝搬する基本波９は非線形光導波路２
の非線形光学効果により非線形光導波路２を伝搬する第
二次高調波１０ （波長４．１５ｎｍ）へ変換される。
レーザ光はレンズ８により非線形光導波路２の端面へ集
光され非線形光導波路２を導波する基本波９となる。非
線形光導波路２を伝搬する基本波９は非線形光導波路２
の非線形光学効果により非線形光導波路２を伝搬する第
二次高調波１０ （波長４．１５ｎｍ）へ変換される。
この時、基本波９から第二次高調波１０への変換には位
相整合か必要となる力（これは分極反転領域３により実
現可能となム 以上により波長８３０ｎｍの基本波を波
長４１５ｎｍの第二次高調波に変換を行うことができも
以上述べたような第二次高調波が光導波路を伝搬する
光導波路型の光波長変換装置はその第二次高調波が回折
限界まで集光可能でありコヒーレント光を利用する光情
報処理分野、あるいは光応用計測分野に使用可能である
。
相整合か必要となる力（これは分極反転領域３により実
現可能となム 以上により波長８３０ｎｍの基本波を波
長４１５ｎｍの第二次高調波に変換を行うことができも
以上述べたような第二次高調波が光導波路を伝搬する
光導波路型の光波長変換装置はその第二次高調波が回折
限界まで集光可能でありコヒーレント光を利用する光情
報処理分野、あるいは光応用計測分野に使用可能である
。
発明が解決しようとする課題
しかしなか社 上記のような光導波路型の光波長変換装
置では非線形光導波路を伝搬する基本波は装置端面にお
いて反射され非線形光導波路を逆進し非線形光導波路入
射端より出射しレーザ光源へ戻り光として入蝕 戻り光
によりレーザ光のノイズの発生、波長の変動など発振が
不安定となムこのノイズの増加は光情報処理や光応用計
測において著しい特性の劣化を引き起こす。また波長変
動は波長変換装置の変換効率を低下させも このため戻
り光の無い波長変換装置の実現という課題があった 課題を解決するための手段 本発明（よ 基板と前記基板の表面あるいは内部に形成
され 内部を伝搬する第一の光を内部を伝搬する第二の
光へ波長変換変換する第一の光導波路と、前記第一の光
導波路の前記第一の光および第二のか射出する端部近傍
に形成され前記第一の光または前記第二の光のどちらか
一方の光を第二の光導波路へ結合する方向性結合器と、
前記方向性結合器を通過した第一の光が伝搬する第一の
光導波路または第二の光導波路の端部もしくは端部近傍
に第一の光を吸収する光吸収部もしくは第一の光を散乱
する散乱部を有する波長変換装置そして、本発明はこの
波長変換装置と半導体レーザ素子を有し前記半導体レー
ザ素子からの出射光が前記波長変換装置の前記第一の光
であることを特徴とするレーザ光源を提供する。
置では非線形光導波路を伝搬する基本波は装置端面にお
いて反射され非線形光導波路を逆進し非線形光導波路入
射端より出射しレーザ光源へ戻り光として入蝕 戻り光
によりレーザ光のノイズの発生、波長の変動など発振が
不安定となムこのノイズの増加は光情報処理や光応用計
測において著しい特性の劣化を引き起こす。また波長変
動は波長変換装置の変換効率を低下させも このため戻
り光の無い波長変換装置の実現という課題があった 課題を解決するための手段 本発明（よ 基板と前記基板の表面あるいは内部に形成
され 内部を伝搬する第一の光を内部を伝搬する第二の
光へ波長変換変換する第一の光導波路と、前記第一の光
導波路の前記第一の光および第二のか射出する端部近傍
に形成され前記第一の光または前記第二の光のどちらか
一方の光を第二の光導波路へ結合する方向性結合器と、
前記方向性結合器を通過した第一の光が伝搬する第一の
光導波路または第二の光導波路の端部もしくは端部近傍
に第一の光を吸収する光吸収部もしくは第一の光を散乱
する散乱部を有する波長変換装置そして、本発明はこの
波長変換装置と半導体レーザ素子を有し前記半導体レー
ザ素子からの出射光が前記波長変換装置の前記第一の光
であることを特徴とするレーザ光源を提供する。
作用
以上の様な構成では 非線形光導波路を伝搬する基本波
と第二次高調波を方向性結合器により分離し基本波のみ
を散乱もしくは吸収する。このことにより装置の出射端
による基本波の反射を防止でき、光導波路を逆進する戻
り光を防止できる。
と第二次高調波を方向性結合器により分離し基本波のみ
を散乱もしくは吸収する。このことにより装置の出射端
による基本波の反射を防止でき、光導波路を逆進する戻
り光を防止できる。
このようにして戻り光を防止することによりノイズの少
な匹 発振が安定な波長変換装置およびレーザ光源を実
現することが可能であり、コヒーレント光を利用する光
情報処理分野 あるいは光応用計測分野に使用可能とな
る。
な匹 発振が安定な波長変換装置およびレーザ光源を実
現することが可能であり、コヒーレント光を利用する光
情報処理分野 あるいは光応用計測分野に使用可能とな
る。
実施例
第１図は本第１の発明の実施例の波長変換装置である。
１はＭｇ○ドープのＬ ｉ Ｎ ｂ−Ｔ ａ＋−０２
（０≦Ｘ≦１）基板であり、たとえばＬｉＮｂＯ２を用
いる。 ２は非線形光学効果 ３は分極反転領域 ４は
方向性結合器 ５は吸収類［１３，１４は光導波路であ
る。分極反転領域３はＴｉのパターンをリフトオフと蒸
着により幅数μｍの周期で形成Ｌ １１００度程度０
温度で熱処理を行うことにより形成する。非線形光導波
路２．方向性結合器４．光導波路１３および光導波路１
４は基板１上に同時に形成したもので、Ｔａのパターン
を蒸着、 フォトリソグラフィおよびドライエツチング
により形成限 このＴａパターンをマスクとして２３０
度のピロ燐酸中で熱処理し さらに酸素中で熱処理（３
５０度）することによって形成する。吸収領域５は光導
波路１４上にリフトオフと蒸着によって形成したＳ１薄
膜である。
（０≦Ｘ≦１）基板であり、たとえばＬｉＮｂＯ２を用
いる。 ２は非線形光学効果 ３は分極反転領域 ４は
方向性結合器 ５は吸収類［１３，１４は光導波路であ
る。分極反転領域３はＴｉのパターンをリフトオフと蒸
着により幅数μｍの周期で形成Ｌ １１００度程度０
温度で熱処理を行うことにより形成する。非線形光導波
路２．方向性結合器４．光導波路１３および光導波路１
４は基板１上に同時に形成したもので、Ｔａのパターン
を蒸着、 フォトリソグラフィおよびドライエツチング
により形成限 このＴａパターンをマスクとして２３０
度のピロ燐酸中で熱処理し さらに酸素中で熱処理（３
５０度）することによって形成する。吸収領域５は光導
波路１４上にリフトオフと蒸着によって形成したＳ１薄
膜である。
以下にこの波長変換装置の第１の動作の説明を行う。半
導体レーザ７ （波長８３０ｎｍ）からの出射したレー
ザ光はレンズ８により非線形光導波路２の端面へ集光さ
れ非線形光導波路２を導波する基本波９となる。非線形
光導波路２を伝搬する基本波９は非線形光導波路２の非
線形光学効果により非線形光導波路２を伝搬する第二次
高調波１０ （波長４１５ｎｍ）へ変換される。基本波
９から第二次高調波１０への変換には位相整合が必要と
なる力＼ これは分極反転領域３により実現可能となる
。基本波９と第二次高調波ｌＯは非線形光導波路２を伝
搬して方向性結合器４へ入射する。
導体レーザ７ （波長８３０ｎｍ）からの出射したレー
ザ光はレンズ８により非線形光導波路２の端面へ集光さ
れ非線形光導波路２を導波する基本波９となる。非線形
光導波路２を伝搬する基本波９は非線形光導波路２の非
線形光学効果により非線形光導波路２を伝搬する第二次
高調波１０ （波長４１５ｎｍ）へ変換される。基本波
９から第二次高調波１０への変換には位相整合が必要と
なる力＼ これは分極反転領域３により実現可能となる
。基本波９と第二次高調波ｌＯは非線形光導波路２を伝
搬して方向性結合器４へ入射する。
方向性結合器４は第二次高調波ｌＯの波長（４１５ｎｍ
）について設計したもので第二次高調波１０のみを光導
波路１３へ結合させる（第二次高調波１１）。さらに第
二次高調波１１は光導波路１３を伝搬し光導波路１３の
端面より装置外部へ出射する（第二次高調波１５）。一
方基本波９は方向性結合器４で光導波路１３とは結合せ
ず光導波路１４を伝搬する（基本波１２）。方向性結合
器４を通過する基本波１２は吸収領域５へ入射し吸収領
域５において吸収される。したがって導波端面での反射
か非線形光導波路２を逆進し半導体レーザ７へ戻ること
がなく、戻り光の無い波長変換装置を実現できる。
）について設計したもので第二次高調波１０のみを光導
波路１３へ結合させる（第二次高調波１１）。さらに第
二次高調波１１は光導波路１３を伝搬し光導波路１３の
端面より装置外部へ出射する（第二次高調波１５）。一
方基本波９は方向性結合器４で光導波路１３とは結合せ
ず光導波路１４を伝搬する（基本波１２）。方向性結合
器４を通過する基本波１２は吸収領域５へ入射し吸収領
域５において吸収される。したがって導波端面での反射
か非線形光導波路２を逆進し半導体レーザ７へ戻ること
がなく、戻り光の無い波長変換装置を実現できる。
第２図は氷菓１の発明の第２の実施例の波長変換装置で
ある。 １はＭｇＯドープのＬｉＮｂ−Ｔａ＋−−０３
（０≦Ｘ≦１）基板であり、たとえばＬｉＮｂＯ５を用
いる。２は非線形光導波路 ３は分極反転領域 ４は方
向性結合器 ５は吸収領域 １３、１４は光導波路であ
る。分極反転領域３はＴｌのパターンをリフトオフと蒸
着により幅数μｍの周期で形成Ｌ １１００度程度０
温度で熱処理を行うことにより形成する。非線形光導波
路２゜方向性結合器４．光導波路１３および光導波路１
４は基板１上に同時に形成したもので、Ｔａのパターン
を蒸着、フォトリソグラフィおよびドライエツチングに
より形成し このＴａパターンをマスクとして２３０度
のピロ燐酸中で熱処理し さらに酸素中で熱処理（３５
０度）することによって形成する。吸収領域５は光導波
路１３上にリフトオフと蒸着によって形成したＳｉ薄膜
であム以下にこの波長変換装置の動作の説明を行う。
ある。 １はＭｇＯドープのＬｉＮｂ−Ｔａ＋−−０３
（０≦Ｘ≦１）基板であり、たとえばＬｉＮｂＯ５を用
いる。２は非線形光導波路 ３は分極反転領域 ４は方
向性結合器 ５は吸収領域 １３、１４は光導波路であ
る。分極反転領域３はＴｌのパターンをリフトオフと蒸
着により幅数μｍの周期で形成Ｌ １１００度程度０
温度で熱処理を行うことにより形成する。非線形光導波
路２゜方向性結合器４．光導波路１３および光導波路１
４は基板１上に同時に形成したもので、Ｔａのパターン
を蒸着、フォトリソグラフィおよびドライエツチングに
より形成し このＴａパターンをマスクとして２３０度
のピロ燐酸中で熱処理し さらに酸素中で熱処理（３５
０度）することによって形成する。吸収領域５は光導波
路１３上にリフトオフと蒸着によって形成したＳｉ薄膜
であム以下にこの波長変換装置の動作の説明を行う。
半導体レーザ７（波長８３０ ｎｍ）からの８射したレ
ーザ光はレンズ８により非線形光導波路２の端面へ集光
され非線形光導波路２を導波する基本波９となる。非線
形光導波路２を伝搬する基本波９は非線形光導波路２の
非線形光学効果により非線形光導波路２を伝搬する第二
次高調波１０（波長４１５ｎｍ）へ変換される。基本波
９から第二次高調波１０への変換には位相整合が必要と
なる力（これは分極反転領域３により実現可能となる。
ーザ光はレンズ８により非線形光導波路２の端面へ集光
され非線形光導波路２を導波する基本波９となる。非線
形光導波路２を伝搬する基本波９は非線形光導波路２の
非線形光学効果により非線形光導波路２を伝搬する第二
次高調波１０（波長４１５ｎｍ）へ変換される。基本波
９から第二次高調波１０への変換には位相整合が必要と
なる力（これは分極反転領域３により実現可能となる。
基本波９と第二次高調波ｌＯは非線形光導波路２を伝搬
して方向性結合器４へ入射する。方向性結合器４は基本
波９の波長（８３０ｎｍ）について設計したもので基本
波９のみを光導波路１３へ結合させる（基本波１２）。
して方向性結合器４へ入射する。方向性結合器４は基本
波９の波長（８３０ｎｍ）について設計したもので基本
波９のみを光導波路１３へ結合させる（基本波１２）。
第二次高調波１０は方向性結合器４で光導波路１３とは
結合せず光導波路１４を伝搬しく第二次高調波１１）、
端面より装置外部へ出射する（第二次高調波１５）。方
向性結合器４により光導波路１３へ結合された基本波１
２は吸収領域５へ入射し吸収領域５において吸収される
。したがって導波端面での反射が非線形光導波路２を逆
進し半導体レーザ７へ戻ることがなく戻り光の無い波長
変換装置を実現できる。
結合せず光導波路１４を伝搬しく第二次高調波１１）、
端面より装置外部へ出射する（第二次高調波１５）。方
向性結合器４により光導波路１３へ結合された基本波１
２は吸収領域５へ入射し吸収領域５において吸収される
。したがって導波端面での反射が非線形光導波路２を逆
進し半導体レーザ７へ戻ることがなく戻り光の無い波長
変換装置を実現できる。
第３図は氷菓１の発明の実施例の波長変換装置である。
１はＭｇＯドープのＬ ｉ Ｎ ｂｘＴ ａｔ−ｘＱ
ｌ（０≦Ｘ≦１）基板であり、たとえばＬｉＮｂＯ３を
用いる。２は非線形光導波路 ３は分極反転類＠ ４は
方向性結合器 ６は散乱ｉ１３，１４は光導波路である
。分極反転領域３はＴｉのパターンをリフトオフと蒸着
により幅数μｍの周期で形成り、、 １１００度程度
０温度で熱処理を行うことにより形成する。非線形光導
波路２．方向性結合器４．光導波路１３および光導波路
１４は基板１上に同時に形成したものて Ｔａのパター
ンを蒸着、フォトリソグラフィおよびドライエツチング
により形成し このＴａパターンをマスクとして２３０
度のピロ燐酸中で熱処理し さらに酸素中で熱処理（３
５０度）することによって形成する。散乱部６は光導波
路１４端面を破壊することにより形成する。
ｌ（０≦Ｘ≦１）基板であり、たとえばＬｉＮｂＯ３を
用いる。２は非線形光導波路 ３は分極反転類＠ ４は
方向性結合器 ６は散乱ｉ１３，１４は光導波路である
。分極反転領域３はＴｉのパターンをリフトオフと蒸着
により幅数μｍの周期で形成り、、 １１００度程度
０温度で熱処理を行うことにより形成する。非線形光導
波路２．方向性結合器４．光導波路１３および光導波路
１４は基板１上に同時に形成したものて Ｔａのパター
ンを蒸着、フォトリソグラフィおよびドライエツチング
により形成し このＴａパターンをマスクとして２３０
度のピロ燐酸中で熱処理し さらに酸素中で熱処理（３
５０度）することによって形成する。散乱部６は光導波
路１４端面を破壊することにより形成する。
以下にこの波長変換装置の第１の動作の説明を行う。半
導体レーザ７ （波長８３０ｎｍ）からの出射したレー
ザ光はレンズ８により非線形光導波路２の端面へ集光さ
れ非線形光導波路２を導波する基本波９となも 非線形
光導波路２を伝搬する基本波９は非線形光導波路２の非
線形光学効果により非線形光導波路２を伝搬する第二次
高調波１０ （波長４１５ｎｍ）へ変換される。基本波
９から第二次高調波１０への変換には位相整合が必要と
なる力交 これは分極反転領域３により実現可能となる
。基本波９と第二次高調波１０は非線形光導波路２を伝
搬して方向性結合器４へ入射する。
導体レーザ７ （波長８３０ｎｍ）からの出射したレー
ザ光はレンズ８により非線形光導波路２の端面へ集光さ
れ非線形光導波路２を導波する基本波９となも 非線形
光導波路２を伝搬する基本波９は非線形光導波路２の非
線形光学効果により非線形光導波路２を伝搬する第二次
高調波１０ （波長４１５ｎｍ）へ変換される。基本波
９から第二次高調波１０への変換には位相整合が必要と
なる力交 これは分極反転領域３により実現可能となる
。基本波９と第二次高調波１０は非線形光導波路２を伝
搬して方向性結合器４へ入射する。
方向性結合器４は第二次高調波１０の波長（４１５ｎｍ
）について設計したもので第二次高調波１０のみを光導
波路１３へ結合させる（第二次高調波１１）。さらに第
二次高調波１１は光導波路１３を伝搬し光導波路１３の
端面より装置外部へ出射する（第二次高調波１５）。一
方基本波９は方向性結合器４で光導波路１３とは結合せ
ず光導波路１４を伝搬する（基本波１２）。方向性結合
器４を通過する基本波１２は散乱部６へ入射し散乱部６
において散乱されも したがって導波端面での反射が非
線形光導波路２を逆進し半導体レーザ７へ戻ることがな
く、戻り光の無い波長変換装置を実現できる。
）について設計したもので第二次高調波１０のみを光導
波路１３へ結合させる（第二次高調波１１）。さらに第
二次高調波１１は光導波路１３を伝搬し光導波路１３の
端面より装置外部へ出射する（第二次高調波１５）。一
方基本波９は方向性結合器４で光導波路１３とは結合せ
ず光導波路１４を伝搬する（基本波１２）。方向性結合
器４を通過する基本波１２は散乱部６へ入射し散乱部６
において散乱されも したがって導波端面での反射が非
線形光導波路２を逆進し半導体レーザ７へ戻ることがな
く、戻り光の無い波長変換装置を実現できる。
第４図は氷菓１の発明の第２の実施例の波長変換装置で
あム １はＭｇＯドープのＬｉＮｂ−Ｔａ１−・０ａ（
０≦Ｘ≦１）基板であり、たとえばＬｉＮｂ０ａを用い
ム ２は非線形光導波路 ３は分極反転領域 ４は方向
性結合器 ６は散乱部１３゜１４は光導波路である。分
極反転領域３はＴｉのパターンをリフトオフと蒸着によ
り幅数μｍの周期で形成Ｌ １１００度程度０温度で
熱処理を行うことにより形成する。非線形光導波路２．
方向性結合器４．光導波路１３および光導波路１４は基
板１上に同時に形成したもので、Ｔａのパターンを蒸着
、フォトリソグラフィおよびドライエツチングにより形
成し このＴａパターンをマスクとして２３０度のピロ
燐酸中で熱処理し さらに酸素中で熱処理（３５０度）
することによって形成する。散乱部６は光導波路１３ｇ
面を破壊することにより形成する。
あム １はＭｇＯドープのＬｉＮｂ−Ｔａ１−・０ａ（
０≦Ｘ≦１）基板であり、たとえばＬｉＮｂ０ａを用い
ム ２は非線形光導波路 ３は分極反転領域 ４は方向
性結合器 ６は散乱部１３゜１４は光導波路である。分
極反転領域３はＴｉのパターンをリフトオフと蒸着によ
り幅数μｍの周期で形成Ｌ １１００度程度０温度で
熱処理を行うことにより形成する。非線形光導波路２．
方向性結合器４．光導波路１３および光導波路１４は基
板１上に同時に形成したもので、Ｔａのパターンを蒸着
、フォトリソグラフィおよびドライエツチングにより形
成し このＴａパターンをマスクとして２３０度のピロ
燐酸中で熱処理し さらに酸素中で熱処理（３５０度）
することによって形成する。散乱部６は光導波路１３ｇ
面を破壊することにより形成する。
以下にこの波長変換装置の動作の説明を行う。
半導体レーザ７（波長８３０ ｎｍ）からの出射したレ
ーザ光はレンズ８により非線形光導波路２の端面へ集光
され非線形光導波路２を導波する基本波９となム 非線
形光導波路２を伝搬する基本波９は非線形光導波路２の
非線形光学効果により非線形光導波路２を伝搬する第二
次高調波１０（波長４１５ｎｍ）へ変換され４ 基本波
９から第二次高調波１０への変換には位相整合が必要と
なる力交 これは分極反転領域３により実現可能となる
。
ーザ光はレンズ８により非線形光導波路２の端面へ集光
され非線形光導波路２を導波する基本波９となム 非線
形光導波路２を伝搬する基本波９は非線形光導波路２の
非線形光学効果により非線形光導波路２を伝搬する第二
次高調波１０（波長４１５ｎｍ）へ変換され４ 基本波
９から第二次高調波１０への変換には位相整合が必要と
なる力交 これは分極反転領域３により実現可能となる
。
基本波９と第二次高調波１０は非線形光導波路２を伝搬
して方向性結合器４へ入射する。方向性結合器４は基本
波９の波長（８３０ｎｍ）について設計したもので基本
波９のみを光導波路１３へ結合させる（基本波１２）。
して方向性結合器４へ入射する。方向性結合器４は基本
波９の波長（８３０ｎｍ）について設計したもので基本
波９のみを光導波路１３へ結合させる（基本波１２）。
第二次高調波１０は方向性結合器４で光導波路１３とは
結合せず光導波路１４を伝搬しく第二次高調波１１）、
端面より装置外部へ出射する（第二次高調波１５）。方
向性結合器４により光導波路１３へ結合された基本波１
２は散乱部６へ入射し散乱部６において散乱される。し
たがって導波端面での反射が非線形光導波路２を逆進し
半導体レーザ７へ戻ることがなく戻り光の無い波長変換
装置を実現できる。
結合せず光導波路１４を伝搬しく第二次高調波１１）、
端面より装置外部へ出射する（第二次高調波１５）。方
向性結合器４により光導波路１３へ結合された基本波１
２は散乱部６へ入射し散乱部６において散乱される。し
たがって導波端面での反射が非線形光導波路２を逆進し
半導体レーザ７へ戻ることがなく戻り光の無い波長変換
装置を実現できる。
以上ＬｉＮｂＯ５基板上に形成された波長変換装置につ
いて述べたがこの限りはなくＬｊＴａ０３基板やＬｉＮ
ｂ０ａのＬｉＴａ０ａの混晶でもよ１％また光導波路も
プロトン交換光導波路に限られるものではなくたとえば
イオン注入によって形成されたものでも実現可能である
。
いて述べたがこの限りはなくＬｊＴａ０３基板やＬｉＮ
ｂ０ａのＬｉＴａ０ａの混晶でもよ１％また光導波路も
プロトン交換光導波路に限られるものではなくたとえば
イオン注入によって形成されたものでも実現可能である
。
発明の詳細
な説明したように 本発明によれば戻り光がなく、ノイ
ズの少なし＼ 発振が安定な波長変換装置を実現するこ
とが可能であり、またこの波長変換装置を用いたレーザ
光源を得ることができ、その実用的効果は大きい。
ズの少なし＼ 発振が安定な波長変換装置を実現するこ
とが可能であり、またこの波長変換装置を用いたレーザ
光源を得ることができ、その実用的効果は大きい。
第１図は第１の発明の第一の実施例の波長変換装置の斜
視＠ 第２図は第１の発明の第２の実施例の波長変換装
置の斜視は 第３図は第２の発明の第１の実施例の波長
変換装置の斜視図 第４図は第２の発明の第２の実施例
の波長変換装置の斜視図 第５図は従来の波長変換装置
の斜視図である。 １・・・基板、 ２・・・非線形光導波路 ３・・・分
極反転領域 ４・・・方向性結合器 ５・・・吸収領域
６・・・散乱能 ７・・・半導体レーサミ ８・・・
レンズ、 ９．１２・・・基本波、１０、 １１． １
５・・・第二次高調波、 １３，１４・・・光導波臨
視＠ 第２図は第１の発明の第２の実施例の波長変換装
置の斜視は 第３図は第２の発明の第１の実施例の波長
変換装置の斜視図 第４図は第２の発明の第２の実施例
の波長変換装置の斜視図 第５図は従来の波長変換装置
の斜視図である。 １・・・基板、 ２・・・非線形光導波路 ３・・・分
極反転領域 ４・・・方向性結合器 ５・・・吸収領域
６・・・散乱能 ７・・・半導体レーサミ ８・・・
レンズ、 ９．１２・・・基本波、１０、 １１． １
５・・・第二次高調波、 １３，１４・・・光導波臨
Claims (2)
- （１）基板と前記基板の表面あるいは内部に形成され内
部を伝搬する第一の光を内部を伝搬する第二の光へ波長
変換変換する第一の光導波路と、前記第一の光導波路の
前記第一の光および第二のが射出する端部近傍に形成さ
れ前記第一の光または前記第二の光のどちらか一方の光
を第二の光導波路へ結合する方向性結合器と、前記方向
性結合器を通過した第一の光が伝搬する第一の光導波路
または第二の光導波路の端部もしくは端部近傍に第一の
光を吸収する光吸収部もしくは第一の光を散乱する散乱
部を有することを特徴とする波長変換装置。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の波長変換装置と半導
体レーザ素子を有し前記半導体レーザ素子からの出射光
が前記波長変換装置の前記第一の光であることを特徴と
するレーザ光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28870090A JPH04162023A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 光波長変換装置およびレーザ光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28870090A JPH04162023A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 光波長変換装置およびレーザ光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162023A true JPH04162023A (ja) | 1992-06-05 |
Family
ID=17733561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28870090A Pending JPH04162023A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 光波長変換装置およびレーザ光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04162023A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06118466A (ja) * | 1992-10-07 | 1994-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 第２次高調波発生素子および第２次高調波発生装置およびそれらの製造方法 |
| EP0703472A1 (de) * | 1994-09-21 | 1996-03-27 | Alcatel SEL Aktiengesellschaft | Integrierte optische Koppelanordnung mit Umlenkspiegel |
| JP2008287215A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-27 | Seiko Epson Corp | 光源装置、照明装置、モニタ装置及びプロジェクタ |
| JP2018194710A (ja) * | 2017-05-18 | 2018-12-06 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換デバイス |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP28870090A patent/JPH04162023A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06118466A (ja) * | 1992-10-07 | 1994-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 第２次高調波発生素子および第２次高調波発生装置およびそれらの製造方法 |
| EP0703472A1 (de) * | 1994-09-21 | 1996-03-27 | Alcatel SEL Aktiengesellschaft | Integrierte optische Koppelanordnung mit Umlenkspiegel |
| JP2008287215A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-27 | Seiko Epson Corp | 光源装置、照明装置、モニタ装置及びプロジェクタ |
| JP4502016B2 (ja) * | 2007-04-18 | 2010-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置、照明装置、モニタ装置及びプロジェクタ |
| JP2018194710A (ja) * | 2017-05-18 | 2018-12-06 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換デバイス |
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