JPH0415926B2 - - Google Patents
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Description
［技術分野］
本発明は、一般に液晶表示（LCD）装置、特
に、記憶効果を有するネマチツクLCD装置に関
するものである。 ［背景技術］ ツイステツド・ネマチツク（TN）表示装置
や、ネマチツク又はコレステリツクホストのゲス
トとして二色性染料を有するゲスト・ホスト表示
装置のような、直示式電界効果液晶表示（以下、
LCDという）装置が従来から知られている。こ
れらの従来のLCD装置は、Von／Vth比が高いた
めに多重化容量が限られている。ただし、Vonお
よびVthは、それぞれ装置がオンおよび閾値の場
合の実効電圧である。その上、これらの従来のネ
マチツクLCD装置は、いかなる記憶効果をも有
しないで直接画素駆動／再生回路がその作動に対
して必要である。これらの理由から従来のネマチ
ツクLCD装置は、一般にデジタル時計の表示装
置のような、情報量の小さいタイプの表示のみに
適している。 従来、TN型のような電界効果LCDセルは、例
えば下記のように構成される。正の誘電異方性を
有する液晶材料はLC材料の分子が上側基板及び
下側基板と平行に、その間で90°ねじれるように、
平行な上側ガラス基板及び下側ガラス基板の間に
挟まれる。このようなLCDセルは互いに直角で
交差する偏光軸を有する一対の偏光子間に配置さ
れる。この典型的な構造では、装置に突き当たる
光は、先ず一方の偏光子によつて線形に偏光され
る。次にその偏光面はねじれた配置の液晶分子に
よつて90°回転され、最後に光は他方の偏光子を
透過する。文字、数字、その他の記号のパターン
で形成された透明な電極は上側基板および下側基
板の内面に配置され、装置の閾値電圧よりも大き
な電圧を印加されている場合、LC分子は、ほぼ
垂直な方向又は電界の方向に配列される。これら
の条件の下では、入射光の偏光面は液晶分子によ
つて回転されず、従つて入射光は検光子によつて
遮断される。よつて光の透過および遮断を与える
ためにLC内のLC媒体の方向を制御することによ
つてパターンが表示される。 記憶効果を有するスメクチツク液晶表示装置は
公知である。この種のLCD装置は、情報を普通
は透明な背景中の散乱領域の形で不明確な記憶を
行なう。情報は、輝度変調されたレーザ光線によ
つて記録される。このレーザ光線は光散乱の中心
を生成するようにLC材料を局部的に加熱する。
さらに詳細については、例えば、A.G.ジユーイ
等の「レーザによつてアドレス指定される液晶投
射表示装置」「S.I.D紀要」第19／１巻（1978年）
１〜７頁を参照のこと。 負の誘電異方性を有するネマチツク材料とコレ
ステリツク材料との混合物の記憶効果は、ハイル
マイヤー及びゴルトマツヒヤーによつて観察さ
れ、「第57回IEEE紀要」第34巻（1969年）に報告
された。ハイルマイヤー等によれば、電圧の印加
されていないサンプルは、最初は比較的透明状態
であつた。充分な大きさの直流又は低周波交流電
圧を印加すると、動的散乱として知られている強
い散乱が誘導された。電圧が取り除かれると、動
的散乱は消えるが、準永久前方散乱状態が残る。
記憶減衰時間は、数時間のオーダーであると報告
された。さらに音声周波数信号を印加することに
よつて、散乱状態は消去され透明状態に戻される
ことができる。 液晶表示動作に対する弱界面結合の効果は、
「液晶表示装置における弱界面結合効果の分析」
と題するN.ネーリング等の論文に報告されてい
る。この論文によれば、液晶材料対基板異方性を
制御することによつて、LCD装置の多重化容量
は改善されることができる。 これまで、液晶表示装置を作るのに、いくつか
の種類の表面処理技術が使用され適用されてき
た。例えば、発明の名称が「液晶表示装置」であ
るM.カナザキ等の米国特許第4140371号明細書に
はラビングまたは斜方蒸着によつて形成された配
向制御構造を用いて結晶がわずかに傾斜して配向
されたLCD装置が記載されている。 液晶物質の分子の配向を制御するために、いく
つかの従来のLCD装置は、界面活性剤コーテイ
ングを使用している。例えば、発明の名称が「表
面配向方式液晶装置」であるD.マイヤーホーフ
ア等の米国特許第3967883号明細書には、液晶物
質の分子の配向を制御するために、LCD装置の
外囲の１つまたは複数の内面は連続した傾斜蒸着
層で被覆されることが記載されている。 表面ラビング技術を使用する他の従来のLCD
装置が、発明の名称「ツイステツド・ネマチツク
電界効果液晶表示セルの製造方法」である、K.
ヤノ等の米国特許第4083099号明細書に記載され
ている。この特許によれば、LCD装置の透明絶
縁膜の表面は、所定の方向に位置合せされた微小
溝を形成するようにラビングされる。LCD装置
の２枚のガラス基板は、このラビング技術を用い
て形成された微小溝を有する透明絶縁膜を支持す
る。さらにLDCの光学効果の均一性を助長する
ためにこのラビング技術を適用することが、発明
の名称「液晶構成要素用電極」である、M.ビー
ルマン等の米国特許第3892471号明細書にも記載
されている。 液晶材料対基板異方性に関する表面処理効果に
ついては、S.ナエムラの論文「MBBAと表面処
理された基板間の異方性相互作用」「物理学雑誌」
討論C3、第４号補遣、第４巻、C3−514〜518頁
に記載されている。この論文では、MBBAと
種々の界面活性剤層を有する基板間の界面で容易
軸及び固定強度係数を測定したことが報告されて
いる。 ［発明の開示］ 本発明の主な目的は改良された直示式高情報量
のネマチツク液晶表示（LCD）装置を提供する
ことにある。 本発明の他の目的は、固有の記憶効果を有する
２端子LCDセルを提供することにある。 本発明の他の目的は適正動作のためにリフレツ
シユ回路を必要としない低電圧低出力LCDセル
を提供することにある。 本発明の他の目的は、記憶効果式ツイステツ
ド・ネマチツク（TN）LCDセルを提供すること
にある。 本発明の他の目的は、記憶効果式ネマチツクホ
モジニアスLCDセルを提供することにある。 本発明の教示によれば、LCD基板の表面処理
は液晶材料対基板異方性表面固着力を充分に弱く
設定するように行われる。さらに詳細には、LC
媒体を変形させて活動状態にするために、印加電
界は、飽和状態へ駆動されないうちに異方性表面
固着（ASA）力及びLC長距離秩序力の両方に逆
つて働く。LCセルを飽和状態又は活動状態に駆
動した後、印加電界は、LC長距離秩序力と結合
してLC媒体をその静止状態に復帰するために
ASA力に対抗する。設計によつてASA力が充分
弱く設定されると、印加電界が、LCセルを充分
長時間の間その活動状態に駆動した後、Vbiasの
値にまで低下されると、記憶効果が生じる。ただ
しVbiasは、LC長距離秩序力と結合されると
ASA力よりも大きくなり、それによつてセルが
静止状態に復帰するのを防止するように設計によ
つて設定されている。 本発明の上述の目的及び他の目的、特徴および
長所は添付図面に示されるように本発明の好まし
い実施例の詳述から明らかにされた。 ［実施例］ 本発明による弱界面型記憶効果を有する２電極
LDC装置の好ましい実施例は、第１図および第
２図に示されるようなネマチツクホモジニアスセ
ル２０、または第３図に示されるようなツイステ
ツド・ネマチツク（TN）セルのいずれかであ
る。どちらの実施例でも、表面処理によつて異方
性表面固着（ASA）力は弱く設定され、それに
よつて一旦セル２０，４０が外部印加電界によつ
て一時的に活動状態に駆動されると、静止状態に
復帰するのを防止する。 ホモジニアスセル２０は、Δε＝ε11−ε12＞０
又はΔε＜０によつて、２種の形式をとることが
できる。ただし、ε11及びε12は、それぞれLC分
子の長軸に平行及び垂直な誘電率である。どちら
の場合でも、LCセルは一対の基板１０、それぞ
れ上側基板および下側基板１０の内面に形成され
た上側電極及び下側電極１２、上側電極と下側電
極間に挟まれた液晶材料１８を含んでいる。第１
図及び第２図を参照すると、セル２０は平面Ｚ＝
０とＺ＝ｄの間に閉じ込められた厚さｄのネマチ
ツクLC層を含んでいる。 Δε＞０の場合、静止状態でLCデイレクタ又は
LC材料１８は、常にXZ平面中にあり、外部電界
が存在しない場合、デイレクタは至る所でＸ軸と
平行であるか又はＸ軸に対して小さなプレテイル
ト角θを有しているかのいずれかである。 第１図及び第２図のLCセル２０は、好ましく
は電極１２を形成するインジユウム・酸化スズの
ような誘電性被膜を有するガラス又はプラスチツ
ク製の基板１０を有している。 本発明の教示によれば、LC配向層１４は電極
１２の内面に付着させる。配向層１４によつて、
上側電極及び下側電極１２の表面処理がされ、
LC材料１８対基板１０の異方性表面固着
（ASA）力を臨界値以下に調節して、２電極ホモ
ジニアスLCセル２０に記憶効果を与える。 Δε＞０のホモジニアスLCセルでは、閾値電圧
Vthは次のように計算される。 Vth＝πν′／｜ε11−ε12／K33｜１／２ (1) ただし、ν′は次式を満足する。 Cot［π／２ν′（k33／k11）1/2］＝λν′（k33／k11
）1/2(2) ここで、k11およびk33はそれぞれLCのスプレ
イ及び曲りの弾性定数である。定数λは次式で表
わされる。 λ＝πk33／Cd (3) ただしＣは単位面積当りの異方性表面固着
（ASA）エネルギーである。 LC材料１８の分子を第１図に示されるような
第１の配向配列から第２図に示されるような第２
の配向配列へ配向させるためには、電極１２に印
加される外部印加電圧（図示せず）は、電極１２
間でＺ方向の飽和電界を発生するために飽和電圧
レベルまで上昇さねばならない。この飽和電圧
は、次式によつて決定される。 Vsat＝πν″／｜ε11−ε12／K33｜１／２ (4) ただし、ν″は次式を満足する。 coth［１／2πν″］＝λν″ (5) またk11とk33及びＣは、上記のように規定さ
れる。 本発明の教示によれば、第１図に示すように多
数のLCセル２０を含むLCD装置を作動させるに
当つては、各セル２０は外部印加電圧源によつて
閾値電圧Vth以下の電圧Vbiasでバイアスをかけ
られねばならない。次に通常の一度に一行、３−
１又は２−１行列アドレシング装置は、LCセル
２０をオンにするために使用される。これらのア
ドレシング装置は、当業者に周知である。例え
ば、B.J.レツヒナー等の「第59回IEEE紀要」
1566（1971年）所載の論文には、LCD装置を駆動
するための様々な多重式又は行列式アドレシング
装置が記載されている。 特定の画像素子（PEL）をオンにするために、
適正な対応する行電極及び列電極が選択され、印
加電圧が上昇される。飽和電圧まで上昇される
と、印加電界は、第１図に示されるような第１の
配向配列から第２図に示されるような第２の配向
配列にLC分子をスイツチさせるように液晶材料
１８を変形させるためにLC材料１８対基板１０
の異方性表面固着ASA力及び液晶１８の長距離
秩序力の両方に対して作用する。印加電圧は飽和
電圧レベルまで上昇された後、静止レベルVbias
にまで降下される。 本発明の教示によれば、LC配向層１４は次の
ような適当な単位面積当りASAエネルギーを与
えるように設定される。 λ＝πk33／Cd2.0 (6) ASA力がこの基準に従つて設定されると、
Vbiasレベルの印加電圧によつて発生された印加
電界は液晶１８の長距離秩序力と結合して、セル
２０が第２図に示されるような第２の配向配列か
ら第１の配向配列に復帰するのを防止し、それに
よつてセル２０中に記憶効果を生じる。 LCセル２０は、一定のVbias≦Vthの下では第
２の配向配列に留まるので、その適正な作動のた
めにはリフレツシユ及びリフレツシユ回路を必要
としない。 記憶された活動状態の消去、すなわち第２の配
向配列から第１の配向配列（静止状態）への復帰
は、バイアス電界を取り除くこと又はそれを
ASAが優勢となるように充分な低い値にまで減
少させることによつて行なわれる。 好ましい実施例では、MBBA、すなわちΔε＜
０の液晶材料１８は、記憶効果式ホモジニアス
LCセル２０を製造するために使用される。この
場合、方程式(1)(2)(3)(4)(6)にΔε＜０のLC材料を適
用するために、これらの方程式の定数k11及び
k33は交換されなければならない。さらに、
MBBAではΔε＜０なので、このようなホモジニ
アスLCセル２０の静止状態は第２図に示したよ
うになり、セル２０が飽和するまで駆動された後
のその活動状態は第１図に示したようになる。 この好ましい実施例では、電極１２は、インジ
ウム・酸化スズ（ITO）または他の適当な導電性
被膜から製造される。界面活性剤DMOAP（Ｎ、
Ｎ−ジメチル−Ｎ−オクタデシル−３−アミノプ
ロピルトリメトキシルクロライド）はLC位置合
せ層１４を形成するために使用される。 DMOAPを電極１２に付着させてLC配向層１
４を形成するための典型的な手順は、有機及び無
機残渣を取り除くように電極１２を含む基板１０
を完全に清浄にすることである。清浄後、基板１
０はDMOAPの薄い溶液（典型的な場合、0.1容
積％の水溶液）に浸漬する。基板を浸した薄い溶
液は室温で約５分間撹拌される。次に基板１０は
余分のDMOAPを取り除くために脱イオン水で
すすがれる。次に余分の水は清浄なN2で取り除
かれ、最初にDMOAPで被覆された基板１０は
さらに乾燥N2中で典型的な場合では約110℃で約
１時間硬化させる。 この好ましい実施例では、減衰全反射法で測定
されたＣ値は、約1.1×10-2erg／cm2である。k11
が8.4×10-7ダイン、k33が9.5×10-7ダインの場
合、本発明の教示による記憶効果式ホモジニアス
LCセルは、設計方程式(3)および(6)を満たすため
に、LC層の厚さｄが約1.2μｍ又はそれ以下でな
ければならない。 さらに、好ましい実施例において、DMOAP
界面活性被覆１４を選択する代りにヘキサデシル
アミンを選択した場合には、Ｃ値は、約3.5×
10-3erg／cm2と測定された。この場合、LC材料１
８としてMBBAを用いる記憶効果式ホモジニア
スLCセル２０を生成するためにLC層の厚さｄは
約3.8μｍ又はそれ以下が必要である。 前述のように、本発明の教示は、ツイステツド
ネマチツク（TN）表示装置として知られている
別のクラスのLC装置にも適用できる。TN形
LCD装置及びその使用は従来公知である。一般
に、印加電圧がない場合、液晶材料１８（第３
図）の表面層は均一に配向されているが、TNセ
ル４０の２枚の基板１０間のねじれ角が90°にな
る。一方のセル壁面から他方のセル壁面へと連続
回転が生じるように液晶全体が歪む。TNセル４
０がΔε＞０のLC材料１８を有する場合、閾値電
圧Vthを越える電極１２の印加電圧がネマチツ
ク・デイレクタをねじれない状態にし、ホモジニ
アスLCセルの場合第２図に示したのと同様に印
加電界に平行に配向をさせる。さらに詳細には、
「真空科学技術雑誌」第10巻、第５号（1973号）、
804〜823頁のL.A.グツドマンの論文「液晶表示
装置」を参照のこと。 第３図を参照すると、弱界面型記憶効果式
TNLCセル４０は、一対の基板１０、それぞれ
上側基板及び下側基板１０の内面に形成された上
側電極及び下側電極１２、上側電極と下側電極の
間に挟まれた液晶物質１８を含んでいる。第３図
を参照すると、セル４０は平面Ｚ＝０とＺ＝ｄの
間に閉じ込められた厚さｄのネマチツクLC層を
含んでいる。本発明の教示によれば、このLC配
向層１４によつて、上側電極および下側電極１２
の表面処理ができ、LC材料１８対基板１０の異
方性表面（ASA）力を臨界値以下に調節して、
２電極TNセル４０に記憶効果を与える。 第３図を参照すると、TNセル４０の閾値電圧
は、下記の方程式から計算できる。 Vth＝πν′／｜ε11−ε12／K33｜１／２ (7) ただし、ν′は次の方程式を満足する。 coth〔１／２（（2k22−k33）φT2＋k33π2ν′2／k11
）1/2〕＝λ／π（（2k22−k33）φT2＋k112π2ν′2／
k33／k11）1/2(8) ここで、k22はネマチツクLC材料１８のねじれ
弾性定数であり、φTはTNセル４０にしてπ/2で
ある初期ねじれの角度を表わす。対応する飽和電
圧は、次式によつて決定される。 Vsat＝πν″／｜ε11−ε12／K33｜１／２ (9) ただし、ν″は次式を満足する。 coth〔１／２（（2k22−k33）φT2／k33＋π2ν″2）1/
2＝λ／π（（2k22−k33）φT2／k33＋π2ν″2）1/2(1
0) 方程式(8)および(10)の定数λは、前記の方程式(3)
で明記される。 記憶効果式TNセル４０を構成するために、
（2k22−k33）＜０でΔε＞０のネマチツクLC材料
又は混合物１８を使用するのが好ましい。 多数のTNセル４０を含むマトリクスの特定の
画像素子をオンにするために、適当な対応する行
電極および列電極が選択され、印加電圧が上昇さ
れる。飽和電圧まで上昇されると、印加電界は
LC材料１８対基板１０のASA力及び液晶材料１
８の長距離秩序力の両方に逆らつて作用し、液晶
材料１８をねじりLCデイレクタを第３図に示し
たような第１のねじれた配向配列から第２図に示
したような第２のねじれていない配向配列へとス
イツチする。 印加電圧は、飽和電圧に達した後、Vth等しい
か又はそれ以下の静止レベルVbiasまで降下され
る。 記憶効果ホモジニアスLCセル２０の場合につ
いては前述したように、LC配向層１４はまた、
上記の設計方程式６を満足するような適当な単位
面積当りASAエネルギー(C)を与えるように設定
される。この基準に従つてASA力が設定される
と、Vbiasレベルでの印加電界は液晶１８の長距
離秩序力と結合して、液晶材料１８対基板１０の
ASA力に打ち消され、セル第２図に示したよう
な第２の配向配列から第３図に示したような第１
の配向配列に復帰するのを防止し、それによつて
TNセル４０に記憶効果を生じる。TNセルは一
定Vbiasの下で第２の配向配列に留まるので再生
は必要としないし、その適正な作動のために再生
回路は必要とされない。 この場合も、前述のように記憶された活動状態
の消去又は第２の配向配列から第１配向配列（静
止状態）への回復は、バイアス電界を取り除き、
あるいはそれをASA力が優勢となるように充分
低い値まで減少することによつて実現できる。好
ましい記憶効果式TNLCセルの実施例として、
Δε＞０のネマチツクLC材料１８、6CB（４−シ
アノ−4′−ｎ−ヘキシルビフエニル）は、記憶効
果式TNLCセル４０を製造するために使用され
る。6CBでは、室温でk11＝９×10-7ダイン、
k22＝4.5×10-7ダイン、k33＝1.2×10-6ダインと
測定された。LC配向層１４は、斜方蒸着技術を
用いてSiO2で形成されることができる。 この記憶効果式TNセルの好ましい実施例で
は、Ｃ値は約4.6×10-3エルグ／cm2であると測定
される。k11、k22、k33の各パラメータが上記の
6CB状態に一致する場合、TNセル４０のLC層の
厚さｄは、設計方程式６を満足するには約4.1μｍ
に等しいか又はそれ以下でなければならない。 上記の好ましい実施例は、新しいクラスの記憶
効果式LCD装置を提供する。本発明の教示によ
る記憶効果式LCDセルのマトリクスアレイを備
えたLCD装置は、再生の必要がなく従来のLCD
装置のような再生回路を必要としない。 前述の本発明は、従来のLCD装置が非記憶式
であつたこと、またVsat／Vth比が高いために多
重化容量が低かつたことによつて、そのサイズが
制限されていた大パネル型の高情報量のLCD装
置を実現するために適用すると、特に有利であ
る。 LC配向層１４は、界面活性剤コーテイング技
術とホモジニアスセル２０及びTNセル４０のた
めの斜方蒸着技術によつて形成されるが、明らか
なようにこのようなLC配向層１４はこれらの技
術のどちらかまたは両方を組合せて使用して形成
される。さらに、ラビング技術又は他の適当な表
面処理技術によつても同一効果を生ぜられる。 記憶効果式ホモジニアスLCセル２０は、LC材
料又は混合物１８としてMBBAを用いた場合に
ついて説明してきたが、他のLC混合物も可能で
ある。記憶効果式ホモジニアスLCセルを製造す
るための適当なLC材料の他の例として、市販さ
れている20種のLC材料及びその重要なパラメー
タが第表にリストされている。本発明の教示に
よる記憶効果式ホモジニアスLCセルを製造する
ために、設計方程式(6)のパラメータλは第表の
４列目に示したパラメータλsよりも大きくされ
るべきである。 記憶効果式TNLCセル４０は、LC材料又は混
合物１８として6CBを用いた場合について説明し
てきたが、その他のLC混合物も可能である。記
憶効果式TNLCセル４０を製造するためのこの
ような適当なLC材料の他の例として市販されて
いる20種のLC材料及びその対応する重要なパラ
メータが第表にリストされている。本発明の教
示による記憶効果式TNLCセル４０を製造する
ために、設計方程式(6)のパラメータλは第表の
６列目に示したパラメータλsよりも大きくされ
るべきである。 前述の実施例の２つの他の主要な変更例もまた
注目されるべきである。第１に微量の二色性染料
（ゲスト）が、いわゆるネマチツク・ホスト・ゲ
ストLCDを形成するためにネマチツクホモジニ
アスTNセル２０，４０（ホスト）に添加され
る。添加された二色性染料を有する弱界面型記憶
LCを形成するための設計基準は、基本的に前述
の二色性染料を含まないものと同様である。第２
の変更例はノナン酸コレステリルのような微量の
カイラル化合物及びアントラキニン染料のような
微量の二色性染料の両方を加えて、いわゆるコレ
ステリツク・ネマチツク相変化ゲスト・ホスト
LCDを形成することである。その詳細は、例え
ばB.L.ホワイトおよびG.N.テーラーによる「応
用物理学雑誌」第45巻4718頁（1974年）、及び米
国特許第3833287号明細書に記載されている。コ
レステリツク・ネマチツク相変化ゲスト・ホスト
LCDの設計基準もまた前述のTNセルとほぼ同様
である。 上記に詳述した本出願人の発明の説明から本発
明の教示に従つて製造された弱界面型記憶効果式
LCセルを組み込んだLC装置は、従来達成できな
かつた利点を有することがわかる。今までに、示
唆された出願人の発表した装置の変更例及び修正
例に加えて、当業者は他の多くの変更例や修正例
は自明のはずであり、従つて本出願人の発明の範
囲はここに示され、又は示唆された特定の実施例
に限定して解釈されるべきではない。
に、記憶効果を有するネマチツクLCD装置に関
するものである。 ［背景技術］ ツイステツド・ネマチツク（TN）表示装置
や、ネマチツク又はコレステリツクホストのゲス
トとして二色性染料を有するゲスト・ホスト表示
装置のような、直示式電界効果液晶表示（以下、
LCDという）装置が従来から知られている。こ
れらの従来のLCD装置は、Von／Vth比が高いた
めに多重化容量が限られている。ただし、Vonお
よびVthは、それぞれ装置がオンおよび閾値の場
合の実効電圧である。その上、これらの従来のネ
マチツクLCD装置は、いかなる記憶効果をも有
しないで直接画素駆動／再生回路がその作動に対
して必要である。これらの理由から従来のネマチ
ツクLCD装置は、一般にデジタル時計の表示装
置のような、情報量の小さいタイプの表示のみに
適している。 従来、TN型のような電界効果LCDセルは、例
えば下記のように構成される。正の誘電異方性を
有する液晶材料はLC材料の分子が上側基板及び
下側基板と平行に、その間で90°ねじれるように、
平行な上側ガラス基板及び下側ガラス基板の間に
挟まれる。このようなLCDセルは互いに直角で
交差する偏光軸を有する一対の偏光子間に配置さ
れる。この典型的な構造では、装置に突き当たる
光は、先ず一方の偏光子によつて線形に偏光され
る。次にその偏光面はねじれた配置の液晶分子に
よつて90°回転され、最後に光は他方の偏光子を
透過する。文字、数字、その他の記号のパターン
で形成された透明な電極は上側基板および下側基
板の内面に配置され、装置の閾値電圧よりも大き
な電圧を印加されている場合、LC分子は、ほぼ
垂直な方向又は電界の方向に配列される。これら
の条件の下では、入射光の偏光面は液晶分子によ
つて回転されず、従つて入射光は検光子によつて
遮断される。よつて光の透過および遮断を与える
ためにLC内のLC媒体の方向を制御することによ
つてパターンが表示される。 記憶効果を有するスメクチツク液晶表示装置は
公知である。この種のLCD装置は、情報を普通
は透明な背景中の散乱領域の形で不明確な記憶を
行なう。情報は、輝度変調されたレーザ光線によ
つて記録される。このレーザ光線は光散乱の中心
を生成するようにLC材料を局部的に加熱する。
さらに詳細については、例えば、A.G.ジユーイ
等の「レーザによつてアドレス指定される液晶投
射表示装置」「S.I.D紀要」第19／１巻（1978年）
１〜７頁を参照のこと。 負の誘電異方性を有するネマチツク材料とコレ
ステリツク材料との混合物の記憶効果は、ハイル
マイヤー及びゴルトマツヒヤーによつて観察さ
れ、「第57回IEEE紀要」第34巻（1969年）に報告
された。ハイルマイヤー等によれば、電圧の印加
されていないサンプルは、最初は比較的透明状態
であつた。充分な大きさの直流又は低周波交流電
圧を印加すると、動的散乱として知られている強
い散乱が誘導された。電圧が取り除かれると、動
的散乱は消えるが、準永久前方散乱状態が残る。
記憶減衰時間は、数時間のオーダーであると報告
された。さらに音声周波数信号を印加することに
よつて、散乱状態は消去され透明状態に戻される
ことができる。 液晶表示動作に対する弱界面結合の効果は、
「液晶表示装置における弱界面結合効果の分析」
と題するN.ネーリング等の論文に報告されてい
る。この論文によれば、液晶材料対基板異方性を
制御することによつて、LCD装置の多重化容量
は改善されることができる。 これまで、液晶表示装置を作るのに、いくつか
の種類の表面処理技術が使用され適用されてき
た。例えば、発明の名称が「液晶表示装置」であ
るM.カナザキ等の米国特許第4140371号明細書に
はラビングまたは斜方蒸着によつて形成された配
向制御構造を用いて結晶がわずかに傾斜して配向
されたLCD装置が記載されている。 液晶物質の分子の配向を制御するために、いく
つかの従来のLCD装置は、界面活性剤コーテイ
ングを使用している。例えば、発明の名称が「表
面配向方式液晶装置」であるD.マイヤーホーフ
ア等の米国特許第3967883号明細書には、液晶物
質の分子の配向を制御するために、LCD装置の
外囲の１つまたは複数の内面は連続した傾斜蒸着
層で被覆されることが記載されている。 表面ラビング技術を使用する他の従来のLCD
装置が、発明の名称「ツイステツド・ネマチツク
電界効果液晶表示セルの製造方法」である、K.
ヤノ等の米国特許第4083099号明細書に記載され
ている。この特許によれば、LCD装置の透明絶
縁膜の表面は、所定の方向に位置合せされた微小
溝を形成するようにラビングされる。LCD装置
の２枚のガラス基板は、このラビング技術を用い
て形成された微小溝を有する透明絶縁膜を支持す
る。さらにLDCの光学効果の均一性を助長する
ためにこのラビング技術を適用することが、発明
の名称「液晶構成要素用電極」である、M.ビー
ルマン等の米国特許第3892471号明細書にも記載
されている。 液晶材料対基板異方性に関する表面処理効果に
ついては、S.ナエムラの論文「MBBAと表面処
理された基板間の異方性相互作用」「物理学雑誌」
討論C3、第４号補遣、第４巻、C3−514〜518頁
に記載されている。この論文では、MBBAと
種々の界面活性剤層を有する基板間の界面で容易
軸及び固定強度係数を測定したことが報告されて
いる。 ［発明の開示］ 本発明の主な目的は改良された直示式高情報量
のネマチツク液晶表示（LCD）装置を提供する
ことにある。 本発明の他の目的は、固有の記憶効果を有する
２端子LCDセルを提供することにある。 本発明の他の目的は適正動作のためにリフレツ
シユ回路を必要としない低電圧低出力LCDセル
を提供することにある。 本発明の他の目的は、記憶効果式ツイステツ
ド・ネマチツク（TN）LCDセルを提供すること
にある。 本発明の他の目的は、記憶効果式ネマチツクホ
モジニアスLCDセルを提供することにある。 本発明の教示によれば、LCD基板の表面処理
は液晶材料対基板異方性表面固着力を充分に弱く
設定するように行われる。さらに詳細には、LC
媒体を変形させて活動状態にするために、印加電
界は、飽和状態へ駆動されないうちに異方性表面
固着（ASA）力及びLC長距離秩序力の両方に逆
つて働く。LCセルを飽和状態又は活動状態に駆
動した後、印加電界は、LC長距離秩序力と結合
してLC媒体をその静止状態に復帰するために
ASA力に対抗する。設計によつてASA力が充分
弱く設定されると、印加電界が、LCセルを充分
長時間の間その活動状態に駆動した後、Vbiasの
値にまで低下されると、記憶効果が生じる。ただ
しVbiasは、LC長距離秩序力と結合されると
ASA力よりも大きくなり、それによつてセルが
静止状態に復帰するのを防止するように設計によ
つて設定されている。 本発明の上述の目的及び他の目的、特徴および
長所は添付図面に示されるように本発明の好まし
い実施例の詳述から明らかにされた。 ［実施例］ 本発明による弱界面型記憶効果を有する２電極
LDC装置の好ましい実施例は、第１図および第
２図に示されるようなネマチツクホモジニアスセ
ル２０、または第３図に示されるようなツイステ
ツド・ネマチツク（TN）セルのいずれかであ
る。どちらの実施例でも、表面処理によつて異方
性表面固着（ASA）力は弱く設定され、それに
よつて一旦セル２０，４０が外部印加電界によつ
て一時的に活動状態に駆動されると、静止状態に
復帰するのを防止する。 ホモジニアスセル２０は、Δε＝ε11−ε12＞０
又はΔε＜０によつて、２種の形式をとることが
できる。ただし、ε11及びε12は、それぞれLC分
子の長軸に平行及び垂直な誘電率である。どちら
の場合でも、LCセルは一対の基板１０、それぞ
れ上側基板および下側基板１０の内面に形成され
た上側電極及び下側電極１２、上側電極と下側電
極間に挟まれた液晶材料１８を含んでいる。第１
図及び第２図を参照すると、セル２０は平面Ｚ＝
０とＺ＝ｄの間に閉じ込められた厚さｄのネマチ
ツクLC層を含んでいる。 Δε＞０の場合、静止状態でLCデイレクタ又は
LC材料１８は、常にXZ平面中にあり、外部電界
が存在しない場合、デイレクタは至る所でＸ軸と
平行であるか又はＸ軸に対して小さなプレテイル
ト角θを有しているかのいずれかである。 第１図及び第２図のLCセル２０は、好ましく
は電極１２を形成するインジユウム・酸化スズの
ような誘電性被膜を有するガラス又はプラスチツ
ク製の基板１０を有している。 本発明の教示によれば、LC配向層１４は電極
１２の内面に付着させる。配向層１４によつて、
上側電極及び下側電極１２の表面処理がされ、
LC材料１８対基板１０の異方性表面固着
（ASA）力を臨界値以下に調節して、２電極ホモ
ジニアスLCセル２０に記憶効果を与える。 Δε＞０のホモジニアスLCセルでは、閾値電圧
Vthは次のように計算される。 Vth＝πν′／｜ε11−ε12／K33｜１／２ (1) ただし、ν′は次式を満足する。 Cot［π／２ν′（k33／k11）1/2］＝λν′（k33／k11
）1/2(2) ここで、k11およびk33はそれぞれLCのスプレ
イ及び曲りの弾性定数である。定数λは次式で表
わされる。 λ＝πk33／Cd (3) ただしＣは単位面積当りの異方性表面固着
（ASA）エネルギーである。 LC材料１８の分子を第１図に示されるような
第１の配向配列から第２図に示されるような第２
の配向配列へ配向させるためには、電極１２に印
加される外部印加電圧（図示せず）は、電極１２
間でＺ方向の飽和電界を発生するために飽和電圧
レベルまで上昇さねばならない。この飽和電圧
は、次式によつて決定される。 Vsat＝πν″／｜ε11−ε12／K33｜１／２ (4) ただし、ν″は次式を満足する。 coth［１／2πν″］＝λν″ (5) またk11とk33及びＣは、上記のように規定さ
れる。 本発明の教示によれば、第１図に示すように多
数のLCセル２０を含むLCD装置を作動させるに
当つては、各セル２０は外部印加電圧源によつて
閾値電圧Vth以下の電圧Vbiasでバイアスをかけ
られねばならない。次に通常の一度に一行、３−
１又は２−１行列アドレシング装置は、LCセル
２０をオンにするために使用される。これらのア
ドレシング装置は、当業者に周知である。例え
ば、B.J.レツヒナー等の「第59回IEEE紀要」
1566（1971年）所載の論文には、LCD装置を駆動
するための様々な多重式又は行列式アドレシング
装置が記載されている。 特定の画像素子（PEL）をオンにするために、
適正な対応する行電極及び列電極が選択され、印
加電圧が上昇される。飽和電圧まで上昇される
と、印加電界は、第１図に示されるような第１の
配向配列から第２図に示されるような第２の配向
配列にLC分子をスイツチさせるように液晶材料
１８を変形させるためにLC材料１８対基板１０
の異方性表面固着ASA力及び液晶１８の長距離
秩序力の両方に対して作用する。印加電圧は飽和
電圧レベルまで上昇された後、静止レベルVbias
にまで降下される。 本発明の教示によれば、LC配向層１４は次の
ような適当な単位面積当りASAエネルギーを与
えるように設定される。 λ＝πk33／Cd2.0 (6) ASA力がこの基準に従つて設定されると、
Vbiasレベルの印加電圧によつて発生された印加
電界は液晶１８の長距離秩序力と結合して、セル
２０が第２図に示されるような第２の配向配列か
ら第１の配向配列に復帰するのを防止し、それに
よつてセル２０中に記憶効果を生じる。 LCセル２０は、一定のVbias≦Vthの下では第
２の配向配列に留まるので、その適正な作動のた
めにはリフレツシユ及びリフレツシユ回路を必要
としない。 記憶された活動状態の消去、すなわち第２の配
向配列から第１の配向配列（静止状態）への復帰
は、バイアス電界を取り除くこと又はそれを
ASAが優勢となるように充分な低い値にまで減
少させることによつて行なわれる。 好ましい実施例では、MBBA、すなわちΔε＜
０の液晶材料１８は、記憶効果式ホモジニアス
LCセル２０を製造するために使用される。この
場合、方程式(1)(2)(3)(4)(6)にΔε＜０のLC材料を適
用するために、これらの方程式の定数k11及び
k33は交換されなければならない。さらに、
MBBAではΔε＜０なので、このようなホモジニ
アスLCセル２０の静止状態は第２図に示したよ
うになり、セル２０が飽和するまで駆動された後
のその活動状態は第１図に示したようになる。 この好ましい実施例では、電極１２は、インジ
ウム・酸化スズ（ITO）または他の適当な導電性
被膜から製造される。界面活性剤DMOAP（Ｎ、
Ｎ−ジメチル−Ｎ−オクタデシル−３−アミノプ
ロピルトリメトキシルクロライド）はLC位置合
せ層１４を形成するために使用される。 DMOAPを電極１２に付着させてLC配向層１
４を形成するための典型的な手順は、有機及び無
機残渣を取り除くように電極１２を含む基板１０
を完全に清浄にすることである。清浄後、基板１
０はDMOAPの薄い溶液（典型的な場合、0.1容
積％の水溶液）に浸漬する。基板を浸した薄い溶
液は室温で約５分間撹拌される。次に基板１０は
余分のDMOAPを取り除くために脱イオン水で
すすがれる。次に余分の水は清浄なN2で取り除
かれ、最初にDMOAPで被覆された基板１０は
さらに乾燥N2中で典型的な場合では約110℃で約
１時間硬化させる。 この好ましい実施例では、減衰全反射法で測定
されたＣ値は、約1.1×10-2erg／cm2である。k11
が8.4×10-7ダイン、k33が9.5×10-7ダインの場
合、本発明の教示による記憶効果式ホモジニアス
LCセルは、設計方程式(3)および(6)を満たすため
に、LC層の厚さｄが約1.2μｍ又はそれ以下でな
ければならない。 さらに、好ましい実施例において、DMOAP
界面活性被覆１４を選択する代りにヘキサデシル
アミンを選択した場合には、Ｃ値は、約3.5×
10-3erg／cm2と測定された。この場合、LC材料１
８としてMBBAを用いる記憶効果式ホモジニア
スLCセル２０を生成するためにLC層の厚さｄは
約3.8μｍ又はそれ以下が必要である。 前述のように、本発明の教示は、ツイステツド
ネマチツク（TN）表示装置として知られている
別のクラスのLC装置にも適用できる。TN形
LCD装置及びその使用は従来公知である。一般
に、印加電圧がない場合、液晶材料１８（第３
図）の表面層は均一に配向されているが、TNセ
ル４０の２枚の基板１０間のねじれ角が90°にな
る。一方のセル壁面から他方のセル壁面へと連続
回転が生じるように液晶全体が歪む。TNセル４
０がΔε＞０のLC材料１８を有する場合、閾値電
圧Vthを越える電極１２の印加電圧がネマチツ
ク・デイレクタをねじれない状態にし、ホモジニ
アスLCセルの場合第２図に示したのと同様に印
加電界に平行に配向をさせる。さらに詳細には、
「真空科学技術雑誌」第10巻、第５号（1973号）、
804〜823頁のL.A.グツドマンの論文「液晶表示
装置」を参照のこと。 第３図を参照すると、弱界面型記憶効果式
TNLCセル４０は、一対の基板１０、それぞれ
上側基板及び下側基板１０の内面に形成された上
側電極及び下側電極１２、上側電極と下側電極の
間に挟まれた液晶物質１８を含んでいる。第３図
を参照すると、セル４０は平面Ｚ＝０とＺ＝ｄの
間に閉じ込められた厚さｄのネマチツクLC層を
含んでいる。本発明の教示によれば、このLC配
向層１４によつて、上側電極および下側電極１２
の表面処理ができ、LC材料１８対基板１０の異
方性表面（ASA）力を臨界値以下に調節して、
２電極TNセル４０に記憶効果を与える。 第３図を参照すると、TNセル４０の閾値電圧
は、下記の方程式から計算できる。 Vth＝πν′／｜ε11−ε12／K33｜１／２ (7) ただし、ν′は次の方程式を満足する。 coth〔１／２（（2k22−k33）φT2＋k33π2ν′2／k11
）1/2〕＝λ／π（（2k22−k33）φT2＋k112π2ν′2／
k33／k11）1/2(8) ここで、k22はネマチツクLC材料１８のねじれ
弾性定数であり、φTはTNセル４０にしてπ/2で
ある初期ねじれの角度を表わす。対応する飽和電
圧は、次式によつて決定される。 Vsat＝πν″／｜ε11−ε12／K33｜１／２ (9) ただし、ν″は次式を満足する。 coth〔１／２（（2k22−k33）φT2／k33＋π2ν″2）1/
2＝λ／π（（2k22−k33）φT2／k33＋π2ν″2）1/2(1
0) 方程式(8)および(10)の定数λは、前記の方程式(3)
で明記される。 記憶効果式TNセル４０を構成するために、
（2k22−k33）＜０でΔε＞０のネマチツクLC材料
又は混合物１８を使用するのが好ましい。 多数のTNセル４０を含むマトリクスの特定の
画像素子をオンにするために、適当な対応する行
電極および列電極が選択され、印加電圧が上昇さ
れる。飽和電圧まで上昇されると、印加電界は
LC材料１８対基板１０のASA力及び液晶材料１
８の長距離秩序力の両方に逆らつて作用し、液晶
材料１８をねじりLCデイレクタを第３図に示し
たような第１のねじれた配向配列から第２図に示
したような第２のねじれていない配向配列へとス
イツチする。 印加電圧は、飽和電圧に達した後、Vth等しい
か又はそれ以下の静止レベルVbiasまで降下され
る。 記憶効果ホモジニアスLCセル２０の場合につ
いては前述したように、LC配向層１４はまた、
上記の設計方程式６を満足するような適当な単位
面積当りASAエネルギー(C)を与えるように設定
される。この基準に従つてASA力が設定される
と、Vbiasレベルでの印加電界は液晶１８の長距
離秩序力と結合して、液晶材料１８対基板１０の
ASA力に打ち消され、セル第２図に示したよう
な第２の配向配列から第３図に示したような第１
の配向配列に復帰するのを防止し、それによつて
TNセル４０に記憶効果を生じる。TNセルは一
定Vbiasの下で第２の配向配列に留まるので再生
は必要としないし、その適正な作動のために再生
回路は必要とされない。 この場合も、前述のように記憶された活動状態
の消去又は第２の配向配列から第１配向配列（静
止状態）への回復は、バイアス電界を取り除き、
あるいはそれをASA力が優勢となるように充分
低い値まで減少することによつて実現できる。好
ましい記憶効果式TNLCセルの実施例として、
Δε＞０のネマチツクLC材料１８、6CB（４−シ
アノ−4′−ｎ−ヘキシルビフエニル）は、記憶効
果式TNLCセル４０を製造するために使用され
る。6CBでは、室温でk11＝９×10-7ダイン、
k22＝4.5×10-7ダイン、k33＝1.2×10-6ダインと
測定された。LC配向層１４は、斜方蒸着技術を
用いてSiO2で形成されることができる。 この記憶効果式TNセルの好ましい実施例で
は、Ｃ値は約4.6×10-3エルグ／cm2であると測定
される。k11、k22、k33の各パラメータが上記の
6CB状態に一致する場合、TNセル４０のLC層の
厚さｄは、設計方程式６を満足するには約4.1μｍ
に等しいか又はそれ以下でなければならない。 上記の好ましい実施例は、新しいクラスの記憶
効果式LCD装置を提供する。本発明の教示によ
る記憶効果式LCDセルのマトリクスアレイを備
えたLCD装置は、再生の必要がなく従来のLCD
装置のような再生回路を必要としない。 前述の本発明は、従来のLCD装置が非記憶式
であつたこと、またVsat／Vth比が高いために多
重化容量が低かつたことによつて、そのサイズが
制限されていた大パネル型の高情報量のLCD装
置を実現するために適用すると、特に有利であ
る。 LC配向層１４は、界面活性剤コーテイング技
術とホモジニアスセル２０及びTNセル４０のた
めの斜方蒸着技術によつて形成されるが、明らか
なようにこのようなLC配向層１４はこれらの技
術のどちらかまたは両方を組合せて使用して形成
される。さらに、ラビング技術又は他の適当な表
面処理技術によつても同一効果を生ぜられる。 記憶効果式ホモジニアスLCセル２０は、LC材
料又は混合物１８としてMBBAを用いた場合に
ついて説明してきたが、他のLC混合物も可能で
ある。記憶効果式ホモジニアスLCセルを製造す
るための適当なLC材料の他の例として、市販さ
れている20種のLC材料及びその重要なパラメー
タが第表にリストされている。本発明の教示に
よる記憶効果式ホモジニアスLCセルを製造する
ために、設計方程式(6)のパラメータλは第表の
４列目に示したパラメータλsよりも大きくされ
るべきである。 記憶効果式TNLCセル４０は、LC材料又は混
合物１８として6CBを用いた場合について説明し
てきたが、その他のLC混合物も可能である。記
憶効果式TNLCセル４０を製造するためのこの
ような適当なLC材料の他の例として市販されて
いる20種のLC材料及びその対応する重要なパラ
メータが第表にリストされている。本発明の教
示による記憶効果式TNLCセル４０を製造する
ために、設計方程式(6)のパラメータλは第表の
６列目に示したパラメータλsよりも大きくされ
るべきである。 前述の実施例の２つの他の主要な変更例もまた
注目されるべきである。第１に微量の二色性染料
（ゲスト）が、いわゆるネマチツク・ホスト・ゲ
ストLCDを形成するためにネマチツクホモジニ
アスTNセル２０，４０（ホスト）に添加され
る。添加された二色性染料を有する弱界面型記憶
LCを形成するための設計基準は、基本的に前述
の二色性染料を含まないものと同様である。第２
の変更例はノナン酸コレステリルのような微量の
カイラル化合物及びアントラキニン染料のような
微量の二色性染料の両方を加えて、いわゆるコレ
ステリツク・ネマチツク相変化ゲスト・ホスト
LCDを形成することである。その詳細は、例え
ばB.L.ホワイトおよびG.N.テーラーによる「応
用物理学雑誌」第45巻4718頁（1974年）、及び米
国特許第3833287号明細書に記載されている。コ
レステリツク・ネマチツク相変化ゲスト・ホスト
LCDの設計基準もまた前述のTNセルとほぼ同様
である。 上記に詳述した本出願人の発明の説明から本発
明の教示に従つて製造された弱界面型記憶効果式
LCセルを組み込んだLC装置は、従来達成できな
かつた利点を有することがわかる。今までに、示
唆された出願人の発表した装置の変更例及び修正
例に加えて、当業者は他の多くの変更例や修正例
は自明のはずであり、従つて本出願人の発明の範
囲はここに示され、又は示唆された特定の実施例
に限定して解釈されるべきではない。
【表】
【表】
【表】
第１図はLCデイレクタが第１の配向配列にあ
るときの、記憶効果式ホモジニアスLCセルの図
面である。第２図はLCデイレクタが第２の配向
配列にあるときの第１図に示したLCセル又は第
３図に示したTNセルの図面である。第３図は記
憶効果式TNセル４０中のLCデイレクタの第１
のねじれた配向を例示的に示す簡略化した透視図
である。 １０……基板、１２……電極、１８……LC材
料、２０……LCセル。
るときの、記憶効果式ホモジニアスLCセルの図
面である。第２図はLCデイレクタが第２の配向
配列にあるときの第１図に示したLCセル又は第
３図に示したTNセルの図面である。第３図は記
憶効果式TNセル４０中のLCデイレクタの第１
のねじれた配向を例示的に示す簡略化した透視図
である。 １０……基板、１２……電極、１８……LC材
料、２０……LCセル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 間隔をおいて配置された上側基板及び下側基
板と、 前記上側基板及び下側基板の内面にそれぞれ形
成された上側電極及び下側電極と、 前記上側電極と前記下側電極間に挟まれたネマ
チツク液晶材料と、 前記液晶材料に対して閾値レベル以下の大きさ
を有するバイアス電圧から、前記液晶材料の分子
を第１の配向配列から第２の配向配列に変形させ
るために十分な前記閾値レベルを越える電圧まで
調整可能な範囲で、前記上側電極と前記下側電極
間に電界を印加する印加手段と、 前記液晶材料に隣接し前記上側電極及び前記下
側電極上に形成された表面処理部材と、 を有する液晶表示セルであつて、 前記表面処理部材は、前記電界が前記閾値レベ
ルから前記バイアス電圧に低下された場合、前記
液晶材料の分子が前記第２の配向配列から前記第
１の配向配列に復帰するのを防止するような液晶
材料対基板の異方性表面固着力を与えるものであ
ることを特徴とする液晶表示セル。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US381281 | 1982-05-24 | ||
| US06/381,281 US4577930A (en) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | Weak boundary storage liquid crystal display devices with bias voltage |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58209717A JPS58209717A (ja) | 1983-12-06 |
| JPH0415926B2 true JPH0415926B2 (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=23504426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58067168A Granted JPS58209717A (ja) | 1982-05-24 | 1983-04-18 | 液晶表示セル |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4577930A (ja) |
| EP (1) | EP0095012B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58209717A (ja) |
| DE (1) | DE3381597D1 (ja) |
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| EP1046078B1 (en) * | 1997-10-08 | 2004-05-12 | Hewlett-Packard Company, A Delaware Corporation | Liquid crystal device alignment and method of making such a device |
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| GB2382151A (en) * | 2001-11-20 | 2003-05-21 | Hewlett Packard Co | Liquid crystal device and compositions |
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| JPS4982592A (ja) * | 1972-12-18 | 1974-08-08 | ||
| US3890628A (en) * | 1973-10-23 | 1975-06-17 | Motorola Inc | Liquid crystal light control device and circuit |
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- 1982-05-24 US US06/381,281 patent/US4577930A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-02-18 EP EP83101545A patent/EP0095012B1/en not_active Expired
- 1983-02-18 DE DE8383101545T patent/DE3381597D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1983-04-18 JP JP58067168A patent/JPS58209717A/ja active Granted
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| US4577930A (en) | 1986-03-25 |
| EP0095012B1 (en) | 1990-05-23 |
| JPS58209717A (ja) | 1983-12-06 |
| DE3381597D1 (de) | 1990-06-28 |
| EP0095012A2 (en) | 1983-11-30 |
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