JPH04145671A - 光半導体素子変調装置 - Google Patents
光半導体素子変調装置Info
- Publication number
- JPH04145671A JPH04145671A JP2269844A JP26984490A JPH04145671A JP H04145671 A JPH04145671 A JP H04145671A JP 2269844 A JP2269844 A JP 2269844A JP 26984490 A JP26984490 A JP 26984490A JP H04145671 A JPH04145671 A JP H04145671A
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- Japan
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- semiconductor element
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- optical
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 92
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 27
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- AYEKOFBPNLCAJY-UHFFFAOYSA-O thiamine pyrophosphate Chemical compound CC1=C(CCOP(O)(=O)OP(O)(O)=O)SC=[N+]1CC1=CN=C(C)N=C1N AYEKOFBPNLCAJY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光半導体素子変調装置に関し、特に、半導体レ
ーザーおよび発光ダイオード等の光半導体素子に対する
変調用として用いられる光半導体素子変調装置に関する
。
ーザーおよび発光ダイオード等の光半導体素子に対する
変調用として用いられる光半導体素子変調装置に関する
。
従来の光半導体素子変調装置においては、歪特性を向上
させるために、変調信号の振幅を出来る限り小さくする
方法を用いるか、または光半導体素子に対する駆動電流
と光出力の直線性の良い素子を使用する方法等が行われ
ている。
させるために、変調信号の振幅を出来る限り小さくする
方法を用いるか、または光半導体素子に対する駆動電流
と光出力の直線性の良い素子を使用する方法等が行われ
ている。
従来の光半導体素子変調回路は、第３図に示されるよう
に、変調信号源２３、合成器２４、光半導体素子２５お
よび直流励振電源２６を備えて構成されており、変調信
号源２３よりは数ＭＨｚから数ＧＨｚの高周波信号が発
生され、合成器２４を介して、光半導体素子２５の光出
力を強度変調する。光半導体素子２５の光出力は、直流
励振電源２６から供給される励振電流■により、その光
発振出力が得られている。変調信号源２３は、合成器２
４により励振電流■に変調信号電流ＴＰＰを重畳させ、
レーザ・ダイオードまたは発光ダイオード等を含む光半
導体素子２５に対する強度変調を行う。
に、変調信号源２３、合成器２４、光半導体素子２５お
よび直流励振電源２６を備えて構成されており、変調信
号源２３よりは数ＭＨｚから数ＧＨｚの高周波信号が発
生され、合成器２４を介して、光半導体素子２５の光出
力を強度変調する。光半導体素子２５の光出力は、直流
励振電源２６から供給される励振電流■により、その光
発振出力が得られている。変調信号源２３は、合成器２
４により励振電流■に変調信号電流ＴＰＰを重畳させ、
レーザ・ダイオードまたは発光ダイオード等を含む光半
導体素子２５に対する強度変調を行う。
上述した従来の光半導体素子変調装置においては、光半
導体素子の励振電流と光出力との関係を直線的な特性に
することが技術的に困難であり、丈な、変調信号を小レ
ベルに抑制して、前記光半導体素子の微小レベル範囲に
おける良好な直線性を利用すると、Ｓ／Ｎ比が劣化する
結果となる。
導体素子の励振電流と光出力との関係を直線的な特性に
することが技術的に困難であり、丈な、変調信号を小レ
ベルに抑制して、前記光半導体素子の微小レベル範囲に
おける良好な直線性を利用すると、Ｓ／Ｎ比が劣化する
結果となる。
従って、減衰量の多い長距離伝送用としては利用するこ
とができないという欠点がある。また、このことに加え
て、従来の光半導体素子変調装置においては、装置内各
部において発生する歪が加算され、それにより光半導体
素子が励振されるために、光出力における歪が増大する
という欠点がある。
とができないという欠点がある。また、このことに加え
て、従来の光半導体素子変調装置においては、装置内各
部において発生する歪が加算され、それにより光半導体
素子が励振されるために、光出力における歪が増大する
という欠点がある。
本発明の光半導体素子変調装置は、光出力を発生する光
半導体素子と、前記光半導体素子に対する直流励振電流
を供給する直流励振電源と、前記光半導体素子に対する
変調信号を出力する変調信号源と、前記変調信号を増幅
して、前記光半導体素子に対する変調電流を供給する負
帰還回路と、前記直流励振電流および前記変調電流を重
畳して前記光半導体素子に供給し、当該光半導体素子に
する変調作用を行う合成器と、前記光半導体素子の発生
する光出力を検出し、その変調成分に対応する信号を、
前記負帰還回路の増幅度を制御するための帰還信号とし
て出力する光モニター検出器と、を備えて構成される。
半導体素子と、前記光半導体素子に対する直流励振電流
を供給する直流励振電源と、前記光半導体素子に対する
変調信号を出力する変調信号源と、前記変調信号を増幅
して、前記光半導体素子に対する変調電流を供給する負
帰還回路と、前記直流励振電流および前記変調電流を重
畳して前記光半導体素子に供給し、当該光半導体素子に
する変調作用を行う合成器と、前記光半導体素子の発生
する光出力を検出し、その変調成分に対応する信号を、
前記負帰還回路の増幅度を制御するための帰還信号とし
て出力する光モニター検出器と、を備えて構成される。
また、本発明の光半導体素子変調装置は、光出力を発生
する光半導体素子と、前記光半導体素子に対する直流励
振電流を供給する直流励振電源と、前記光半導体素子に
対する変調信号を出力する変調信号源と、前記変調信号
を増幅して、前記光半導体素子に対する変調電流を供給
する負帰還回路と、前記直流励振電流および前記変調電
流を重畳して前記光半導体素子に供給し、当該光半導体
素子にする変調作用を行う合成器と、前記光半導体素子
の発生する光出力を検出し、その変調成分に対応する信
号を、前記負帰還回路の増幅度を制御するための帰還信
号として出力する光モニター検出器と、を備え、前記光
モニター検出器による検出出力の直流成分に対応する信
号を、前記直流励振電源による供給電流を一定に保持す
るための制御信号として帰還することを特徴として構成
してもよい。
する光半導体素子と、前記光半導体素子に対する直流励
振電流を供給する直流励振電源と、前記光半導体素子に
対する変調信号を出力する変調信号源と、前記変調信号
を増幅して、前記光半導体素子に対する変調電流を供給
する負帰還回路と、前記直流励振電流および前記変調電
流を重畳して前記光半導体素子に供給し、当該光半導体
素子にする変調作用を行う合成器と、前記光半導体素子
の発生する光出力を検出し、その変調成分に対応する信
号を、前記負帰還回路の増幅度を制御するための帰還信
号として出力する光モニター検出器と、を備え、前記光
モニター検出器による検出出力の直流成分に対応する信
号を、前記直流励振電源による供給電流を一定に保持す
るための制御信号として帰還することを特徴として構成
してもよい。
次に１本発明について図面を参照して説明する。第１区
は、本発明の第１の実施例を示すブロック図である。第
１図に示されるように、本実施例は、変調信号源１と、
負帰還回路２と、直流励振電源３と、合成器４と、光半
導体素子５と、光モニター検出器６と、電圧源７と、抵
抗８と、コンデンサ９と、帰還素子１０と、を備えて構
成される。
は、本発明の第１の実施例を示すブロック図である。第
１図に示されるように、本実施例は、変調信号源１と、
負帰還回路２と、直流励振電源３と、合成器４と、光半
導体素子５と、光モニター検出器６と、電圧源７と、抵
抗８と、コンデンサ９と、帰還素子１０と、を備えて構
成される。
第１図において、光半導体素子５には、合成器４を介し
て、直流励振電源３より所要電力が供給されており、光
半導体素子５には励振電流工が流入して、一定の光出力
が得られている。この光出力に所定の変調信号を重畳さ
せるために、変調信号源１より出力される変調信号は、
負帰還回路２を介して合成器４に入力され、合成器４に
おいては、前記励振電流工に対して、変調電流ＩＰＦが
重畳され、光出力は強度変調される。
て、直流励振電源３より所要電力が供給されており、光
半導体素子５には励振電流工が流入して、一定の光出力
が得られている。この光出力に所定の変調信号を重畳さ
せるために、変調信号源１より出力される変調信号は、
負帰還回路２を介して合成器４に入力され、合成器４に
おいては、前記励振電流工に対して、変調電流ＩＰＦが
重畳され、光出力は強度変調される。
強度変調された光出力は、光モニター検出器６により、
その一部が検出され、その変調成分は抵抗８およびコン
デンサ９を介して帰還素子１０に入力され、帰還素子１
０を経由して負帰還回路２の負帰還端子に帰還される。
その一部が検出され、その変調成分は抵抗８およびコン
デンサ９を介して帰還素子１０に入力され、帰還素子１
０を経由して負帰還回路２の負帰還端子に帰還される。
負帰還回路２は増幅回路を形成しており、その増幅度は
、前記負帰還端子に帰還される帰還信号により制御され
る。この帰還制御作用により、変調信号源１および光半
導体素子５に起因する歪は、低レベルに抑制され、また
、Ｓ／Ｎ比が改善される。なお、光モニター検出器６は
、光半導体素子５と同一のケース内に内蔵されている。
、前記負帰還端子に帰還される帰還信号により制御され
る。この帰還制御作用により、変調信号源１および光半
導体素子５に起因する歪は、低レベルに抑制され、また
、Ｓ／Ｎ比が改善される。なお、光モニター検出器６は
、光半導体素子５と同一のケース内に内蔵されている。
次に、本発明の第２の実施例について説明する。第２図
は、第２の実施例を示すブロック図である。第２図に示
されるように、本実施例は、変調信号源１１と、負帰還
回路１２と、直流励振電源１３と、合成器１４と、光半
導体素子１５と、光モニター検出器１６と、電圧源１７
と、抵抗１８と、コンデンサ１９と、帰還素子２０と、
低域フィルタ２１と、基準電圧源２２と、比較器２３と
、を備えて構成される。
は、第２の実施例を示すブロック図である。第２図に示
されるように、本実施例は、変調信号源１１と、負帰還
回路１２と、直流励振電源１３と、合成器１４と、光半
導体素子１５と、光モニター検出器１６と、電圧源１７
と、抵抗１８と、コンデンサ１９と、帰還素子２０と、
低域フィルタ２１と、基準電圧源２２と、比較器２３と
、を備えて構成される。
第２図に示される第２の実施例の、前述の第１の実施例
との相違点は、第１の実施例においては、光モニター検
出器６の出力の変調成分のみが負帰還される構成であっ
たのに対して、第２の実施例においては、光モニター検
出器１６の出力が、一方は抵抗１８およびコンデンサ１
９を介して、変調成分を含む帰還信号として帰還素子２
０に入力され、帰還素子２０を経由して負帰還回路■２
に帰還される第１の実施例と同様な帰還作用に加えて、
他方においては、光モニター検出器１６の出力が低域フ
ィルタ２１により変調成分が除去され、光出力の直流成
分出力、即ち、光出力の平均出力レベルに対応する信号
が比較器２３に入力されている。比較器２３には、基準
電圧源２２より所定の基準電圧も入力されており、この
比較器２３における比較出力は直流励振電源１３に入力
され、直流励振電源１３から光半導体素子に供給される
励振電力を制御して、光出力を一定に維持するように作
用する。
との相違点は、第１の実施例においては、光モニター検
出器６の出力の変調成分のみが負帰還される構成であっ
たのに対して、第２の実施例においては、光モニター検
出器１６の出力が、一方は抵抗１８およびコンデンサ１
９を介して、変調成分を含む帰還信号として帰還素子２
０に入力され、帰還素子２０を経由して負帰還回路■２
に帰還される第１の実施例と同様な帰還作用に加えて、
他方においては、光モニター検出器１６の出力が低域フ
ィルタ２１により変調成分が除去され、光出力の直流成
分出力、即ち、光出力の平均出力レベルに対応する信号
が比較器２３に入力されている。比較器２３には、基準
電圧源２２より所定の基準電圧も入力されており、この
比較器２３における比較出力は直流励振電源１３に入力
され、直流励振電源１３から光半導体素子に供給される
励振電力を制御して、光出力を一定に維持するように作
用する。
以上説明したように、本発明は、光半導体素子の発光出
力を光モニター検出器により検出し、その出力を前記光
半導体素子に対する変調信号等に負帰還し、そのレベル
を制御することにより、変調信号源に起因する歪ならび
に光半導体素子より発生する歪を、負帰還回路における
増幅度と帰還量に対応して低レベルに抑制することがで
きるとともに、Ｓ／Ｎ比を改善することができるという
効果がある。
力を光モニター検出器により検出し、その出力を前記光
半導体素子に対する変調信号等に負帰還し、そのレベル
を制御することにより、変調信号源に起因する歪ならび
に光半導体素子より発生する歪を、負帰還回路における
増幅度と帰還量に対応して低レベルに抑制することがで
きるとともに、Ｓ／Ｎ比を改善することができるという
効果がある。
第１図および第２図は、それぞれ本発明の第１および第
２の実施例のブロック図、第３図は従来例のブロック図
である。 図において、１ 、１１．２４・旧・・変調信号源、２
゜１２・・・・・・負帰還回路、３．１３．２７・・・
・・・直流励振電源、４，１４．２５・・・・・・合成
器、５．１５．２６・・・・−・光半導体素子、６，１
６・・・・・・光モニター検出器、７゜１７・・・・・
・電圧源、８．１８・・・・・・抵抗、９．１９・旧・
・コンデンサ、１０．２０・・・・・・帰還素子、２１
・旧・・低域フィルタ、２２・・−・・・基準電圧源、
２３・・・・・・比較器。
２の実施例のブロック図、第３図は従来例のブロック図
である。 図において、１ 、１１．２４・旧・・変調信号源、２
゜１２・・・・・・負帰還回路、３．１３．２７・・・
・・・直流励振電源、４，１４．２５・・・・・・合成
器、５．１５．２６・・・・−・光半導体素子、６，１
６・・・・・・光モニター検出器、７゜１７・・・・・
・電圧源、８．１８・・・・・・抵抗、９．１９・旧・
・コンデンサ、１０．２０・・・・・・帰還素子、２１
・旧・・低域フィルタ、２２・・−・・・基準電圧源、
２３・・・・・・比較器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光出力を発生する光半導体素子と、 前記光半導体素子に対する直流励振電流を供給する直流
励振電源と、 前記光半導体素子に対する変調信号を出力する変調信号
源と、 前記変調信号を増幅して、前記光半導体素子に対する変
調電流を供給する負帰還回路と、前記直流励振電流およ
び前記変調電流を重畳して前記光半導体素子に供給し、
当該光半導体素子にする変調作用を行う合成器と、 前記光半導体素子の発生する光出力を検出し、その変調
成分に対応する信号を、前記負帰還回路の増幅度を制御
するための帰還信号として出力する光モニター検出器と
、 を備えることを特徴とする光半導体素子変調装置。 ２、光出力を発生する光半導体素子と、 前記光半導体素子に対する直流励振電流を供給する直流
励振電源と、 前記光半導体素子に対する変調信号を出力する変調信号
源と、 前記変調信号を増幅して、前記光半導体素子に対する変
調電流を供給する負帰還回路と、前記直流励振電流およ
び前記変調電流を重畳して前記光半導体素子に供給し、
当該光半導体素子にする変調作用を行う合成器と、 前記光半導体素子の発生する光出力を検出し、その変調
成分に対応する信号を、前記負帰還回路の増幅度を制御
するための帰還信号として出力する光モニター検出器と
、 を備え、前記光モニター検出器による検出出力の直流成
分に対応する信号を、前記直流励振電源による供給電流
を一定に保持するための制御信号として帰還することを
特徴とする光半導体素子変調装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2269844A JPH04145671A (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | 光半導体素子変調装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2269844A JPH04145671A (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | 光半導体素子変調装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04145671A true JPH04145671A (ja) | 1992-05-19 |
Family
ID=17477979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2269844A Pending JPH04145671A (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | 光半導体素子変調装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04145671A (ja) |
-
1990
- 1990-10-08 JP JP2269844A patent/JPH04145671A/ja active Pending
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