JPH0414457B2 - - Google Patents
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- JPH0414457B2 JPH0414457B2 JP57149958A JP14995882A JPH0414457B2 JP H0414457 B2 JPH0414457 B2 JP H0414457B2 JP 57149958 A JP57149958 A JP 57149958A JP 14995882 A JP14995882 A JP 14995882A JP H0414457 B2 JPH0414457 B2 JP H0414457B2
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- JP
- Japan
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- mask frame
- electron
- mask
- shadow mask
- magnetic shield
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
- H01J9/142—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of shadow-masks for colour television tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/07—Shadow masks
- H01J2229/0722—Frame
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
発明の技術分野
本発明はカラー受像管及びその製造方法に係
り、特にシヤドウマスク、マスクフレーム及び磁
気シールドに関するものである。 発明の技術的背景と問題点 シヤドウマスク方式のカラー受像管は第１図に
示すように、３本の電子銃１から射出された電子
ビーム１Ｂ，１Ｇ及び１Ｒはシヤドウマスク２の
多数の開孔２ａを通過してパネル３の内面に設け
られた螢光体４Ｒ，４Ｇ及び４Ｂに射突し赤、緑
及び青に発光し全体として螢光面４にカラー映像
を現出させる。 第２図ａ及びｂはこのようなカラー受像管のシ
ヤドウマスク近傍の構成を示すもので、多数の電
子ビーム開孔２ａを有するシヤドウマスク２は曲
面状に成形されその周辺部は更に折り曲げられス
カート部２ｂを構成している。シヤドウマスク２
は通常板厚0.1mm乃至0.3mmのAlキルドOCA銅を素
材とし、強度的に形状維持が困難なためスカート
部２ｂでマスクフレーム５に溶接固定して補強さ
れる。マスクフレーム５は板厚１mm乃至1.5mmの
冷延鋼を素材とし断面Ｌ字形としてねじれ強度を
も上げ補強の効果を更に上げている。そしてこの
マスクフレーム５は支持構体７によりパネル３の
側壁に設けられたスタツド８に係止されパネル３
とシヤドウマスク２との間隔（以降ｇ値と略称す
る）を一定に保持している。またマスクフレーム
５の電子銃側には磁気シールド６を設け、地磁気
等の外部磁界による電子ビーム軌跡の乱れを防止
している。磁気シールド６は通常0.05〜0.15mm程
度の厚さの低炭素冷延鋼をプレス成形して用いら
れる。即ちシヤドウマスク、マスクフレーム及び
磁気シールドは何れも鉄を主成分とする素材から
形成されており、その代表的組成を第１表に示
す。
り、特にシヤドウマスク、マスクフレーム及び磁
気シールドに関するものである。 発明の技術的背景と問題点 シヤドウマスク方式のカラー受像管は第１図に
示すように、３本の電子銃１から射出された電子
ビーム１Ｂ，１Ｇ及び１Ｒはシヤドウマスク２の
多数の開孔２ａを通過してパネル３の内面に設け
られた螢光体４Ｒ，４Ｇ及び４Ｂに射突し赤、緑
及び青に発光し全体として螢光面４にカラー映像
を現出させる。 第２図ａ及びｂはこのようなカラー受像管のシ
ヤドウマスク近傍の構成を示すもので、多数の電
子ビーム開孔２ａを有するシヤドウマスク２は曲
面状に成形されその周辺部は更に折り曲げられス
カート部２ｂを構成している。シヤドウマスク２
は通常板厚0.1mm乃至0.3mmのAlキルドOCA銅を素
材とし、強度的に形状維持が困難なためスカート
部２ｂでマスクフレーム５に溶接固定して補強さ
れる。マスクフレーム５は板厚１mm乃至1.5mmの
冷延鋼を素材とし断面Ｌ字形としてねじれ強度を
も上げ補強の効果を更に上げている。そしてこの
マスクフレーム５は支持構体７によりパネル３の
側壁に設けられたスタツド８に係止されパネル３
とシヤドウマスク２との間隔（以降ｇ値と略称す
る）を一定に保持している。またマスクフレーム
５の電子銃側には磁気シールド６を設け、地磁気
等の外部磁界による電子ビーム軌跡の乱れを防止
している。磁気シールド６は通常0.05〜0.15mm程
度の厚さの低炭素冷延鋼をプレス成形して用いら
れる。即ちシヤドウマスク、マスクフレーム及び
磁気シールドは何れも鉄を主成分とする素材から
形成されており、その代表的組成を第１表に示
す。
【表】
又シヤドウマスク、マスクフレーム及び磁気シ
ールドは電子ビームの散乱反射を防止するため表
面に黒化膜が設けられることもある。 次にカラー受像管の螢光面を形成するには、完
成したシヤドウマスク２を支持構体７により所定
の位置に係止めし電子ビームの偏向中心近傍に露
光光源を配置して露光現像法にて形成される。従
つて３色の螢光体を順次露光形成するたびにシヤ
ドウマスクは少くとも３回スタツド８から脱着す
ることになる。さてシヤドウマスク方式のカラー
受像管においてその機能上シヤドウマスクとパネ
ルとの間隔、ｇ値は所定の値に保持する必要があ
る。即ちこのｇ値が許容限度外に迄変化すると必
然的に電子ビームの螢光面ミスランデイングによ
り色純度を著るしく劣化させることになる。 このｇ値変化の要因としては、 (1) 螢光面形成時のシヤドウマスクの脱着での位
置ずれ。 (2) 封止及び排気工程等の、例えば排気中の380
℃乃至450℃での加熱工程によるシヤドウマス
ク、マスクフレーム及び磁気シールドの熱変
形。 (3) 移送及び輸送工程での衝撃による位置ずれ。 等が挙げられる。之等の要因による位置ずれ量は
26叶管で(1)が5μm、(2)が15μm、(3)が5μmの計約
25μmと概算される。 上記位置ずれ量のうち熱工程による熱変形を起
因とする位置ずれは60％と大きく最も問題とな
る。通常の工程ではシヤドウマスク、マスクフレ
ーム及び支持構体を組立てパネルの所定位置に係
止めさせた状態で組立て歪を除去するために450
℃乃至460℃でスタビライジングを行つている。 従つてこのような熱変形はスタビライジングで
完全に除去されていない歪が熱工程で解放されて
変形を生じたり、或は螢光面形成後に磁気シール
ドを取り付けた際に発生する新たな組立て歪が発
生するためと考えられる。 発明の目的 本発明はカラー受像管の熱工程による熱変形を
起因とするｇ値変化を小さくし色純度の劣化を防
止することを目的とする。 発明の概要 本発明はシヤドウマスク、マスクフレーム及び
磁気シールドを材質的に完全に再結晶化させるこ
とにより、加工歪を効果的に除去し熱工程でのｇ
値変化を抑制するものである。 発明の実施例 以下本発明の実施例について詳細に説明する。
尚、本発明に適用されるカラー受像管の全体構成
は従来のものと同様であるので詳細な説明は省略
し本発明の要部についてのみ以下説明する。 シヤドウマスク、マスクフレーム及び磁気シー
ルドの加工歪は夫々の形状に機械的に成形された
際に生ずる。このうちシヤドウマスクは高精度の
曲面精度が要求されるため、例えば780℃程度の
高温度で焼鈍を行なつているので歪の除去として
は充分と考えられる。しかし乍らマスクフレーム
や磁気シールドは前述のスタビライジング以外に
は黒化処理が必要である時のみ約580℃で成形後
の熱処理が加わるだけである。 そこでシヤドウマスク、マスクフレーム及び磁
気シールドについて第２表に示すように成形後の
焼鈍温度を変化させて熱処理を行なつた。
ールドは電子ビームの散乱反射を防止するため表
面に黒化膜が設けられることもある。 次にカラー受像管の螢光面を形成するには、完
成したシヤドウマスク２を支持構体７により所定
の位置に係止めし電子ビームの偏向中心近傍に露
光光源を配置して露光現像法にて形成される。従
つて３色の螢光体を順次露光形成するたびにシヤ
ドウマスクは少くとも３回スタツド８から脱着す
ることになる。さてシヤドウマスク方式のカラー
受像管においてその機能上シヤドウマスクとパネ
ルとの間隔、ｇ値は所定の値に保持する必要があ
る。即ちこのｇ値が許容限度外に迄変化すると必
然的に電子ビームの螢光面ミスランデイングによ
り色純度を著るしく劣化させることになる。 このｇ値変化の要因としては、 (1) 螢光面形成時のシヤドウマスクの脱着での位
置ずれ。 (2) 封止及び排気工程等の、例えば排気中の380
℃乃至450℃での加熱工程によるシヤドウマス
ク、マスクフレーム及び磁気シールドの熱変
形。 (3) 移送及び輸送工程での衝撃による位置ずれ。 等が挙げられる。之等の要因による位置ずれ量は
26叶管で(1)が5μm、(2)が15μm、(3)が5μmの計約
25μmと概算される。 上記位置ずれ量のうち熱工程による熱変形を起
因とする位置ずれは60％と大きく最も問題とな
る。通常の工程ではシヤドウマスク、マスクフレ
ーム及び支持構体を組立てパネルの所定位置に係
止めさせた状態で組立て歪を除去するために450
℃乃至460℃でスタビライジングを行つている。 従つてこのような熱変形はスタビライジングで
完全に除去されていない歪が熱工程で解放されて
変形を生じたり、或は螢光面形成後に磁気シール
ドを取り付けた際に発生する新たな組立て歪が発
生するためと考えられる。 発明の目的 本発明はカラー受像管の熱工程による熱変形を
起因とするｇ値変化を小さくし色純度の劣化を防
止することを目的とする。 発明の概要 本発明はシヤドウマスク、マスクフレーム及び
磁気シールドを材質的に完全に再結晶化させるこ
とにより、加工歪を効果的に除去し熱工程でのｇ
値変化を抑制するものである。 発明の実施例 以下本発明の実施例について詳細に説明する。
尚、本発明に適用されるカラー受像管の全体構成
は従来のものと同様であるので詳細な説明は省略
し本発明の要部についてのみ以下説明する。 シヤドウマスク、マスクフレーム及び磁気シー
ルドの加工歪は夫々の形状に機械的に成形された
際に生ずる。このうちシヤドウマスクは高精度の
曲面精度が要求されるため、例えば780℃程度の
高温度で焼鈍を行なつているので歪の除去として
は充分と考えられる。しかし乍らマスクフレーム
や磁気シールドは前述のスタビライジング以外に
は黒化処理が必要である時のみ約580℃で成形後
の熱処理が加わるだけである。 そこでシヤドウマスク、マスクフレーム及び磁
気シールドについて第２表に示すように成形後の
焼鈍温度を変化させて熱処理を行なつた。
【表】
但し第２における試験例ａは従来例と同一工程
によるものである。 第２表の試験例ａ乃至ｄについて、各材料の
JISG0552フエライト結晶粒度の規定に基いて材
料断面の結晶粒度を測定した結果を第３表に示
す。尚、第２表の各材料の組成は第１表に示すも
のと同一である。
によるものである。 第２表の試験例ａ乃至ｄについて、各材料の
JISG0552フエライト結晶粒度の規定に基いて材
料断面の結晶粒度を測定した結果を第３表に示
す。尚、第２表の各材料の組成は第１表に示すも
のと同一である。
【表】
さらに上記材料面の結晶粒度の観察において、
試験例ｃ及びｄのものは再結晶化が完了している
ことが確認された。 次に之等の試験例による熱処理後管内に組込み
ｇ値変化を測定した結果を第３図に示す。第３図
は横軸に第２表の試験例を、縦軸に封止乃至排気
工程でのｇ値変化量を示している。 第３図から明らかなように試験例ｃ及びｄでは
再結晶化の進行に伴いｇ値変化が従来品の試験例
ａに比して15μmから7.5μmまで１／２に減少し
ている。従つてｇ値変化の他の要因を含めた全体
として25μm値変化を15μmと約30％減少させるこ
とができた。 特に20吋型以上の大型管では色純度の劣化に対
して余裕度が小さいのでその効果は顕著である。
またマスクフレーム及び磁気シールドの再結晶化
を成形前に実施し素材圧延時の歪を再結晶化によ
り完全に除去しておけば、成形時及び組立て時の
歪は黒化の為の熱処理で充分に除去することがで
きる。さらに黒化処理の温度を再結晶化させるた
めに必要な温度範囲で行うことが可能であれば熱
工程を一回に減らすことができる。 発明の効果 以上のように本発明によればｇ値の変化量を抑
制することによつて色純度の劣化を改善すること
ができる。
試験例ｃ及びｄのものは再結晶化が完了している
ことが確認された。 次に之等の試験例による熱処理後管内に組込み
ｇ値変化を測定した結果を第３図に示す。第３図
は横軸に第２表の試験例を、縦軸に封止乃至排気
工程でのｇ値変化量を示している。 第３図から明らかなように試験例ｃ及びｄでは
再結晶化の進行に伴いｇ値変化が従来品の試験例
ａに比して15μmから7.5μmまで１／２に減少し
ている。従つてｇ値変化の他の要因を含めた全体
として25μm値変化を15μmと約30％減少させるこ
とができた。 特に20吋型以上の大型管では色純度の劣化に対
して余裕度が小さいのでその効果は顕著である。
またマスクフレーム及び磁気シールドの再結晶化
を成形前に実施し素材圧延時の歪を再結晶化によ
り完全に除去しておけば、成形時及び組立て時の
歪は黒化の為の熱処理で充分に除去することがで
きる。さらに黒化処理の温度を再結晶化させるた
めに必要な温度範囲で行うことが可能であれば熱
工程を一回に減らすことができる。 発明の効果 以上のように本発明によればｇ値の変化量を抑
制することによつて色純度の劣化を改善すること
ができる。
第１図はシヤドウマスク方式のカラー受像管の
構成を示す模式図、第２図ａ及びｂは第１図のシ
ヤドウマスク近傍を示すもので第２図ａは組立て
分解図、第２図ｂは概略部分断面、第３図は熱工
程によるｇ値変化を示す特性図である。 １……電子銃、１Ｒ，１Ｇ，１Ｂ……電子ビー
ム、２……シヤドウマスク、２ａ……開孔、３…
…パネル、４……螢光面、４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ……
螢光体、５……マスクフレーム、６……磁気シー
ルド、７……支持構体、８……スタツド。
構成を示す模式図、第２図ａ及びｂは第１図のシ
ヤドウマスク近傍を示すもので第２図ａは組立て
分解図、第２図ｂは概略部分断面、第３図は熱工
程によるｇ値変化を示す特性図である。 １……電子銃、１Ｒ，１Ｇ，１Ｂ……電子ビー
ム、２……シヤドウマスク、２ａ……開孔、３…
…パネル、４……螢光面、４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ……
螢光体、５……マスクフレーム、６……磁気シー
ルド、７……支持構体、８……スタツド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の電子ビームを射出する電子銃と、前記
電子銃に対向して配置され前記電子ビームにより
異なる色に発光する複数の螢光体が設けられた螢
光面と、前記螢光面と前記電子銃の間にあつて前
記螢光面に近接対向して配置され多数の電子ビー
ム開孔を有するシヤドウマスクと、前記シヤドウ
マスクを支持するマスクフレームと、前記マスク
フレームの前記電子銃側に設けられた磁気シール
ドとを備えたカラー受像管において、前記シヤド
ウマスク、マスクフレーム及び磁気シールドを構
成する金属の内部組織が完全に再結晶化され、前
記マスクフレーム及び前記磁気シールドの
JISG0552に規定する断面結晶粒度がそれぞれ8.5
以下及び6.0以下であることを特徴とするカラー
受像管。 ２ 複数の電子ビームを射出する電子銃と、前記
電子銃に対向して配置され前記電子ビームにより
異なる色に発光する複数の螢光体が設けられた螢
光面と、前記螢光面と前記電子銃の間にあつて前
記螢光面に近接対向して配置され多数の電子ビー
ム開孔を有するシヤドウマスクと、前記シヤドウ
マスクを支持するマスクフレームと、前記マスク
フレームの前記電子銃側に設けられた磁気シール
ドとを備えたカラー受像管の製造方法において、
前記マスクフレーム及び磁気シールドを650℃以
上の温度で熱処理し、前記両者を構成する金属の
内部組織を再結晶化することを特徴とするカラー
受像管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14995882A JPS5940444A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | カラ−受像管及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14995882A JPS5940444A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | カラ−受像管及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5940444A JPS5940444A (ja) | 1984-03-06 |
| JPH0414457B2 true JPH0414457B2 (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=15486315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14995882A Granted JPS5940444A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | カラ−受像管及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5940444A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62111799A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | 有限会社 杉本着色所 | 耐久性に富む印字模様を有する熱可塑性樹脂製品とその製造方法 |
| CN1139096C (zh) * | 1997-04-16 | 2004-02-18 | Lg电子株式会社 | 彩色阴极射线管内屏蔽及其制造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5553843A (en) * | 1978-10-18 | 1980-04-19 | Nisshin Steel Co Ltd | Manufacturing method of shadow mask for color television braun tube |
| JPS5677332A (en) * | 1979-11-29 | 1981-06-25 | Nisshin Steel Co Ltd | Production of steel strip for production of shadow mask |
| JPS573341A (en) * | 1980-06-05 | 1982-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | Shadow mask |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP14995882A patent/JPS5940444A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5553843A (en) * | 1978-10-18 | 1980-04-19 | Nisshin Steel Co Ltd | Manufacturing method of shadow mask for color television braun tube |
| JPS5677332A (en) * | 1979-11-29 | 1981-06-25 | Nisshin Steel Co Ltd | Production of steel strip for production of shadow mask |
| JPS573341A (en) * | 1980-06-05 | 1982-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | Shadow mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5940444A (ja) | 1984-03-06 |
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