JPH04142021A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JPH04142021A
JPH04142021A JP2263032A JP26303290A JPH04142021A JP H04142021 A JPH04142021 A JP H04142021A JP 2263032 A JP2263032 A JP 2263032A JP 26303290 A JP26303290 A JP 26303290A JP H04142021 A JPH04142021 A JP H04142021A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
optical system
original plate
alignment
mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2263032A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinkichi Deguchi
出口 信吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2263032A priority Critical patent/JPH04142021A/ja
Publication of JPH04142021A publication Critical patent/JPH04142021A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、例えはレチクルに形成された電子回路等のパ
ターンをウェハに露光転写する半導体素子製造用の露光
装置に関し、特にレチクルとウェハを別々の基準に対し
て位置合せするオフアクシスアライメントにおいて良好
なレチクルアライメントを行なうことのてきる露光装置
に関する。
[従来技術] IC,LSI等の半導体素子製造用の露光装置には、解
像性能、重ね合せ性能および高スループツトという3つ
の基本的な性能か要求されている。
解像性能とは、半導体基板(以下「ウェハ」と称す)面
上に塗布されたフォトレジスト面上にいかに微細なパタ
ーンを形成するかという能力である。重ね合せ性能とは
、前工程でウニ八面上に形成されたパターンに対し、レ
チクル上のパターンをいかに正確に位置合せして転写で
きるかという能力である。そして、高スループツトとは
、単位時間内にいかに多くのウェハにレチクルのパター
ンを形成できるかという能力である。
露光装置はその露光方法により、例えはコンタクト、プ
ロキシミティ、ミラー1;1投影、ステッパー、X線ア
ライナ−等に大分類される。その中で各々最適な重ね合
せ方式が考案され実施されている。
殻に、半導体素子製造用としては解像性能と重ね合せ性
能との双方のバランスがとれた露光方法か好ましい。こ
のため、現在は縮少投影型の露光装置、所謂ステッパー
が多用されている。
これからの露光装置として要求される解像性能は0.5
μm近傍である。この解像性能を達成することが可能な
露光方式としては、例えばエキシマレーザ−を光源とし
たステッパー、X線を露光源としたプロキシミティタイ
プのアライナ−1そしてEB(電子ビーム)の直接描画
方式の3方式がある。このうち生産性の壱からすれば前
者2つの方式が好ましい。
一方、重ね合せ精度は一般的に焼付最小線幅の173〜
115の値が必要とされており、この精度を達成するこ
とは一般に解像性能の達成と同等か、それ以上の困難さ
を伴っている。
般に、レチクル面上のパターンとウェハ面上のパターン
との相対的位置合せ、即ちアライメントを行う方法とし
て、 ■TTL on Axis方式と ■off Axis方式 ■の TTL on Axis方式は、アライメント光
として露光光の波長と同一波長の光を採用した方式この
方式では、投影レンズはこの波長に対して良好なる収差
補正かなされている。そのため、例えはレチクルの上側
にアライメント光学系を配置することができ、ウェハパ
ターンの投影像とレチクル面上のパターンとを同−視野
内で同時に観察しなから双方の位置合せをすることかで
きる。また、アライメントを完了したその位置で露光を
かけることかできる。したがって、この方式ではシステ
ム誤差要因は原理的に存在しない。
しかしながら、この方式ではアライメント波長の選択の
余地はなく、また吸収レジストのようなプロセスにおい
てはウェハからの信号光が8i@に減衰するなどの点で
プロセス上の欠点を持つことになる。
これに対して、■Ooff Axis  方式は、誤差
要因は多いかプロセスへの対応自由度が高いため近年の
露光装置におけるアライメントシステムの主流になりつ
つある。
この off Axis  方式では、レチクルとウニ
への同時観察ができない。そのため、レチクルはレチク
ルアライメント用の顕微鏡で所定の基準に対してアライ
メントを行い、ウェハはウェハアライメント用顕微鏡で
顕微鏡内の基準に対してアライメントを行っている。
ここで、オフアクシスアライメント方式を用いた従来の
露光装置の構成の一例について説明する。
第3図はオフアクシスアライメント方式を用いた従来の
露光装置全体の概略図、第4図はレチクルアライメント
用顕微鏡の概略図、第5図は機構構成図である。
第3図において、照明系23からの光束はプラテン24
により保持されている原板としてのレチクル3を照射す
る。そして、レチクル3の面上に形成されている電子回
路等のパターンを投影レンズ21によって被露光体であ
る基板としてのウェハ22面上に投影転写する。
レチクル3とウェハ22とは、各々不図示の搬送手段に
より交換可能となっている。レチクル3の下部周辺には
、レチクル3を装置の座標系に対して正しく配置するた
めのレチクル基準マーク5かレチクル3と僅かの間隙を
有して配置されている。レチクル3を挟んて対向する位
置には、レチクル3をレチクル基準マーク5に対して位
置合せするためのレチクル顕微鏡15か設けられている
。なお、レチクル顕微鏡15とレチクル基準マーク5と
は、例えばレチクル中心を対称に2ケ所設けられている
レチクルアライメントは、レチクル顕微鏡15によりレ
チクル3面上に設けたレチクルセットマーク4とレチク
ル基準マーク5との相対位置誤差を読み取り、XYθ方
向に移動可能なレチクルステージ25によりレチクル3
およびプラテン24を相対位置誤差が茎に近づく方向に
駆動させることにより行う。そして、このときの相対位
置誤差か所定の許容範囲になったら終了する。なお、7
は撮像管またはCCD等である。
投影レンズ21の近−傍に、ウェハアライメント顕微鏡
26が配置されている。ウェハ22はウェハ保持台27
に真空吸着されて保持されている。
このウェハ保持台27は回転方向および上下方向に移動
可能なθZステージ28に保持され、このθ2ステージ
28はXY力方向移動可能となるように構成されている
なお、ここてθ方向はZ軸回りの回転方向を示している
XYステージ29の端部には、Y方向の位置座標検出の
ための光学ミラー30Yと、この光学ミラー30Yに光
束を入射させるためのレーザー干渉測長器(以下「干渉
計」という。)31Yとか配置されている。同様に、X
方向の位置座標検出のための不図示の光学ミラー(30
X)と不図示の干渉計(31X)とか配置されている。
そして、これら2つの干渉計31X、31Yを利用して
XYステージ29の位置そしてウェハ22のXY位置座
標を読み取っている。
以上のレチクルアライメント、ウェハアライメント、そ
してステージの位置情報等のデータ処理はルーチン的に
行っている。また、シーケンシャルな動作等は制御装置
40により制御することで行っている。ジョブの作成、
装置へのコマンド、パラメーター等の設定は、コンソー
ルのデイスプレィ41およびキーホード42により入力
できる。
次に、第4図および第5図を用いてレチクルアライメン
トの従来方式について説明する。これらの図において第
3図と同一の付番は同一の部材を表すものとする。なお
、第5図ではレチクルアライメント用顕m鏡の機構を簡
単に表すため、第4図のCCDカメラを横置きとし一部
のミラーを省略している。
第4図および第5図において、この露光装置では光源と
して水銀ランプ33を使用する。水銀ランプ33から発
生する光はシャッター34を介してレチクル3に至る。
レチクル3上に描かれているパターンは投影レンズ21
を介してウェハに投影される。
また、水銀ランプ33から発生する光から、取込みミラ
ー2を用いて光ファイバ1に光を導く。
このときg線を選択し、光ファイバ1を介して装置本体
に光を導くようにする。ファイバ1は本体側レチクル基
準マーク5を下側から照射するようにとりつける。この
光によりレチクル基準マーク5とそれから一定のキャッ
プを保ち存在するレチクルセットマーク4とを透過照明
する。そして、この透過光は対物レンズ8、リレーレン
ズ9およびエレクタ−レンズ11を介してCCDあるい
は撮像管7に入射する。これにより、アライメントマー
ク4.5かCCDあるいは撮像管7に結像される。CC
Dあるいは撮像管7により検出した画像は、画像処理装
置(イメージプロセッサIP)35に送られ画像処理さ
れる。これにより、各レチクルアライメントマーク4.
5の相対的なズレを検出する。その検出結果データは不
図示のレチクルステージ駆動系に転送される。レチクル
ステージ駆動系は、このデータに基いてレチクルステー
ジを駆動し、レチクルのズレを補正し、レチクルと本体
との位置合せを行う。CCDあるいは撮像管7により検
出した画像は、同時にTVカメラ36に表示される。
[発明か解決しようとする課題] ところで、露光は通常複数のレチクルを交換しなから行
なわれる。そして、各レチクルはそれぞれ厚さが異なる
ことがある。したがって、上述したようなレチクル顕@
315のアライメント方式において、複数の厚さの異な
るレチクル3を用いたときには、このレチクル3の厚さ
の変化に応じたピント合せが必要となる。このピント合
せは、第5図に示すように駆動系10を用いてリレーレ
ンズ9を光軸方向に移動させることにより行っている。
しかしながら、上記従来例では、レチクル顕微鏡15に
より観察すべき各レチクルアライメントマーク4,5と
対物レンズ8との間にレチクル(ガラス部)3かあり、
その厚さが変化するために以下のような問題点があった
■レチクルの厚さの変化によってピント変化を生じるた
め、(a) ピント検出手段、(b) ピント合せ用リ
レーレンズ、(e)  リレーレンズ駆動手段などを配
置しなければならず、機構が複雑になる。
■レチクルをアライメントする前にピント合せが必要な
ため、そのピント合せに時間かかかりスループットが低
下する。
■レチクルの厚さが変わることによって収差も変わり、
マーク検出精度が悪くなる。
本発明は、上述の従来例における問題点に鑑み、レチク
ル等の原板の厚さが変化することによる上述のような叱
響をなくした露光装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段および作用]上記の目的を
達成するため、本発明は、原板上に描かれているパター
ンを被露光体である基板上に投影露光する露光装置であ
って、前記原板の位置合せの指標となる基準と、前記基
準および前記基準と位置合せするために前言己原板上に
形成されたパターンを検出するための照明光学系および
結像光学系とを具備するとともに、前記結像光学系を前
記原板に対して前記基準側に配置することを特徴とする
さらに、前記照明光学系を前記原板に沿って平面的に移
動する手段と、前記原板上に形成されたパターンと前記
基準とを検出する際に、前記照明光学系を位置決めする
手段とを具備することとしてもよい。
上記構成によれば、例えばレチクルをアライメントする
レチクル顕微鏡において、結像光学系を原板であるレチ
クル(ガラス)に対してアライメントマーク(セットマ
ーク)がバターニングされている側に配置することとな
る。これにより、レチクル顕微鏡は、レチクル(ガラス
)の厚さ変化による光学的影響を受けずにアライメント
マークを検出できる。
[実施例] 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置のレチクル
顕微鏡周辺の光学部材配置図である。同図において、1
はアライメント光の光源であるところの光ファイバー、
2は照明光学系、3はレチクル、4はレチクル下面にバ
ターニングされたアライメント用セットマーク、5はア
ライメント用基準マーク、6は対物レンズ、7はCCD
カメラである。
第2図は、本実施例の露光装置全体の概略図である。こ
の露光装置は、第3図の露光装置のレチクル顕微鏡およ
びその周辺を第1図のように構成したものである。その
他の部分については第3図と同様であるので説明を省略
する。この露光装置は、アライメント光の光源としてL
ED43を用いている。
第1図において、光源1より発せられた光は、照明光学
系2により均質化され、レチクル3を透過して、レチク
ル下面にバターニングされたレチクルセットマーク4お
よびレチクル基準マーク5を開明する。そして、これら
2つのマーク像は、対物レンズ6によって結像され、C
CDカメラ7で検出される。
次に、レチクル3の代りに厚さの異なるレチクル12を
配置した場合を考える。
この場合とレチクル3を入れた場合との違いは照明系側
だけにある。各マーク4.5は対物レンズ6等を含む結
像光学系の側にあるので、これらの対物レンズ等は何ら
変更する必要もなく、性能的にも変化することはない。
また、このレチクル厚の変化による照明系側の光学的性
能劣化に対しては、照明光学系2を工夫することによっ
て性能劣化を無くすることは容易である。
なお、本実施例では光源を光ファイバーと表現している
か、LED43等の光源を直接配置しても同様の効果が
得られる。
また、照明光学系2が構成されているレチクル顕微鏡1
5が不図示の手段により平面的に駆動される場合は、レ
チクルセットマーク4とレチクル基準マーク5とを位置
合せする際に、照明光学系2を両マーク4.5の上方に
位置決めすればよい。
[発明の効果コ 以上説明したように、本発明によれば、レチクル等の原
板をアライメントするための結像光学系を、原板に対し
てアライメントマーク等の基準側に配置するようにして
いるので、結像光学系がレチクル等の厚さの変化による
影響を受けず、以下のような効果がある。
(1)レチクル交換によるピント変化が生じないため、 (a)ピント合せ用のリレーレンズおよびリレーレンズ
駆動系が不必要となり機構が簡単になる。
(b) ピント合せのための処理が不要となり、画像処
理およびリレーレンズ駆動のための時間が短縮される。
(2)収差等の光学性能が損なわれないで済む。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置のレチクル
顕微鏡付近の光学部材配置図、第2図は、本実施例の露
光装置の装置全体図、第3図は、従来の露光装置の装置
全体図、第4図は、従来の露光装置のレチクルアライメ
ント用顕微鏡の概略図、 第5図は、従来の露光装置のレチクルアライメント用顕
微鏡の機構構成図である。 光源、 14:照明光学系(アライメント用) 12ニレチクル、 レチクルセットマーク、 レチクル基準マーク、 6、 8:対物レンズ、 CCDカメラ、 リレーレンズ、 リレーレンズ駆動系、 :エレクターレンズ、 ビームスプリッタ− 投影レンズ、 :ウエハ、 :露光用照明系。 (または撮像管) 特許 出 願人 キャノン株式会社

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)原板上に描かれているパターンを被露光体である
    基板上に投影露光する露光装置であって、 前記原板の位置合せの指標となる基準と、 前記基準および前記基準と位置合せするために前記原板
    上に形成されたパターンを検出するための照明光学系お
    よび結像光学系と を具備するとともに、前記結像光学系を前記原板に対し
    て前記基準側に配置することを特徴とする露光装置。
  2. (2)さらに、前記照明光学系を前記原板に沿って平面
    的に移動する手段と、前記原板上に形成されたパターン
    と前記基準とを検出する際に、前記照明光学系を位置決
    めする手段とを具備することを特徴とする請求項1に記
    載の露光装置。
JP2263032A 1990-10-02 1990-10-02 露光装置 Pending JPH04142021A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2263032A JPH04142021A (ja) 1990-10-02 1990-10-02 露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2263032A JPH04142021A (ja) 1990-10-02 1990-10-02 露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04142021A true JPH04142021A (ja) 1992-05-15

Family

ID=17383936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2263032A Pending JPH04142021A (ja) 1990-10-02 1990-10-02 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04142021A (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61116836A (ja) * 1984-11-13 1986-06-04 Hitachi Ltd 縮小投影露光方式におけるアライメント方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61116836A (ja) * 1984-11-13 1986-06-04 Hitachi Ltd 縮小投影露光方式におけるアライメント方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11774850B2 (en) Method for disposing substrate and method for manufacturing article
TWI722389B (zh) 圖案形成裝置、對齊標記檢測方法和圖案形成方法
US5914774A (en) Projection exposure apparatus with function to measure imaging characteristics of projection optical system
JP2008263092A (ja) 投影露光装置
JP3466893B2 (ja) 位置合わせ装置及びそれを用いた投影露光装置
US4577958A (en) Bore-sighted step-and-repeat projection alignment and exposure system
JPS62160722A (ja) 露光方法
JPH04142021A (ja) 露光装置
JPH1064808A (ja) マスクの位置合わせ方法及び投影露光方法
JPH08339959A (ja) 位置合わせ方法
JP3152133B2 (ja) マスクとワークの位置合わせ方法および装置
JP3326446B2 (ja) 露光方法及び装置、リソグラフィ方法、マーク焼き付け装置、及びプロキシミティ露光装置
JPH113853A (ja) 位置検出方法及び位置検出装置
JP2005129557A (ja) 収差測定装置、露光装置、収差測定方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2002139847A (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JPS63224327A (ja) 投影露光装置
JP3584298B2 (ja) アライメント装置
JPH09297408A (ja) プリアライメント装置
JPH0954443A (ja) 露光方法及び装置
JP3584299B2 (ja) アライメント装置
JPH10261576A (ja) 投影露光装置
JPS6097623A (ja) 露光装置
JPS62262423A (ja) 露光装置
JPH02207522A (ja) 露光装置
JPH1022218A (ja) 基板のアライメント方法