JPH04139816A - 気相成長方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は化合物半導体を基板上に薄膜状に結晶成長する
場合に用いる気相成長方法に関するものである。

従来の技術 近ｖｍ−ｖ族及びＩ［−Ｖｒ族化合物半導体の気相エピ
タキシャル成長？夫　特に有機金属熱分解法（ＭＯＶＰ
Ｅ法）、ハイドライド気相エピタキシャル広　クロライ
ド気相成長法力（大面積（１，量産法　および、膜厚や
組成　キャリア濃度などの制御性の点から注目されてい
る。従来　この気相エピタキシャル成長法における結晶
成長室の構造は第６図の様な構造になっていた　第６図
は有機金属熱分解法による横型の気相成長装置の結晶成
長室であり、　１は石英製炉芯管、　２は石英製内管、
３は原料ガス導入０．４は水素ガス導入は　５は排ガス
ｌ　６はカーボン製ザセプ久　７はサセプタ支持派　８
は基板、　９は熱電対、　１０は高周波コイルであも　
このように　従来の結晶成長室は石英製内管２とカーボ
ン製サセプタ６とが基板設置位置よりもガスの流れに対
して上流側で接触してい九 第６図で示すような装置で結晶成長を行なうに（友　水
素ガス導入口４から水素ガスを流しつつ、炉芯管内を一
定の圧力に保つため排ガス口からガスを排気し　水素雰
囲気中で高周波コイル１０によりカーボン製サセプタ６
を加熱し所定温度に均一に加熱された基板８上に　例え
ばＧａＡｓを成長する場合にはＴＭＧおよびＡｓＨａを
原料ガス導入口３から導入し前期原料ガスの熱分解によ
りＧａＡｓ結晶を基板８上に成長をしていｔう発明が解
決しようとする課題 しかしながら、上記のように石英製内管２とカーボン製
サセプタ６とが接触していると、結晶成長中に石英製内
管２がカーボン製サセプタ６からの熱伝導により加熱さ
株　カーボン製サセプタとの接触近傍は結晶成長温度と
ほぼ同じ温度になってしまう。また　石英製内管のサセ
プタ近傍の側面や上面などの領域においても同様に加熱
される。

その結果　石英製内管の加熱された領域で■族あるいは
■族有機金属化合物やＶ族あるいは■族水素化物ガスな
どの原料ガスの一部が分解され　前記加熱領域に堆積し
　石英製内管内に不用な汚れ１１及び１２が付着すると
いう問題点を有してい九　すなわ叛　この堆積物（汚れ
）が基板温度の昇温及び降温中あるいは結晶成長中に再
蒸発して、基板８上に導かれ　基板と成長結晶界面や成
長結晶中に取り込まれたり、また成長結晶表面に付着し
たりして、所望の品質を有する結晶を得ることができな
かった　この問題点は特に混晶成長の場合の組成制雑　
不純物ドーピング成長の場合の不純物濃度制孤　多層薄
膜構造成長の界面の急峻性の制御などを非常に困難なも
のとしていた　また組東　不純物濃度、膜厚の基板面内
の均一性の低下、及び、成長結晶の表面欠陥発生の原因
となってい島 なお以上述べた従来例としてｃヨ　　有機金属熱分解法
に関して説明した力（ハイドライド法やクロライド法の
場合についても上記した問題点を有している。

本発明ζよ　かかる点に鑑へ　石英製内管における原料
ガスの熱分解による付着を除去し　良好な特性の納置　
特に　組成　不純物濃度、膜厚の基板面内均一性の良く
表面欠陥の少ない成長結晶を作製できる気相成長方法を
提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 本発明は上記した従来の問題点を解消するためになされ
たもので、原料ガス導入口と対流ガス導入口と排ガス口
と内管とサセプタを備えた炉芯管内部に　薄膜を成長さ
せる第１の基板を置くサセプタを有し　前記炉芯管内部
に原料ガスが対流しないように前記対流ガス導入口から
対流ガスを流し　前記排ガス口からガスを排気し　前記
炉芯管を加熱してサセプタの温度を上（ず、前記原料ガ
ス導入口から原料ガスを流し　サセプタの原料ガス流に
対して上流側に第２の基板をおき、薄膜成長時の前記炉
芯管内の汚れを前記第２の基板上に堆積させ、薄膜を成
長させた後に前記第２の基板を交換し　前記内管を清浄
に保ちつつ前記第１の基板上に薄膜を成長させる気相成
長方法である。また　基板上に薄膜を成長させる方法に
おいて、原料ガス導入口と排ガス口と内管とサセプタを
備えた炉芯管内部に　第１の基板を乗せる第１の領域と
ガス流に対して前記第１の領域の上流側に前記第１の基
板と同じ結晶基板をのせる前記第１の領域に対し厚みの
薄い第２の領域とを有するサセプタを有し　前記原料ガ
ス導入口から原料ガスを流し　前記排ガス口からガスを
排気し　前記炉芯管を加熱してサセプタの温度を上げ、
サセプタの原料ガス流に対して上流側に第２の基板をお
ぎ、薄膜成長時の前記炉芯管内の汚れを前記第２の基板
上に堆積させ、薄膜を成長させた後に前記第２の基板を
交換し　前記内管を清浄に保ちつつ前記第１の基板上に
薄膜を成長させる気相成長方法である。また　基板上に
薄膜を成長させる方法において、原料ガス導入口と対流
ガス導入口と排ガス口と内管とサセプタを備えた炉芯管
内部に　薄膜を成長させる基板を置くサセプタと、前記
サセプタのガス流に対して上流側の部分との接触部に対
流ガス導入口と共通の導入口をもつＶ族原料ガス供給ラ
インとを有し　前記炉芯管内部に原料ガスが対流しない
ように前記対流ガス導入口から対流ガスを流し　前記排
ガス口からガスを排気し　前記炉芯管を加熱してサセプ
タの温度を上Ｃデ、前記原料ガス導入口から原料ガスを
流し　前記内管を清浄に保ちつつ前記基板上に薄膜を成
長させる気相成長方法である。基板上に薄膜を成長させ
る方法において、原料ガス導入口と排ガス口と内管とサ
セプタを備えた炉芯管内部に　薄膜を成長させる第１の
基板を置くサセプタと、前記サセプタの上Ｑ− 流側の内管の外部にガス波方向に対し上流側に移動可能
なカーボン製ブロックを有し　薄膜成長時には加熱され
ないよう原料ガス流に対して上流側に移動して、前記炉
芯管内部に原料ガスが対流しないように前記対流ガス導
入口から対流ガスを流し　前記排ガス口からガスを排気
し　前記炉芯管を加熱してサセプタの温度を上ζず、前
記原料ガス導入口から原料ガスを流して第１の基板に薄
膜を成長させ、薄膜を成長させないときには前記カーボ
ン製ブロックを前記サセプタの直前に位置さ一比加熱す
ることにより前記内管に堆積した堆積物を除去する気相
成長方法である。

作用 本発明は上記の構成により、 （１）カーボン製サセプタの加熱によって温度が上昇す
るサセプタの上流側の石英製内管の領域をサセプタと一
体化し　前記領域に交換可能である第２の基板を乗せ、
前記板を成長毎に交換することにより原料ガスの分解に
より生成される堆積物（汚れ）を除去することかできる
。その結果、すセプタの上流側に汚れがない状態で常に
結晶成長ができる。

（２）内管のサセプタの周辺領域に第２の基板として成
長基板と同じ結晶基板を置くことにより、原料ガスの分
解による生成物による汚れが減り加熱されても汚れの蒸
発か無く、基板温度の昇温及び降温中あるいは成長中に
不用なガスによる汚染が無い。

（３）カーボン製の厚みの異なる領域を有するサセプタ
を用いることにより石英製内管のサセプタの上流側に接
触している領域の温度がサセプタが加熱されても原料ガ
スの分解温度までは上がらないので堆積物（汚れ）が付
着しない。その結果、サセプタの上流側に汚れがない状
態で常に結晶成長ができる。

（４）サセプタのガス流に対して上流側の内管のサセプ
タと接触する領域に穴をあけ　族原料ガスを導入するこ
とにより、原料ガスの分解により汚れる領域がなくなり
結晶成長の再現性が向上する。

（５）サセプタの上流の石英性内管の外側にガス波方向
に移動可能であるカーボン製ブロックを備え　結晶成長
後の成長室のベーキング時に前記カーボン製ブロックを
サセプタの直前に位置させ加熱し内管専用のベーキング
を行って付着した汚れを蒸発させる。結晶成長時に（友
　高周波により加熱されないようにガス流に対して上流
側に移動する。このように内管をヘ−キングするこ七に
より汚れの問題を解除できる。　　従って、基板温度昇
温及び降温中あるいは結晶成長中に不用なガスが基板上
に導かれることかなくなり、混晶成長の場合の組志　不
純物ドーピング成長の場合の不純物側塊　多層薄膜構造
成長の場合の界面急峻性等力（再現性よく容易に制御可
能となる。また　基板面内の均一性の向上　成長結晶欠
陥の発生防止が実現できる。

実施例 本発明による化合物半導体の気相成長方法の実施例を図
に基づいて説明する。第１図は本発明の第１の実施例で
ある気相成長方法を説明するための気相成長装置の断面
図である。第１図に示すように　石英製ガイド管１３と
サセプタ６とを一体化し　石英製ガイド管１３はサセプ
タ６のガス流に対して上流側に成長基板と同じ結晶基板
１４を置くことができる構造となっている。他の部分は
従来の有機金属熱分解法による気相成長室と同じ構造で
ある。

この気相成長装置を用いて、　０．６７μｍ帯赤色半導
体レーザの一構造であるＧａＡｓ：　　７．ｎ／ＧａＩ
ｎＰ：　　Ｚｎ／ＡＩＧａＩｎＰ：　　Ｍｇ／ＧａＩｎ
Ｐ／ＡＩＧａＩｎＰ：　　Ｓｅ／ＧａＡｓＰ：　　Ｓｅ
／ＧａＡｓ：　　Ｓｅ／ＧａＡｓ：　　Ｓｉ基板という
ダブルへテロ構造を作製する方法について以下に述べる
。

この場合、ＡＩ、　　Ｇａ、　　Ｉｎ、Ｍｇの原料材料
としてＡ　Ｉ　　（ＣＨｓ）　ａ、Ｇａ　（Ｃ２Ｈ−）
　３、Ｉｎ（ＣＨｓ）３、Ｚｎ　（Ｃ２Ｈｓ）　２、Ｃ
ｐ２Ｍｇを、ま１−、、　　Ａｓ、　　Ｐ、　　Ｓｅの
原料としてそれぞれＡｓＨ３、ＰＨｓ、Ｈ２Ｓ　ｅを、
また　キャリアガスとしてＨ２を用いた　最祖　結晶成
長室１内のカーボン製サセプタ６上に設置されたＧａＡ
ｓ：　　Ｓｉ基板８の温度を成長温度７００℃まで上昇
させμ　な抵このＶＩＡ、ＧａＡｓ：　　Ｓｉ基板８表
面の熱変成を防ぐため番ＱＡｓＨ３を５０ｃｃ／ｍｉｎ
供給し九そして、その後下記に示す成長条件により順次
成長を行っ九 なお、」二足の表中で、Ａ　Ｉ　　（ＣＨｓ）　ｓ、Ｇ
ａ　（Ｃ２ＨＬｉ）３、　Ｉ　ｎ　　（ＣＨ３）　　ａ
、　Ｚ　ｎ　　（Ｃ２Ｈ６）　　２、　Ｃｐ２１ＶＪｇ
の供給量についてｉ、ｔ、、　　それぞれ２０℃、　３
℃、２０℃、　０℃、　０℃に保温したバブラー（気化
装置）に供給するＨ２キャリアガスの流量を示している
。また　石英製内管内の全流量は８１／ｍｉｎ、石英製
内管外に供給するＨ２の流量としては２０１／ｍｉｎ、
成長時の結晶成長室内圧力としては１００Ｔｏ　ｒ　ｒ
である。

以上の本実施例において、ダブルへテロ構造を作製する
場合　前回の結晶成長終了後、基板８と共に結晶基板１
４を取り出し新しい結晶基板１４と交換し次のエピタキ
シャル成長を行った　この結果　各結晶成長時には常に
サセプタのガス流に対して上流側の汚れが除去された状
態となり、組成側塊　不純物濃度制御が容易に再現性よ
く行えた　また　各エピタキシャル層界面における組成
及び不純物濃度の急峻な変化か実現でき、例えばＱａＡ
ｓ：　　Ｚｎ成長の場合にはそれまでのＡＩＧａＩｎＰ
成長、ＧａＩｎＰ成長時に供給されていＬ　　Ａ　ｌ　
　（ＣＨａ）　ｓからのＡＩ、　Ｉｎ（ＣＨ３）３から
のＩｎ等の混入はほとんどなく、また成長結晶表面にも
ヒロックのような表面欠陥はほとんど見られなかった 上記の実施例において、結晶基板１４を用いたがかわり
に石英製の板を用いても結晶成長毎に交換をすれば上記
と同様の効果が得られることが可能であることは言うま
でもなｌ、Ｘｏ　　さらに　結晶基板を用いることによ
り原料ガスの分解により生成する体積物（汚れ）は結晶
基板上に汚れとしてではなく結晶として堆積するので、
体積物がサセプタの加熱により加熱されたとしても蒸発
し成長基板に不要なガスが取り込まれることはない。

次に　本発明の第２の実施例の場合について説明する。

第２図は第２の実施例を示しており、この実施例で（Ｌ
　サセプタ６の上側の領域に穴２５を有する石英製内管
２を用いて、前記穴２５をふさぐように成長基板８と同
じ結晶基板１５をのせて、本実施例においてはＧａＡｓ
基板を用いて、第１の実施例の場合と同じダブルへテロ
構造の作製を行っ九　この結果　サセプタ６の加熱によ
る原料ガスの分解による堆積物（汚れ）がＧａＡｓ基板
１５の表面上においては汚れとしてではなく多結晶ある
いは非結晶として堆積するので結晶成長を重ねてもＧａ
Ａｓ基板１５からのガスの蒸発がなく、結晶成長中に不
要なガスによる成長基板の汚染が無くなり、従って第１
の実施例と同様に高品質の結晶が得られ　またダブルへ
テロ界面の急峻性の向上が得られな　まな　本実施例に
おいて、サセプタ６の上側にのみ成長基板８と同じ結晶
基板１５を乗せた力交　サセプタ６の原料ガス上流に結
晶基板をおくことによりさらに原料ガスの分解による堆
積物（汚れ）が消失し高品質の結晶が得られることは言
うまでもない。

次に　本発明の第３の実施例の場合について説明する。

第３図は第３の実施例を示しており、この実施例では　
成長基板８を乗せる第１の領域１６と、原料ガス流に対
して前記領域の上流側に成長基板８と同じ結晶基板１８
を乗せる前記領域に対し厚みの薄い第２の領域１７を有
するサセプタを用い九　他の部分は従来の有機金属熱分
解法による気相成長室と同じ構造である。本実施例にお
いて成長基板８としてＧａＡ　ｓ基板を用いて、第１の
実施例と同じダブルへテロ構造の作製を行った　カーボ
ンの厚みの異なる領域を有するサセプタを用いることに
より結晶成長中に石英製内管のサセプタの原料ガス上流
側に接触している第２の領域の温度はサセプタが加熱さ
れても原料ガスの分解温度までは上がらない。結晶成長
するため圏成長基板８を７００℃に加熱した場合にサセ
プタの基板８を置く第１の領域１６は７００ｔに加熱さ
れるバ　サセプタの第２の領域１７においては厚みが薄
いために温度は３００〜４００℃程度でありサセプタの
側面と接触している石英製内管の領域の温度は原料ガス
の分解温度まで上昇しな賎このために　石英製内管のサ
セプタの原料ガス上流側に接触している領域に堆積物（
汚れ）は付着しない。その結果　サセプタの上流側に汚
れがない状態で常に結晶成長ができた また　サセプタの第２の領域１７に成長基板上回じＧａ
Ａｓ基板１８を乗せて上記と同じように第１の領域１６
に置いた基板８上に結晶成長を行った　サセプタの第２
の領域１７にＧａＡ　ｓ基板１８を置くことにより基板
８の前面に原料ガスの分解による堆積物（汚れ）が付着
せず高品質の成長結晶およびダブルへテロ界面が得られ
た本発明において（よ　上記のサセプタの形状をサセプ
タの第２の領域の厚みをガス流に刻して上波方向に薄く
する一体となったものであった力＜’４１の領域と第２
の領域とを分離できる構造であっても可能であることは
言うまでもない。

次に　本発明の第４の実施例の場合について説明する。

第４図は第４の実施例を示しており、サセプタのガス流
に対して上流側の内管１９のサセプタと接触する領域に
穴２６かあり内管１９はその穴からＶ族原料ガスを導入
することができるようになっている。他の部分は従来の
有機金属熱分解法による気相成長室と同じ構造である。

本実施例において基板８としてＧａＡｓ基板を用いて、
第１の実施例と同じダブルへテロ構造の作製を行うｔも 従来の構造の石英製内管を用いた場合、サセプタに接す
る領域がサセプタの加熱により高温になり原料ガスが分
解し堆積物が生成されｆ、　　本実施例においては　前
記堆積物か生成される領域には穴２６がおいており原料
ガスを加熱し堆積する領域がサセプタのガス流に対して
上流側に存在しない。唯一加熱される領域であるサセプ
タのガス流に対し上流側の■族原料ガスを供給する領域
において（戴　サセプタと同温度まで加熱されるが■族
の原料ガスのみであり■族原料ガスは供給されていない
ので堆積物（汚れ）は生成されない。この結果、原料ガ
スの分解により汚れる領域がなくなり結晶成長の再現性
が向上し　基板温度の昇温及び降温中あるいは結晶成長
中に不用なガスが基板上に導かれることがなくなり、混
晶成長の場合の組恵　不純物ドーピング成長の場合の不
純物側塊多層薄膜構造成長の場合の界面急峻性等戟　再
現性よく容易に制御可能となっ九 次に　本発明の第５の実施例の場合について説明する。

第５図は第５の実施例を示しており、この実施例で（よ
　サセプタの上流の石英製内管２の外部にガス波方向に
移動可能であるカーボン製ブロック２０を備えたもので
ある。他の部分は従来の有機金属熱分解法による気相成
長室と同じ構造である。本実施例において成長基板８と
してＧａＡｓ基板を用いて、第１の実施例と同じダブル
へテロ構造の作製を行っに 本実施例においては　結晶成長後に石英製内管２のサセ
プタ６の近傍に堆積物（汚れ）が付着する力丈　結晶成
長後の成長室のベーキング時に前記カーボン製ブロック
２０をサセプタ６の直前に位置さぜ加熱し内管専用のベ
ーキングを行うことにより前記の堆積物を除去すること
ができる。結晶成長時には　高周波により加熱されない
ようにガス流に対して上流側に移動する。このように内
管をベーキングすることにより汚れの問題を解除できる
。な抵　本実施例において、堆積物除去用のカーボン製
ブロックは石英製内管の下部においた力丈　前記内管を
囲む形状であっても可能である。

以上の本発明の全ての場合において、基板温度の昇温及
び降温中あるいは結晶成長中に不用なガスが基板上に導
かれることがなくなり、混晶成長の場合の組志　不純物
ドーピング成長の場合の不純物側塊　多層薄膜構造成長
の場合の界面急峻性等力丈　再現性よく容易に制御可能
となる。また基板面内の均一性の白土　成長結晶欠陥の
発生防止が実現できる。

以」二述べた実施例においてはＡＩＧａＩｎＰ／Ｇ　ａ
、　Ａ　ｓ系の結晶成長について説明した力交　本発明
による気相成長方法（よ　ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ％、
　　ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系などの他の■Ｖ族化合物
半導体結晶の成長に用いることができるはかりでなく、
さらにＺｎ５ｅやＺｎＳＳｅ、Ｈｇ　Ｃｄ　Ｔ　ｅ等の
■−■族化合物半導体結晶や混晶、■−ｖ族と■−■族
との混晶、カルコパイライトなどの成長に用いることが
できる。さらＥ以上述べた実施例は有機金属熱分解法の
場合であったバ　ハイドライドやクロライド気相エピタ
キシャル成長などの他の化合物半導体の気相エピタキシ
ャル成長法の場合にも用いることが可能である。

発明の効果 本発明にかかる気相成長方法（よ　サセプタとサセプタ
のガス流に対して上流側に石英板もしくは成長基板と同
じ結晶基板をのせる石英製の領域と臼− 一体化したサセプタを備えた気相成長装置を用いたもの
である。また　石英製内管のサセプタ周辺の領域に成長
基板と同じ結晶基板をおくものである。まｔヘ　　サセ
プタの基板を乗せる領域のガス流に対して上流側が前記
領域に対し薄くするものである。ま？＝　　サセプタと
内管の接触部にＶ族原料ガスの導入口を備えるものであ
る。また　サセプタのガス流に対して上流側の内管の外
部にカーボン製ブロックを備える装置を用いるものであ
る。

以上のような簡易な装置により、混晶成長の場合の組成
側線　不純物ドーピング成長の場合の不純物濃度制鈎　
多層薄膜構造作製の場合の界面急峻性などを精密に再現
性よく行うことが可能となっ九　この結果、例えば超格
子構造やＨＥＭＴ構造などの作製が容易となって、その
実用的効果は非常に太きい。

【図面の簡単な説明】 第１〜５図はそれぞれ本発明第１〜５の実施例に用いる
気相成長装置の結晶成長室の模式断面１第６図は従来の
気相成長方法に用いる結晶成長室冴 の模式断面図である。 １・・・炉芯管、　２・・・内管、３・・・原料ガス導
入は４・・・対流ガス導入ｌ　５・・・排ガス口、　６
・・・カーボン製ザセプ久　８・・・第１の基板、　１
０・・・高周波コイ）Ｉｌｚ、１３・・・ガイド管、　
１５・・・第２の基板、　１６・・・サセプタ第１の領
域　１７・・・サセプタ第２の領域　２５・・・穴、　
２６・・・穴、　１９・・・内管、　２０・・・カーボ
ン製ブロック。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に薄膜を成長させる方法において、原料ガ
   ス導入口と対流ガス導入口と排ガス口と内管とサセプタ
   を備えた炉芯管内部に、薄膜を成長させる第１の基板を
   置くサセプタを有し、前記炉芯管内部に原料ガスが対流
   しないように前記対流ガス導入口から対流ガスを流し、
   前記排ガス口からガスを排気し、前記炉芯管を加熱して
   サセプタの温度を上げ、前記原料ガス導入口から原料ガ
   スを流し、サセプタの原料ガス流に対して上流側に第２
   の基板をおき、薄膜成長時の前記炉芯管内の汚れを前記
   第２の基板上に堆積させ、薄膜を成長させた後に前記第
   ２の基板を交換し、前記内管を清浄に保ちつつ前記第１
   の基板上に薄膜を成長させることを特徴とする気相成長
   方法。
2. （２）第１の基板が石英板単体あるいは半導体結晶基板
   であることを特徴とする請求項第１項記載の気相成長方
   法。
3. （３）内管のサセプタの上側の少なくとも一部分に第１
   の基板と同じ第２の基板を設置することを特徴とする請
   求項第１項記載の気相成長方法。
4. （４）基板上に薄膜を成長させる方法において、原料ガ
   ス導入口と排ガス口と内管とサセプタを備えた炉芯管内
   部に、第１の基板を乗せる第１の領域とガス流に対して
   前記第１の領域の上流側に前記第１の基板と同じ結晶基
   板をのせる前記第１の領域に対し厚みの薄い第２の領域
   とを有するサセプタを有し、前記原料ガス導入口から原
   料ガスを流し、前記排ガス口からガスを排気し、前記炉
   芯管を加熱してサセプタの温度を上げ、サセプタの原料
   ガス流に対して上流側に第２の基板をおき、薄膜成長時
   の前記炉芯管内の汚れを前記第２の基板上に堆積させ、
   薄膜を成長させた後に前記第２の基板を交換し、前記内
   管を清浄に保ちつつ前記第１の基板上に薄膜を成長させ
   ることを特徴とする気相成長方法
5. （５）基板上に薄膜を成長させる方法において、原料ガ
   ス導入口と対流ガス導入口と排ガス口と内管とサセプタ
   を備えた炉芯管内部に、薄膜を成長させる基板を置くサ
   セプタと、前記サセプタのガス流に対して上流側の部分
   との接触部に対流ガス導入口と共通の導入口をもつＶ族
   原料ガス供給ラインとを有し、前記炉芯管内部に原料ガ
   スが対流しないように前記対流ガス導入口から対流ガス
   を流し、前記排ガス口からガスを排気し、前記炉芯管を
   加熱してサセプタの温度を上げ、前記原料ガス導入口か
   ら原料ガスを流し、前記内管を清浄に保ちつつ前記基板
   上に薄膜を成長させることを特徴とする気相成長方法。
6. （６）基板上に薄膜を成長させる方法において、原料ガ
   ス導入口と排ガス口と内管とサセプタを備えた炉芯管内
   部に、薄膜を成長させる第１の基板を置くサセプタと、
   前記サセプタの上流側の内管の外部にガス波方向に対し
   上流側に移動可能なカーボン製ブロックを有し、薄膜成
   長時には加熱されないよう原料ガス流に対して上流側に
   移動して、前記炉芯管内部に原料ガスが対流しないよう
   に前記対流ガス導入口から対流ガスを流し、前記排ガス
   口からガスを排気し、前記炉芯管を加熱してサセプタの
   温度を上げ、前記原料ガス導入口から原料ガスを流して
   第１の基板に薄膜を成長させ、薄膜を成長させないとき
   には前記カーボン製ブロックを前記サセプタの直前に位
   置させ、加熱することにより前記内管に堆積した堆積物
   を除去することを特徴とする気相成長方法。