JPH04139769A - コルゲート型太陽電池の製造方法 - Google Patents
コルゲート型太陽電池の製造方法Info
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- JPH04139769A JPH04139769A JP2260570A JP26057090A JPH04139769A JP H04139769 A JPH04139769 A JP H04139769A JP 2260570 A JP2260570 A JP 2260570A JP 26057090 A JP26057090 A JP 26057090A JP H04139769 A JPH04139769 A JP H04139769A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はコルゲート型基板を用いた太陽電池の製造方法
に関する。
に関する。
従来、基板表面または裏面に、該基板とは異なる型の不
純物層や異なる濃度の不純物層を形成させてコルゲート
型太陽電池を作製する場合に、まず、ウェハ表面および
裏面にＶ形溝を作ってコルゲート型基板を形成した後に
、その基板の表面または裏面に、該基板とは異なる型の
不純物層や異なる濃度の不純物層を形成させてコルゲー
ト型太陽電池を作製していた。
純物層や異なる濃度の不純物層を形成させてコルゲート
型太陽電池を作製する場合に、まず、ウェハ表面および
裏面にＶ形溝を作ってコルゲート型基板を形成した後に
、その基板の表面または裏面に、該基板とは異なる型の
不純物層や異なる濃度の不純物層を形成させてコルゲー
ト型太陽電池を作製していた。
これに関する従来技術として、例えば、アイ・イー・イ
ー・イー、トランザクションオンエレクトロンデバイセ
ス、第３７巻、第２号、（１９９０年）第３４４頁から
第３４７頁（ＩＥＥＥ、ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ
０ＮＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ、ＶＯＬ。
ー・イー、トランザクションオンエレクトロンデバイセ
ス、第３７巻、第２号、（１９９０年）第３４４頁から
第３４７頁（ＩＥＥＥ、ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ
０ＮＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ、ＶＯＬ。
３７、Ｎｏ、２．（１９９０）ＰＰ、３４４−３４７〕
に示されているように、コルゲート基板を形成した後に
、該コルゲート基板の裏面凸部にｐ十層を形成させて作
製するコルゲート型シリコン太陽電池の提案がなされて
いる。
に示されているように、コルゲート基板を形成した後に
、該コルゲート基板の裏面凸部にｐ十層を形成させて作
製するコルゲート型シリコン太陽電池の提案がなされて
いる。
上述したごと〈従来技術においては、コルゲート型太陽
電池を作製する場合、コルゲート型基板を形成した後に
、基板とは異なる型の不純物層（例えばＰ＋層）や異な
る濃度の不純物層を形成していたために、コルゲート型
基板の表面または裏面の凸部のみに上記の不純物層を選
択的に形成させる場合には、他の部分に上記不純物層が
形成されないようにマスクを用いなければならないとい
う煩雑な工程を必要とする問題があった。
電池を作製する場合、コルゲート型基板を形成した後に
、基板とは異なる型の不純物層（例えばＰ＋層）や異な
る濃度の不純物層を形成していたために、コルゲート型
基板の表面または裏面の凸部のみに上記の不純物層を選
択的に形成させる場合には、他の部分に上記不純物層が
形成されないようにマスクを用いなければならないとい
う煩雑な工程を必要とする問題があった。
本発明の目的は、上記従来技術における問題点を解消す
るものであって、コルゲート型太陽電池を作製する場合
に、コルゲート型基板を形成する前の工程で、ウェハ表
面あるいは裏面の所定の部分に必要とする不純物層を形
成させておき、その後にＶ形溝を形成させることにより
、極めて闇路化された工程でコルゲート型太陽電池を製
造する方法を提供することにある。
るものであって、コルゲート型太陽電池を作製する場合
に、コルゲート型基板を形成する前の工程で、ウェハ表
面あるいは裏面の所定の部分に必要とする不純物層を形
成させておき、その後にＶ形溝を形成させることにより
、極めて闇路化された工程でコルゲート型太陽電池を製
造する方法を提供することにある。
上記本発明の目的を達成するために、ウェハに■形溝を
形成してコルゲート型基板を作製する前に、ウェハ表面
の設定の部分にあらかじめ必要とする不純物層（例えば
Ｐ＋層）を形成した後、コルゲート型基板にするための
Ｖ形溝を形成させることにより、コルゲート型太陽電池
の製造工程を一段と簡略化することができる。
形成してコルゲート型基板を作製する前に、ウェハ表面
の設定の部分にあらかじめ必要とする不純物層（例えば
Ｐ＋層）を形成した後、コルゲート型基板にするための
Ｖ形溝を形成させることにより、コルゲート型太陽電池
の製造工程を一段と簡略化することができる。
本発明のコルゲート型太陽電池の作製工程が簡略化でき
る理由を１図面を引用して説明する。
る理由を１図面を引用して説明する。
従来のコルゲート型太陽電池では、コルゲート型基板表
面または裏面に、該基板とは異なる型の不純物層や異な
る濃度の不純物層を形成させる場合に、例えば第５図に
示すように、ウェハ表面１および裏面４に、コルゲート
型基板５を形成させるためのＶ形溝を作り、次にコルゲ
ート型基板５の表面または裏面に、該コルゲート型基板
５とは異なる型の不純物層６，７や異なる濃度の不純物
層６，７を形成させていた。これに対し、本発明におい
ては、例えば第１図に示すように、ウェハ表面１または
ウェハ裏面４に該コルゲート型基板５とは異なる型の不
純物層６，７や異なる濃度の不純物層６，７を、図中の
破線で示す表面の不純物拡散面２または裏面の不純物拡
散面３の深さにまで形成し、次にウェハ表面１およびウ
ェハ裏面４にＶ形溝を形成させることにより、コルゲー
ト型基板５の表面または裏面の凸部にのみ、他の部分と
は異なる不純物層６，７を形成させることができる。従
来は、フルゲート型基板５の凸部にのみ他の部分とは異
なる不純物層６，７を形成させる時に、コルゲート型基
板５の形成後に、何らかのマスクを用いて選択的に形成
させていた。しかし、本発明の方法では、この不純物層
６．７を形成させる工程において、煩雑なマスクの形成
工程を省略することができる。また、上記マスクとコル
ゲート型基板５の凸部との位置合わせをする必要がない
ためにセルファラインで高精度の加工が可能となる。
面または裏面に、該基板とは異なる型の不純物層や異な
る濃度の不純物層を形成させる場合に、例えば第５図に
示すように、ウェハ表面１および裏面４に、コルゲート
型基板５を形成させるためのＶ形溝を作り、次にコルゲ
ート型基板５の表面または裏面に、該コルゲート型基板
５とは異なる型の不純物層６，７や異なる濃度の不純物
層６，７を形成させていた。これに対し、本発明におい
ては、例えば第１図に示すように、ウェハ表面１または
ウェハ裏面４に該コルゲート型基板５とは異なる型の不
純物層６，７や異なる濃度の不純物層６，７を、図中の
破線で示す表面の不純物拡散面２または裏面の不純物拡
散面３の深さにまで形成し、次にウェハ表面１およびウ
ェハ裏面４にＶ形溝を形成させることにより、コルゲー
ト型基板５の表面または裏面の凸部にのみ、他の部分と
は異なる不純物層６，７を形成させることができる。従
来は、フルゲート型基板５の凸部にのみ他の部分とは異
なる不純物層６，７を形成させる時に、コルゲート型基
板５の形成後に、何らかのマスクを用いて選択的に形成
させていた。しかし、本発明の方法では、この不純物層
６．７を形成させる工程において、煩雑なマスクの形成
工程を省略することができる。また、上記マスクとコル
ゲート型基板５の凸部との位置合わせをする必要がない
ためにセルファラインで高精度の加工が可能となる。
第２図ないし第４図を用いて、本発明の一実施例を説明
する。
する。
ウェハとしては、（１００）表面を持つＰ型車結晶Ｓｉ
を用い、ウェハの表面１に、第２図に示すように、通常
の熱拡散法によるリン拡散を行い、ｎ土層６ｎを形成し
た。ウェハ裏面４には、通常の熱拡散法によるボロン拡
散を行いｐ十層７ｐを形成した。次に、ウェハ表面１お
よびウェハ裏面４に酸化膜８を形成し、これをエツチン
グマスクとしてアルカリ溶液で異方性エツチングを行い
、Ｖ形溝を形成してコルゲート型基板５を作成した。
を用い、ウェハの表面１に、第２図に示すように、通常
の熱拡散法によるリン拡散を行い、ｎ土層６ｎを形成し
た。ウェハ裏面４には、通常の熱拡散法によるボロン拡
散を行いｐ十層７ｐを形成した。次に、ウェハ表面１お
よびウェハ裏面４に酸化膜８を形成し、これをエツチン
グマスクとしてアルカリ溶液で異方性エツチングを行い
、Ｖ形溝を形成してコルゲート型基板５を作成した。
これにより、コルゲート型基板５の凸部に ｎ＋層６ｎ
およびｐ十層７Ｐを、特別な工程を経ることなく簡便に
、かつ正確に形成させることができた。
およびｐ十層７Ｐを、特別な工程を経ることなく簡便に
、かつ正確に形成させることができた。
その後、第３図に示すように、表面のＶ形溝斜面に、コ
ルゲート型基板５の表面の凸部の ｎ土層６ｎとは異な
る不純物濃度を有するｎ十層９ｎを、裏面の■形溝斜面
に、コルゲート型基板５の裏面の凸部のｐ十層７Ｐとは
異なる不純物濃度を有するｐ十層１０ρを、それぞれ形
成させた。さらに。
ルゲート型基板５の表面の凸部の ｎ土層６ｎとは異な
る不純物濃度を有するｎ十層９ｎを、裏面の■形溝斜面
に、コルゲート型基板５の裏面の凸部のｐ十層７Ｐとは
異なる不純物濃度を有するｐ十層１０ρを、それぞれ形
成させた。さらに。
第４図に示すように、表面に酸化膜よりなる表面パッシ
ベーション膜１１と、反射防止膜１３を形成し、これら
の膜に開けられたコンタクトホールを通して、ｎ十層６
ｎとオーミック接触を持つ表面電極１５を形成した。裏
面には酸化膜による裏面パッシベーション膜１２と裏面
反射鏡１４を形成し、これらの膜に開けられたコンタク
トホールを通してｐ十層７ｐとオーミック接触を持つ裏
面電極１６を形成した。
ベーション膜１１と、反射防止膜１３を形成し、これら
の膜に開けられたコンタクトホールを通して、ｎ十層６
ｎとオーミック接触を持つ表面電極１５を形成した。裏
面には酸化膜による裏面パッシベーション膜１２と裏面
反射鏡１４を形成し、これらの膜に開けられたコンタク
トホールを通してｐ十層７ｐとオーミック接触を持つ裏
面電極１６を形成した。
上記の実施例においては、単結晶Ｓｉウェハを用いた場
合を例に挙げて説明したが、これはＧａＡｓ、ＩｎＰ、
Ｇｅ等の半導体材料やその他の化合物半導体材料を用い
た単結晶ウェハであっても良い。また１等方性エツチン
グや機械加工、レーザ加工等によって本発明のコルゲー
ト型基板を形成する場合には、単結晶のみならず多結晶
、非晶質材料を用いることができる。
合を例に挙げて説明したが、これはＧａＡｓ、ＩｎＰ、
Ｇｅ等の半導体材料やその他の化合物半導体材料を用い
た単結晶ウェハであっても良い。また１等方性エツチン
グや機械加工、レーザ加工等によって本発明のコルゲー
ト型基板を形成する場合には、単結晶のみならず多結晶
、非晶質材料を用いることができる。
また、第４図で説明した表面および裏面パッシベーショ
ン１１１１１．１２や反射防止膜１３についても、その
他の材料を用いて形成したり、または省略したりした場
合、あるいは表面電極１５、裏面電極１６の形成位置や
形状が異なる場合であっても本発明の効果があることは
言うまでもない。
ン１１１１１．１２や反射防止膜１３についても、その
他の材料を用いて形成したり、または省略したりした場
合、あるいは表面電極１５、裏面電極１６の形成位置や
形状が異なる場合であっても本発明の効果があることは
言うまでもない。
以上本発明の実施例において、コルゲート型基板の凸部
やＶ形溝斜面に形成するコルゲート型基板とは異なる型
の不純物層や異なる濃度の不純物層の形成方法として、
不純物を拡散する方法について説明したが、これはコル
ゲート型基板表面あるいはウェハ表面に、コルゲート型
基板とは異なる型の不純物層や異なる濃度の不純物層を
堆積させることによって形成しても本発明と同様の効果
を有するものである。
やＶ形溝斜面に形成するコルゲート型基板とは異なる型
の不純物層や異なる濃度の不純物層の形成方法として、
不純物を拡散する方法について説明したが、これはコル
ゲート型基板表面あるいはウェハ表面に、コルゲート型
基板とは異なる型の不純物層や異なる濃度の不純物層を
堆積させることによって形成しても本発明と同様の効果
を有するものである。
コルゲート型基板を用いて薄型太陽電池を形成する場合
に、本発明の方法でコルゲート型基板の凸部に上記基板
とは異なる型の不純物層や異なる濃度の不純物層を形成
させることにより、コルゲート型基板の形成後に、マス
クを用い上記の不純物層を形成させる従来の工程に比べ
、−段と簡便で、しかも高性能のコルゲート型太陽電池
を得ることができる。
に、本発明の方法でコルゲート型基板の凸部に上記基板
とは異なる型の不純物層や異なる濃度の不純物層を形成
させることにより、コルゲート型基板の形成後に、マス
クを用い上記の不純物層を形成させる従来の工程に比べ
、−段と簡便で、しかも高性能のコルゲート型太陽電池
を得ることができる。
第１図は本発明のコルゲート型太陽電池の構成の一例を
示す模式図、第２図ないし第４図は本発明の実施例にお
いて例示したコルゲート型太陽電池の構成の一例を示す
模式図、第５図は従来のコルゲート型太陽電池の構成の
一例を示す模式図である。 １・・・ウェハ表面 ２・・・表面の不純物拡散面
３・・・裏面の不純物拡散面 ４・・・ウェハ裏面 ５・・・コルゲート型基板６
・・・不純物層 ６ｎ・・・ｎ十層７・・・不純
物層 ７Ｐ・・・ｐ十層８・・・酸化膜エツチン
グマスク ９ｎ−ｎ中層 １０ｐ−・・ｐ十層１１・・・表面
パッシベーション膜 １２・・・裏面パッシベーション膜 １３・・・反射防止膜 １４・・・裏面反射鏡１５・
・・表面電極 １６・・・裏面電極７に′：−
示す模式図、第２図ないし第４図は本発明の実施例にお
いて例示したコルゲート型太陽電池の構成の一例を示す
模式図、第５図は従来のコルゲート型太陽電池の構成の
一例を示す模式図である。 １・・・ウェハ表面 ２・・・表面の不純物拡散面
３・・・裏面の不純物拡散面 ４・・・ウェハ裏面 ５・・・コルゲート型基板６
・・・不純物層 ６ｎ・・・ｎ十層７・・・不純
物層 ７Ｐ・・・ｐ十層８・・・酸化膜エツチン
グマスク ９ｎ−ｎ中層 １０ｐ−・・ｐ十層１１・・・表面
パッシベーション膜 １２・・・裏面パッシベーション膜 １３・・・反射防止膜 １４・・・裏面反射鏡１５・
・・表面電極 １６・・・裏面電極７に′：−
Claims (1)
- １、ウェハの表面および裏面にＶ形溝を設けたコルゲー
ト型基板の少なくとも表面または裏面の凸部に、上記コ
ルゲート基板とは異なる型の不純物層もしくは異なる濃
度の不純物層を有するコルゲート型基板を用いた太陽電
池の製造方法において、上記不純物層は、Ｖ形溝の形成
前に上記ウェハの所定の部分に形成し、次にＶ形溝の形
成を行うと同時に、上記コルゲート型基板の凸部に上記
不純物層を残留させて形成する工程を含むことを特徴と
するコルゲート型太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2260570A JPH0766979B2 (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | コルゲート型太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2260570A JPH0766979B2 (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | コルゲート型太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04139769A true JPH04139769A (ja) | 1992-05-13 |
| JPH0766979B2 JPH0766979B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=17349787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2260570A Expired - Fee Related JPH0766979B2 (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | コルゲート型太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766979B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08222752A (ja) * | 1995-02-10 | 1996-08-30 | Tsukasa Denki Sangyo Kk | 太陽電池装置 |
| WO1998043304A1 (fr) * | 1997-03-21 | 1998-10-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Element photovoltaique et procede de fabrication dudit element |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6231834A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Hitachi Ltd | シヤツタ−制御装置 |
| JPS6418763U (ja) * | 1987-07-22 | 1989-01-30 |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP2260570A patent/JPH0766979B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6231834A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Hitachi Ltd | シヤツタ−制御装置 |
| JPS6418763U (ja) * | 1987-07-22 | 1989-01-30 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08222752A (ja) * | 1995-02-10 | 1996-08-30 | Tsukasa Denki Sangyo Kk | 太陽電池装置 |
| WO1998043304A1 (fr) * | 1997-03-21 | 1998-10-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Element photovoltaique et procede de fabrication dudit element |
| US6207890B1 (en) | 1997-03-21 | 2001-03-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic element and method for manufacture thereof |
| US6380479B2 (en) | 1997-03-21 | 2002-04-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic element and method for manufacture thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766979B2 (ja) | 1995-07-19 |
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|---|---|---|---|
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