JPH04136859A - ネガ型放射線感応レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、新規なネガ型放射線感応レジスト組成物、さ
らに詳しくは、半導体素子の製造分野における微細加工
に好適な解像性及びレジストパタンのプロファイル形状
に優れ、かつ放射線の照射量依存性の小さなネガ型放射
線感応レジスト組成物に関するものである。

従来の技術 近年、半導体素子における高密度化、高集積度化の進歩
は著しく、その微細加工技術における解像性は、ザブミ
クロン領域まで要求されるようになってきている。そし
て、半導体素子の製造分野において主流となってるリン
グラフィ技術に関しても、０．５μｍ以下の微細加工か
必要とされ、これに応えるために、短波長の紫外線であ
るＤｅｅｐＵＶ。

線及びｇ線なとの２００〜５００ｎｍの波長を発光する
光源を露光に用いることか提案さている。さらに近年、
エキシマレーザ−か開発されＫｒＦレーザ（波長２４８
ｎｍ）が使用されている。また、電子線やエックス線に
感応するレジストの開発も進められている。

前記したような放射線に適合する予力型しジスト組成物
についての研究も積極的になされており、例えばＤｅｅ
ｐ　　ＵＶ、１線やｇ線に感応するものとしてフェノー
ルノボラック樹脂とヒスアジド化合物から成る組成物、
エキシマレーザ−に感応するものとしてクロロメチル化
ボリスヂレンやボリヒニルフェノールと芳香族ビスアジ
ド化合物との混合物から成る組成物（特公昭６２−８７
７７号公報）、エキシマレーザ−、Ｄｅｅｐ　ＵＶ１エ
ンクス線に感応するものとして熱硬化性樹脂とフォト酸
発生剤として２１０〜２９９ｎｍの範囲の化学線を吸収
するハロゲン化有機化合物とから成る組成物（特開昭６
２１６４０５号公報）、また、電子線に感応する組成物
としてポリメチルメタクリレート（特公昭４５−３０２
２５号公報）、ポリグリシジルメタクリレート〔「ジャ
ナル・オブ・エレクトロケミカル・ソサエティ（Ｊ、Ｅ
、Ｃ，Ｓ）Ｊ第１１８巻、第６６９ページ（１９７１年
）〕〕タロロメチル化ポリスチレン特開昭５７−１７６
０３４号公報）などを含有するものか知られている。

しかしながら、これらのレジスト組成物においては、そ
れから得られるレジストパターンか断面形状においてス
ソを引きやすくてプロファイル形状が悪く、高解像度か
得られないという欠点がある。さらに、これらのレジス
ト組成物はＤｅｅｐＵＶ。

１線、ｇ線、エキ／マレ−ブー、電子線、エックス線な
との放射線の照射量の変化に対するレジストパターンの
寸法変化量が大きいため、微細なレジストパターンを形
成させる際に、レジストバタン間のスペース部分のヌケ
が悪く、微細なラインアンドスペースのレジストパター
ンが形成しにくいという問題も有している。

このように、特に０．５μｍ以下の微細加工に対応でき
るＤｅｅｐ　　ＵＶＸ１線、ｇ線、エキシマレーザ、電
子線、エックス線などを利用したりソグラフィにおいて
用いられるネガ型レジストについては、また実用的なも
のは得られていないのか実状である。

このため半導体素子製造分野においては、解像性及びプ
ロファイル形状に優れ、かつ前記の各種放射線の照射量
の変化に対するレジストパターンの寸法変化量か小さく
、微細なラインアンドスペスのレジス［・パターンを形
成しうるネガ型放射線感応し／スト組成物の開発が強く
望まれている。

発明か解決しようとする課題 本発明は、このような要望にこたえ、各種放射線に対し
て感応し、高解像性でプロファイル形状が優れるととも
に、寸法変化量の小さい微細なラインアンドスペースの
レジストパターンを形成しうる予力型放射線感応レジス
ト組成物を提供することを目的としてなされｌこもので
ある。

課題を解決するだめの手段 本発明者らは、前記の好ましい性質を有するネガ型放射
線感応レジスト組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結
果、特定のヒドロキンスチレン系重合体、トリアジン化
合物及びアルコキシメチル化アミノ樹脂を含有して成る
組成物により、その目的を達成しうろことを見い出し、
この知見に基づいて本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、（Ａ）（イ）−能代で表わされる
単位と、（ロ）−能代 −Ａ−Ｙ （式中のＹは であり、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ水素原子、ハ
ロケン原子、炭素数１〜３のアルキル基、アルコキシ基
又はアセトアミノ基であって　Ｒ２とＲ３は同であって
もよいし、たがいに異なっていてもよく、Ａは−５０２
−又は−Ｃ（１−テある）で表わされる単位とを構成単
位とするヒドロキシスチレン系重合体、（Ｂ）トリアジ
ン化合物、及び（Ｃ）アルコキシメチル化アミノ樹脂を
含有して成るネガ型放射線感応レジスト組成物を提供す
るものである。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明組成物においては、（Ａ）成分として、（イ）能
代 で表わされる単位と、（ロ）−能代 （式中のＹ及びＡは前記と同し怠味をもつ）て表わされ
る単位とを構成単位とするヒドロキンスチレン系重合体
が用いられる。

このようなヒドロキシスチレン系重合体は、ポリヒドロ
キンスチレンと、ベンゼンスルボニルクロリド誘導体、
ナフタレンスルホニルクロリド誘導体、ベンゼンカルボ
ニルクロリド誘導体、ナフタレンカルボニルクロリド誘
導体など、例えばベンゼンスルホニルクロリド、ｐ−ク
ロロベンゼンスルホニルクロリド、ｐ−メチルベンゼン
スルボニルクロリド、ｐ−エチルベンゼンスルポニルク
ロリｒ：、ｐ−−７０ピルヘンセンスルホニルクロリド
、ｐ−ブチルベンゼンスルホニルクロリＦ、ｐ−メトキ
シベンゼンスルホニルクロリド、ｐ−エトキンベンゼン
スルホニルクロリド、ｐ−アセトアミノベンゼンスルホ
ニルクロリド、ナフタレンスルホニルクロリド、４−ク
ロロナフタレンスルホールクロリド、５−クロロナフタ
レンスルホニルクロリド、６−クロロナフタレンスルホ
ニルクロリド、４−メチルナフタレンスルホニルクロリ
ド、５−メチルナフタレンスルホニルクロリド、６−メ
チルナフタレンスルホニルクロリド、４−エチルナフタ
レンスルホニルクロリド、５−エチルナフタレンスルホ
ニルクロリド、６−エチルナフタレンスルホニルクロリ
ド、４−プロピルナフタレンスルホニルクロリド、５−
プロピルナフタレンスルホニルクロリド、６−プロピル
ナフタレンスルホニルクロリド、４−ブチルナフタレン
スルホルクロリド、５−ブチルナフタレンスルホニルク
ロリド、６−ブチルナフタレンスルホニルクロリド、４
−メトキノナフタレンスルホニルクロＩＪ　ト、５−メ
トキシナフタレンスルホニルクロリド、６メ］・キンナ
フタレンスルボニルクロリド、４−工Ｉ・ギンナフタレ
ンスルホニルクロリド、５−工トキンナフタレンスルホ
ニルクロリ＋Ｘ、ａ−工］・キンナフタレンスルボニル
クロリド、４−アセトアミノナフタレンスルホニルクロ
リド、５−アセトアミノナフタレンカルボニルクロリド トアミノナフタレンスルホニルクロリドフタレン力ルポ
ニルクロリド、ｐ−クロロベンセンカルボニルクロリド
、ｐ−メヂルヘンゼン力ルポニルクロリＦ、Ｉ）−エチ
ルヘンセンカルボニルクロリド、ｐ−プロピルベンゼン
カルボニルクロリド、ｐ−ブチルベンゼンカルボニルク
ロリド、ｐ−メトギシベンゼン力ルポニルクロリド、ｐ
−エトキシベンゼンカルボニルクロリド、ｐ−アセトア
ミノベンゼンカルボニルクロリド、ナフタレンカルボニ
ルクロリド、４−クロロナフタレンカルボニルクロリド
、５−クロロナフタレンカルボニルクロリド、６−クロ
ロナフタレンカルボニルクロリド、４−メヂルナフタレ
ンカルボニルクロリド、５メチルナフタレンカルボニル
クロリド、６−メヂルナフタレンカルポニルクロリド、
４−エチルナフタレンカルボニルクロリド、５−エチル
ナフタレンカルボニルクロリド カルポニルクロリド、４−ブチルナフタレンカルボニル
クロリド、５−ブチルナフタレンカルボニルクロリド、
６−プチルナフクレンカルボニノロリド、４−メトキン
ナフタレンカルボニルクロリ［・、５−メトキンナフタ
レンカルボニルクロリド、６ーメｌ−キシナフタレンカ
ルボニルクロリド、４−工トキンナフタレンカルボニル
クロリド、５工トギシナフタレン力ルポニルクロリド、
６ーエｌ・キシナフタレンカルボニルクロリド、４−ア
セトアミノナフタレンカルボニルクロリド、５−アセ［
・アミノナフタレンカルボニルクロリド、６アセトアミ
ノナフタレンカルポニルクロリドなととを、塩基性触媒
下で反応させることにより、製造することができる。

この製造方法の１例について示すと、ジメチルアセトア
ミドに、ポリヒドロキシスチレンとｐ−アセ［・アミノ
ベンゼンスルホニルクロリドとを溶解したのち、これに
トリエチルアミンを含むジメチルアセトアミド溶液を滴
下し、次いで生成塩をろ別したのち、得られたろ液に水
を加え、析出した固形分を取り出すことにより、該ポリ
ヒドロキシスチレンの一部の水酸基の酸素原子に、ｐ−
アセトアミノベンセンスルホニル基か結合したヒドロキ
シスチレン系重合体を製造することかできる。

本発明で使用するヒドロキンスチレン系重合体は、上記
した一般式（Ｉ）で表わされる構成単位と能代（ＩＩ）
で表わされる構成単位とか全体構成中に一般式（Ｉ）ニ
ー能代（ＩＩ）として９．５　：　０．５〜５：５、好
ましくは９：ｌ〜７：３の割合で構成されているものか
好ましく使用することができる。

このようなヒドロキンスチレン系重合体を製造するため
に、ポリヒドロキンスチレンと、前記スルホニルクロリ
ド誘導体やカルボニルクロリド誘導体との使用割合につ
いては、通常ポリヒドロキシスチレン１００重量部に対
し、該誘導体か１０〜３０重量部、好ましくは１５〜２
５重量部の割合で用いられる。該誘導体の使用量か前記
範囲を逸脱すると本発明の目的が十分に達成されず、特
に３０重量部を超えると現像時における放射線の非照射
部の溶解性か低下し、良好なレジストパターンか形成さ
れにくくなり、好ましくない。

該（Ａ）成分のヒドロキシスチレン系重合体の中で、特
に（口）単位として、−能代 （式中のＹは前記と同し意味をもつ） で表わされる単位を有するものが好適である。

本発明組成物において、（Ｂ）成分として用いられるト
リアジン化合物としては、−能代（式中のＺは であり、Ｒ’及びＲ５は炭素数１〜５のアルキル基、Ｒ
６及びＲ７は、それぞれ水素原子、水酸基又はカルボキ
／ル基であって、それらは同一であってもよいし、たが
いに異なっていてもよい） で表わされるものか好ましく、具体的には２−（ｐメト
キンフェニル）−４，６−ヒス（トリクロロメチル）−
１，３，５−トリアジン、２−（＋）−エトキシフェニ
ル）　−４，６−ヒス（トリクロロメチル）−１，３，
５−トリアジン、２−（＋）−プロポキンフェニル）−
４，６−ビス（トリクロロメチル）　−１，，３，５−
トリアジン、２−（ｐ−ブトキンフェニル）−４，６−
ヒス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（４−メトギ／ナフチル）−４，６−ヒス（［・リ
クロロメチル）１３５−１−リアジン、２−（４−エト
キンナフチル）４．６−ビス（トリクロロメチル）−１
，３，５−トリアジン、２−（４−プロポキシナフチル
）　−４，６−ヒス（１−リクロロメヂル）−１，３，
５−１−リアジン、２−（４−ブトキシナフチル）−４
，６−ヒス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリア
ジン、２−（４−メトキシ−〇−ノノルポキシナフチル
）−４，６−ビス（Ｉ・リクロロメチル）−１３，５−
１−リアジン、２−（４−メトキ／−６−ヒトロキンナ
フヂル）−４，６−ヒス（トリクロロメチル）−１，３
，５−）リアジンなどを挙げることかできる。これらの
トリアジン化合物は単独でも、また２種以上を組み合わ
せて用いてもよい。

本発明組成物において、（Ｃ）成分として用いられるア
ルコキンメチル化アミノ樹脂としては、特にアルコギシ
メヂル化メラミン樹脂やアルコキシメグ−ル化尿素樹脂
なとを好ましく挙けることかできる。これらのアルコキ
ンメチル化アミノ樹脂は、例えば沸騰水溶液中でメラミ
ン又は尿素をホルマリンと反応させて縮合物を得たのち
、これをメチルアルコール、エチルアルコール、プロピ
ルアルコール、ブチルアルコールなとの低級アルコール
類でエーテル化させ、次いで反応液を冷却して析出する
樹脂を取り出すことにより、調製することができる。

該アルコキンメチル化アミノ樹脂の具体例としては、メ
ｉ・ギンメチル化メラミン樹脂、エトキシメチル化メラ
ミン樹脂、プロポキシメチル化メラミン樹脂、ブ［・キ
ンメチル化メラミン樹脂、メトキンメチル化尿素樹脂、
エトキンメチル化尿素樹脂、プロポキンメチル化尿素樹
脂、ブトキンメチル化尿素樹脂なとか挙けられる。これ
らは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わセで用
いてもよい。

前記アルコキンメチル化アミノ樹脂の中で、特にアルフ
キ／メチル化尿素樹脂か好ましく、このものを用いるこ
とにり、放射線の照射量の変化に対するレジストパター
ンの寸法変化量か特に小さい安定したレジストパターン
を得ることかできる。

本発明組成物における前記各成分の配合割合については
、（Ａ）成分のヒドロキンスチレン系重合体と（Ｃ）成
分のアルコキンメチル化アミノ樹脂とを、重量比か［ｉ
ｏ　：　４０ないし９５５、好ましくは７５２５ないし
９０１０になるような割合で用いるのか望ましい。（Ａ
、）成分と（Ｃ）成分との割合が前記範囲を逸脱すると
、本発明の目的を達成することがてきず好ましくない。

また、（Ｂ）成分のトリアジン化合物は、前記の（Ａ）
成分と（Ｃ）成分との合計量に対し、０．５〜１０重量
％、好ましくは１〜７重量％の範囲で配合される。この
配合量か０．５重量％未満では本発明の目的か十分に達
成されないし、１０重量％を超えるとレジストのアルカ
リ水溶液に対する溶解性が悪くなり、現像性が低下する
ため好ましくない。

本発明組成物は、通常前記各成分を有機溶剤に溶解して
、溶液の形で用いられる。この除用いる有機溶剤として
は、例えはアセトン、メチルエチルケトン、／クロヘキ
サノン、インアミルケトンなとのケトン類；エチレング
リコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコー
ル、エチレングリコールモノアセテート又はジエチレン
グリコルモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエ
チルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエー
テル又はモノフェニルエーテルナトノ多価アルコール類
及びその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳
酸エチル、ピルヒン酸メチル、ビルヒン酸エチルなとの
エステル類などを挙げることかてきる。これらは単独で
も、２種以上混合して用いてもよい。

本発明組成物には、本発明の目的をそこなわない範囲で
所望に応じ相容性のある添加物、例えは付加的樹脂、可
塑剤、安定剤、界面活性剤、増感剤、染料なとの慣用の
添加物を加えることかできる。

次に、このようにして調製された予力型放射線感応レジ
スト組成物の溶液を用いて、微細パターンを形成する方
法について説明すると、まずシリコンウェハーのような
基板上に、該レジスト組成物の溶液をスピンナーなとで
塗布し、乾燥して放射線感応層を設けたのち、ｇ線、１
線、ＤｅｅｐＵＶ。

エキンマレーザー、エックス線をマスクを介して選択的
に照射するか、電子線を走査して照射したのち、加熱処
理を施し、次いで例えば２〜ＩＯ重量％のテトラメチル
アンモニウムヒトロギシドやコリンなどの有機アルカリ
水溶液を用いて現像することにより放射線の非照射部分
が選択的に溶解除去され、プロファイル形状に優れたレ
ジストパターンを形成することができる。

発明の効果 本発明のネガ型放射線感応レジスト組成物は、解像性及
びプロファイル形状に優れたレジストパターンを形成し
うるとともに、放射線の照射量の変化に対するレジスト
パターンの寸法変化量が小さいため、微細パターンにお
いて隣接するレジストパターン同士の接合が起こりにく
く、良好なレジストパターンを形成しうろことから、特
に微細加工化の進む半導体素子の製造に好適に用いられ
る。

実施例 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するか、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。

製造例１ ポリ（４−ヒドロキシスチレン）としてリンカ−Ｍ（丸
首石油化学社製）ｌｏｈとｐ−アセトアミノベンゼンス
ルホニルクロリド２０ｇとをジメチルアセトアミド５０
０ｇに溶解したのち、トリエチルアミン１２．６６ｇを
ジメチルアセトアミド４０ｇに溶解して得た溶液を室温
でかきまぜながら、３０分間かけて滴下し、その後室温
でかきまぜながら５時間反応させた。次いで反応溶液中
に析出した生成塩をろ別除去し、ろ液を５Ｑの冷水に滴
下することによって析出した生成物を採取し、これを水
洗し、乾燥することで目的とするヒドロキシスチレン系
重合体を得た。

製造例２ 製造例１で用いたｐ−アセトアミノベンゼンスルホニル
クロリドを、ベンゼンスルホニルクロリドに代えた以外
は、製造例１と同様の操作により、目的とするヒドロキ
シスチレン系重合体を得た。

製造例３ 製造例１で用いたｐ−アセトアミノベンゼンスルホニル
クロリドを、ｐ−クロロベンゼンスルホニルクロリドに
代えた以外は、製造例１と同様の操作により、目的とす
るヒドロキシスチレン系重合体を得た。

製造例４ 製造例１で用いたｐ−アセトアミノベンゼンスルホニル
クロリドを、ナフチルベンゼンスルホニルクロリドに代
えた以外は、製造例１と同様の操作により、目的とする
ヒドロキシスチレン系重合体を得た。

実施例１ 製造例１で得られたヒドロキシスチレン系重合体１．７
ｇとメトキシメチルメチ素樹脂帆３ｇとを乳酸エチル６
．５ｇに溶解したのち、これに２−（ｐ−メトキシフェ
ニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，
５−トリアジン０．０６ｇを溶解して、ネガ型放射線感
応レジスト塗布液を調製した。

次に、ヘキザメチルジシラザン雰囲気中に７分間放置す
ることで表面処理した５インチシリコンウェハー上に、
４００Ｏｒｐｍで２０秒間前記塗布液をスピンコートし
、ホットプレート上で９０°Ｃで９０秒間乾燥すること
により、１．０μｍ厚のレジスト層を形成した。次いで
、１線用縮小投影露光装置ＬＤ−５０１１ｉ　Ａ　（日
立製作所社製）により、１線を選択的に露光したのち、
１１０°Ｃで９０秒間加熱処理を行い、次いで２３８重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキンド水溶液に１
分間浸せきすることにより、１線の非照射部分を溶解除
去してレジスＩ・パターンを得に。

このようにして得られたレジストパターンは、シリコン
ウェハー面から垂直に切り立った良好なフロファイル形
状を有する０、５０μｍのレジストパターンであり、こ
のパターンを得るのに必要な最低照射時間、すなわち感
度は７０ｍ５であった。また、別に０．５０μｍのレジ
ストパターンを得るための適性照射量を設定し、その設
定照射量を±１５％変化させた場合のレジスＩ・パター
ンの寸法変化量を求めたところ±０．０５μＷであった
。

実施例２〜４、比較例１．２ 表に示した種類と量のヒドロキシスチレン系重合体、ｌ
−リアジン化合物及びアルコキシメチル化アミノ樹脂を
用いて調製したネガ型放射線感応レジスト塗布液を使用
した以外は、実施例１と同様な操作によりレジストパタ
ーンを形成し、解像度、感度、プロファイル形状及びレ
ジストパターンの寸法変化量を求めた。その結果を表に
示す。

実施例５ 実施例１で用いた１線用縮小投影露光装置を、日立製作
所社製ＨＨ５−２Ｒに代えて、２０ｋＶの加速電圧で電
子線を選択的に照射した以外は、実施例１と同様な操作
によりレジストパターンを得たところ、このレジストパ
ターンはンリコンウエハ面からほぼ垂直に切り立った良
好なプロファイル形状を有する０、５０μｍのレジスト
パターンでアリ、残膜率９０％における感度は２．５／
７　Ｃ／　ｃｍ２であった。また、別に０．５０μｍの
レジス［・パターンを得るための電子線の適性照射量を
設定し、その設定照射量を±１５％変化させた場合の寸
法変化量を求めたところ、±０．０３μｍであった。

実施例６ 実施例１で用いた２−（ｐ−メトキンフェニル）−４，
６−ヒス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジ
ンと１線用縮小投影露光装置とを、それぞれ２（４−メ
トキンフェル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−
１，３，５−１−リアジンとｇ線用縮小投影露光装置に
代えた以外は、実施例１と同様な操作により、レジスト
パターンを得たところ、このレジストパターンはシリコ
ンウェハー面からほぼ垂直に切り立った良好なプロファ
イル形状を有する０、５５μｍのレジストパターンであ
り、その感度は１３Ｑｍｓであった。また、別に帆５０
μｍのレジス］・パターンを得るための適性照射量を設
定し、その設定照射量を±１５％変化させた場合の寸法
変化量を求めたところ、±０．０７μｍであった。

特許出願人　東京応化工業株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １（Ａ）（イ）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる単位と、（ロ）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中のＹは ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼ であり、Ｒ＾１、Ｒ＾２及びＲ＾３は、それぞれ水素原
   子、ハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基、アルコ
   キシ基又はアセトアミノ基であって、Ｒ＾２とＲ＾３は
   同一であってもよいし、たがいに異なっていてもよく、
   Ａは−ＳＯ＿２−又は−ＣＯ−である）で表わされる単
   位とを構成単位とするヒドロキシスチレン系重合体、（
   Ｂ）トリアジン化合物、及び（Ｃ）アルコキシメチル化
   アミノ樹脂を含有して成るネガ型放射線感応レジスト組
   成物。 ２（Ｂ）成分のトリアジン化合物が、一般式▲数式、化
   学式、表等があります▼ （式中のＺは ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼ であり、Ｒ＾４及びＲ＾５は炭素数１〜５のアルキル基
   、Ｒ＾６及びＲ＾７は、それぞれ水素原子、水酸基又は
   カルボキシル基であって、それらは同一であってもよい
   し、たがいに異なっていてもよい） で表わされるものである請求項１記載のネガ型放射線感
   応レジスト組成物。 ３（Ａ）成分のヒドロキシスチレン系重合体における（
   ロ）単位が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中のＹは ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼ であり、Ｒ＾１、Ｒ＾２及びＲ＾３は、それぞれ水素原
   子、ハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基、アルコ
   キシ基又はアセトアミノ基であって、Ｒ＾２とＲ＾３は
   同一であってもよいし、たがいに異なっていてもよい） で表わされるものである請求項１又は２記載のネガ型放
   射線感応レジスト組成物。