JPH04134621A - 磁気記録媒体および磁気記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、剛性基板上に磁性Ｍを有する所謂ハードタイ
プの磁気記録媒体と、浮上型磁気ヘッドを用いてこの磁
気記録媒体に記録再生を行なう磁気記録再生方法とに関
する。

〈従来の技術〉 計算機等に用いられる磁気ディスク駆動装置には、剛性
基板上に磁性層を設層したハードタイプの磁気ディスク
と浮上型磁気ヘッドとが用いられている。

このような磁気ディスク駆動装置においては従来、塗布
型の磁気ディスクが用いられていたが、磁気ディスクの
大容量化に伴い、磁気特性、記録密度等の点で有利なこ
とから、スパッタ法等の気相成膜法等により設層される
連続薄膜型の磁性層を有する薄膜型磁気ディスクが用い
られるようになっている。

薄膜型磁気ディスクとしては、Ａβ系のディスク状金属
板にＮ１−Ｐ下地層をめっきにより設層するか、あるい
はこの金属板表面を酸化してアルマイトを形成したもの
を基板とし、この基板上にＣｒ層、Ｃｏ−Ｎｉ等の金属
磁性層、さらにＣ等の保護潤滑膜をスパッタ法により順
次設層して構成されるものがある。

さらに、Ｃｏ−Ｎｉ等の金ｒＩ４磁性Ｍより、耐食性を
高め、硬度を高め、信頼性を向上したものとして、特開
昭６２−４３８１９号公報、同６３−１７５２１９号公
報等に記載された酸化鉄を主成分とする磁性薄膜があり
、このものは化学的に安定なため腐食の心配がな（、ま
た、充分な硬度を有している。

一方、浮上型磁気ヘッドは浮力を発生するスライダを有
する磁気ヘッドであり、コアがスライダと一体化された
コンポジットタイプのもの、あるいはコアがスライダを
兼ねるモノリシックタイプのものが通常用いられる。

さらに、これらの他、高密度記録が可能であることから
、いわゆる浮上型薄膜磁気ヘッドが注目されている。　
浮上型薄膜磁気ヘッドは、基体上に磁極層、ギヤツブ屡
、コイル層などを気相成膜法等により形成したものであ
る。　このような浮上型薄膜磁気ヘッドでは、基体がス
ライダとしてはだら（。

〈発明が解決しようとする課題〉 浮上型磁気ヘッドを用いる磁気ディスク装置では、コン
タクト・スタート・ストップ（ＣＳＳ）時に浮上型磁気
ヘッドの浮揚面（スライダの磁気ディスク側表面）と磁
気ディスクとが接触し、磁性層は衝撃を受ける。

特に、浮上型薄膜磁気ヘッドを用いる場合、高密度記録
を可能とするためには、磁気ディスクと磁気ヘッドとの
間隔（フライングバイト）を極めて小さく設定するので
、Ｃ８Ｓ時に磁性層が受ける衝撃がより大きくなる。

また、フライングバイトが小さい場合、磁気ディスクの
振動あるいは駆動装置外部からの衝撃などにより磁気デ
ィスクと浮上型磁気ヘッドとの接触事故が生じることが
ある。

そこで、Ｃ８Ｓ耐久性を向上させるために、例えばパー
フルオロアルキレン基を有するポリエーテルの塗膜のト
ップコート潤滑膜を形成している。

この場合、塗膜形成時の溶媒としては、沸点４８℃のフ
ロン１１３等が用いられている。

しかし、高密度記録を達成するためにフライングバイト
はますます低くなる傾向にあり、Ｃ８Ｓ耐久性の点で不
十分であり、特に、Ｃ８Ｓ時、摺動抵抗や摩擦係数が経
時的に増大して、吸着やスティックスリップを生じてし
まう。

本発明の主たる目的は、剛性基板上に連続薄膜型の磁性
層を有する磁気記録媒体のＣ８Ｓ耐久性を向上させるこ
とにある。

また、磁気記録媒体に対し、浮上型磁気ヘッドを用いて
信頼性の高い記録再生を行なうことができる磁気記録再
生方法を提供することを目的とする。

〈課題を解決するための手段〉 このような目的を達成するため、潤滑膜塗布方法につい
て検討した結果、潤滑膜塗布時の乾燥速度を調整するこ
とにより、摩擦性能が改良され、Ｃ８Ｓ耐久性が向上す
ること、また、乾燥速度は潤滑剤を溶解する溶媒の沸点
を変更することにより容易に変えられることを見出し本
発明をなすに至ったものである。

すなわち、本発明は、下記（１）〜（１０）の構成をも
つ。

（１）連続薄膜型の磁性層を剛性基板上に有し、この磁
性層上に、パーフルオロアルキレンを有するポリエーテ
ルおよび／またはその誘導体を、沸点７０〜１５０℃の
溶媒に溶解した溶液から形成した潤滑膜を有することを
特徴とする磁気記録媒体。

（２）前記溶媒は、パーフルオロアルキル基を側鎖に有
し、完全フッ化した５または６員の環式エーテルである
上記（１）に記載の磁気記録媒体。

（３）前記磁性層が、γ−Ｆｅ２ｅｓを主成分とする連
続薄膜型の磁性層である上記（１）または（２）に記載
の磁気記録媒体。

（４）前記磁性層の比抵抗ρが０．０３〜３Ω・ｃｍで
ある上記（３）に記載の磁気記録媒体。

（５）前記剛性基板の表面粗さ（Ｒｍａｘ）が１０〜１
００人であり、前記磁気記録媒体の磁性層側表面粗さ（
Ｒｍａｘ）が５０〜２００人である上記（１）ないしく
４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。

（６）ディスク状の磁気記録媒体を回転し、この磁気記
録媒体上に磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行なう磁
気記録再生方法であって、前記磁気記録媒体が、連続薄
膜型の磁性層を剛性基板上に有し、 前記磁性層上および／または前記磁気ヘッドのフロント
面上に、パーフルオロアルキレンを有するポリエーテル
および／またはその誘導体を、沸点７０〜１５０℃の溶
媒に溶解した溶液から形成した潤滑膜を有することを特
徴とする磁気記録再生方法。

（７）前記溶媒は、パーフルオロアルキレン基を側鎖に
有し、完全フッ化した５または６員の環式エーテルであ
る上記（６）に記載の磁気記録再生方法。

（８）前記磁気ヘッドの浮上量が０．２−以下である上
記（６）または（７）に記載の磁気記録再生方法。

（９）前記磁性層が、γ−Ｆｅ２Ｏ３を主成分とする連
続薄膜型の磁性層である上記（６）ないしく８）のいず
れかに記載の磁気記録再生方法。

（１０）前記磁性層の比抵抗ρが０．０３〜３Ω・ｃｍ
である上記（９）に記載の磁気記録再生方法。

く作用〉 本発明の磁気記録媒体の潤滑膜形成では、潤滑剤を溶か
す溶媒を沸点７０℃未満のフロン１１３等から、沸点７
０−１５０℃のものに変更している。

この結果、摩擦性能が飛躍的に向上する。

これは、潤滑膜塗布時の乾燥速度によりディスクへの潤
滑剤の付着の仕方が異なってくるためと考えられる。　
すなわち、沸点の高い溶媒を使用して乾燥速度が遅くな
るにつれて、潤滑膜はディスク表面上により均一に形成
されるようになり、その結果、摩擦が低下し、摩擦の耐
久性も向上すると考えられる。

例えば、溶媒としてＣＣβ、ＦＣＣβＦ２（フロン１１
３、沸点４８℃）を使用して潤滑剤塗布を行なった場合
、潤滑膜には、大きな島がディスク表面上に点在するよ
うな形になりやすい。

これに対し、溶媒としてＣｓＦ＋ａＯ（フルオロケミカ
ル０−７５、沸点１０１℃）を使用して塗布を行なった
場合、潤滑膜はより均一な膜に近い状態で形成される。

表面性がＲｍａｘ５０〜２００人と非常に良い磁気記録
媒体の場合にはこのような効果は特に顕著になる。

く具体的構成〉 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

第１図に示される本発明の磁気記録媒体１は、剛性基板
２上に連続薄膜型の磁性層３を有する。

本発明で用いる基板２は、下地層などを設層する必要が
な（製造工程が簡素になること、また、研磨が容易で表
面粗さの制御が簡単であること、磁性層の形成時および
その表面粗さ制御のための熱処理に耐えることなどから
、ガラスを用いることが好ましい。

ガラスとしては、強化ガラス、特に、化学強化法による
表面強化ガラスを用いることが好ましい。

一般的に、表面強化ガラスは、ガラス転移温度以下の温
度にて、ガラス表面付近のアルカリイオンを外部から供
給される他種アルカリイオンに置換し、これらのイオン
の占有容積の差によりガラス表面に圧縮応力が発生する
ことを利用したものである。

イオンの置換は、アルカリイオンの溶融塩中にガラスを
浸漬することにより行なわれる。

塩としては硝酸塩、硫酸塩等が用いられ、溶融塩の温度
は３５０〜６５０℃程度、浸漬時間は１〜２４時間程度
である。

より詳細には、アルカリ溶融塩として Ｋ　Ｎ　Ｏｓを用い、Ｋイオンとガラス中のＮａイオン
とを交換する方法や、Ｎ　ａ　Ｎ　Ｏｚを用い、ガラス
中のＬｉイオンと交換する方法等が挙げられる。　また
、ガラス中のＮａイオンおよびＬｉイオンを同時に交換
してもよい。

このようにして得られる強化層、すなわち圧縮応力層は
ガラス基板の表面付近だけに存在するため、表面強化ガ
ラスとなる。　圧縮応力層の厚さは、１０〜２００鱗、
特に５０〜１５０−とすることが好ましい。

なお、このような表面強化ガラスは、特開昭６２−４３
８１９号公報、同６３−１７５２１９号公報に記載され
ている。

剛性基板の表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、好ましくは１０〜
１００人、より好ましくは４０〜８０人、さらに好まし
くは４０〜６０人とされる。

剛性基板のＲｗａｘをこの範囲とすることにより、磁気
記録媒体の耐久性が向上し、また、後述するような媒体
磁性層側表面のＲｍａｘが容易に得られる。

なお、Ｒｗａｘは、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１に従い測定す
ればよい。

このような表面粗さは、例えば、特開昭６２−４３８１
９号公報、同６３−１７５２１９号公報に記載されてい
るようなメカノケミカルポリッシングなどにより得るこ
とができる。

ガラス基板の材質に特に制限はなく、ホウケイ酸ガラス
、アルミノケイ酸ガラス、石英ガラス、チタンケイ酸ガ
ラス等のガラスから適当に選択することができるが、機
械的強度が高いことから、特にアルミノケイ酸ガラスを
用いることが好ましい。

ガラス基板の形状および寸法に特に制限はないが、通常
、ディスク状とされ、厚さは０．５〜５＋ｎｍ程度、直
径は２５〜３００ｍｍ程度である。

剛性基板上には、連続薄膜型の磁性層が成膜される。

連続薄膜型の磁性層の材質としては特に制限はなく、公
知の種々のものを用いることができるが、耐食性や硬度
が高い点で、γ−Ｆｅ２Ｏ３を主成分とするものが好ま
しい。

そして、γ−ＦｅｚＯｓｔａ性層の比抵抗ρは、０．０
３〜３Ω・ｃｍとされることが好ましい。

なお、磁性層の比抵抗ρが０．１〜０．９Ω・ｃｍであ
ると、さらに好ましい結果が得られる。

比抵抗ρは、通常の四端針法などにより測定すればよい
。

比抵抗ρが０．０３〜３Ω・ｃｍとなる磁性層は、Ｘ線
回折チャートにおいてγ−ＦｅｚＯ３の面指数（３１１
）のピークが、通常、３５４３〜３５．８０°、好まし
くは３５．５２〜３５．７１°に現われる。

このような比抵抗ρとγ−Ｆｅｚｅ３の面指数（３１１
）のピーク位置とは相関関係を有し、上記した比抵抗ρ
を有する磁性層のγ−Ｆｅ２０ｎ面指数（３１１）のピ
ーク位置は、通常、上記範囲に存在する。

また、磁性層の比抵抗ρと保磁力Ｈｅとの間にも相関関
係が存在し、保磁力Ｈｅは比抵抗ρの増加に伴って増加
する。

そして、上記範囲の比抵抗ρを有する磁性層は、保磁力
が従来のγ−Ｆｅａｒｓ、あるいは同等のＣｏを含有す
る従来のＣＯ含含有−Ｆｅｚｅｓの６倍程度にまで向上
可能であり、このため再生出力が７０％まで低下する記
録密度Ｄ？。が従来に比べ２．５倍程度にまで向上可能
である。

従って、本発明の磁気記録媒体は高密度記録が可能であ
り、しかも、そのときに問題となるＣ８Ｓ耐久性も極め
て良好である。

なお、γ−Ｆｅ２Ｏ３を主成分とする連続薄膜型の磁性
層において、従来報告されている比抵抗ρの範囲は、例
えば電子通信学会論文誌’８２／ＩＶｏ１．Ｊ６５−Ｃ
Ｎｏ、１　ｐ、２４−３１によれば、後述する直接法を
用いた場合１０２〜１０３Ω・ｃｍ程度であり、上記本
発明における比抵抗ρよりも極端に大きい。　これは本
発明におけるγ−Ｆｅ２Ｏ３の酸化度が、従来よりも低
いためと考えられる。

本発明では、このような磁性層のＸ！！回折を行なった
とき、Ｘ線回折チャートにおいて、ｙ−ＦｅａＯｉの面
指数（３１’ｌ）　　面指数（４００）および面指数（
２２２）のそれぞれのピーク面積をＰ（３１１）、Ｐ（
４００）およびＰ（２２２）としたとき、 ０≦Ｐ（４００）／Ｐ（３１１）≦１．００≦Ｐ（２２
２）／Ｐ（３１１）≦０．　５であることが好ましく、 ０≦Ｐ（４００）／Ｐ（３１１）≦０．６０≦Ｐ（２２
２）／　Ｐ（３１１）≦０．３であることがより好まし
い。

磁性層がこのようなピーク面積比を有することにより、
耐久性はいっそう向上する。

より詳細に説明すると、Ｐ（２２２）が増加するという
ことは、磁性層面と平行に（２２２）面および（１１１
）面が存在する割合が増えることを示している。　γ−
Ｆｅｚｅｓはスピネル構造を有するものであり、スピネ
ル構造では（１１１）面が最も滑り易い面となっている
。

従って、（１１１）面と平行な（２２２）面のピーク面
積が大きい場合、すなわちＰ（２２２）／Ｐ（３１１）
の値が大きい場合、磁気ヘッドとの摺動により磁性層を
構成するγ−Ｆｅａｒｓに滑りが生じ易くなり、耐久性
が低下すると考えられる。

そして、Ｐ（２２２）／　Ｐ（３１１）が上記範囲を超
えると臨界的に耐久性が低下する。

（４００）面と平行に存在する（１００）面は、（１１
１）面に次いで滑りが生じ易いと考えられるため、Ｐ（
４００）／　Ｐ（３１１）が上記範囲を超えると耐久性
が臨界的に低下する。

本発明では、磁性層にα−Ｆｅ２０３が含有されること
が好ましい。　磁性層がａ−ＦｅｚＯ３を含有すること
により、耐久性が向上する。

そして、磁性層のＸ線回折チャートにおいて、ａ−Ｆｅ
２０ｉの面指数（１０４）のピーク面積をＰ（１０４）
としたとき、 ０．０２≦Ｐ（１０４）／　Ｐ（３１１）≦０，２００
≦Ｐ（４００）／　Ｐ（３１１）≦１．００≦Ｐ（２２
２）／Ｐ（３１１）≦０．５であることが好ましく、 ０．０５≦Ｐ（１０４）／　Ｐ（３１１）≦０１５０≦
Ｐ（４００）／　Ｐ（３１１）≦０．６０≦Ｐ（２２２
）／　Ｐ（３１１）≦０．３であることがより好ましい
。

磁性層がこのようなピーク面積比を有することにより、
耐久性はさらに向上する。

より詳細に説明すると、Ｐ（１０４）／　Ｐ（３１１）
が上記範囲未満であると耐久性向上効果が比較的低く、
上記範囲を超えると記録再生出力が低下する。

Ｘ線回折チャートは、例えば下記のようにして作成する
ことが好ましい。

第２図にＸ線回折装置の１例を示す。

第２図において、Ｘ線源１０１から照射されたＸ線は、
ダイバージェンススリットＤＳを経て磁気記録媒体１０
２の磁性層に入射して回折し、スキャッタースリットＳ
ＳおよびレシービングスリットＲ５Ｉを経た後、モノク
ロメータＭＭで反射することにより単色光とされ、さら
にレシービングスリットＲ３２を経て計数管１０３に入
射し、Ｘ線強度のカウントが行なわれ、通常、レートメ
ータ等により記録される。

なお、測定時には、磁気記録媒体１０２が走査速度ｄθ
／ｄｔで、スキャッタースリットＳＳ以下の光路を構成
する部材が走査速度２ｄθ／ｄｔで回転される。

得られたＸ線回折チャートの各ピークについて、バック
グラウンドを除いた部分の積分を行なって上記した面積
比を算出する。

なお、ＣｕＫａをＸ線源とした第２図に示す光学配置で
は、α−Ｆｅ２０３の面指数（１０４）のピークば３３
，３°付近に現われ、γ−Ｆｅ２０１］の面指数（４０
０）および面指数（２２２）のピークは、それぞれ４３
．５°および３７．３０付近に現われる。　そして、γ
−Ｆｅ２Ｏ３の面指数（３１１）のピークは、前記した
範囲に現われる。　ピーク位置は、バックグラウンド除
去後のピークの重心位置として求められる。

磁性層中においてα−Ｆｅ２０３は均一に含有されてい
てもよいが、磁性層の表面側、すなわち基板と反対側で
の含有率が高（なることが好ましい。

α−Ｆｅ２ｒｓがこのように含有されることにより、磁
気ヘッドの摺動によりダメージを受は易い磁性層表面部
をより強化することができ、しかも、表面部において高
い耐久性を得ながら磁性層全体のα−Ｆｅ２０３の含有
率を低く押えることができる。

この場合、ａ−Ｆｅ２ｅｓは磁性１表面側に向かっで漸
増していてもよく、また、基板側には存在せずに表面側
にだけ存在していてもよい。

磁性層表面付近のａ−Ｆｅ２０３の含有率の分析は、例
えば、下記のようにして行なうことが好まし、い。

第３図に、低入射角Ｘ線回折装置の１例を示す。

第３図において、Ｘ！！源１０１から照射されたＸ線は
、ソーラースリットＳ１を経て、磁気記録媒体１０２の
磁性層にその表面とβの角度をなすように入射して回折
する。

回折されたＸ線は、ソーラースリ・ットＳ２を経た後、
モノクロメータＭＭで反射することにより単色光とされ
、さらにレシービングスリットＲ５を経て計数管１０３
に入射し、Ｘ線強度のカウントが行なわれる。

この低入射角Ｘ　１１回折装置においては、第２図に示
す装置と異なり、測定時に磁気記録媒体１０２は入射Ｘ
線に対して固定され、ソーラースリット８２以下の光路
を構成する部材が走査速度２ｄθ／ｄｔで回転される。

この装置において、入射Ｘ線と磁性層表面とがなす角度
βを変更することにより、磁性層表面付近におけるα−
Ｆｅ２ｒ３の分布を求めることができる。　具体的には
、表面に近い部分の分析を行なうためにはβを小さくす
ればよく、βを大きくするにつれて磁性層のより深部ま
での分析結果が得られる。

本発明では、このような低入射角Ｘ線回折において、β
が小さいほどＰ（１０４）／　Ｐ（３１１）が大きくな
ることが好ましく、例えば、β＝０．５゜として測定さ
れたＰ（１０４）／　Ｐ（３１１）が、β＝２．０°と
して測定されたＰ（１０４）／　Ｐ（３１１）の１．５
〜１０倍、特に１．５〜５倍であることが好ましい。

なお、磁性層を構成するγ−Ｆｅ２Ｏ３の平均結晶粒径
は、通常１００〜８００人程度、特に２００〜５００人
程度である。

平均結晶粒径は、走査型電子顕微鏡 （ＳＥＭ）を使用し、表面観察することにより求めるこ
とができる。

次に、磁性層の形成方法を説明する。

γ−Ｆｅ２Ｏ３を主成分とする連続薄膜型の磁性層は、
まずＦｅ３Ｏ４を形成し、このＦｅ５０＜を酸化してγ
−Ｆｅ２Ｏ３とすることにより形成されることが好まし
い。

Ｆｅ５Ｏ４を形成する方法は、直接法であっても間接法
であってもよいが、上記したピーク面積比が容易に得ら
れること、工程が簡素になることなどから、直接法を用
いることが好ましい。

直接法は、反応性スパッタ法を用いて基板上にＦｅ５Ｏ
４を直接形成する方法である。　直接法には、ターゲッ
トにＦｅを用いて酸化性雰囲気にて行なう酸化法、ター
ゲットにａ−Ｆｅ２０ｉを用いて還元性雰囲気にて行な
う還元法、ターゲットにＦｅ１０４を用いる中性法が挙
げられるが、スパッタ制御が容易であること、成膜速度
が高いことなどから、本発明では酸化法を用いることが
好ましい。

酸化法では、Ａｒガス雰囲気中に反応ガスとして０２ガ
スを加えてスパッタを行なう。

Ｘ線回折におけるγ−ＦｅｚＯ：＋の上言己したような
ピーク比を得るためには、０２ガスの分圧ＰＯ２と、Ａ
ｒガスと０□ガスとの合計圧力Ｐ　（Ａｒ＋０゜）が、 であることが好ましく、特に、 であることが好ましい。

また、スパッタに際して、真空槽中へのＯ。

ガスの導入は基板に吹きつけるようにして行なうことが
好ましい。

本発明における好ましいＰ（＾ｒ＋ｏａ）の範囲はＩ　
Ｘ　１０−’〜Ｉ　Ｘ　１０−２Ｔｏｒｒであり、特に
５×１０−’〜８　Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒである。

そして、前記した範囲の比抵抗ρを得るためには、Ａｒ
ガスと０２ガスとの合計の流１を、３　Ｃ１〜１５０ｓ
ｃｃｍ、特に７０〜１４０ｓｅｃｍとすることが好まし
い。

なお、スパッタ法としてはＲＦスパッタ、ＤＣスパッタ
いずれであってもよい。

スパッタ投入電力に特に制限はないが、０．２〜２ｋＷ
、特に０．４〜１．５ｋＷとすることが好ましい。

直接法によるＦｅｚＯ４薄膜形成の詳細は、電子通信学
会論文誌’８０／９　Ｖｏｌ、Ｊ６３−（：　Ｎｏ、９
　ｐ、６０９−６１６に記載されており、本発明ではこ
れに準じて磁性層の形成を行なうことが好ましいが、そ
の際に上記のようなガス流量および０２分圧にてスパッ
タを行なうことが好ましい。

なお、間接法は、ターゲットにＦｅを用いて酸化性雰囲
気にてα−Ｆｅ２ｒ３を形成した後、還元してＦｅ１０
４を得る方法である。

スパッタ法により成膜されたＦｅ１Ｏｎは、γ−Ｆｅｚ
Ｏｘにまで酸化される。

この酸化は、０．ガス分圧０．０５〜０．８気圧程度、
全圧０．５〜２気圧程度の雰囲気中での熱処理によって
行なわれればよ（、通常、大気中熱処理によって行なわ
れることが好ましい。

熱処理における保持温度は２００〜４００℃、特に２５
０〜３５０℃であることが好ましく、温度保持時間は、
１０分〜１０時間、特に１時間〜５時間であることが好
ましい。

本発明では、この熱処理に際し、昇温速度を３．５〜２
０℃／ｍｉｎ、特に５．０〜１２℃／ｍｉｎとすること
が好ましい。

このような昇温速度とすることにより、α−Ｆｅａｒｓ
の上記したようなピーク面積比が容易に得られる。

なお、昇温速度は一定であってもよく、漸増あるいは漸
減させてもよ（、また、複数の昇温速度を組み合わせて
保持温度まで昇温させてもよい。

このようにして形成される磁性層は、Ｃｏの添加量およ
び比抵抗ρの値によっても異なるが、保磁力４００〜２
５０００ｅ、残留磁化２０００〜３０００Ｇ、角形比０
．５５〜０．８５程度の磁気特性が得られ、また、α−
Ｆｅ、Ｏ，を含有する場合でも、磁気特性の劣化は殆ど
ない。

磁性層中には必要に応じてＣ０１Ｔｉ、Ｃｕ等を添加さ
せてもよく、また、成膜雰囲気中に含まれるＡｒ等が含
有されていてもよい。

Ｃｏは、保磁力を制御するために有用である。　ＣＯの
含有量は、Ｆｅを１０ｗｔ％以下置換する程度とするこ
とが好ましい。　また、磁性層にＣｏを含有させる場合
、Ｃｏを含有するＦｅターゲットを用いればよい。

磁性層の層厚は、生産性、磁気特性等を考慮して、５０
０〜３０００人程度とすることが好ましい。

このような磁性層上には、潤滑膜４が形成される。

潤滑膜は、パーフルオロアルキレンを有するポリエーテ
ルおよび／またはその誘導体を含有する。

本発明において、パーフルオロアルキレンを有するポリ
エーテルおよび／またはその誘導体に特に制限はないが
、下記式（１）で表わされるものが好ましい。

式（Ｉ） Ａ１−Ｂ１　＋Ｌｆ１−０−）Ｌｆ２−８２−Ａ２上記
式（Ｉ）において、Ａ１およびＡ２は、−Ｆ、−Ｈｌ−
ｃｏｏｚ、−ＣＯＯＲまたは置換もしくは非置換の１価
の芳香族基を表わす。　ただし、Ｚは−Ｈまたは１価の
カチオンを、Ｒはアルキル基を表わす。

Ａ１　とＡ２とは、同一であっても異なっていでもよい
。

Ｚで表わされる１価のカチオンとしては、Ｎａ◆、Ｋ′
″、Ｌｉ”、ＮＨ４”などが挙げられるが、２としては
Ｈが好ましい。

Ｒとしては、−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５などが挙げられる。

芳香族基の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基
等である。

Ｂ１およびＢ２は、−ＣＨ，０− −ＣＨ、ＯＣＨ、−または−ＣＦ　、０−−ＣＯＮＨ−
あるいは単なる結合手を表わす。

Ｂ１　とＢ２とは、同一であっても異なっていてもよい
。

Ｌｆ、およびＬｆ２は、パーフルオロアルキレン基を表
わす。

Ｌｆｌおよびｔ、ｆ２としては、−ＣＦ２−ＣＦ２　Ｃ
Ｆ２−１−ＣＦ　（ＣＦ３　）−ＣＦ　（ＣＦ３　）Ｃ
Ｆ２−などが挙げられる。

Ｌｆｌ　　とＬｆ２　とは、同一であっても異なってい
てもよい。

ｐは正の整数を表わし、好ましくは１〜１００、より好
ましくは２〜８０程度である。

ｐが２以上の場合、各Ｌｆ、は同一であっても異なって
いてもよい。　また、この場合、（−Ｌｆ、−０＋はブ
ロック縮合体であってもよくｐ ランダム縮合体であってもよい。

なお、Ａ１およびＡ２のいずれにもＺやＲが存在する場
合、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい
。

上記式（Ｉ）で表わされる化合物のうち、好ましいもの
を以下に示す。

Ｆ（ＣＦ、ＣＦ２ＣＦ２−０＋−ＣＦ、ＣＦ。

（Ｉ−２） ＨＯＣＨ２−ＣＦ２−０（−Ｃ２Ｆ４−例トＨにＦ２−
０÷−（Ｆ２−α２−０Ｈｎ　　　　　　　　　　ｍ （Ｉ−３） ＣＨ，０ＣＯ−ＣＦ２−０−ｆ−Ｃ：２Ｆ４−０）−（
−ＣＦ２−０÷−−ＣＦ、−α■■３１　　　　　　　
　　　ｍ （Ｉ−４） 順＄−ＣＦ２−０　（−Ｃ２Ｆ４−０＋−＋ＣＦ２−０
　）−ＣＦ２−ω開ｎ　　　　　　　　　ｍ （Ｉ−５＋ ＣＦ３−Ｃ）（−ＣＦ　（ＣＦ、）ＣＦ、−０−）−（
−ＣＦ、−０÷−−ＣＦ。

ｎ　　　　　　　　　　ｍ （Ｉ−６） Ｆ（−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−０−）−ＣＦ（（：Ｆ３
）　Ｃ０ＯＨＦ（−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−０＋−ＣＦ
、Ｃ：Ｆ、−ＣＯＯＨ（Ｉ−８） Ｆ−ｔ−Ｃ３Ｆａ−１８−ＣＦｉ−ＣＦｉ（Ｉ−９） これらの化合物において、ｎは１〜５０であることが好
ましく、ｎ＋ｍは２〜１００程度であることが好ましい
。

上記各式で表わされる化合物は、分子量１００〜２００
００程度、動粘度１０〜５０００　ｃ　Ｓ　ｔ　（２０
℃）程度であるが、特に、分子量１０００〜１００００
、動粘度１０〜４０００ｃＳｔ　（２０℃）であること
が好ましい。

なお、本発明では、上記式（Ｉ）で表わされる化合物の
うち、あるいはこれらに加え、欧州特許公開０１６５６
４９号公報、同０１６５６５０号公報、米国特許第３２
７４２３９号明細書、同第４２６７２３８号明細書、同
第４２６８５５６号明細書、特公昭６０−１０３６８号
公報に記載されているようなパーフルオロアルキレンを
有するポリエーテルおよび／またはその誘導体も、好ま
しく用いることができる。

これらの化合物は公知の方法に従い合成すればよいが、
市販のものを用いることもできる。

具体的に、商品名を挙げると、ダイキン工業社製Ｄｅｍ
ｎｕｍ　　５−２０．５−６５、デュポン社製ＫＲＹＴ
ＯＸ、モンテフルオス社製Ｆｏｍｂｌｉｎなどがある。

本発明において、上記式（Ｉ）で表わされる化合物は、
有機膜中に２種以上含有されていてもよい。

このような潤滑膜を成膜するには、塗布法、ラングミュ
ア・プロジェット法等を用いればよい。　塗布法として
は、デイツプ法、スピンコード法、スプレーコート法等
が好ましい。

このような成膜に際しては、まずパーフルオロアルキレ
ン基を有するポリエーテルおよび／またはその誘導体の
溶液を調製する。

そして、この溶液の溶媒として、沸点７０〜１５０℃の
ものを用いる。

溶媒の沸点が７０℃以上となると、膜質が均一となり、
臨界的に摩擦係数の耐久性が向上する。

ただし、沸点が１５０℃をこえると、乾燥性か悪化する
。

この場合、沸点は７０〜１２０℃が好ましい。　このよ
うな沸点を有する溶媒としては組成式Ｃ、Ｆ　、６０を
もち、パーフルオロアルキル基を側鎖に有し、完全フッ
化した５または６員の環式エーテルあるいは他の組成物
との混合溶媒が好適である。

混合溶媒とする場合、この環式エーテルと相溶性のある
溶媒を５０重量％以下用いればよい。

特にこのうち、沸点８５〜１０５℃のものは最も好適で
ある。

このような溶媒を用い、パーフルオロアルキレン基を有
するポリエーテルおよび／またはその誘導体の０．００
１〜１ｗｔ％溶液とし、上記の各種成膜を行なえばよい
。

潤滑膜の厚さは、成膜方法および使用化合物によっても
異なるが、４〜１００人程度であることが好ましい。

４Å以上とすると耐久性が向上し、１００Å以下とする
と吸着や磁気ヘッドのクラッシュが減少する。　なお、
より好ましい膜厚は４〜８０人であり、さらに好ましい
膜厚は４〜５０人である。

上記のような磁性層を有する本発明の磁気記録媒体は、
磁性層側の表面粗さ（Ｒｍａｘ）が５０〜２００人であ
るとさらに耐久性が向上する。　この場合、Ｒｍａｘの
より好ましい範囲は８０〜１５０人であり、さらに好ま
しい範囲は８０〜１２０人、特に好ましくは９０〜１２
０人である。

このように表面性の良い磁気記録媒体に対しては、潤滑
剤塗布時の溶媒として沸点７０〜１５０℃のものを用い
る効果はより顕著となる。

磁性層側のＲｍａｘを上記範囲内とすれば、耐久性が向
上する他、媒体表面と浮上型磁気ヘッドの浮揚面との距
離を０．１−以下に保って記録および再生を行なうこと
ができ、しかも浮上型磁気ヘッドと磁気記録媒体との吸
着が発生せず、高密度記録が可能となる。

なお、磁性Ｍ側のこのようなＲＩＩｌａｘを得るために
は、前記したＦｅｚＯａからγ−Ｆｅｚｅｓへの酸化を
行なう際に、熱処理温度と時間を測色すればよい。

本発明の磁気記録媒体は、公知のコンポジット型の浮上
型磁気ヘッド、モノリシック型の浮上型磁気ヘッド等に
より記録再生を行なった場合に効果を発揮するが、特に
、浮上型薄膜磁気ヘッドと組合せて使用された場合に、
極めて高い効果を示す。

そして、前記の潤滑膜は、媒体上および／またはヘッド
フロント面に形成される。

第４図に、本発明に用いる磁気ヘッドの好適実施例であ
る薄膜型の浮上型磁気ヘッドの１例を示す。

第４図に示される浮上型磁気ヘッド１ｏは、基体２０上
に、絶縁層３１、下部磁極層４１、ギャップ層５０、絶
縁層３３、コイル層６ｏ、絶縁層３５、上部磁極層４５
および保護層７゜を順次有する。　また、このような浮
上型磁気ヘッド１０の少な（ともフロント面、すなわち
浮揚面には、必要に応じ、前記と同様の潤滑膜を設ける
こともできる。

なお、本発明では、フロント面のＲｍａｘは、２００Å
以下、特に５０〜１５０人であることが好ましい。　こ
のようなＲｍａｘを有する磁気ヘッドと上記したＲ　ｖ
ｎａｘを有する磁気記録媒体とを組み合わせて使用する
ことにより、本発明の効果はより一層向上する。

コイル層６０の材質には特に制限はなく、通常用いられ
るＡｊ２．Ｃｕ等の金属を用いればよい。

コイルの巻回パターンや巻回密度についても制限はな（
、公知のものを適宜選択使用すればよい。　例えば巻回
パターンについては図示のスパイラル型の他、積層型、
ジグザグ型等いずれであってもよい。

また、コイル層６０の形成にはスパッタ法等の各種気相
被着法を用いればよい。

基体２０はＭｎ−Ｚｎフェライト等の公知の材料から構
成されてもよいが、本発明の磁気記録媒体に対して用い
る場合、基体２０は。

ビッカース硬度１０００　ｋｇｆ／ｍｍ２以上、特に１
０００〜３０００ｋｇｆ／ｍｍ２程度のセラミックス材
料から構成されることが好ましい。　このように構成す
ることにより、本発明の効果はさらに顕著となる。

ビッカース硬度１０００　ｋｇｆ／ｍｍ２以上のセラミ
ックス材料としては、Ａβｇｏｓ−Ｔｉｃを主成分とす
るセラミックス、ＺｒＯ□を主成分とするセラミックス
、ＳｉＣを主成分とするセラミックスまたはＡβＮを主
成分とするセラミックスが好適である。　また、これら
には、添加物としてＭｇ、Ｙ、ＺｒＯ２、Ｔ　ｉ　Ｏ２
等が含有されていてもよい。

これらのうち好適なものは、酸化鉄を主成分とする薄膜
磁性層の硬度との関係が最適であることから、Ａｆｆｚ
Ｏｘ−Ｔｉｃ、ＺｒＯ２を主成分とするセラミックスで
ある。

下部および上部磁極層４１．４５の材料としては、従来
公知のものはいずれも使用可能であり、例えばパーマロ
イ、センダスト、Ｃｏ系非晶質磁性合金等を用いること
ができる。

磁極は通常、図示のように下部磁極層４１および上部磁
極層４５として設けられ、下部磁極層４１および上部磁
極層４５の間にはギャップ層５０が形成される。

ギャップ層５０は、Ａ　１２０　ｘ、ＳｉＯ□等公知の
材料であってよい。

これら磁極層４１．４５およびギャップ層５０のパター
ン、膜厚等は公知のいずれのものであってもよい。

さらに、図示例ではコイル層６０は、いわゆるスパイラ
ル型として、スパイラル状に上部および下部磁極層４１
．４５間に配設されており、コイル層６０と上部および
下部磁極層４１．４５間には絶縁層３３．３５が設層さ
れている。

また下部磁極層４１と基体２０間には絶縁層３１が設層
されている。

絶縁層の材料としては従来公知のものはいずれも使用可
能であり、例えば、薄膜作製をスパッタ法により行なう
ときには、５ｉｎ２、ガラス、Ａｊ２２０３等を用いる
ことができる。

また、上部磁極４５上には保護層７０が設層されている
。　保護層の材料としては従来公知のものはいずれも使
用可能であり、例えばＡ　Ａ　２０３等を用いることが
できる。　　また、これらに各種樹脂コート層等を積層
してもよい。

このような薄膜型の浮上型磁気ヘッドの製造工程は、通
常、薄膜作成とパターン形成とから構成される。

上記各層を構成する薄膜の作成には、上記したように、
従来公知の気相被着法、例えば真空蒸着法、スパッタ法
、あるいはメツキ法等を用いればよい。

浮上型磁気ヘッドの各層のパターン形成は、従来公知の
選択エツチングあるいは選択デポジションにより行なう
ことができる。　エツチングとしてはウェットエツチン
グやドライエツチングを用いることができる。

このような浮上型磁気ヘッドは、アーム等の従来公知の
アセンブリーと組み合わせて使用される。

本発明の磁気記録媒体、特に磁気ディスクを用いて記録
再生を行なうには、ディスクを回転させながら、磁気ヘ
ッドを浮上させて記録再生を行なう。

ディスク回転数は２０００〜６０００　ｒｐｍ程度、特
に２０００〜４０００　ｒｐｍとする。

また、浮上量は０．２−以下、特にｏ、１５−以下、さ
らには０．　１４以下、例えば０．０１〜０．０９−と
することができ、このとき良好な浮上特性およびｃｓｓ
耐久性を得ることができる。

浮上量の調整は、スライダ巾や、磁気ヘッドへの荷重を
変えることによって行なう。

〈実施例〉 以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。

［実施例１コ 〈磁気ディスクサンプルの作製〉 外径１３０ｍｍ、内径４０ｍｍ、厚さ１．９＋ｎｍのア
ルミノケイ酸ガラス基板を研磨し、さらに化学強化処理
を施した。　化学強化処理は、４５０℃の溶融硝酸カリ
ウムに１０時間浸漬することにより行なった。

次いで、ガラス基板表面なメカノケミカルポリッシング
により平滑化した。　メカノケミカルポリッシングには
、コロイダルシリカを含む研磨液を用いた。

各サンプルに用いたガラス基板の表面粗さ（Ｒｍａｘ）
は、５０人であった。

なお、Ｒｍａｘは、触針型表面粗さ計により測定した。

ガラス基板を洗浄後、その表面に下記のようにして磁性
層を形成した。

まず、Ａｒガス雰囲気中にて予備スパッタを行ない、１
．０ｗｔ％Ｃｏ−Ｆｅ合金ターゲット表面の酸化膜を除
去した。　次いで、０２ガスを導入して反応性スパッタ
を行ない、Ｆｅ、０４膜を成膜した。　なお、ｏ２ガス
は、基板に吹きつけるように導入した。

各磁気ディスクサンプルのＦｅ５０４膜形成時のＰ　（
Ａｒ＋Ｏ□ｌおよびＰＯ，／Ｐ（＾ｒ＋（ｈｌは、それ
ぞれＩ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒおよび０．０５２とした
。

なお、Ｆｅ５０＜膜形成時のＡｒガスと０□ガスとの合
計流量（Ａｒｒｏｗ）を、表１に示す。

ＦｅｘＯ４膜形成後、下記条件で大気中熱処理により酸
化を行ない、γ−ＦｅＪｘｌｆｆｌ性層とした。

（熱処理条件） 昇温速度：８．０℃／ｗｉｎ 処理温度：３１０℃ 処理時間：１ｈｒ なお、磁性層の厚さは、２０００人とした。

このようにして得られた各サンプルの磁性層に対してＸ
線回折を行ない、Ｘ線回折チャートを作成した。

なお、Ｘ線回折は第２図に示される装置にて行なった。

各サンプルのＸ線回折チャートの解析結果を表１に示す
、　また、サンプルＮｏ、　４のＸ線回折チャートを第
５図に示す。

さらに、このサンプルの磁性層に対し、第３図に示す低
入射角Ｘ線回折装置を用いて、β＝０．５°およびβ＝
２．０°にてＸ線回折を行なった。

得られたＸ線回折チャートを第６図に示す。

第６図に示されるように、β＝０．５°におけるＰ（１
０４）／　Ｐ（３１１）はβ＝２．０”におけるＰ（１
０４）／　Ｐ（３１１）の約２．６倍であり、α−Ｆｅ
ｘＯｘの含有率が磁性層表面側で高いことが確認された
。

なお、表１に示される他のサンプルについて同様な測定
を行なったところ、はぼ同様な結果が得られた。

また、各サンプルの平均結晶粒径は、１００〜８００人
であった。

さらに、各サンプルについて、下記の測定を行なった。

（比抵抗ρ） 四端針法により測定した。　測定条件を以下に示す。

探針材質：チタンカーバイド 針間隔：１ｍｍ 針先半径：４０−Ｒ 針　　　圧：　１００ｇ／本 （保磁力） 振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により測定した。

最大印加磁界は５　ｋｏｅとした。

（再生出力） 各サンプルの磁性肩上に潤滑膜を成膜し、下記薄膜磁気
ヘッドを用いて、浮上量０．１％にて再生出力、Ｄ、。

を測定した。

再生出力は２１ｋＰＣＩ（ｋｉｌｏ　Ｆｌｕｘ　ｃｈａ
ｎｇｅ　ｐｅｒｌｎｃＮでの記録再生出力で、以下の評
価を（１なった。

この結果、サンプルＮｏ、　２〜７でＣよ、実用上好ま
しい出力かえられためＳ、サンプルＮ０５１．８では実
用上問題となる出力であった。

Ｄ、。は、低記録密度における再生出力番こ対し再生出
力が７０％まで低下したときの言己録密度であり、ｋＦ
ＣＩで表わした。

潤滑膜は、下記の化合物を、下言己溶媒をこ溶解したＱ
、１ｗｔ％溶液を用し１て、スピンコード法により厚さ
２０人に成膜して升ら成した。

化合物Ｉ Ｆ　（ＣＦ　Ｉ　ＣＦ　、ＣＦ　、Ｏ）、、ＣＦ　２Ｃ
Ｆｉダイキン工業■製ＤＥＭＮＵＭ　　５−２０平均分
子量　２７００． ２０℃における動粘度　５３±１０ｃＳｔ、流動点　−
７５℃、 ２０℃における密度　１．８６ｇ／ｍｊ溶媒Ｉ Ｃ，Ｆ、、０（フルオロケミカル　０−７５）５または
６員の完全フッ化環式エーテルにパーフルオロアルキル
基が結合 沸点　１０１”Ｃ なお、潤滑膜形成後の各サンプルの磁性層側Ｒｍａｘは
、１００人であった。

また、使用磁気ヘッドの構成は、下記のとおりである。

便ｊロｆＬｊｌ工＝ム上 ビッカース硬度２２００　ｋｇｆ／ｍｍ”のＡｊａＯｓ
−ＴｉＣ基体上に薄膜磁気ヘッド素子を形成した後、磁
気ヘッド形状に加工し、支持バネ（ジンバル）に取りつ
け、空気ベアリング型の浮上型磁気ヘッドを作製した。

この磁気ヘッド浮揚面のＲａ＋ａｘは１３０人であった
。

浮上量は、スライダ幅、ジンバル荷重を調整し、０．１
４になるようにした。

これらの測定結果を表１に示す。

表１に示される結果から、比抵抗ρに対応して保磁力Ｈ
ｃおよびり、。が増加することがわ力）る。

そして、０，０３≦ρ≦３．０の範囲において、高いり
、。が得られることが明らかである。

すなわち、ρが０．０３Ω・Ｃｌ１１以上になると例え
ば通研実報第３１巻第１号（１９８２）ＰＰ、　２７７
−２８９に示されるような従来Ｃｏ１ｗｔ％で得られて
いた保磁力（約４０００ｅ）を超え、ρの増加とともに
Ｈｃ、Ｄｔｏが増加する。

しかし、ｐ＞３．ＯΩ・Ｃｌ１ｌとなると再生出力が実
用上問題となる大きさまで減少してしまうＯ ρ＝０，１〜０．９ではＤ　ｔ−ｏが３０　ｋＰＣＩ以
上になり、再生出力も実用上好ましい出力となる。

［実施例２］ 潤滑膜が含有する化合物を変えて磁気記録ディスクサン
プルを作製した。　潤滑膜以外は実施例１で作製したサ
ンプルＮ０９５と同様とした。

これらのサンプルについて、初期摩擦係数および耐久走
行後の摩擦係数の測定を行なった。

なお、潤滑膜に用いた化合物は、上記化合物ｌおよび下
記化合物２であり、溶媒は、上記溶媒１、下記溶媒２お
よび下記比較溶媒Ａである。　各サンプルの潤滑膜が含
有する化合物および使用溶媒を、表２に示す。

なお、塗布溶液は全て０．１ｗｔ％の溶液であり、膜厚
は２０人とした。

化合物２ ＨＯＣＨ，−ＣＦ、０−　（Ｃ，Ｆ、Ｏ）、−（ＣＦ、
０）ｍ−ＣＦ２−ＣＨ２０ＨＭｏｎｔｅｆｌｕｏｓ社製
　Ｆｏｍｂｌｉｍ　Ｚ−ｄｏｌ平均分子量　２２００ 動粘度（２０℃）　　８１ｃＳｔ 密度（２０℃）　　１．７５ｇ／ｍｊ 溶媒２ Ｃ８Ｆ、、０（フルオロケミカル　０−７５）Ｃ７Ｈ１
４（ｎ−へブタン） ＣＣβ２ＦＣＣ氾２Ｆ（フロン１１２）３者の混合溶媒 沸点　９０℃ 溶媒Ａ ＣＣｎ　２ＦＣＣρＦ、（フロン１１３）ダイキン工業
社製　ダイフロン　Ｓ３ 沸点　４８℃ 狐凰呈１五１ 上記磁気ヘッドを用い、１　ｒｐｍにて１分間動摩擦係
数を測定した。

結果を表２に示す。　なお、表２に示す初期摩擦係数は
、測定中の最小値と最大値である。

、′−′の　２、ｒ、 上記磁気ヘッドを用い、相対速度１　（＋１／Ｓにて１
時間接触走行を行なった後、１　ｒｐｍにて１分間動摩
擦係数を測定した。

結果を表２に示す。　なお、表２に示す摩擦係数の変化
は、測定中の最小値と最大値である。

表２に示される結果から、本発明の効果が明らかである
。

なお、表２に示す各サンプルについてＣ８Ｓ耐久性試験
を行なったところ、上記の耐久走行試験と同様な結果が
得られた。

また、磁気ヘッドに潤滑膜を形成しても同様の結果をえ
た。

〈発明の効果〉 本発明によれば、耐久性、特にＣ８Ｓ耐久性の高く、し
かも記録密度の高い磁性層を有する磁気記録媒体が実現
する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の磁気記録媒体の好適実施例を示す部
分断面図である。 第２図は、Ｘ線回折装置の概略図である。 第３図は、低入射角Ｘ線回折装置の概略図である。 第４図は、本発明に用いる磁気ヘッドの部分断面図であ
る。 第５図は、ｙ−ＦｅｚＯｉｌａ性層のＸ！回折チャート
である。 第６図は、低入射角ｘ１１！回折装置を用いて作成され
たγ−Ｆｅａｒｓ磁性層のＸ線回折チャートである。 符号の説明 １・・・磁気記録媒体 ２・・・基板 ３・・・磁性層 ４・・・潤滑膜 １０１・・・Ｘ線源 １０２・・・磁気記録媒体 １０３・・・計数管 ＤＳ・・・ダイバージェンススリット ＳＳ・・・スキャッタースリット Ｒ３，Ｒ５Ｉ、Ｒ３２ ・・・レシービングスリット ＭＭ・・・モノクロメータ Ｓｌ、Ｓ２・・・ソーラースリット １０・・・磁気ヘッド ＩＧＩ 出　願　人　ティーデイ−ケイ株式会社代　　理　　人
　　弁理士　　　石　　井　　隔間　　　　　弁理士　
　　増　　１）　達　　哉ＦＩ６．４ カウント（ｋｃｐｓ） カウント　（ｋｃｏｓ） 手続ネ甫正書（自発） 補正の内容 平成 ３年 ４月１５日 、、Ｊｋｒ　Ｃ と補正する。 平成 ２年特許願第２５３７２１号 明細書５ ４ページ、 表２を別紙と さじか ２、発明の名称 磁気記録媒体および磁気記録再生方法 える。 ３゜ 補正をする者 事件との関係　　　特許出願人

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）連続薄膜型の磁性層を剛性基板上に有し、この磁
   性層上に、パーフルオロアルキレンを有するポリエーテ
   ルおよび／またはその誘導体を、沸点７０〜１５０℃の
   溶媒に溶解した溶液から形成した潤滑膜を有することを
   特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）前記溶媒は、パーフルオロアルキル基を側鎖に有
   し、完全フッ化した５または６員の環式エーテルである
   請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. （３）前記磁性層が、γ−Ｆｅ＿２Ｏ＿３を主成分とす
   る連続薄膜型の磁性層である請求項１または２に記載の
   磁気記録媒体。
4. （４）前記磁性層の比抵抗ρが０．０３〜３Ω・ｃｍで
   ある請求項３に記載の磁気記録媒体。
5. （５）前記剛性基板の表面粗さ（Ｒｍａｘ）が１０〜１
   ００Åであり、前記磁気記録媒体の磁性層側表面粗さ（
   Ｒｍａｘ）が５０〜２００Åである請求項１ないし４の
   いずれかに記載の磁気記録媒体。
6. （６）ディスク状の磁気記録媒体を回転し、この磁気記
   録媒体上に磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行なう磁
   気記録再生方法であって、前記磁気記録媒体が、連続薄
   膜型の磁性層を剛性基板上に有し、 前記磁性層上および／または前記磁気ヘッドのフロント
   面上に、パーフルオロアルキレンを有するポリエーテル
   および／またはその誘導体を、沸点７０〜１５０℃の溶
   媒に溶解した溶液から形成した潤滑膜を有することを特
   徴とする磁気記録再生方法。
7. （７）前記溶媒は、パーフルオロアルキレン基を側鎖に
   有し、完全フッ化した５または６員の環式エーテルであ
   る請求項６に記載の磁気記録再生方法。
8. （８）前記磁気ヘッドの浮上量が０．２μｍ以下である
   請求項６または７に記載の磁気記録再生方法。
9. （９）前記磁性層が、γ−Ｆｅ＿２Ｏ＿３を主成分とす
   る連続薄膜型の磁性層である請求項６ないし８のいずれ
   かに記載の磁気記録再生方法。
10. （１０）前記磁性層の比抵抗ρが０．０３〜３Ω・ｃｍ
    である請求項９に記載の磁気記録再生方法。