JPH04133318A - 縦型熱処理装置 - Google Patents

縦型熱処理装置

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JPH04133318A
JPH04133318A JP25493090A JP25493090A JPH04133318A JP H04133318 A JPH04133318 A JP H04133318A JP 25493090 A JP25493090 A JP 25493090A JP 25493090 A JP25493090 A JP 25493090A JP H04133318 A JPH04133318 A JP H04133318A
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JP
Japan
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boat
heat treatment
wafer
stocker
treated
Prior art date
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Pending
Application number
JP25493090A
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English (en)
Inventor
Hironobu Nishi
西 寛信
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Tokyo Electron Sagami Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Sagami Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Electron Sagami Ltd filed Critical Tokyo Electron Sagami Ltd
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Priority to US07/765,524 priority patent/US5234528A/en
Publication of JPH04133318A publication Critical patent/JPH04133318A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、縦型熱処理装置に関する。
(従来の技術) 近年、半導体デバイスの製造工程における熱拡散工程や
成膜工程で使用される熱処理装置として、省スペース化
、省エネルギー化、被処理物である半導体ウェハの大口
径化および自動化への対応が容易であること等の理由か
ら縦型熱処理装置が開発されている。
このような縦型熱処理装置は、石英等からなる円筒状の
反応容器の周囲にヒータや断熱材等が配置された縦型の
熱処理炉内に、多数の半導体ウェハが所定の間隔で棚積
み収容された石英等からなるウェハボートをその下方か
ら昇降機構によってローディングし、所定の熱処理が施
されるよう構成されている。また、通常、半導体ウェハ
の搬送は、樹脂製のウェハキャリアに収容されて行われ
るため、上記ウェハボートとウェハキャリア間で半導体
ウェハの移載を行う必要がある。そこで、ウェハボート
とウェハキャリア間でのウェハ移載機構を併設した縦型
熱処理装置が一般的に多用されている。
一方、複数のウェハボートを使用し、熱処理工程中に他
のウェハボートへ半導体ウェハの移載を行うと共に、ウ
ニl\移載済のウエノ)ボートを待機させることによっ
て、ウェハボートとウニl\キャリア間における半導体
ウニ/%の移載時間による処理効率の低下を抑制し、熱
処理工程の効率化を図ることが提案されている。また、
ウエノ\移載済のウェハボートの待機工程を設けると共
に、縦型熱処理炉を複数並列配置することによって、1
台のウェハ移載機構を複数の縦型熱処理炉で共用するこ
とを可能にし、かつ熱処理の効率化を図ることも提案さ
れている。
(発明が解決しようとする課題) 上述したように、従来の縦型熱処理装置においては、ウ
ェハボートに半導体ウエノ\を搭載した状態で待機させ
ることにより、処理効率の向上を図っているが、半導体
ウエノ\の待機時間の増大は自然酸化膜の形成を増長す
ることを意味している。
これは、半導体素子の高集積化に伴って、配線網の微細
化が進んでいる現状においては、僅か数10人の自然酸
化膜も配線不良の原因となるため、不良発生を増大させ
るという問題を招いている。
また、自然酸化膜は不均一な膜であるため、より不良を
招きやすいという難点も有している。
このようなことから、熱処理工程の処理効率の向上を図
ると共に、自然酸化膜の形成を抑制し、さらには自然酸
化膜を熱処理前に除去することを可能にすることによっ
て、処理品質の向上を図ることか強く望まれている。
一方、半導体素子の製造工程等に用いられる熱処理装置
は、一般にクーンルーム内に配置されていると共に、各
装置内にもクリーンエアーを供給する等して、半導体ウ
ニ11への塵埃の付着を防止しているが、対流かあるた
めに完全に塵埃の付着を防止することはできず、半導体
ウニ/1の待機時間の増大は、塵埃付着の可能性を高め
ることとなる。よ2て、待機中における塵埃の付着をよ
り一層防止することが強く望まれている。
本発明は、このような課題に対処するためになされたも
ので、被処理物の待機工程を設けることによって、熱処
理工程の効率化を図ると共に、待機工程において前処理
を実行することにより処理品質の低下を抑制した縦型熱
処理装置を提供することを目的としている。
[発明の構成コ (課題を解決するための手段) すなわち本発明の縦型熱処理装置は、被処理物を収容し
、該被処理物に対して所定の熱処理を施す縦型熱処理炉
と、未処理の前記被処理物を覆う如く設けられた包囲容
器を有し、該包囲容器内に処理ガスを導入することによ
って、該被処理物の前処理を行うと共に、該被処理物を
一時的に待機させる被処理物ストッカと、前記縦型熱処
理炉と被処理物ストッカ間での前記被処理物の搬送を行
う搬送機構とを具備することを特徴としている。
(作 用) 本発明の縦型熱処理炉においては、被処理物を待機させ
るための被処理物ストッカを具備すると共に、被処理物
ストッカに包囲容器を設けることにより、前処理として
例えば不活性ガス処理やエツチング処理を被処理物に対
して施すことを可能としているため、待機期間に起因す
る被処理物の不良発生を抑制することが可能となり、さ
らには処理品質をより高めることか可能となる。
(実施例) 以下、本発明の縦型熱処理装置の実施例について図面を
参照して説明する。
この実施例における縦型熱処理装置1は、第1図に示す
ように、半導体ウエノ\2が搭載されたウェハボート3
を収容して、所定の熱処理を行う並列配置された複数の
縦型熱処理炉10と、これら縦型熱処理炉10の配列方
向前方に設けられ、上記ウェハボート3を垂直状態で搬
送するボート搬送機構20と、このボート搬送機構20
に沿って設けられた未処理の半導体ウニ/X2の待機位
置であると共に、前処理を行うボートストッカ30とか
ら主として構成されている。なお、図中40は、ウェハ
ボート3の水平−垂直変換を行うと共に、ウェハボート
3を図示を省略したウニ/X移載機構へと移送するボー
ト移送機構である。ウニへ移載機構では、ウェハキャリ
アとウェハボート3間での半導体ウェハ2の移載が行わ
れる。
各縦型熱処理炉10は、例えば石英によって形成された
反応容器11とその周囲を囲繞する如く配置された加熱
ヒータ12よび図示を省略した断熱材等から熱処理炉本
体13が構成されており、この熱処理炉本体13はほぼ
垂直に配設されるようにベースプレート14に固定され
ている。
半導体ウェハ2が所定のピッチで棚積み収容されたウェ
ハボート3は、図示を省略した回転駆動機構によって回
転可能とされたターンテーブル15の上方に設置された
保温筒16上に、ボート搬送機構20から移載され、昇
降機構例えばボートエレベータ17によって反応容器1
1内にローディングされる。また、反応容器11の開放
部の密閉は、ターンテーブル15等と一体にボートエレ
ベータ17によって昇降される円盤状のキャップ部18
により行われる。
なお、この実施例における縦型熱処理装置1では、縦型
熱処理炉10を4棟並列配置し、異なる熱処理例えばS
Iエピタキシャル成長と熱拡散工程等とを同時に実施す
ることを可能としている。
また、ボートストッカ30は2棟並列配置されて構成さ
れており、未処理の半導体ウェハ2か収容されたウェハ
ボート3を待機させ、ウェハ移載時間による処理効率の
低下を抑制すると共に、半導体ウェハ2の熱処理の行わ
れる面に対して前処理を施して、処理品質の向上を図ろ
うとするものである。
各ポートストッカ30は、第2図に示すように、回転駆
動機構31に連結された回転軸32に固定されたターン
テーブル33を有しており、このターンテーブル33上
には、ウェハボート3が載置される例えば石英等からな
る載置台34が配置されている。また、各ポートストッ
カ30は、ボート搬送機構20によって搬送されてきた
ウェハボート3を上記載置台34上へと移載するボート
移載アーム35を有している。
また、ターンテーブル33の上方には、ウェハボート3
の移載時に障害とならない位置に、円筒容器状の包囲容
器例えば石英からなる反応管36が配置されている。こ
の反応管36は、昇降機構例えばボールベアリング37
の昇降部37aに枠体38によって固定されており、載
置台34上に載置されたウェハボート3を覆うように昇
降可能とされている。
上記反応管36には、処理ガス導入配管39が接続され
ており、この処理ガス導入配管39がら所望の前処理用
ガス、例えば窒素ガスやエツチングガス等が反応管36
内に供給され、所望の前処理が未処理の半導体ウェハ2
に対して施されるよう構成されている。
ボート搬送機構20は、ウェハボート3か載置されるボ
ート載置部21を有しており、このボート載置部21上
にボート移送機構40によって載置されたウェハボート
3を処理プログラムに基づいて、搬送レール22および
図示を省略した駆動機構により各ポートストッカ30も
しくは各縦型熱処理炉10のいずれかに搬送するよう構
成されている。
また、このボート搬送機構20は、ポートストッカ30
で待機中のウェハボート3を縦型熱処理炉10のいずれ
かに搬送する機能も有している。
このような構成の縦型熱処理装置1においては、まずウ
ェハキャリアから半導体ウェハ2が移載されたウェハボ
ート3は、ボート移送機構40によって水平−垂直変換
されなからボート搬送機構20のボート載置部21上へ
と移送される。
次に、ウェハボート3は、処理プログラムに基づいてボ
ート搬送機構20により各ポートストッカ30もしくは
各縦型熱処理炉10のいずれかに搬送される。
例えば縦型熱処理炉10に搬送されたウェハボート3は
、保温筒16上に載置され、ボートエレベータ17によ
って例えば800℃程度の予備加熱状態にある反応容器
11内にローディングされると共に、キャップ部18に
よって反応容器11が密閉される。この後、反応容器1
1内を所定の真空度例えば10Torr程度に保持しな
から処理ガス例えばSiH2CI2 、HCI   H
2を図示を省略したガス導入管から供給し、ターンテー
ブル15を回転させながら半導体ウェハ2の処理例えば
シリコンエピタキシャル成長が行われる。
また、ボートストッカ30に搬送されたウェハボート3
は、まずターンテーブル33上の載置台34上に、ボー
ト移載アーム35によって移載される。ウェハボート3
が移載されると、このボート3と反応管34が相対的に
移動例えば反応管34か下降し、ウェハボート3に収容
された半導体ウェハ2は反応管36によって覆われる。
以上の状態で処理ガス導入配管39から所望の前処理用
ガス例えばN2ガスを反応管36内に供給すると共に、
ターンテーブル33によってウェハボート3を回転させ
ることにより、未処理の半導体ウェハ2に対して熱処理
工程の待機期間中に所望の前処理が均一に施される。
ここで、前処理用ガスとして窒素ガス等の不活性ガスを
供給すれば、半導体ウェハ2に対する自然酸化膜の形成
を防止することができると共に、半導体ウェハ2への塵
埃の付着を確実に防止することができる。窒素ガスのよ
うな不活性ガスを前処理用ガスとして使用する際には、
特に前処理用ガスの排気を考慮する必要はないため、反
応管36の開放側端部を密閉する必要はない。
また、前処理用ガスとして例えばエツチングガスを用い
れば、前工程等で半導体ウェハ2表面に形成された自然
酸化膜の除去を熱処理直前に行うことかでき、より処理
品質の向上を図ることができる。エツチングガスのよう
な腐食性ガスを前処理用ガスとして使用する際には、反
応管36の開放側端部を密閉すると共に、前処理用ガス
の排気系を付加することにより、反応管36外部に腐食
性ガスが漏洩することを防止する。さらに、処理後にお
いては、反応管36内を例えば窒素ガス等でパージし、
その後にウェハボート3の取出し等を行う。 ウェハボ
ート3の縦型熱処理炉1oもしくはポートストッカ30
への搬送は、順次行われると共に、ポートストッカ30
での待機期間が終了すると、処理プログラムにしたがっ
てウェハボート3はボート移載アーム35によって再度
ボート搬送機構20に移載され、縦型熱処理炉10へと
搬送されて所望の熱処理が施される。
一方、縦型熱処理炉10での処理か終了した半導体ウェ
ハ2は、ウェハボート3と共にボート搬送機構20およ
びボート移送機構4oによって、図示を省略したウェハ
移載機構へと移送され、さらにウェハキャリアに移載さ
れて次工程へと搬送される。
上記構成の縦型熱処理装置においては、半導体ウェハ2
が搭載されたウェハボート3の待機位置であるポートス
トッカ30に、昇降自在な反応管36を設けることによ
り、前処理として例えば不活性ガス処理やエツチング処
理を半導体ウェハ2に対して施すことを可能としている
ため、待機期間中に自然酸化膜が形成されることを防止
することができ、さらには自然酸化膜を除去することも
可能となる。また、反応管内において待機させるため、
塵埃等の付着による不良発生を抑制することも可能とな
る。
このように、半導体ウェハ2をウェハボート3に搭載し
た状態での待機期間中に前処理を行うことが可能となる
ため、待機期間に起因する不良発生を抑制した上で、さ
らには処理品質の向上を図った上で、熱処理工程の効率
化を図ることが可能となる。
なお、上記実施例においては、縦型熱処理炉を複数棟有
する熱処理装置について説明したが、縦型熱処理炉が単
独の場合においても同様な効果を発揮することはいうま
でもないことである。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の縦型熱処理装置によれば
、被処理物の待機期間中に前処理を行うことが可能とな
るため、熱処理工程の効率化を図った上で、待機期間に
起因する不良発生を抑制することが可能となり、さらに
は処理品質の向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の縦型熱処理装置の要部構成
を説明するための正面図、第2図は第1図におけるポー
トストッカの構成を説明するための縦断面図である。 1・・・・・・縦型熱処理装置、2・・・・・・半導体
ウェハ3・・・・・・ウェハボート、10・・・・・・
縦型熱処理炉、11・・・・・・反応容器、2・・・・
・・加熱ヒータ、13・・・・・・熱処理炉本体、18
・・・・・・キャップ部、20・・・・・・ボート搬送
機構、30・・・・・・ボートストッカ、31・・・・
・・回転駆動機構、33・・・・・・ターンテーブル、
34・・・・・・ボート載置台、35・・・・・・ボー
ト搬送アーム、36・・・・・・反応管、37・・・・
・・ボールベアリング、39・・・・・・処理ガス導入
配管、40・・・・・・ボート移送機構。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 被処理物を収容し、該被処理物に対して所定の熱処理を
    施す縦型熱処理炉と、 未処理の前記被処理物を覆う如く設けられた包囲容器を
    有し、該包囲容器内に処理ガスを導入することによって
    、該被処理物の前処理を行うと共に、該被処理物を一時
    的に待機させる被処理物ストッカと、 前記縦型熱処理炉と被処理物ストッカ間での前記被処理
    物の搬送を行う搬送機構と を具備することを特徴とする縦型熱処理装置。
JP25493090A 1990-09-25 1990-09-25 縦型熱処理装置 Pending JPH04133318A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25493090A JPH04133318A (ja) 1990-09-25 1990-09-25 縦型熱処理装置
KR1019910016609A KR0147387B1 (ko) 1990-09-25 1991-09-24 종형 열처리 장치
US07/765,524 US5234528A (en) 1990-09-25 1991-09-25 Vertical heat-treating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25493090A JPH04133318A (ja) 1990-09-25 1990-09-25 縦型熱処理装置

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JPH04133318A true JPH04133318A (ja) 1992-05-07

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ID=17271835

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JP25493090A Pending JPH04133318A (ja) 1990-09-25 1990-09-25 縦型熱処理装置

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