JPH0413210A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、基体の上に磁性膜及びコイル膜でなる磁気回
路を有する薄膜磁気ヘッドに関し、ポール部の厚みを、
ギャップ膜とは反対側の面が曲面となるように変化させ
ることにより、孤立再生波形に現われるアンダーシュー
トを抑制できるようにしたものである。

〈従来の技術〉 第６図は従来より知られた薄膜磁気ヘッドの要部の断面
図で、１はセラミックで構成された基体、２は下部磁性
膜、３はアルミナ等でなるギャップ膜、４は上部磁性膜
、５はコイル膜、６はノボラック樹脂等の有機絶縁樹脂
で構成された絶縁膜、７はアルミナ等の保護膜である。

基体１はアルティック（Ａｈ０３−ＴｉＯ□）部１０１
の表面にＡｌ２Ｏ３等でなる絶縁膜１０２を設け、この
絶縁膜１０２の上に磁気回路を形成しである。

下部磁性膜２及び上部磁性膜４の先端部はアルミナ等で
なるギャップ膜３を隔てて対向するポール部２１．４２
となっており、このポール部２１．４１において読み書
きを行なう。上部磁性膜４はポール部４１とは反対側の
後方領域において、結合部４２によって下部磁性膜２の
ヨーク部２２と結合されている。コイル膜５は結合部４
２を渦巻状に回るように形成されている。

第７図は上記薄膜磁気ヘッドを媒体対向面側から見た拡
大図である。ポール部２１．４１は媒体走行方向ａで見
た厚みが実質的に一定であって、両者２１−４１間にギ
ャップ膜３を直線的に配置した構造となっている。

第８図は上述の薄膜磁気ヘッドを用いて、記録媒体に記
録した１シヨツトの信号を再生した場合の孤立再生波形
を示している。孤立再生波形の下側には、ギャップ膜３
を介して対向するポール部２１．４１が孤立再生波形と
対応する関係で示されている。Ｍは磁気記録媒体である
。

第８図に示すように、孤立再生波形はポール部２１．４
１の端縁に対応する位置で、疑似波形であるアンダーシ
ュートＡ％　Ｂを生じている。薄膜磁気ヘッドに特有の
構造に起因して発生するものである。即ち、薄膜磁気ヘ
ッドにおいては、バルク型磁気ヘッド等と異なって、磁
気記録媒体Ｍの走行方向ａで見たポール部２１．４１の
端部の厚みが薄く、有限であるため、ギャップ膜３によ
る本来の変換ギャップの他に、ポール２１．４１の各端
部Ｘ、Ｙによる疑似ギャップが発生するためである。Ｆ
、はギャップ膜３を変換ギャップとする本来の磁束を示
し、Ｆｆｌ、Ｆｅ２は端部Ｘ、Ｙを疑似ギャップとする
磁束の１部を示している。

アンダーシュートＡ、Ｂの存在は、高密度記録の場合、
ピークシフトが大きくなるため、読み出しのエラーマー
ジンまたは位相マージンに限界を生じ、高密度記録の大
きな障害となる。

アンダーシュートを抑制するための従来技術としては、
特公昭５３−２９０９０号公報、特開昭６３−９１８１
２号公報、特開昭６３−１０３４１０号公報等に記載さ
れた技術が知られている。

まず、特公昭５３−２９０９０号公報では、記録媒体対
向面での上部及び下部磁性体の少なくとも一方の磁性体
の端部を、ギャップ部材と垂直方向への厚さを、全体に
わたフて異ならしめ、端部がギャップ部と全体にわたっ
て平行とならないように形成して、アンダーシュートを
抑制してあった。

特開昭６３−９１８１２号公報では、磁極の外側の面上
に、透磁率が磁極よりも充分に低い低透磁率層を設けて
、アンダーシュートを抑制する技術を開示している。

特開昭６３−１０３４１０号公報は、磁極の磁気特性を
ギャップより遠くなるほど、低くすることにより、アン
ダーシュートを抑制している。

〈発明が解決しようとするｉｌ！題〉 しかしながら、特公昭５３−２９０９０号公報では、上
部及び下部磁性体の少なくとも一方の磁性体の端部が、
ギャップ部と全体にわたって平行とならないように、ギ
ャップ部材と垂直方向への厚さを全体にわたフて異なら
しめて形成する必要があるため、磁性体が媒体対向面側
で部分的に突出する複雑な形状となり、この形状を付与
するためのプロセスが余分に必要になり、製造プロセス
が複雑になると共に、歩留の低下を招く。

特開昭６３−９１８１２号公報では、磁極の外側の面上
に、透磁率が磁極よりも充分に低い低透磁率層を設ける
ことが必要であるため、やはり、低透磁率層を形成する
ためのプロセスが必要になり、工程数の増加、歩留の低
下を招く。

特開昭６３−１０３４１０号公報では、磁極の磁気特性
をギャップより遠くなるほど、低くなるように制御する
必要があり、同様の問題を回避することができない。

そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、追加的なプロセスを実質的に必要とすることなしに
、アンダーシュートを確実に抑制できる構造を有する薄
膜磁気ヘッドを提供することである。

く課題を解決するための手段〉 上述する課題解決のため、本発明は、基体の上に磁性膜
及びコイル膜を含む磁気回路を有する薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記磁性膜は、下部磁性膜及び上部磁性膜を含んでおり
、 前記下部磁性膜及び上部磁性膜は、媒体対向面において
ギャップ膜を介して対向するポール部をそれぞれ有して
おり、 前記ポール部の少なくとも一方は、前記ギャップ膜とは
反対側の面が曲面となるように、厚みを変化させたこと を特徴とする。

く作用〉 下部磁性膜及び上部磁性膜の少なくとも一方は、ギャッ
プ膜とは反対側の面が曲面となるように、厚みを変化さ
せであるので、ポール部の端部が、磁気記録媒体の走行
に応じて、厚み変化に従い徐々に幅方向に移動するよう
な結果となる。

このため、ポール部の端部に発生するアンダーシュート
がポール部の厚み変化に従い徐々に変化するような包絡
線状の波形となり、アンダーシュートが無視できる程度
に弱められる。

下部磁性膜及び上部磁性膜は、通常、メツキ膜として形
成される。このメツキ処理工程において、メツキ浴の組
成コントロールにより、ポール厚みを変化させることが
できる。このため、特別の付加的なプロセスを必要とす
ることなしに、アンダーシュートを抑制するポール構造
を有する薄膜磁気ヘッドを実現することができる。

〈実施例〉 第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドを媒体対向面側か
ら見た拡大図である。２１．４１は下媒体対向面におい
てギャップ膜３を介して対向するポール部である。第６
図に示したように、ポール部２１は下部磁性膜に連続し
ており、ポール部４１は上部磁性膜に連続している。

各ポール部２１．４１は、ギャップ膜３とは反対側の面
が曲面となるように、厚みを変化させである。ポール部
２１．４１に付与される曲面は、凸状または凹状の何れ
でもよい。この例では、凸状曲面を示して、下部磁性膜
のポール部２１は、基板１の表面に形成された凹部１０
０内において、幅方向の両端側で薄く、中間部で厚くな
るように形成されている。ポール部２１はギャップ膜３
のある面が実質的に平面状となっていて、ギャップ膜３
はほぼ平面状となるように配置されている。

上部磁性膜のポール部４１も、幅方向の両端側で薄く、
中間部で厚くなるように、ギャップ膜３の上に形成され
ている。

第２図は上記構造の薄膜磁気ヘッドの孤立再生波形を示
す図である。第２図に示すように、矢印ａ方向に走行す
る磁気記録媒体に対して、ポール部２１．４１の端部Ｘ
、Ｙが、厚みの変化に対応して、中央端部ＸＩ％Ｙｌか
ら幅方向の端部Ｘｎ、Ｙ、に向かって、徐々に移動する
ような結果となる。このため、ポール部２１．４１の端
部Ｘ、Ｙに発生するアンダーシュートＡ、Ｂが幅方向に
徐々に変化するような包絡線状の波形となり、アンダー
シュートＡ、Ｂが無視できる程度に弱められる。

下部磁性ＷＡ２及び上部磁性膜４は、通常、メツキ膜と
して形成される。このメツキ処理工程において、メツキ
浴の組成コントロールにより、ポール部２１．４１の断
面形状をコントロールし、ギャップ膜３とは反対側の面
が曲面となるように、厚みを変化させることがで籾る。

このため、特別の付加的なプロセスを必要とすることな
しに、アンダーシュートを抑制するポール構造を有する
薄膜磁気ヘッドを得ることができる。

第３図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例を示
す図である。この実施例では、上部磁性膜のポール部４
１のみを、厚みの変化する形状にしである。図示はされ
ていないが、下部磁性膜のポール部のみを、厚みの変化
する形状としてもよい。これらの実施例の場合、アンダ
ーシュートの抑制作用は、ポール部２１．４１のうち、
厚みを変化させた方側で得られるだけであるが、片側の
みで生じるアンダーシュートは回路的に容易に抑制でき
る。

次に、第１図に示す薄膜磁気ヘットにおいて、磁性膜を
パーマロイのメツキ膜として形成する場合の具体例を説
明する。第４図（ａ）に示すように、基板１に設けられ
た凹部１００内にメツキ下地膜２０を形成し、メツキ下
地膜２０の表面に下部磁性膜パターンを画定するレジス
トフレーム８をフォトリソグラフィによって形成した後
、パーマロイメッキ膜を形成する。パーマロイのメツキ
浴組成は、例えば特開昭６１−１７７３９２号公報等で
知られており、下記の組成範囲となるように調製する。

硫酸第１鉄　　　　　　　５〜２０ｇ／ｕ硫酸ニッケル
　　　　２００〜３５０　ｇ／１１ホウ酸　　　　　　
　１０〜３０　ｇ／１１塩化アンモニウム　　　１０〜
３０　ｇ／Ｉｔサッカリンナトリウム　　Ｏ〜２　　ｇ
／Ｉｔ上記組成範囲において、ラウリル硫酸ナトリウム
の添加量を変えると、第４図（ｂ）に示すようにポール
部２１の形状がコントロールできる。

ポール部２１は下部磁性膜の１部であるから、通常は下
部磁性膜の全体も、上述の厚みコントロールを受ける。

この後、第４図（Ｃ）に示すようにギャップ膜３をスパ
ッタ等の手段によって形成し、更に、上部磁性膜を形成
する。上部磁性膜のメツキ工程においても、同様の厚み
コントロールを行なう。次に具体例を示す。

くメツキ浴組成〉 硫酸第１鉄　　　　　　　　　９ｇ／Ｉｔ硫酸ニッケル
　　　　　　３３０　ｇ／Ｉｔホウ酸　　　　　　　　
　２５ｇ／ｌｉｔ塩化アンモニウム　　　　　１５ｇ／
Ａサッカリンナトリウム　　Ｏ〜２ｇ／Ｊｌ上述のメツ
キ浴組成に対し、添加剤として、ラウリル硫酸ナトリウ
ムを添加してメツキ処理を行ない、第１図及び第３図に
示したように、所定形状に厚みのコントロールされたポ
ール部２１．４１を得ることができる。

第５図はラウリル硫酸ナトリウムの添加量を変えたとき
のポール部２１の端部形状変化量△ｈを示す図である。

図において、横軸はラウリル硫酸ナトリウムの添加量（
ｇ／ｆ）、縦軸はポール部２１の変化量△ｈを示してい
る。変化量△ｈはポール部２１の表面がフラットになる
場合を基準値０にして、ポール部２１の両端が盛り上が
る方向を（＋）６６１両端が降下する方向を（−）△ｈ
として示しである。図中、Ｓｏは表面が実質的にフラッ
トになる基準サンプル、Ｓｌは両端が（＋）△ｈだけ盛
り上がる方向にあるサンプル、Ｓ２は両端が（−）△ｈ
だけ低下する方向にあるサンプルをそれぞれ示している
。メツキ処理は電流１．２Ａで１５分間行なった。

図示するように、ラウリル硫酸ナトリウムの添加量的２
　（ｇ／ｆ）を基準にして、それよりも添加量が増える
と、ポール部２１の両端が低下する方向となり、低下す
るとポール部２１の両端が盛り上がる。従って、ラウリ
ル硫酸ナトリウムの添加量制御によって、ポール部２１
の形状をコントロールすることができる。ポール部４１
も同様にしてコントロールできる。

〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が
得られる。

（ａ）下部磁性膜及び上部磁性膜のポール部の少なとも
一方は、ギャップ膜とは反対側の面が曲面となるように
、厚みを変化させであるから、アンダーシュートを実質
的に無視できる程度に低下させ、読み出しのエラーマー
ジンもしくは位相マージンを確保し得る高密度記録対応
の薄膜磁気ヘッドを提供できる。

（ｂ）通常のメツキ処理工程において、メツキ浴の組成
コントロールにより、ポール部の断面形状をコントロー
ルし、ギャップ膜とは反対側の面が曲面となるように、
厚みを変化させることができるため、特別の付加的なプ
ロセスを必要とすることなしに、アンダーシュートを抑
制するポール構造を有する薄膜磁気ヘッドを提供できる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドを媒体対向面側か
ら見た拡大図、第２図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
作用を説明する孤立再生波形図、第３図は本発明に係る
薄膜磁気ヘッドの別の実施例を媒体対向面側から見た拡
大図、第４図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの要部にお
ける製造工程を示す図、第５図はラウリル硫酸ナトリウ
ムの添加量を変えたときのポール部の端部形状変化量を
示す図、第６図は従来より知られた薄膜磁気ヘツドの要
部の断面図、第７図は従来の薄膜磁気ヘッドを媒体対向
面側から見た拡大図、第８図は従来の薄膜磁気ヘッドを
用いて磁気記録媒体に記録した１シヨツトの信号を再生
した場合の孤立再生波形図をそれぞれ示している。 １・・・基板　　　　　２・・・下部磁性膜３・・・ギ
ャップ膜 ４・・・下部磁性膜　　５・・・コイル膜２１．４１・
・・ポール部 第 図 Ａ／ 第 図 クワ１ルし肌酸Ｊトツクムズ≦７１Ｉ］ｔ（９Ａ）第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体の上に磁性膜及びコイル膜を含む磁気回路を
   有する薄膜磁気ヘッドであって、前記磁性膜は、下部磁
   性膜及び上部磁性膜を含んでおり、 前記下部磁性膜及び上部磁性膜は、媒体対向面において
   ギャップ膜を介して対向するポール部をそれぞれ有して
   おり、 前記ポール部の少なくとも一方は、前記ギャップ膜とは
   反対側の面が曲面となるように、厚みを変化させたこと を特徴とする薄膜磁気ヘッド。