JPH04131377A - 膜形成方法 - Google Patents
膜形成方法Info
- Publication number
- JPH04131377A JPH04131377A JP25016390A JP25016390A JPH04131377A JP H04131377 A JPH04131377 A JP H04131377A JP 25016390 A JP25016390 A JP 25016390A JP 25016390 A JP25016390 A JP 25016390A JP H04131377 A JPH04131377 A JP H04131377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- deposited
- forming method
- substrate
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 11
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 81
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 5
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 229910008940 W(CO)6 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Gallium ions Chemical class 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
集束ビームを用いた加工における膜形成方法に利用され
る。
る。
集束ビーム（イオン、電子、レーザ）を１ ｍＴｏｒｒ
程度の化合物ガス雰囲気中（Ｗ（Ｃｏ）、など）におい
た試料（Ｓ ｉ Ｏ，基板など）表面に照射することに
より、試料表面に吸着したガスを分解しガス成分の一部
を集束ビーム照射位置に堆積することができる。これを
集束ビームアシステツドデポジションと言う。この堆積
を例えばデバイスの配線修正、フォトマスクの白点欠陥
修正、微細デバイスの固着等に利用することができる。
程度の化合物ガス雰囲気中（Ｗ（Ｃｏ）、など）におい
た試料（Ｓ ｉ Ｏ，基板など）表面に照射することに
より、試料表面に吸着したガスを分解しガス成分の一部
を集束ビーム照射位置に堆積することができる。これを
集束ビームアシステツドデポジションと言う。この堆積
を例えばデバイスの配線修正、フォトマスクの白点欠陥
修正、微細デバイスの固着等に利用することができる。
特に導電膜を堆積させデバイスの配線としてこの堆積膜
を使う場合は配線の比抵抗、及び配線と基板との接着力
などが重要となる。有機金属を用いた集束ビームによる
金属膜堆積において堆積膜の比抵抗はそのバルクの比抵
抗に比べ約２桁以上大きくなることが分かっている。こ
の比抵抗をできるだけ小さくするため従来は膜形成方法
として、ビームについては遅い走査速度、高い電流密度
を保つこと、導入ガスの圧力については低いガス圧を保
つこと、などが行なわれていた。これについては、ジャ
ーナル オブ ヴアキューム サイエンス アントテク
ノロジー ８７ １９８９ 第６０９頁から第６１７
頁（Ｐ、 Ｂｌａｕｎｅｒ ｅｔ ａｌ、； Ｊ、 Ｖ
ａｃ、 Ｓｃｉ。
を使う場合は配線の比抵抗、及び配線と基板との接着力
などが重要となる。有機金属を用いた集束ビームによる
金属膜堆積において堆積膜の比抵抗はそのバルクの比抵
抗に比べ約２桁以上大きくなることが分かっている。こ
の比抵抗をできるだけ小さくするため従来は膜形成方法
として、ビームについては遅い走査速度、高い電流密度
を保つこと、導入ガスの圧力については低いガス圧を保
つこと、などが行なわれていた。これについては、ジャ
ーナル オブ ヴアキューム サイエンス アントテク
ノロジー ８７ １９８９ 第６０９頁から第６１７
頁（Ｐ、 Ｂｌａｕｎｅｒ ｅｔ ａｌ、； Ｊ、 Ｖ
ａｃ、 Ｓｃｉ。
Ｔｅｃｈｎｏｌ、Ｂ ７ （１９８９） ｐ ｐ、６
０９−６１７．）に詳しく述へられている。一方、真空
蒸着法による膜と基板との接着力を強くすることについ
ては、イオン衝撃による基板洗浄に関して、真空 第２
６巻 第５号 １９８３ 第４７５頁−第４７９頁に、
また、クロム（Ｃｒ）を基板と蒸着膜の間に挾む事に関
して、真空 第３２巻 第２号１９８９ 第６８頁−第
７１頁に記載されている。
０９−６１７．）に詳しく述へられている。一方、真空
蒸着法による膜と基板との接着力を強くすることについ
ては、イオン衝撃による基板洗浄に関して、真空 第２
６巻 第５号 １９８３ 第４７５頁−第４７９頁に、
また、クロム（Ｃｒ）を基板と蒸着膜の間に挾む事に関
して、真空 第３２巻 第２号１９８９ 第６８頁−第
７１頁に記載されている。
しかし上記技術を使い集束ビームにより膜堆積を行なう
場合においては、以下のような問題点が発生する。集束
ビームアシステツドデポジションによる堆積膜は膜成長
初期過程において−様な膜構造とはならずに島状構造に
なる。その島状構造は膜の堆積速度が大きいほど密にな
り早い段階で連続構造になる。−１膜の比抵抗は〔従来
の技術〕の筒で述べたように遅い走査速度、低いガス圧
。
場合においては、以下のような問題点が発生する。集束
ビームアシステツドデポジションによる堆積膜は膜成長
初期過程において−様な膜構造とはならずに島状構造に
なる。その島状構造は膜の堆積速度が大きいほど密にな
り早い段階で連続構造になる。−１膜の比抵抗は〔従来
の技術〕の筒で述べたように遅い走査速度、低いガス圧
。
高い電流密度（レーザに対しては強度）などにより堆積
速度が遅くなるほど堆積膜の比抵抗が小さくなる。その
ため比抵抗の小さい膜をっけようとすると成長初期の島
状構造が粗になり、第７図のように基板３と堆積膜６と
の間に空間２１ができ接触面積が小さくなる。したがっ
て堆積膜の基板との付着力が小さくなり剥がれやすくな
る。一方、接着力を強くするために放電ガスにより基板
表面をイオン衝撃する、真空蒸着で形成したクロム膜を
挾む等の方法があるが、これらの方法は集束ビームによ
り膜を堆積した局所部分だけに適用することができず、
膜堆積を行なわない他の場所にも影響を及ぼすという問
題が発生する。
速度が遅くなるほど堆積膜の比抵抗が小さくなる。その
ため比抵抗の小さい膜をっけようとすると成長初期の島
状構造が粗になり、第７図のように基板３と堆積膜６と
の間に空間２１ができ接触面積が小さくなる。したがっ
て堆積膜の基板との付着力が小さくなり剥がれやすくな
る。一方、接着力を強くするために放電ガスにより基板
表面をイオン衝撃する、真空蒸着で形成したクロム膜を
挾む等の方法があるが、これらの方法は集束ビームによ
り膜を堆積した局所部分だけに適用することができず、
膜堆積を行なわない他の場所にも影響を及ぼすという問
題が発生する。
上記課題を解決するために本発明では以下に示す２つの
手段を示した。第一は膜形成のビーム条件を膜構造が−
様となる迄の成長初期段階では堆積速度が速くなるよう
に、その後は堆積速度が遅くなるように設定することで
ある６第二に基板及び堆積膜ともに相互作用が大きな膜
を集束ビームアシステンドデポジション法を用いて堆積
させ。
手段を示した。第一は膜形成のビーム条件を膜構造が−
様となる迄の成長初期段階では堆積速度が速くなるよう
に、その後は堆積速度が遅くなるように設定することで
ある６第二に基板及び堆積膜ともに相互作用が大きな膜
を集束ビームアシステンドデポジション法を用いて堆積
させ。
これを少なくとも一つ挾むことである。
前記２つの手段により集束ビームを用いて堆積した膜の
接着力低下の問題点は解決される。第一の手段において
は膜堆積初期の段階で堆積速度を大きくすることにより
基板との接触面積の大きな、すなわち接着力の大きな膜
を作り、その後膜構造が−様となった後堆積速度を小さ
くすることにより比抵抗の小さな膜を作ることができる
。このようにして全体としては膜の比抵抗は小さいが接
着力は大きくすることができる。第二の手段では基板と
膜との両方に相互作用の大きな物質を膜堆積を行なう局
所部分だけに堆積することによりそれぞれ大きな接触面
積を持たせ接着力を大きくできる。堆積膜の成長は膜と
その下地との相互作用が大きいほど島状構造にならずに
−様な構造になりやすい。
接着力低下の問題点は解決される。第一の手段において
は膜堆積初期の段階で堆積速度を大きくすることにより
基板との接触面積の大きな、すなわち接着力の大きな膜
を作り、その後膜構造が−様となった後堆積速度を小さ
くすることにより比抵抗の小さな膜を作ることができる
。このようにして全体としては膜の比抵抗は小さいが接
着力は大きくすることができる。第二の手段では基板と
膜との両方に相互作用の大きな物質を膜堆積を行なう局
所部分だけに堆積することによりそれぞれ大きな接触面
積を持たせ接着力を大きくできる。堆積膜の成長は膜と
その下地との相互作用が大きいほど島状構造にならずに
−様な構造になりやすい。
以下図を用いて実施例について説明する。以下の説明は
集束イオンビームにより膜を堆積した実施例を示すが集
束電子ビーム、集束レーザビームにおいても同様の操作
で膜の堆積を行うことができる。第１図は本発明の実施
に用いた集束イオンビーム装置の構成図である。イオン
！１００で発生したガリウムイオン１０３を２段の静電
レンズ１０２により集束し、ディフレクタ１０７により
偏向、走査してガス導入ノズル１１２より照射したガス
中においた試料１１０にイオンを照射するようになって
いる。
集束イオンビームにより膜を堆積した実施例を示すが集
束電子ビーム、集束レーザビームにおいても同様の操作
で膜の堆積を行うことができる。第１図は本発明の実施
に用いた集束イオンビーム装置の構成図である。イオン
！１００で発生したガリウムイオン１０３を２段の静電
レンズ１０２により集束し、ディフレクタ１０７により
偏向、走査してガス導入ノズル１１２より照射したガス
中においた試料１１０にイオンを照射するようになって
いる。
第２図はＷ（ＣＯ）、 を導入ガスとして使いビーム
走査速度を変化させてタングステン膜の堆積を行なった
ときの実施例である。堆積速度はビーム走査速度が速い
ほど速くなるため、先ずビーム走査速度として約１００
■／ｓｅｃでＷ（ＣＯ）６ガス中に置いた５ｉ０２基板
を照射し、約１．ＯＸ １０１７／ｄのイオンを打ち込
み、−棟構造の膜を形成した。イオン打ち込み量はあら
かじめビーム電流密度と照射面積を知ることにより照射
時間として制御できる。また膜が一様構造となるかどう
かはイオン打ち込み量に依存し０．５ Ｘ Ｉ Ｏ”／
ａＪ−１，０×１０”７／ Ｃａ１ｆの範囲で島状構造
から一様構造へと移行する。このようにして比抵抗は高
いが接着性のよい膜１ｏを堆積させた。その後ビーム走
査速度を１■／ｓｅｃとし比抵抗の低い膜９を堆積させ
た。この堆積した膜をひっかき法により評価した結果は
、約３０ｇであった。−１膜の比抵抗は約８ｏμΩ・■
であり通常の堆積によりえられる比抵抗との差はなかっ
た。
走査速度を変化させてタングステン膜の堆積を行なった
ときの実施例である。堆積速度はビーム走査速度が速い
ほど速くなるため、先ずビーム走査速度として約１００
■／ｓｅｃでＷ（ＣＯ）６ガス中に置いた５ｉ０２基板
を照射し、約１．ＯＸ １０１７／ｄのイオンを打ち込
み、−棟構造の膜を形成した。イオン打ち込み量はあら
かじめビーム電流密度と照射面積を知ることにより照射
時間として制御できる。また膜が一様構造となるかどう
かはイオン打ち込み量に依存し０．５ Ｘ Ｉ Ｏ”／
ａＪ−１，０×１０”７／ Ｃａ１ｆの範囲で島状構造
から一様構造へと移行する。このようにして比抵抗は高
いが接着性のよい膜１ｏを堆積させた。その後ビーム走
査速度を１■／ｓｅｃとし比抵抗の低い膜９を堆積させ
た。この堆積した膜をひっかき法により評価した結果は
、約３０ｇであった。−１膜の比抵抗は約８ｏμΩ・■
であり通常の堆積によりえられる比抵抗との差はなかっ
た。
第３図はビーム電流密度を変化させて堆積速度を変化さ
せた実施例の説明図である。８１０２基板３上にＷ（Ｃ
Ｏ）Ｇガスを吹き付けながらイオンビーム（電流密度約
ＩＡ／ａＪ）を照射しタングステン膜１２を堆積させた
。ビーム照射時間は照射面積、堆積させたい膜の抵抗値
に依存して変化する。
せた実施例の説明図である。８１０２基板３上にＷ（Ｃ
Ｏ）Ｇガスを吹き付けながらイオンビーム（電流密度約
ＩＡ／ａＪ）を照射しタングステン膜１２を堆積させた
。ビーム照射時間は照射面積、堆積させたい膜の抵抗値
に依存して変化する。
その後電流密度を１０μＡ／ａｄにし、先に堆積したタ
ングステン膜を覆う範囲にイオンビームを照射し、約２
Ｘ １０１７／ａｔのイオンを打ち込み膜１１を堆積
させた。低い電流密度で堆積した膜１１の成分はほとん
どが炭素であり、絶縁的になっている。電気の流れる範
囲は高い電流密度で堆積した部分であり、低い電流密度
で堆積した部分にはほとんど電気は流れず基板との接着
及び堆積膜の保護膜として働いている。この堆積膜のひ
っかき法による評価は１２０ｇであり、比抵抗は１００
μΩ・ｌであった。
ングステン膜を覆う範囲にイオンビームを照射し、約２
Ｘ １０１７／ａｔのイオンを打ち込み膜１１を堆積
させた。低い電流密度で堆積した膜１１の成分はほとん
どが炭素であり、絶縁的になっている。電気の流れる範
囲は高い電流密度で堆積した部分であり、低い電流密度
で堆積した部分にはほとんど電気は流れず基板との接着
及び堆積膜の保護膜として働いている。この堆積膜のひ
っかき法による評価は１２０ｇであり、比抵抗は１００
μΩ・ｌであった。
第４図は導入ガス圧を変化させて堆積速度を変化させ堆
積を行なった実施例の説明図である。導入ガス圧はバル
ブ１１３により基板上で２０ｍＴｏｒｒに設定している
。この状態でＷ（ＣＯ）６ ガス雰囲気中においたＳ１
０□基板３上に集束イオンビームを照射し１．０ Ｘ
１０１７／ａＪ のイオンを打ち込みタングステン膜１
４を堆積させた。その後バルブ１１３を閉め導入ガス圧
を１ｍＴｏｒｒにしイオンビームを照射してタングステ
ン膜１３を堆積させた。この膜のひっかき法による評価
は１４０ｇであった。
積を行なった実施例の説明図である。導入ガス圧はバル
ブ１１３により基板上で２０ｍＴｏｒｒに設定している
。この状態でＷ（ＣＯ）６ ガス雰囲気中においたＳ１
０□基板３上に集束イオンビームを照射し１．０ Ｘ
１０１７／ａＪ のイオンを打ち込みタングステン膜１
４を堆積させた。その後バルブ１１３を閉め導入ガス圧
を１ｍＴｏｒｒにしイオンビームを照射してタングステ
ン膜１３を堆積させた。この膜のひっかき法による評価
は１４０ｇであった。
第５図はＳｉＯ２基板と堆積膜との間に異種の膜を挾む
ことにより接着力を増加させた実施例の説明図である。
ことにより接着力を増加させた実施例の説明図である。
まずＳｉＯ□基板３にバルブ１１５を開けＣｃｌ （Ｃ
Ｈ，）、ガス１５を吹き付けつつイオンビーム１を照射
しカドミウムの堆積膜１７を堆積させた［（ａ）参照コ
。この時イオン電流密度は１ｍ Ａ ／ ａｊ、ビーム
走査速度は１０ ａｎ／ｓｅｅ 、イオン打ち込み量は
ｌ Ｘ １０１７／ａｌｌである。カドミウムは５１０
２との相互作用が強くひっかき方による評価は約５００
ｇである。つぎにバルブ１１５を閉め、バルブ１１４を
開けＣ７Ｈ７Ｆ、○、Ａｕガス１６をカドミウム堆積膜
１７上に吹き付けながらビーム］を照射し金の堆積膜１
８を作った［（ｂ）参照］。ビーム条件はカドミウムを
堆積したときと同じである。ただしイオン打ち込み量は
５倍にした。その結果膜全体としてのひっかき方による
評価は、約２００ｇであった。
Ｈ，）、ガス１５を吹き付けつつイオンビーム１を照射
しカドミウムの堆積膜１７を堆積させた［（ａ）参照コ
。この時イオン電流密度は１ｍ Ａ ／ ａｊ、ビーム
走査速度は１０ ａｎ／ｓｅｅ 、イオン打ち込み量は
ｌ Ｘ １０１７／ａｌｌである。カドミウムは５１０
２との相互作用が強くひっかき方による評価は約５００
ｇである。つぎにバルブ１１５を閉め、バルブ１１４を
開けＣ７Ｈ７Ｆ、○、Ａｕガス１６をカドミウム堆積膜
１７上に吹き付けながらビーム］を照射し金の堆積膜１
８を作った［（ｂ）参照］。ビーム条件はカドミウムを
堆積したときと同じである。ただしイオン打ち込み量は
５倍にした。その結果膜全体としてのひっかき方による
評価は、約２００ｇであった。
第６図は以上の方法を使った応用実施例の説明図である
。導入ガスとしてＷ（Ｃｏ）、を使い、５ｉ０２基板上
に堆積した。ビーム走査速度約１ａｏ／ｓｅｃ、ビーム
電流密度約ＩＡ／ａ！でイオンビーム１を（ａ）のよう
に走査し接着力の弱い膜を堆積した。その後、膜の端２
ｏにビーム走査速度約１００ ａｍ／ｓｅｃ 、ビーム
電流密度約１０μＡ／ａ＋ｆでイオンビームを走査し接
着力の強い膜を堆積した。このようにして基板上にバネ
状（多少の伸縮が可能）の堆積膜を形成することができ
た。
。導入ガスとしてＷ（Ｃｏ）、を使い、５ｉ０２基板上
に堆積した。ビーム走査速度約１ａｏ／ｓｅｃ、ビーム
電流密度約ＩＡ／ａ！でイオンビーム１を（ａ）のよう
に走査し接着力の弱い膜を堆積した。その後、膜の端２
ｏにビーム走査速度約１００ ａｍ／ｓｅｃ 、ビーム
電流密度約１０μＡ／ａ＋ｆでイオンビームを走査し接
着力の強い膜を堆積した。このようにして基板上にバネ
状（多少の伸縮が可能）の堆積膜を形成することができ
た。
以上に説明したように本発明による膜の形成方法によれ
ば堆積膜の比抵抗を小さく保ったまま、基板との接着力
を大きく、すなわち剥がれにくい膜を形成することがで
きるようになった。
ば堆積膜の比抵抗を小さく保ったまま、基板との接着力
を大きく、すなわち剥がれにくい膜を形成することがで
きるようになった。
第１図は本発明を実施した集束イオンビーム装置の概略
図、第２図、第３図及び第４図はそれぞれ堆積条件を途
中で変化させることにより膜と基板との接着力を増加さ
せた実施例の説明図、第５図は堆積膜と基板の間にもう
一つ別の膜を堆積させることにより膜と基板との接着力
を増加させた実施例の説明図、第６図は接着力をコント
ロールすることによりバネを形成した実施例の説明図、
第７図は従来の技術による堆積膜の説明図である。 １・・・集束イオンビーム、２・・・スパッタ粒子、３
Ｓ ｉ Ｏ，基板、４ ガス導入ノズル、５・Ｗ（Ｃｏ
）、ガス、６・・タングステン膜、７・・・ＣＱ２ガス
、８・・ステージ、９・・・遅い走査速度によるＷ膜、
１０・・・速い走査速度によるＷ膜、１１・・・低電流
密度によるＷ膜、１２・・高電流密度によるＷ膜、１３
・・低いガス圧によるＷ膜、１４・・高いガス圧による
Ｗ膜、１５・・Ｃｄ （ＣＨ，）□ガス、１６・Ｃ７Ｈ
７Ｆ、０２Ａｕガス、１７−・・カドミウム膜、１８・
・・金薄膜、１９・・・ビーム走査軌跡、２ｏ・堆積膜
端、２１・・・空間、１００・・・液体金属イオン源。 １０１・・・引出し電極、１０２・・静電レンズ、１０
３・・・ガリウムビーム、１０４ ・ウィーンフィルタ
、１０５・・・マスアパーチャ、１０６・・・選択アパ
ーチャ、１０７・・・ディフレクタ、１０８・・・二次
電子検出器、１０９・・・制御コンピュータ、１１０・
・・試料、１１１・・・ステージ、１１２・・・ガス導
入ノズル、１１３・・・バルブ１．１１４・・・バルブ
２．１１５バルブ３．１１６・・・Ｗ（ＣＯ）６ リザ
ーバ、１１７”’ＣｔＨｔＦ、０２Ａｕリザーバ、１１
８−・・Ｃｄ （ＣＨ，）、リザーバ、１１９・・・バ
ルブ４゜￥Ｊ １ 図 拓 纂 図 ρ） （′ｂ） 第 Δ 図 にデ カ
図、第２図、第３図及び第４図はそれぞれ堆積条件を途
中で変化させることにより膜と基板との接着力を増加さ
せた実施例の説明図、第５図は堆積膜と基板の間にもう
一つ別の膜を堆積させることにより膜と基板との接着力
を増加させた実施例の説明図、第６図は接着力をコント
ロールすることによりバネを形成した実施例の説明図、
第７図は従来の技術による堆積膜の説明図である。 １・・・集束イオンビーム、２・・・スパッタ粒子、３
Ｓ ｉ Ｏ，基板、４ ガス導入ノズル、５・Ｗ（Ｃｏ
）、ガス、６・・タングステン膜、７・・・ＣＱ２ガス
、８・・ステージ、９・・・遅い走査速度によるＷ膜、
１０・・・速い走査速度によるＷ膜、１１・・・低電流
密度によるＷ膜、１２・・高電流密度によるＷ膜、１３
・・低いガス圧によるＷ膜、１４・・高いガス圧による
Ｗ膜、１５・・Ｃｄ （ＣＨ，）□ガス、１６・Ｃ７Ｈ
７Ｆ、０２Ａｕガス、１７−・・カドミウム膜、１８・
・・金薄膜、１９・・・ビーム走査軌跡、２ｏ・堆積膜
端、２１・・・空間、１００・・・液体金属イオン源。 １０１・・・引出し電極、１０２・・静電レンズ、１０
３・・・ガリウムビーム、１０４ ・ウィーンフィルタ
、１０５・・・マスアパーチャ、１０６・・・選択アパ
ーチャ、１０７・・・ディフレクタ、１０８・・・二次
電子検出器、１０９・・・制御コンピュータ、１１０・
・・試料、１１１・・・ステージ、１１２・・・ガス導
入ノズル、１１３・・・バルブ１．１１４・・・バルブ
２．１１５バルブ３．１１６・・・Ｗ（ＣＯ）６ リザ
ーバ、１１７”’ＣｔＨｔＦ、０２Ａｕリザーバ、１１
８−・・Ｃｄ （ＣＨ，）、リザーバ、１１９・・・バ
ルブ４゜￥Ｊ １ 図 拓 纂 図 ρ） （′ｂ） 第 Δ 図 にデ カ
Claims (7)
- １．集束ビームを用いて、ガス雰囲気中に置いた基板上
に分解したガスの堆積膜を作る膜形成方法において、膜
形成の途中段階で堆積条件を変化させることを特徴とす
る膜形成方法。 - ２．請求項１記載の上記膜形成方法において、膜形成途
中段階での堆積条件を変化させることにより、堆積膜が
一様構造になる迄の初期段階は堆積速度を速く、その後
の段階では堆積速度を遅くすることを特徴とする膜形成
方法。 - ３．請求項１記載の上記膜形成方法において、堆積条件
の変化がビーム走査速度を変化させることであることを
特徴とする膜形成方法。 - ４．請求項１記載の上記膜形成方法において、堆積条件
の変化が集束荷電粒子ビームに対しては電流密度、集束
レーザビームに対しては強度を変化させることであるこ
とを特徴とする膜形成方法。 - ５．請求項１記載の上記膜形成方法において、堆積条件
の変化が導入ガスの圧力を変化させることであることを
特徴とする膜形成方法。 - ６．請求項１記載の上記膜形成方法において、堆積条件
の変化がビーム走査速度を変化させること、荷電粒子ビ
ームに対しては電流密度を集束レーザビームに対しては
強度を変化させること、導入ガス圧を変化させること、
の少なくともいずれか２つの工程を含むことを特徴とす
る膜形成方法。 - ７．集束ビームを用いて、ガス雰囲気中に置いた基板上
に分解したガスの堆積膜を作る膜形成方法において、堆
積する膜と基板との間に集束ビームにより形成した異な
る膜を少なくとも１つはさむことを特徴とする膜形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25016390A JPH04131377A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25016390A JPH04131377A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04131377A true JPH04131377A (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=17203762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25016390A Pending JPH04131377A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04131377A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088254A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Nec Corp | 金属薄膜形成方法 |
| JP2004241572A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2010215947A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Omron Corp | レーザｃｖｄによる薄膜形成方法、及び同方法に好適なガスウィンドウ |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP25016390A patent/JPH04131377A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088254A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Nec Corp | 金属薄膜形成方法 |
| JP2004241572A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2010215947A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Omron Corp | レーザｃｖｄによる薄膜形成方法、及び同方法に好適なガスウィンドウ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0372061B1 (en) | Selective area nucleation and growth method for metal chemical vapor deposition using focused ion beams | |
| EP0947603A3 (en) | Film depositing method and apparatus | |
| JP2003520409A (ja) | 成形され、低密度な集束イオンビーム | |
| US4874632A (en) | Process for forming pattern film | |
| JPH04131377A (ja) | 膜形成方法 | |
| US6576894B1 (en) | Structure for FIB based microanalysis and method for manufacturing it | |
| US5004927A (en) | Process for forming a fine pattern having a high aspect ratio | |
| JP2001508598A (ja) | 半導体表面処理方法及び装置 | |
| JPH0463433A (ja) | 半導体素子の配線装置およびそれを用いた配線方法 | |
| JPS63288017A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPS6136928A (ja) | 真空装置 | |
| JP2533510B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JPH0261066A (ja) | パターン形成方法 | |
| US20080305408A1 (en) | Aperture mask, manufacturing method thereof, charge beam lithography apparatus, and charge beam lithography method | |
| JPS61124568A (ja) | イオンビ−ムスパツタ装置 | |
| JP2000054116A (ja) | 金属パタ―ン膜の形成方法及びその装置 | |
| Yi et al. | Proximity-effect correction in electron-beam lithography on metal multi-layers | |
| JP2890431B2 (ja) | 超電導回路の製造方法 | |
| JPH0794512A (ja) | 配線形成方法及び装置 | |
| JPS60178623A (ja) | 荷電ビ−ム露光方法 | |
| JPH05299716A (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| US20050056351A1 (en) | Surface treatment method, process for producing near-field exposure mask using the method, and nanoimprint lithography mask | |
| JPH06103953A (ja) | 金属イオンを用いた薄膜形成方法およびその装置 | |
| JP2007324284A (ja) | アパーチャマスク、アパーチャマスクの作製方法、荷電ビーム描画装置、及び荷電ビーム描画方法 | |
| JPS63291418A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |